CN103378268A - 封装件和封装件的制造方法 - Google Patents
封装件和封装件的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103378268A CN103378268A CN2013101314980A CN201310131498A CN103378268A CN 103378268 A CN103378268 A CN 103378268A CN 2013101314980 A CN2013101314980 A CN 2013101314980A CN 201310131498 A CN201310131498 A CN 201310131498A CN 103378268 A CN103378268 A CN 103378268A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- packaging part
- housing
- connecting portion
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 78
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种散热良好得封装件，其具备：壳体，其具有上表面、下表面、以及侧面；平板状电极，其包括：从所述壳体的所述下表面露出的下表面、以及具有用于在其上搭载发光元件的搭载部的上表面；绝缘部件，其设置在所述电极的周边部的上表面；环状元件连接部，其连接在所述绝缘部件的上表面；筒状反射部，其从所述元件连接部的外边缘延伸到和所述壳体的所述上表面相对应的高度；端子部，其配置在所述壳体的所述侧面，并且和所述反射部相连接；以及收纳所述发光元件的凹部，其通过所述电极的所述上表面、所述元件连接部、以及所述反射部而形成在所述壳体内的上部。
Description
技术领域
本公开涉及搭载有发光元件的封装件以及封装件的制造方法。
背景技术
以往，发光元件（例如，发光二极管（LED：Light Emitting Diode））的封装件，例如，具有由树脂制成的外壳、以及连接到发光元件的引线电极（例如，日本专利文献特开2002-280616以及特开2005-197329）。这里概要地说明一下封装件。在壳体上形成有凹部（腔）。被布置为一端彼此相对的两个引线电极在该凹部中露出。其中一个引线电极上搭载有发光元件，而另一个引线电极经由导线连接到发光元件。每个引线电极对应于封装件的搭载方法而被弯曲形成。例如，在封装件被搭载在基板等的表面上的情况下，这些引线电极的前端被弯曲为在和凹部相反侧的面上彼此相对。把具备引线电极的引线框放置在模具内，并将熔融树脂注入模具中，然后使树脂固化，这样就形成了封装件。
近年来，发光元件正在朝高亮度化发展。发光元件的发热量相应于供给电流量而增加。然而，在如上所述的引线电极中，因为封装件的散热性相对较低，所以导致难以把发光元件的热有效地引导到封装件的外部。
发明内容
根据本发明的一个侧面，提供一种用于搭载发光元件的封装件，该封装件具备：壳体，其具有上表面、下表面、以及侧面；平板状电极，其包括：从所述壳体的所述下表面露出的下表面、以及具有用于在其上搭载发光元件的搭载部的上表面；绝缘部件，其设置在所述电极的周边部的上表面；环状元件连接部，其连接在所述绝缘部件的上表面；筒状反射部，其从所述元件连接部的外边缘延伸到和所述壳体的所述上表面相对应的高度；端子部，其配置在所述壳体的所述侧面，并且和所述反射部相连接；以及收纳所述发光元件的凹部，其通过所述电极的所述上表面、所述元件连接部、以及所述反射部而形成在所述壳体内的上部。
根据本发明，能够提供散热良好得封装件。
附图说明
图1A是封装件的平面图。
图1B是封装件的剖视图。
图2A是封装件的上方立体图，
图2B是封装件的下方立体图。
图3是封装件的分解立体图。
图4A是具有封装件的发光装置的立体图，所述封装件上搭载有发光元件。
图4B是图4A中的发光装置的剖视图。
图5是搭载有封装件的基板的立体图。
图6是一立体图，其示出了向基板搭载封装件。
图7A，7B，7C，7D是用于说明封装件的制造工序的示意性剖视图。
图8A，8B是示出了封装件的制造工序的立体图。
图9A，9B是用于说明封装件的制造工序的示意性剖视图。
图10A，10B，10C，10D是用于说明封装件的制造工序的示意性剖视图。
图11是搭载有多个元件的封装件的立体图。
图12是另一个封装件的剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图就本发明的一个实施例进行说明。附图的目的是用于说明构造的概况，并不代表实际的大小以及比例。
如图1A和1B中所示，封装件10被形成为大致矩形板状。如在图3中所示，封装件10包括：壳体20、第1电极30、绝缘片材40、以及第2电极50。在所示的例子中，封装件10进一步包括抗蚀膜60。第1电极30只是作为电极的一个例子。绝缘片材40只是作为绝缘部件的一个例子。
壳体20被形成为矩形框状。在一个实施例中，用树脂把第1电极30、绝缘片材40、以及第2电极50成形，然后把成形后的部件进行单个化（singulate），从而把壳体20形成为矩形形状。作为壳体20的材料，可使用例如像聚酰亚胺树脂、环氧树脂或有机硅树脂等的绝缘性树脂，或者使用将二氧化硅或氧化铝等填料混入上述这些树脂之后的树脂材料。作为壳体20的材料也可使用白色的绝缘性树脂。作为白色的绝缘性树脂，可以是含有二氧化钛或硫酸钡等白色填料和白色颜料的、像环氧树脂、有机聚硅氧烷树脂等的树脂材料。
第1电极30被形成为大致为矩形板状那样的平板状。在所示的例子中，第1电极30是4个角落被倒角为预定半径的圆弧形状的板。所述第1电极30的厚度例如为0.2-0.3mm（毫米）。如图4A中所示，在第1电极30的上表面31上搭载着发光元件70。因此，所述第1电极30的上表面31包括发光元件70的搭载部。发光元件70例如是高亮度的发光二极管（LED），在上表面以及下表面上具有电极。如图4B中所示，发光元件70通过例如焊料72被连接到第1电极30的上表面31。第1电极30由导电性材料而形成。第1电极30的大小和厚度根据发光元件70的形状以及特性（输入电流等）来设定。
如图1B和2B所示，第1电极30的下表面32在封装件10的下表面露出。在一个优选的实施例中，第1电极30的下表面32与壳体20的下表面21基本上是齐平的。优选第1电极30的整个下表面32被露出在封装件10的下表面。该露出的第1电极30对发光元件70进行供电。这个露出的第1电极30可充当把发光元件70的热量向封装件10的外部进行散热的散热路径或者散热部件。第1电极30由良好的热传导性的材料所形成。作为这样的第1电极30的材料是，例如，铜、铜（Cu）系合金、铁-镍或铁-镍（Fe-Ni）系合金。第1电极30例如通过对金属板进行蚀刻或者冲压而得到。第1电极30也可以整体或部分地被电镀。被电镀的部分可以是例如发光元件70的搭载部、和其他导体进行电连接的下表面32等。电镀可以是例如电镀银；以电镀镍、电镀银的顺序层叠在金属板上的电镀；或者以电镀镍、电镀钯、电镀银的顺序层叠在金属板上的电镀等各种电镀。第1电极30的下表面可被称为散热供电面。
形成为矩形框状的绝缘片材40那样的绝缘部件被设置在第1电极30的周边部分的上表面上。第1电极30的周边部分的上表面经由绝缘片材40连接到第2电极50上。绝缘片材40的材料优选为例如聚酰亚胺等由树脂所构成的高绝缘性材料。
第2电极50具有形成为矩形框状的基部51。基部51的内边缘划出开口52，该开口52的四个角形成为预定半径的圆弧状。第2电极50具有从开口52的端部朝向第1电极30延伸的反射部53。反射部53形成为和开口52的形状相对应的大致圆筒状。在图1B中所示的例子中，反射部53形成为从其上端（开口52的端部）越朝向下方其尺寸越小的锥形形状。反射部53的内侧面可以起到作为和基部51相连续、并且倾斜的反射面的作用。
环状的元件连接部54和绝缘片材40的上表面相连接。元件连接部54被形成在反射部53的下端。元件连接部54被形成为和基部51相平行的大致矩形的框架形状。元件连接部54被形成在和第1电极30的上表面31相平行。元件连接部54经由绝缘片材40和第1电极30的周边部分的上表面相连接。以这种方式，反射部53、元件连接部54、以及和元件连接部54相连接的第1电极30在封装件10的上表面形成了凹部11。如图4A所示，该凹部11是为了搭载发光元件70的腔。
元件连接部54经由导线71被电连接到发光元件70上。在图4A所示的例子中，导线71的一端被连接到元件连接部54的上表面上，导线71的另一端则和发光元件70的上表面的电极相连接。
第2电极50具有端子部55。如图1A和2A所示，端子部55形成在封装件10的一个边上的大致中央部。
端子部55包括：形成为半圆形的侧壁部56；以及连接到侧壁部56的下端并且大致呈半圆形的连接端子57。如图1B中所示，侧壁部56被形成为从封装件10的上表面延伸到下表面。如图1B和2B所示，和第1电极30类似，连接端子57的下表面58被形成为大致与壳体20的下表面21平齐。换句话说，连接端子57的下表面58在封装件10的下表面露出。从该露出的连接端子57，经由第2电极和导线71（参见图4A）向发光元件70供电。
在所示的例子中，第2电极50的基部51上形成有多个狭缝59a-59e。通过对预定厚度（例如，0.1mm）的金属板进行冲压加工（拉延加工）可以得到第2电极50。因此，基部51、反射部53、元件连接部54、以及端子部55由一体的金属板构成。
第2电极50具有导电性，由加工性良好的材料所形成。这样的第2电极50的材料是例如铜（Cu）、铜（Cu）系合金、铁-镍（Fe-Ni）、铁-镍系合金。该第2电极50的整体或部分被电镀。被电镀的部分是例如反射部53的内侧表面、元件连接部54的上表面上、连接端子57的下表面58等。电镀可以是例如电镀银；以电镀镍、电镀银的顺序层叠在金属板上的电镀；或者以电镀镍、电镀钯、电镀银的顺序层叠在金属板上的电镀等各种电镀。形成电镀银、或在层叠的多个电镀层的最上层形成对于提高从发光元件70射出的光的反射率是有效的。
在第2电极50的加工中，狭缝59a-59d被形成为使得防止或减少在反射部53、元件连接部54所发生的变形。狭缝59e在第2电极50的加工中被形成为防止或减少在端子部55所发生的变形。在所示的例子中，各个狭缝59a-59e中填充着用于形成壳体20的树脂（参见图3中的树脂部22）。各个狭缝59a-59e内的树脂部22提高了壳体20和第2电极50之间的紧贴程度。
抗蚀膜60被形成为基本上覆盖壳体20的上表面以及第2电极50的上表面。抗蚀膜60例如可以是白色的绝缘性树脂。白色的抗蚀膜60可以起到作为反射膜的作用。作为白色的绝缘性树脂，可以是含有二氧化钛或硫酸钡等白色填料和白色颜料的、像环氧树脂、有机聚硅氧烷树脂等树脂材料。
下面说明封装件10的效果。
如图4A和4B所示，发光装置包括：封装件10、以及搭载在该封装件10上的发光元件70。发光元件70，例如，是高亮度的发光二极管（LED）。发光元件70搭载在第1电极30的上表面31上，并且通过焊料72等和第1电极30电连接。作为焊接材料，例如，可以使用含有铅（Pb）的合金、锡（Sn）和金（Au）的合金、锡（Sn）和银（Ag）的合金、锡（Sn）和银（Ag）以及铜（Cu）的合金。作为连接发光元件70和第1电极30的材料，可以使用如银膏等的导电性糊剂、导电性树脂等。
第1电极30是一块板，其具有比发光元件70的占据面积还大的上表面31，上表面31的一部分从发光元件70露出。因此，可以通过低电阻来连接第1电极30的上表面31和发光元件70的下表面。发光元件70的整个下表面被连接到第1电极30的上表面上。因此发光元件70的热从发光元件70的整个下表面被传达到第1电极30。第1电极30被形成为具有预定厚度的板状，所以第1电极30把发光元件70的热量有效地从上表面朝下表面传递，并从第1电极30的下表面向封装件10的外部释放。以这种方式，第1电极30就提高了对发光元件70的热量进行散热的散热性。
导线71的一端被连接到发光元件70的上表面，导线71的另一端则被连接第2电极50的元件连接部54的上表面。导线71例如可以是金（Au）导线。元件连接部54被形成为框架形状。因此，导线71则可以被形成为相对于发光元件70来说，向任意方向延伸。由于不受导线71的连接方向的限制，就减少了连接导线71的连接装置中的制约（封装件10、发光元件70的方向等）。
搭载在封装件10的凹部11（腔）的发光元件70被填充在凹部11中的、具有透光性的树脂材料73所覆盖。例如可把硅树脂用作树脂材料73。树脂材料73中可以含有例如荧光体。在图4A，图5，图6，图11中，省略了树脂材料73。也可以把透镜搭载在封装件10上。
如上所述，如图5所示，具有发光元件70以及封装件10的发光装置被搭载在基板80上。基板80上形成有供电垫81，82、以及和供电垫81，82相连接的布线图案83。如图6所示，基板80上形成有：和封装件10的第1电极30相连接的、大致为矩形的连接垫84，以及和封装件10的端子部55（连接端子57）相连接的连接垫85。如图5所示的封装件10，其驱动电流是通过供电垫81,82以及布线图案83来供给的。
如上所述，和基板80连接的发光元件70通过被供给电流而发光。发光元件70射出的光中的一部分在反射部53被反射。因为反射部53是倾斜的，所述反射光射向封装件10的上方。形成在封装件10的上表面的白色的抗蚀膜60将光向封装件的上方反射。因此，可以有效地利用发光元件70所发出的光。
以下，就封装件10的制造工序进行说明。
首先，如图7A所示，准备一个具有预定厚度的金属板100。该金属板100的厚度为例如0.1mm。
然后，如图7B所示，将金属板100通过蚀刻或冲压以形成贯通孔101。如图1A所示，该贯通孔101的大小和元件连接部54的内侧开口54a的大小相对应。如图4A所示，贯通孔101的大小可以根据要搭载的发光元件70的大小来确定。在一个实施例中，如图1A所示的狭缝59a-59e则可以和贯通孔101同时形成。
接着，如图7C所示，电镀层102形成在金属板100（包括贯通孔101的内表面）的整个表面上。而后，对金属板100进行冲压加工（拉延加工）以形成如图7D所示的第2电极50。例如，也可在冲压加工（拉延加工）之后再形成电镀层102。
图7A-7D显示了一个第2电极50的形成。通过上述工序，优选从金属板100同时形成多个第2电极50。例如，如图8A所示，在一块金属板上形成了多个贯通孔101以及狭缝59a-59e。接着，如图8B所示，通过冲压加工（拉延加工）来形成包括有彼此连接的多个第2电极50的引线框105，所述多个第2电极50分别具有反射部53、元件连接部54、以及端子部55。
如图9A所示，准备一个具有预定厚度的金属板110。该金属板110的厚度为例如0.2mm。
然后，如图9B所示，在金属板110的整个表面上形成电镀111，从而形成第1电极30。
然后，如图10A所示，准备涂布着粘合剂等的绝缘片材40，经由绝缘片材40将第2电极50连接到第1电极30的上表面31。将第1电极30连接到包括在引线框105(如图8A所示)中的第2电极50上。
然后，如图10B所示，将成型带120贴到如图8B所示的引线框105（第2电极50）的上表面上。成型带120覆盖着第2电极50的开口52，也就是说，覆盖着反射部53的内侧表面、元件连接部54、以及第1电极30的上表面31的中央部。图10B示出了端子部55的横向外侧（图中右侧）被打开的情况，如图8B所示，因为包括在引线框105中的第2电极50被互相连续地形成，所以，通过如图10B所示的成型带120，用于形成端子部55的截头圆锥形的凹部就被覆盖和封闭。
然后，如图10C所示，将包括第1电极30的、如图10B所示的部件设置在模具130中，并将树脂140注入到模具130内。图10C示出了模具130容纳着一个第1电极30以及一个第2电极50的情况。优选地，模具130被形成为可容纳：如图8B所示的引线框105、以及经由绝缘片材40和包括在所述引线框105中的多个第2电极50相连接的多个第1电极30。
模具130形成为长方体形状。模具130的内侧高度和从第1电极30的下表面32到第2电极50的上表面为止的高度大致相等。因此，第1电极30的下表面32由于合模而和模具130的内表面紧密接触，所以第1电极30的下表面32并不被树脂140所覆盖。第2电极50的元件连接部54和第1电极30的上表面31经由形成为环状的绝缘片材40而相连接。第2电极50的上表面被成型带120所覆盖。因此，树脂140不会进入由第1电极30和第2电极50所形成的凹部11（腔）、以及端子部55中。
将注入模具130内的树脂140固化之后，将模具130脱模，然后剥离成型带120。然后，通过丝网印刷将树脂材料涂布在第2电极50的上表面，从而形成抗蚀膜60。之后，通过把引线框105切断并进行单个化，从而形成如图10D所示的封装件10。
如上所述，根据本实施例，可达到以下的效果。
（1）封装件10具有形成为板状的第1电极30。第1电极30的下表面32形成为大致与壳体20的下表面21齐平，并从壳体20的下表面21露出。该发光元件70被连接到第1电极30的上表面31。发光元件70的热量从发光元件70的整个下表面被传递到第1电极30。而且，第1电极30形成为具有预定厚度的板状。因此，发光元件70的热量从第1电极30的上表面被有效地朝向下表面传递。因此，能够提供一种封装件，其能够对发光元件70的热量进行良好得散热。
（2）经由绝缘片材40将第2电极的元件连接部54连接在第1电极30的周边部分的上表面。元件连接部54被形成为矩形框状。该元件连接部54和一端连接到发光元件70的、导线71的另一端相连接。因为元件连接部54被形成为框状，所以可以很容易地改变导线71的方向。因此，就减少了连接导线71的连接装置中的制约（封装件10、发光元件70的方向等）。
（3）把形成第2电极50的金属板进行折曲，并使之朝封装件10的上端倾斜而形成反射部53。因此，可以把从发光元件70射出的光有效地朝封装件10的上方进行反射。另外，该金属板的厚度已经考虑了加工性能。因此，可以容易地形成反射部53。通过由金属板形成的反射部53，能够对反射部53实施电镀。因此，可以有效地反射从发光元件70射出的光。
（4）第2电极50的元件连接部54经由环状的绝缘片材40而和板状的第1电极30的周边部的上表面相连接。元件连接部54形成为矩形框状。从元件连接部54的外周端部朝向上方形成大致为矩形筒状的反射部53。反射部53和元件连接部54以及第1电极30所包围的凹部11形成了搭载发光元件70的腔。
因此，比起通过树脂成形等在模具中形成腔的情况，无需复杂形状（为了形成腔的凸部）的模具。即，通过像大约为长方体状的、简单形状的模具130，能够形成具有凹部11的封装件10。因此，和用模具来形成腔的情况相比，能够减少和模具有关的成本。
无需通过成形模具而形成腔，所以，比起形成腔等的成形模具，模具130从产品上脱模的性能就良好。因此，用于树脂成形的装置（传递模塑）的停止期间就缩短，从而能够达到提高生产效率的目的。并且可以减少和制造有关的成本。
（6）由于没有必要把腔通过用于成形的模具而形成，可以容易地改变腔的形状。并且，因为没有必要来制造和腔的变化相对应的模具，所以可以减少封装件10的制造成本。
上述实施例中，可以作如下变更。
并不限定于树脂成形后进行单个化来制造封装件10，也可在单个化之后进行树脂成形以制造封装件10。
端子部55的连接端子57的下表面58可以是基本上与壳体20的下表面21平齐，侧壁部56可以由树脂来覆盖。
作为发光元件可以使用面式发光半导体激光器（垂直腔面发射激光器：VCSEL）。不仅可使用可见光区域的光，也可使用其输出为紫外线或红外线的发光元件。
例如，如图11所示，也可以把发光二极管70和齐纳二极管75搭载在封装件10上。和发光元件70类似，齐纳二极管75在上表面和下表面分别具有用于连接的电极。因此，和发光元件70类似，齐纳二极管75通过焊料或导电膏和第1电极30电连接，通过导线76和元件连接部54电连接。在图11中，覆盖发光元件70和齐纳二极管75的树脂被省略。
搭载在封装件10上的元件并不限定于齐纳二极管，也可搭载光接收元件，以及防止这些半导体元件由于超压而造成损害的保护元件（例如，齐纳二极管和电容器），或者是上述各元件的组合。和搭载着的元件相连接的元件连接部54形成为框架形状。因此，可把要搭载的元件配置在不影响发光元件70的任何位置，并把布线（导线）和元件连接部54相连接。
可以适当地改变第1电极30的形状。例如，如图12所示，可使之具有凸缘部33的形状。凸缘部33，例如，通过冲压或蚀刻来形成。通过具有凸缘部33可以改善第1电极30和形成外壳20的树脂之间的紧密性。在另一个例子中，第1电极30的下表面32的面积可大于上表面31的面积，例如，具有平截头体（frustum）的形状。
Claims (15)
1.用于搭载发光元件的封装件，具备：
壳体，其具有上表面、下表面、以及侧面；
平板状电极，其包括：从所述壳体的所述下表面露出的下表面、以及具有用于在其上搭载发光元件的搭载部的上表面；
绝缘部件，其设置在所述电极的周边部的上表面；
环状元件连接部，其连接在所述绝缘部件的上表面；
筒状反射部，其从所述元件连接部的外边缘延伸到和所述壳体的所述上表面相对应的高度；
端子部，其配置在所述壳体的所述侧面，并且和所述反射部相连接；以及
收纳所述发光元件的凹部，其通过所述电极的所述上表面、所述元件连接部、以及所述反射部而形成在所述壳体内的上部。
2.根据权利要求1所述的封装件，其中，
所述电极的所述上表面以及所述元件连接部都是和所述发光部件的电极相连接的连接部。
3.根据权利要求1所述的封装件，其中，
所述封装件进一步具有环状基部，其配置在所述壳体的所述上表面，并且和所述反射部相连接，
所述端子部和所述基部相连接。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的封装件，其中，
所述端子部包括：圆弧状的侧壁部，所述侧壁部的上端和所述基部相连接，所述侧壁部的下端到达所述壳体的所述下表面，所述侧壁部的直径形成为越向上端侧越大；以及
连接端子，其和所述侧壁部的所述下端相连接，并从所述壳体的所述下表面露出。
5.根据权利要求3所述的封装件，其中，
所述元件连接部、所述端子部、所述反射部、以及所述基部由一体的金属板而构成。
6.根据权利要求5所述的封装件，其中，
所述电极是比所述元件连接部以及所述反射部厚的金属板。
7.根据权利要求1所述的封装件，其中，
所述反射部呈开口径从所述元件连接部朝所述壳体的所述上表面扩大的筒状。
8.根据权利要求1所述的封装件，其中，
所述壳体呈平板状，并由绝缘树脂构成。
9.根据权利要求1所述的封装件，其中，
所述电极的所述下表面是从所述壳体的所述下表面露出的、平坦的散热供电面。
10.根据权利要求1所述的封装件，其中，
所述电极的整个所述下表面和所述壳体的下表面齐平。
11.一种用于搭载发光元件的封装件的制造方法，包括以下工序：
用第1金属板来形成平板状的电极；
在第2金属板上形成开口；
为了在所述开口的端部形成环状的元件连接部、以及和所述元件连接部相连接的筒状的反射部，而使所述第2金属板弯曲；
经由环状的绝缘片材，把所述元件连接部和所述电极的周边部的上表面相连接；以及
以使被所述电极、所述元件连接部、以及所述反射部所包围的凹部被模具所封闭的方式，将所述第2金属板以及所述电极插入所述模具内，并将树脂注入所述模具。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，
进一步包括：用成型带把所述第2金属板的上表面覆盖的工序，
所述模具包括模腔，在该模腔插入被所述成型带所覆盖的所述第2金属板以及所述电极，所述模腔的高度和从所述电极的下表面到所述成型带的上表面的高度相等。
13.根据权利要求11所述的制造方法，其中，
注入所述模具的所述树脂形成和所述第2金属板以及所述电极的周围侧面相连接的、由绝缘树脂所构成的壳体。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，
使所述第2金属板弯曲的工序包括在所述第2金属板上形成和所述反射部相连接的端子部，
将所述树脂注入的工序包括以使所述端子部位于所述壳体的侧面的方式将所述树脂注入所述模具。
15.一种发光装置，具备：
如权利要求1所述的封装件；
收纳在所述封装件的所述凹部内的发光元件；以及
为了覆盖所述发光元件而填充在所述凹部内的透光性树脂材料，其中，
所述电极的所述下表面是从所述发光装置露出的散热供电面。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012095488A JP5989388B2 (ja) | 2012-04-19 | 2012-04-19 | パッケージ及びパッケージの製造方法 |
| JP2012-095488 | 2012-04-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103378268A true CN103378268A (zh) | 2013-10-30 |
| CN103378268B CN103378268B (zh) | 2017-10-03 |
Family
ID=48326072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310131498.0A Expired - Fee Related CN103378268B (zh) | 2012-04-19 | 2013-04-16 | 封装件和封装件的制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8890295B2 (zh) |
| EP (1) | EP2654093B1 (zh) |
| JP (1) | JP5989388B2 (zh) |
| CN (1) | CN103378268B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110007254A (zh) * | 2017-11-27 | 2019-07-12 | Tdk株式会社 | 传感器系统、传感器模块和传感器系统的安装方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5693800B1 (ja) * | 2013-06-28 | 2015-04-01 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄ装置 |
| JP6002858B2 (ja) * | 2013-12-03 | 2016-10-05 | 日本カーバイド工業株式会社 | 発光素子搭載用基板、及び、それを用いた発光装置 |
| USD778848S1 (en) * | 2015-04-07 | 2017-02-14 | Cree, Inc. | Solid state light emitter component |
| JP6168096B2 (ja) | 2015-04-28 | 2017-07-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法 |
| JP6628031B2 (ja) * | 2015-11-04 | 2020-01-08 | ローム株式会社 | 電子部品 |
| DE102016106270A1 (de) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Herstellung eines halbleiterbauelements |
| JP1566953S (zh) * | 2016-04-28 | 2017-01-16 | ||
| TWI647867B (zh) * | 2016-08-31 | 2019-01-11 | 大陸商開發晶照明（廈門）有限公司 | Led金屬基板和led模組 |
| US10378736B2 (en) * | 2016-11-03 | 2019-08-13 | Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd. | LED bracket, LED bracket array, LED device and LED display screen |
| CN108269899B (zh) * | 2016-12-30 | 2020-06-05 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
| WO2019059703A2 (ko) * | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 조명 모듈 |
| USD865688S1 (en) * | 2018-07-03 | 2019-11-05 | Lumens Co., Ltd. | LED package |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060102917A1 (en) * | 2002-06-19 | 2006-05-18 | Toshihiko Oyama | Semiconductor light emitting device, method for producing the same and reflector for semiconductor light emitting device |
| US20080128724A1 (en) * | 2004-08-10 | 2008-06-05 | Hiroyuki Isobe | Light Emitting Device and Process for Manufacturing the Same |
| CN100530727C (zh) * | 2006-04-21 | 2009-08-19 | 三星电机株式会社 | 具有多阶梯反射表面结构的发光二极管封装及其制造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4066608B2 (ja) | 2001-03-16 | 2008-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体及びその製造方法 |
| JP2005197329A (ja) | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造 |
| US20050199899A1 (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-15 | Ming-Der Lin | Package array and package unit of flip chip LED |
| JP2006222271A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用基板 |
| TWI314366B (en) * | 2006-04-28 | 2009-09-01 | Delta Electronics Inc | Light emitting apparatus |
| US7485480B2 (en) * | 2006-09-21 | 2009-02-03 | Harvatek Corporation | Method of manufacturing high power light-emitting device package and structure thereof |
| US20080089072A1 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Alti-Electronics Co., Ltd. | High Power Light Emitting Diode Package |
| US8058667B2 (en) * | 2009-03-10 | 2011-11-15 | Nepes Led Corporation | Leadframe package for light emitting diode device |
| US20120037939A1 (en) * | 2009-04-13 | 2012-02-16 | Youji Urano | Light emitting diode |
| DE102010025319B4 (de) * | 2010-06-28 | 2022-05-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements und oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente |
| US8253330B2 (en) * | 2010-11-30 | 2012-08-28 | GEM Weltronics TWN Corporation | Airtight multi-layer array type LED |
-
2012
- 2012-04-19 JP JP2012095488A patent/JP5989388B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-10 EP EP13163043.6A patent/EP2654093B1/en not_active Not-in-force
- 2013-04-16 CN CN201310131498.0A patent/CN103378268B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-17 US US13/864,402 patent/US8890295B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060102917A1 (en) * | 2002-06-19 | 2006-05-18 | Toshihiko Oyama | Semiconductor light emitting device, method for producing the same and reflector for semiconductor light emitting device |
| US20080128724A1 (en) * | 2004-08-10 | 2008-06-05 | Hiroyuki Isobe | Light Emitting Device and Process for Manufacturing the Same |
| CN100530727C (zh) * | 2006-04-21 | 2009-08-19 | 三星电机株式会社 | 具有多阶梯反射表面结构的发光二极管封装及其制造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110007254A (zh) * | 2017-11-27 | 2019-07-12 | Tdk株式会社 | 传感器系统、传感器模块和传感器系统的安装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5989388B2 (ja) | 2016-09-07 |
| EP2654093B1 (en) | 2018-11-28 |
| US8890295B2 (en) | 2014-11-18 |
| JP2013222931A (ja) | 2013-10-28 |
| US20130277701A1 (en) | 2013-10-24 |
| CN103378268B (zh) | 2017-10-03 |
| EP2654093A3 (en) | 2015-11-18 |
| EP2654093A2 (en) | 2013-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103378268A (zh) | 封装件和封装件的制造方法 | |
| US7102213B2 (en) | Leadframe-based housing, leadframe strip, surface-mounted optoelectronic-component, and production method | |
| US7338823B2 (en) | Side-emitting LED package and manufacturing method of the same | |
| US7524087B1 (en) | Optical device | |
| CN100389505C (zh) | Led外壳及其制造方法 | |
| CN101207117B (zh) | 系统级封装体及其制造方法 | |
| EP2346100B1 (en) | Light emitting apparatus and lighting system | |
| US20070269927A1 (en) | Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body | |
| US20130037845A1 (en) | Lead frame, and light emitting diode module having the same | |
| CN104282674A (zh) | 发光装置 | |
| CN102044619B (zh) | 发光器件封装及其制造方法 | |
| JP2012134531A (ja) | 発光装置 | |
| JP2012109521A (ja) | Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法 | |
| EP2228842B1 (en) | Light emitting device package | |
| KR100774251B1 (ko) | 리드프레임 내의 내부 반사층이 라운드 형태를 갖는 엘이디패키지 | |
| EP2639841A1 (en) | Light-emitting device, and method for manufacturing circuit board | |
| CN1595641B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| KR20130133597A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
| WO2013180333A1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
| CN105845806B (zh) | 发光器件封装 | |
| JP4389263B2 (ja) | 半導体発光装置の製法 | |
| CN106298749B (zh) | 发光二极管、电子器件及其制作方法 | |
| JP4020870B2 (ja) | 光源装置およびその製造方法ならびに平面照明装置 | |
| KR101228078B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지의 제조방법 | |
| CN114698235A (zh) | 一种双面塑封电源产品及其连接方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20171003 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |