CN103364987A - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及显示面板。该阵列基板包括数据线、扫描线以及数据线和扫描线围成的像素结构，像素结构包括ITO薄膜以及设置在ITO薄膜下方的至少一金属层，其中，ITO薄膜通过开孔与金属层电连接，ITO薄膜上设置有狭缝，狭缝设置在ITO薄膜与开孔的连接处。通过上述方式，本发明能够降低向错线出现的概率，从而改善显示面板的显示品质。

Description

一种阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
现有的显示面板包括相对设置的阵列基板、彩膜基板以及两者之间的液晶层。其中，彩膜基板包括ITO薄膜，阵列基板包括提供图像显示的像素单元，像素单元包括ITO薄膜，像素单元的ITO薄膜通过开孔与相应的金属层电连接。
彩膜基板上的ITO薄膜与像素单元的ITO薄膜会产生电场，由于设置了过孔，在边缘处会形成弯曲的电场，弯曲的电场使边缘侧的液晶向中间垂直电场的液晶重叠在一起，从而形成向错线（Disclination line）。
向错线会使显示面板的穿透率降低，进而提升成本。当向错线面积较大时，甚至会造成显示面板出现各种显示不均(Mura)的现象，进而影响显示品质。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示面板，能够降低向错线出现的概率，改善显示面板的显示品质。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括数据线、扫描线以及数据线和扫描线围成的像素结构，像素结构包括ITO薄膜以及设置在ITO薄膜下方的至少一金属层，其中，ITO薄膜通过开孔与金属层电连接，ITO薄膜上设置有狭缝，狭缝设置在ITO薄膜与开孔的连接处，以降低向错线出现的概率。
其中，狭缝的长和宽分别大于2.5微米。
其中，像素结构还包括设置在数据线和扫描线相交处附近的薄膜晶体管以及设置在ITO薄膜和金属层之间的钝化层，金属层包括薄膜晶体管的源极和漏极金属层，开孔穿透钝化层并暴露出薄膜晶体管的源极或漏极金属层，ITO薄膜通过开孔设置在薄膜晶体管的源极或漏极金属层的上方。
其中，狭缝对应薄膜晶体管的源极或漏极金属层的边缘处设置，并朝远离开孔的方向延伸。
其中，像素结构还包括设置在ITO薄膜和金属层之间的钝化层和绝缘层，金属层包括公共电极金属层，开孔同时穿透钝化层和绝缘层并暴露出公共电极金属层，ITO薄膜通过开孔设置在公共电极金属层的上方。
其中，狭缝对应公共电极金属层的边缘处设置，并朝远离开孔的方向延伸。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，该显示面板包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，阵列基板为上述的阵列基板。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明阵列基板上的像素结构的ITO薄膜通过开孔与其下方的金属层电连接，并在ITO薄膜上设置有狭缝，该狭缝设置在ITO薄膜与开孔的连接处。通过上述方式，本发明在显示时，狭缝两侧分别产生相对应的弯曲电场，从而减少了因设置开孔产生的弯曲电场，因此减小了向错线出现的概率，改善显示面板的显示品质。
附图说明
图1是本发明阵列基板的一实施例的结构示意图；
图2是图1所示的阵列基板沿A-A＇线的剖面图；
图3是本发明阵列基板的另一实施例的结构示意图；
图4是图3所示的阵列基板沿B-B＇线的剖面图；
图5是本发明显示面板的一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
请一并参阅图1和图2，图1是本发明阵列基板的一实施例的结构示意图。图2是图1所示的阵列基板沿A-A＇线的剖面图。如图1和2所示，阵列基板10包括数据线11、扫描线12以及数据线11和扫描线12围成的像素结构13。其中，像素结构13包括ITO薄膜14以及设置在ITO薄膜14下方的至少一金属层M，其中，ITO薄膜14通过开孔151与金属层M电连接，ITO薄膜14上设置有狭缝16，狭缝16设置在ITO薄膜14与开孔151的连接处，以降低向错线出现的概率。
具体地，像素结构13还包括设置在数据线11和扫描线12相交处附近的薄膜晶体管T以及公共电极111。薄膜晶体管T包括栅极G、源极S以及漏极D。其中，栅极G与扫描线12电连接，源极S与数据线11电连接，漏极D通过开孔151与ITO薄膜14电连接。公共电极111与扫描线12平行设置，公共电极111通过开孔152与ITO薄膜14电连接。
本实施例中，金属层M包括栅极金属层M11、源极金属层M21和漏极金属层M22。栅极G由栅极金属层M11形成在阵列基板10的玻璃基板17上。栅极G上形成栅极绝缘层18，用于在栅极G和源极S以及漏极D之间起到绝缘作用。栅极绝缘层18上形成半导体层19和掺杂半导体层20。在半导体层19和掺杂半导体层20上设置孔槽21，孔槽21穿透掺杂半导体层20并穿过一部分的半导体层19。源极S由源极金属层M21形成，漏极D由漏极金属层M22形成，并且源极金属层M21和漏极金属层M22分别设置在孔槽21的两侧，并设置在掺杂半导体层20上。半导体层19和掺杂半导体层20起到开关的作用。具体的，当栅极G接收到扫描线12的开启信号而打开薄膜晶体管T时，半导体层19和掺杂半导体层20使源极S和漏极D导通，从而使数据线11传输的信号经过源极S传输到漏极D；当栅极G未接收到扫描线12的信号，或者接收到扫描线12的关闭信号而关闭薄膜晶体管T时，半导体层19和掺杂半导体层20使源极S和漏极D断开。在源极金属层M21和漏极金属层M22上覆盖着一钝化层22，在钝化层22对应漏极金属层M22的位置设置开孔151，并且开孔151穿透钝化层22并暴露出薄膜晶体管T的漏极金属层M22。ITO薄膜14设置在钝化层22上，并通过开孔151与漏极金属层M22电连接。
本实施例中，狭缝16对应薄膜晶体管T的漏极金属层M22的边缘处设置，并朝远离开孔151的方向延伸。其中，狭缝16的长和宽分别优选大于2.5微米。其中，狭缝16还可以设置在如图1中的P1或者P2位置，或者狭缝16为环状，将开孔151包围，具体狭缝16的位置和形状在此不再限制。值得注意的是，虽然狭缝16设置在ITO薄膜14与开孔151的连接处，但ITO薄膜14与开孔151仍保有相连部分。
本实施例中，源极金属层M21和漏极金属层M22是同一金属材料。
在其他优选实施例中，开孔151也可以设置在钝化层22对应源极金属层M21的位置，即ITO薄膜14通过开孔151与源极金属层M21电连接。此时，狭缝16对应薄膜晶体管T的源极金属层M21的边缘处设置，并朝远离开孔151的方向延伸。
因此，本发明通过在ITO薄膜14上设置狭缝16，并且狭缝16设置在ITO薄膜14与开孔151的连接处，使得在显示时，狭缝16两侧分别产生相对应的弯曲电场，从而减少了因设置开孔151产生的弯曲电场，因此，减小了向错线出现的概率。
请参阅图3，图3是本发明阵列基板的另一实施例的结构图。图3所示的阵列基板30与图1所示的阵列基板10的不同之处在于：狭缝36设置在ITO薄膜34与开孔352的连接处。请一并参阅图4，图4是图3所示的阵列基板30沿B-B＇的剖面图。本实施例中，金属层还包括公共电极金属层M12。公共电极311由公共电极金属层M12形成，公共电极金属层M12与栅极金属层M11是由同一金属材料，并且两者设置在同一层。公共电极金属层M12上依次设置绝缘层38和钝化层42，开孔352同时穿透绝缘层38和钝化层42并暴露出公共电极金属层M12，ITO薄膜34通过开孔352与公共电极金属层M12电连接。狭缝36对应公共电极层M12的边缘处设置，并朝远离开孔352的方向延伸。当然，狭缝36还可以设置在其他位置，如图中的W1或W2位置，或者狭缝36为环状，将开孔352包围，具体狭缝36的位置和形状在此不再限制。值得注意的是，虽然狭缝36设置在ITO薄膜34与开孔352的连接处，但ITO薄膜34与开孔352仍保有相连部分。
同理，本实施例的狭缝36的设置同样可以在显示时，其两侧分别产生相对应的弯曲电场，从而减少了因设置开孔352产生的弯曲电场，因此，减小了向错线出现的概率。
请参阅图5，图5是本发明一种显示面板的一实施例的结构示意图，如图5所示，本发明的显示面板50包括相对设置的彩膜基板51、阵列基板52以及设置在彩膜基板51和阵列基板52之间的液晶层53。其中阵列基板52如前文所述的阵列基板，在此不再赘述。
综上所述，本发明阵列基板上的像素结构的ITO薄膜通过开孔与其下方的金属层电连接，并在ITO薄膜上设置有狭缝，该狭缝设置在ITO薄膜与开孔的连接处。通过上述方式，本发明在显示时，狭缝两侧分别产生相对应的弯曲电场，从而减少了因设置开孔产生的弯曲电场，因此，减小了向错线出现的概率，改善显示面板的显示品质。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括数据线、扫描线以及所述数据线和所述扫描线围成的像素结构，所述像素结构包括ITO薄膜以及设置在所述ITO薄膜下方的至少一金属层，其中，所述ITO薄膜通过开孔与所述金属层电连接，所述ITO薄膜上设置有狭缝，所述狭缝设置在所述ITO薄膜与所述开孔的连接处，以降低向错线出现的概率。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述狭缝的长和宽分别大于2.5微米。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构还包括设置在所述数据线和所述扫描线相交处附近的薄膜晶体管以及设置在所述ITO薄膜和所述金属层之间的钝化层，所述金属层包括所述薄膜晶体管的源极和漏极金属层，所述开孔穿透所述钝化层并暴露出所述薄膜晶体管的所述源极或漏极金属层，所述ITO薄膜通过所述开孔设置在所述薄膜晶体管的所述源极或漏极金属层的上方。
4.根据权利要求3所示的阵列基板，其特征在于，所述狭缝对应所述薄膜晶体管的源极或漏极金属层的边缘处设置，并朝远离所述开孔的方向延伸。
5.根据权利要求1所示的阵列基板，其特征在于，所述像素结构还包括设置在所述ITO薄膜和所述金属层之间的钝化层和绝缘层，所述金属层包括公共电极金属层，所述开孔同时穿透所述钝化层和所述绝缘层并暴露出所述公共电极金属层，所述ITO薄膜通过所述开孔设置在所述公共电极金属层的上方。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述狭缝对应所述公共电极金属层的边缘处设置，并朝远离所述开孔的方向延伸。
7.一种显示面板，所述显示面板包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-6所述的阵列基板。
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