CN103367579B - 一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种半导体发光器件的电流阻挡层，其特征在于，其一种半导体发光器件的电流阻挡层，包括在半导体外延层和在半导体外延层上具有图形化的介质扩散区域，在介质扩散区域内扩散有不与上述半导体外延层形成欧姆接触的介质离子，所述的介质离子为金属或半导体材料；所述介质扩散区域的厚度为1‑5nm。本发明主要通过在电流阻挡结构的半导体材料目标区域表面沉积一层薄金属材料或半导体材料，通过高温扩散半导体工艺，实现该区域材料的掺杂、表面状态改变，然后再其上做接触层以及器件工艺。方法简单工艺上容易实现批量生产，制备的电流阻挡层没有额外插入层，不会与欧姆接触区域出现空隙，适合批量生产。

Description

一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法，属于光电子器件技术领域。

背景技术

发光二极管简称LED，采用砷化镓、镓铝砷和磷化镓等材料制成，其内部结构为一个PN结，具有单向导电性。当在LED的PN结上加正向电压时，PN结势垒降低，载流子的扩散运动大于漂移运动，致使P区的空穴注入到N区，N区的电子注入到P区，这样相互注入的空穴与电子相遇后会产生复合，复合时产生的能量大部分以光的形式出现，因此而发光。根据人们对可见光的研究，人眼所能见的白光，至少需两种光的混合，即二波长发光(蓝色光+黄色光)或三波长发光(蓝色光+绿色光+红色光)的模式。上述两种模式的白光，都需要蓝色光，所以摄取蓝色光已成为制造白光的关键技术。二十世纪九十年代初，以氮化物为代表的第三代宽带隙半导体材料获得了历史性突破，在GaN基材料上成功地制备出绿色、蓝色和紫色LED，使得LED白光照明成为可能。从1971年第一只GaN LED管芯到1994年，GaN HEMT出现了高电子迁移率的蓝光GaN基二极管，GaN半导体材料发展十分迅速，市场需求驱动力十分大，将取代白炽灯和日光灯成为照明市场的主导，具有巨大发展空间。

照明市场和背光市场对LED芯片的高亮度、强光效提出新的要求，而在外延生长和芯片工艺制程中如何提高LED的内量子效率和外量子效率成为各家争相研究的热点。有效电流注入、最大化的电子空穴复合，是LED量子效率的关键。LED芯片结构中电流通过两个金属焊盘流通，而复合的光子在两个焊盘处常被遮挡。因此，在外延生长和芯片工艺中，都会想办法把电极下面最密集的电流向周围尽可能的均匀扩展，以使得有效光区域范围扩大。电流阻挡层的概念也由此得来。

但是现有半导体发光器件电流阻挡层的制备方法常存在阻挡层与半导体材料粘附不好、容易脱落，电流阻挡层引起器件额外界面使得接触势垒增大，从而导致器件有效效率降低的特点。

中国专利文件CN101510580A公开了一种具有电流阻挡层的发光二极管，主要特点是在透明电极层P型半导体材料层之间，阳极金属电极焊线层下方对应的局部位置上，形成有电流阻挡层。利用电流阻挡层减少晶片电极下方的电流积聚，减少电极对光的吸收，提高了出光率。中国专利文件CN101341604提供了一种具有电流扩展层的发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片具有至少一个电流阻挡层，具有外延半导体层序列的材料，电流扩展层的材料和/或在半导体层序列和电流扩展层之间的界面。以上专利中均给出一种电流阻挡层结构，并没有具体给出电流阻挡层的制备工艺。

中国专利文件CN101752478A提供了一种改善发光二极管电流扩展效率的发光二极管及其制备方法，P型电流扩展层内形成有一电流阻挡区，该电流阻挡区内设置有电流阻挡层；所述的方法是通过离子植入或二次外延的方式在P型电流扩展层内形成电流阻挡层。离子植入区域植入或二次外延方法对外延生长和工艺清洁度要求很高，其成本也高，并不适合批量规模化成本管理。

中国专利文件CN101969089A公开了一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法，在氮化镓基发光外延层之上定义电流阻止区，在电流阻止区的非掺杂氮化镓基外延层之上镀一金属层作为掩膜以覆盖整个电流阻止区；采用电化学蚀刻将电流阻止区之外的非掺杂氮化镓基外延层去除；利用电化学蚀刻选择性定义电流阻挡层，避免了干法蚀刻带来的损伤和钝化问题，获得基于非掺杂外延层的具有电流阻挡效应的氮化镓基发光二极管。该专利通过电化学蚀刻去除非掺杂外延层而使得未去除区域达到电流阻挡的效果。

中国专利文件CN101552316公开了一种具有图案化电流阻挡金属接触的发光二极管，所述发光二极管包括：外延层构造；形成在所述外延层构造上的第一电极；以及形成在所述外延层构造上的第二电极。所述第一电极具有图案，而所述第二电极具有与所述第一电极的图案相对准的部分。所述第二电极的所述部分形成与所述外延层的构造的非欧姆接触。专利中给出一种通过非欧姆接触电极的方式阻挡电流以达到电流均匀的目的，与很多专利电极前植入介质膜实现电流阻挡的结构一样。此方法也仅是通过额外增加非欧姆接触的方法实现电流阻挡效果。

另外如在很多专利文章中提到，通过在P型和电流扩展层之间植入介质膜的方法起到电流阻挡的效果。电流阻挡层一般为SiO₂或SiNx薄膜，这种方法得到的电流阻挡层对介质膜和外延层的粘附要求高，同时介质膜导电性差，器件的散热寿命也会受到一定的影响。

发明内容

发明概述

针对以上的技术不足，本发明提供一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法。

本发明提出一种通过器件工艺改变P型或N型接触区域杂质掺杂浓度，使金属电极由欧姆接触转变为肖特基接触的方法。通过上述方法制出的电流阻挡层结构实现了对电流的有效扩展，从而提高半导体器件的发光效果和电注入效果。

发明详述

本发明的技术方案如下：

一种半导体发光器件的电流阻挡层，包括在半导体外延层和在半导体外延层上具有图形化的介质扩散区域，在介质扩散区域内扩散有不与上述半导体外延层形成欧姆接触的介质离子，所述的介质离子为金属或半导体材料；所述介质扩散区域的厚度为1-5nm。

所述介质离子在介质扩散区域中的浓度范围为1E5-1E15/cm³。

根据本发明优选的，所述半导体材料为III族、IV族和V族中的金属元素和非金属元素所组成的化合物。

优选的，所述半导体材料为GaN或GaAs。

根据本发明优选的，所述金属为Al、Au、Ag、Cu、Mg、Ti、Ni、In、Fe、Si和Pb中的一种或多种。

一种上述半导体发光器件的电流阻挡层的制备方法，包括步骤如下：

(1)在半导体外延层上制备一层金属薄膜或半导体材料薄膜；所述金属薄膜或半导体材料薄膜的厚度为 所述金属薄膜中的金属为不能与上述半导体外延层形成欧姆接触的金属；所述半导体材料薄膜中的半导体材料为不能与上述半导体外延层形成欧姆接触的半导体材料；

(2)利用半导体光刻腐蚀工艺对半导体外延层上的金属薄膜或半导体材料薄膜图形化，所述图形即为电流阻挡层的目标区域；

(3)将经步骤(2)图形化后的半导体外延层置于高温炉内5-30min，使得图形化金属薄膜或半导体材料薄膜扩散到半导体外延层表层内，形成扩散区域，所述扩散区域的厚度范围为1-5nm；扩散区域中离子浓度范围为1E5-1E15/cm³；所述的离子即为所述金属薄膜或半导体材料薄膜经加热所扩散出的离子；

(4)按照现有技术在半导体外延层上进行半导体发光器件的制备，其中，在扩散区域上对应制备电极。使得扩散区域恰好在电极下面，从而起到电流阻挡层的效果。

根据本发明，优选方案之一：

所述的半导体外延层为GaN基LED外延片，所述的介质扩散区域中的介质离子为金属Ag、Al、Au、Cu和Fe中的一种或多种。

所述的半导体外延层为GaN基LED外延片，所述的介质扩散区域中的介质离子为半导体材料GaN或GaAs。

根据本发明，优选方案之一：

所述的半导体外延层为GaP外延片，所述的介质扩散区域中的介质离子为金属Au、Ag、Al和In中的一种或多种。

所述的半导体外延层为GaP外延片，所述的介质扩散区域中的介质离子为半导体材料GaN或GaAs。

根据本发明优选的，在半导体外延层上制备一层金属薄膜或半导体材料薄膜的方法为电子束蒸镀法、溅射法或沉积法。

根据本发明优选的，所述步骤(3)的高温炉，其炉内的温度为300-800℃，并且具有保护气体做保护，所述保护气体的流速为2-5L/min。

优选的，所述保护气体为N₂、H₂或Ar₂。

根据本发明，优选方案之一：

当半导体发光器件为GaN基LED管芯时，其电流阻挡层的制备方法，包括步骤如下：

(1)通过酸洗去除GaN基LED外延片表面氧化层、利用有机物去除GaN基LED外延片上的油脂沾污，在GaN基LED外延片上利用电子束蒸镀法、溅射法或沉积法制备一层厚的金属薄膜，金属薄膜中的金属为不能与GaN基LED外延片形成欧姆接触的材料；优选的，所述金属薄膜中的金属为Ag、Al、Au、Cu和Fe中的一种或多种；

(2)利用半导体光刻工艺对GaN基LED外延片上的金属薄膜图形化，所述图形即为电流阻挡层的目标区域；

(3)将经步骤(2)图形化后的GaN基LED外延片置于高温炉内10-20min，使得图形化金属薄膜扩散到GaN基LED外延片表层内，形成金属扩散区域，所述金属扩散区域的厚度范围为1-5nm；金属扩散区域中离子浓度范围为1E5-1E15/cm³；所述的离子即为所述金属薄膜经加热所扩散出的金属离子；所述高温炉内的条件为：温度550-800℃，并且具有氮气保护，氮气的流速为3L/min；

(4)按照现有技术在GaN基LED外延片上进行半导体发光器件的制备，其中，在金属扩散区域上依次制备电流扩展层和P电极，P电极位于金属扩散区域的上方。

根据本发明，优选方案之一：

当半导体发光器件为GaP基LED管芯时，其电流阻挡层的制备方法，包括步骤如下：

(1)去除背面磷的GaAs衬底AlGaInP外延片，在P面GaP外延片上利用电子束蒸镀法、溅射法或沉积法制备一层厚 的金属薄膜，金属薄膜中的金属为不能与GaP外延片形成欧姆接触的材料；优选的，所述金属薄膜中的金属为Au、Ag、Al和In中的一种或多种；

(2)利用半导体光刻工艺对GaP外延片上的金属薄膜图形化，所述图形即为电流阻挡层的目标区域；

(3)将经步骤(2)图形化后的GaP外延片置于高温炉内5-20min，使得图形化金属薄膜扩散到GaP外延片表层内，形成金属扩散区域，所述扩散区域的厚度范围为1-5nm；金属扩散区域中离子浓度范围为1E5-1E15/cm³；所述的离子即为所述金属薄膜经加热所扩散出的金属离子；所述高温炉内的条件为：温度500-700℃，并且具有氮气保护，氮气的流速为3L/min；

(4)按照现有技术在GaP外延片上进行半导体发光器件的制备，其中，在金属扩散区域上依次制备电流扩展层和P电极，P电极位于金属扩散区域的上方且P电极直径比金属扩散区域直径大5-20μm。优选的，所述P电极为高温合金后的AuBeTiAu。

本发明的有益效果：

1.本发明所述的方法简单，工艺上容易实现批量生产。

2.本发明制备的电流阻挡层无需额外插入层，因此不会与欧姆接触区域出现空隙，同时本发明所述方法制备出的电流阻挡层不存在粘附脱落问题，提高了器件工艺制程的稳定性和可靠性。

3.本发明所述的工艺方法是在电流阻挡结构的半导体材料目标区域表面沉积一层薄金属材料或半导体材料，通过高温扩散半导体工艺，实现对该区域材料的掺杂、表面状态改变，然后在其上做接触层以及器件工艺。

附图说明

图1a是本发明所述的未制备有介质薄膜的半导体外延层；

图1b是本发明所述的制备有介质薄膜的半导体外延层；

图1c是本发明所述的介质薄膜扩散至半导体外延层表面内，形成的介质扩散区域；

图2是实施例5、6所述半导体LED管芯的结构示意图；

图3是实施例1、2所述GaN基LED管芯的结构示意图；

图中，1、P电极，2、电流扩展层，3、P-GaN层，4、MQW层，5、N-GaN层，6、衬底层，7、N电极，9、半导体外延层；10、介质薄膜(金属薄膜或半导体材料薄膜)；11、介质扩散区域(金属扩散区域或半导体材料扩散区域)。

具体实施方式

下面结合实施例和说明书附图对本发明做详细的说明，但不限于此。

实施例1、2分别为在GaN基LED外延片上制备的电流阻挡层及其制备方法；

实施例3、4分别为在GaP外延片上制备的电流阻挡层及其制备方法；

实施例5、6为根据本发明所述的方法制备的半导体LED管芯结构。

实施例1、

如图1a、1b、1c和3所示，一种GaN基LED管芯的电流阻挡层，包括GaN基LED外延片3和在GaN基LED外延片3上具有图形化的介质扩散区域，在介质扩散区域内扩散有不与上述GaN基LED外延片形成欧姆接触的介质离子，所述的介质离子为金属；所述介质扩散区域的厚度为1-5nm。所述的介质扩散区域中的介质离子为金属Ag、Al、Au、Cu和Fe中的一种或多种。

实施例2、

一种制备如实施例1所述电流阻挡层的方法，包括步骤如下：

(1)通过酸洗去除GaN基LED外延片3表面氧化层、利用有机物去除GaN基LED外延片3表面的油脂沾污，在GaN基LED外延片3上利用电子束蒸镀法、溅射法或沉积法制备一层厚 的金属薄膜，所述金属薄膜为Ag、Al、Au、Cu和Fe中的一种或多种；

(2)利用半导体光刻工艺对GaN基LED外延片上的金属薄膜图形化，所述图形即为电流阻挡层的目标区域；

(3)将经步骤(2)图形化后的GaN基LED外延片置于高温炉内10-20min，使得图形化金属薄膜扩散到GaN基LED外延片3表层内，形成金属扩散区域，所述金属扩散区域的厚度范围为1-5nm；金属扩散区域中离子浓度为1E8/cm³；所述的离子即为所述金属薄膜经加热所扩散出的金属离子；所述高温炉内的条件为：温度550-800℃，并且具有氮气保护，氮气的流速为3L/min；

(4)按照现有技术在GaN基LED外延片上进行半导体发光器件的制备，其中，在金属扩散区域上依次制备电流扩展层2和P电极1，P电极1位于金属扩散区域的上方。

实施例3、

一种GaP基LED管芯的电流阻挡层，包括在GaP外延片和在GaP外延片上具有图形化的介质扩散区域，在介质扩散区域内扩散有不与上述GaP外延片形成欧姆接触的介质离子，所述的介质离子为金属；所述介质扩散区域的厚度为1-5nm。所述的介质扩散区域中的介质离子为金属Au、Ag、Al和In中的一种或多种。

实施例4、

一种制备如实施例3所述电流阻挡层的方法，包括步骤如下：

(1)去除背面磷的GaAs衬底AlGaInP外延片，在P面GaP外延片上蒸镀一层厚 的金属薄膜，所述金属薄膜为Au、Ag、Al和In中的一种或多种；

(2)利用半导体光刻工艺对GaP外延片上的金属薄膜图形化，所述图形即为电流阻挡层的目标区域；

(3)将经步骤(2)图形化后的GaP外延片置于高温炉内5-20min，使得图形化金属薄膜扩散到GaP外延片表层内，形成金属扩散区域，所述扩散区域的厚度范围为1-5nm；金属扩散区域中离子浓度范围为1E10/cm³；所述的离子即为所述金属薄膜经加热所扩散出的金属离子；所述高温炉内的条件为：温度500-700℃，并且具有氮气保护，氮气的流速为3L/min；

(4)按照现有技术在GaP外延片上进行半导体发光器件的制备，其中，在金属扩散区域上依次制备电流扩展层和P电极，P电极位于金属扩散区域的上方且P电极直径比金属扩散区域直径大5-20μm；优选的，所述P电极为高温合金后的AuBeTiAu。

实施例5、

如图1a、1b、1c和图2所示，一种半导体LED管芯，由下而上依次为N电极7、N型GaN层5、半导体外延层9、电流扩展层2和P电极1，在所述的半导体外延层9上具有图形化的介质扩散区域11，在介质扩散区域11内扩散有不与上述半导体外延层9形成欧姆接触的介质离子，所述的介质离子为金属；所述介质扩散区域的厚度为1-5nm。所述的介质扩散区域中的介质离子为金属Al、Ag和Fe中的一种或多种。

根据实施例5，一种制备半导体LED管芯电流阻挡层的方法，包括如下步骤：

(1)在半导体外延层上9利用电子束蒸镀法、溅射法或沉积法制备一层金属薄膜10；所述金属薄膜10的厚度为 所述金属薄膜10中的金属为Al、Ag和Fe中的一种或组合；

(2)利用半导体光刻腐蚀工艺对半导体外延层上的金属薄膜10图形化，所述图形即为电流阻挡层的目标区域；

(3)将经步骤(2)图形化后的半导体外延层9置于高温炉内5-20min，使得图形化金属薄膜10扩散到半导体外延层9表层内，形成扩散区域11，所述扩散区域11的厚度范围为1-5nm；扩散区域11中离子浓度为1E6/cm³；所述的离子即为所述金属薄膜10经加热所扩散出的离子；其炉内的温度为600-700℃，并且具有保护气体H₂，所述保护气体H₂的流速为4L/min；

(4)按照现有技术在半导体外延层9的扩散区域11上依次制备电流扩展层2和P电极1，P电极1位于扩散区域的上方。

实施例6、

如实施例5所述的半导体LED管芯，其区别在于，在介质扩散区域11内扩散有不与上述半导体外延层9形成欧姆接触的介质离子，所述的介质离子为半导体材料；所述介质扩散区域11的厚度为1-5nm。所述的介质扩散区域中的介质离子为半导体材料为GaN或GaAs。

根据实施例6，一种制备半导体LED管芯电流阻挡层的方法，包括如下步骤：

(1)在半导体外延层上利用电子束蒸镀法、溅射法或沉积法制备一层半导体材料薄膜10；所述半导体材料薄膜10的厚度为 所述半导体材料薄膜10中的半导体材料为GaN或GaAs；

(2)利用半导体光刻腐蚀工艺对半导体外延层上的半导体材料薄膜10图形化，所述图形即为电流阻挡层的目标区域；

(3)将经步骤(2)图形化后的半导体外延层9置于高温炉内5-20min，使得图形化半导体材料薄膜10扩散到半导体外延层9表层内，形成扩散区域11，所述扩散区域11的厚度范围为1-5nm；扩散区域中离子浓度范围为1E7/cm³；所述的离子即为所述半导体材料薄膜经加热所扩散出的离子；其炉内的温度为300-800℃，并且具有保护气体Ar₂，所述保护气体Ar₂的流速为3.5L/min。

(4)按照现有技术在半导体外延层9的扩散区域11上依次制备电流扩展层2和P电极1，P电极1位于扩散区域的上方。

根据本发明所制备如实施例1-6所述的半导体发光器件，其整体发光光效提高5％左右，并且完全避免了电流阻挡层粘附脱落问题，延长半导体发光器件寿命达10％以上。

Claims (11)

1.一种半导体发光器件的电流阻挡层的制备方法，所述半导体发光器件的电流阻挡层，其包括在半导体外延层和在半导体外延层上具有图形化的介质扩散区域，在介质扩散区域内扩散有不与上述半导体外延层形成欧姆接触的介质离子，所述的介质离子为金属或半导体材料；所述介质扩散区域的厚度为1-5nm；所述介质离子在介质扩散区域中的浓度范围为1E5—1E15/cm³；

所述半导体材料为GaN或GaAs；

其特征在于，所述制备方法包括步骤如下：

（1）在半导体外延层上制备一层金属薄膜或半导体材料薄膜；所述金属薄膜或半导体材料薄膜的厚度为5-100Å；所述金属薄膜中的金属为不能与上述半导体外延层形成欧姆接触的金属；所述半导体材料薄膜中的半导体材料为不能与上述半导体外延层形成欧姆接触的半导体材料；

（2）利用半导体光刻腐蚀工艺对半导体外延层上的金属薄膜或半导体材料薄膜图形化，所述图形化的金属薄膜或半导体材料薄膜即为电流阻挡层的目标区域；

（3）将经步骤（2）图形化后的半导体外延层置于高温炉内5-30min，使得图形化金属薄膜或半导体材料薄膜扩散到半导体外延层表层内，形成扩散区域，所述扩散区域的厚度范围为1-5nm；扩散区域中离子浓度范围为1E5—1E15 /cm³；所述的离子即为所述金属薄膜或半导体材料薄膜经加热所扩散出的离子；

（4）按照现有技术在半导体外延层上进行半导体发光器件的制备，其中，在扩散区域上对应制备电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的半导体外延层为GaN基 LED外延片，所述的介质扩散区域中的介质离子为金属Ag、Al、Au、Cu和Fe中的一种或多种；所述的介质扩散区域中的介质离子为半导体材料GaN或GaAs。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的半导体外延层为GaP外延片，所述的介质扩散区域中的介质离子为金属Au、Ag、Al和In中的一种或多种；所述的介质扩散区域中的介质离子为半导体材料GaN或GaAs。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中在半导体外延层上制备一层金属薄膜或半导体材料薄膜的方法为电子束蒸镀法、溅射法或沉积法。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）的高温炉，其炉内的温度为300-800℃，并且具有保护气体做保护，所述保护气体的流速为2-5L/min 。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，当半导体发光器件为GaN基 LED管芯时，其电流阻挡层的制备方法，包括步骤如下：

（1）通过酸洗去除GaN基 LED外延片表面氧化层、利用有机物去除GaN基 LED外延片上的油脂沾污，在GaN基 LED外延片上利用电子束蒸镀法、溅射法或沉积法制备一层厚5-50Å的金属薄膜，金属薄膜中的金属为不能与GaN基 LED外延片形成欧姆接触的材料；

（2）利用半导体光刻工艺对GaN基 LED外延片上的金属薄膜图形化，所述图形化的金属薄膜或半导体材料薄膜即为电流阻挡层的目标区域；

（3）将经步骤（2）图形化后的GaN基 LED外延片置于高温炉内10-20min，使得图形化金属薄膜扩散到GaN基 LED外延片表层内，形成金属扩散区域，所述金属扩散区域的厚度范围为1-5nm；金属扩散区域中离子浓度范围为1E5—1E15 /cm³；所述的离子即为所述金属薄膜经加热所扩散出的金属离子； 所述高温炉内的条件为：温度550-800℃，并且具有氮气保护，氮气的流速为3L/min；

（4）按照现有技术在GaN基 LED外延片上进行半导体发光器件的制备，其中，在金属扩散区域上依次制备电流扩展层和P电极，P电极位于金属扩散区域的上方。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，当半导体发光器件为GaP基 LED管芯时，其电流阻挡层的制备方法，包括步骤如下：

（1）去除背面磷的GaAs衬底AlGaInP 外延片，在P面GaP外延片上利用电子束蒸镀法、溅射法或沉积法制备一层厚5-20Å的金属薄膜，金属薄膜中的金属为不能与GaP外延片形成欧姆接触的材料；

（2）利用半导体光刻工艺对GaP外延片上的金属薄膜图形化，所述图形化的金属薄膜或半导体材料薄膜即为电流阻挡层的目标区域；

（3）将经步骤（2）图形化后的GaP外延片置于高温炉内5-20min，使得图形化金属薄膜扩散到GaP外延片表层内，形成金属扩散区域，所述扩散区域的厚度范围为1-5nm；金属扩散区域中离子浓度范围为1E5—1E15 /cm³；所述的离子即为所述金属薄膜经加热所扩散出的金属离子； 所述高温炉内的条件为：温度500-700℃，并且具有氮气保护，氮气的流速为3L/min；

（4）按照现有技术在GaP外延片上进行半导体发光器件的制备，其中，在金属扩散区域上依次制备电流扩展层和P电极，P电极位于金属扩散区域的上方且P电极直径比金属扩散区域直径大5-20μm。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中所述金属薄膜中的金属为Ag、Al、Au、Cu和Fe中的一种或多种。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中所述P电极为高温合金后的AuBeTiAu。

10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述保护气体为N₂、H₂或Ar₂。

11.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，所述金属薄膜中的金属为Au、Ag、Al和In中的一种或多种。