CN103336548B - 一种基于电流感应的ldo瞬态响应增强电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于增强LDO瞬态响应能力的基于电流感应的摆率增强电路。本发明通过检测电流来鉴别负载是否突然跳变,在负载和调整管两处设置了电流感应器。当负载发生瞬态变化时,最先变化的是负载电流,负载电流对输出电容充放电一段时间后,才有明显的输出电压变化。因此感应电流的方式能够最大限度地降低检测的延迟,提高LDO瞬态响应性能。仿真结果显示,本发明能够显著提供LDO的负载瞬态响应能力。
Description
技术领域
发明涉及低压差线性稳压器LDO领域,更具体地,涉及一种基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路。
背景技术
低压差线性稳压器(LDO)由于其输出噪声低、压降小、成本低等优点,在便携式电子产品中得到了越来越广泛的应用。在由LDO稳压的高速数字电路中,主频越来越高,甚至达到几GHz。数字电路内电平的瞬间跳变会引起电流的瞬间跳变。把数字电路看成是LDO的负载,负载电流的瞬间跳变会对LDO的输出电压产生影响。
LDO的瞬态响应包含有线性瞬态响应和负载瞬态响应。线性瞬态响应指的是输入电压阶跃突变时,LDO输出电压的响应情况;负载瞬态响应指的是负载电流阶跃突变时,LDO的输出响应情况。由于LDO芯片正常工作时的供电电压相对稳定,而负载电流经常出现切换。而在实际LDO设计中,负载瞬态响应才更应该被注重。
传统的LDO采用如图1所示的结构,需要外接uF级别的电容,外接电容有两个好处。一是外接电容的串联等效会产生一个零点,控制合适的值可以使这个零点抵消LDO系统的一个极点,增大相位裕度,使LDO输出稳定;二是大的外接电容有助于提高LDO的瞬态响应,对负载电流突变引起的输出电压波动具有很好的抑制作用。
但传统LDO电路中,当负载电流瞬间由小变大时,因为调整管来不及传输足够的电流给负载,输出电容为给负载提供输出电流而放电,才使得输出电压降低;负载电流瞬间由大变小时,调整管来不及关断,而负载电流已经变得很小,因此过多的电流对输出电容充电,才使得输出电压升高。可见,输出电压变化的发生滞后于负载电流的变化。而由于传统LDO电路结构限制,为了增强LDO的瞬态响应能力而不减弱其他性能,单单调整LDO参数并不能取到实质性的效果,因此必须在电路结构上进行改进。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提出一种基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路,本发明电路能在低压差线性稳压器LDO中运用基于电流感应的摆率增强电路来减小输出电压的过冲。
为了实现上述目的,本发明的技术方案为:
一种基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路,包括负载和调整管Mp,还包括电阻R1、电阻R2、放大器EA和基于电流感应的摆率增强电路;其中所述基于电流感应的摆率增强电路包括比较器OA3、比较器OA4、放大器OA6、NMOS管MSKD2、MSK2、PMOS管MSR2、感应电阻Resr1-Resr2、电容Co、Mp电流感应电路和输出电流感应电路;
所述调整管Mp的漏极通过串联连接的感应电阻Resr1、Resr2和电容Co接地,还通过串联连接的电阻R2、R1接地,并通过输出电流感应电路与负载连接,负载的另一端接地;调整管Mp的栅极通过Mp电流感应电路与放大器OA6的正输入端连接;
感应电阻Resr1、Resr2间的引出端分别接比较器OA3、比较器OA4的负输入端,感应电阻Resr2与电容Co间的引出端分别接比较器OA3、比较器OA4的正输入端,比较器OA3的输出端接MSR2的栅极,比较器OA4的输出端接MSK2的栅极,输出电流感应电路的输出端接放大器OA6的负输入端,放大器OA6的输出端接MSKD2的栅极,MSKD2、MSK2的源极接地,MSKD2的漏极接MSK2的栅极,MSK2的漏极分别与MSR2的漏极和调整管Mp的栅极连接,MSR2的源极与VHD连接;电阻R2、R1间的引出端接放大器EA的正输入端,放大器EA的负输入端接基准电压源Vref,放大器EA的输出端与调整管Mp的栅极连接。
在片内集成的电容Co串联很小的感应内阻Resr1、Resr2,用来感应Co充电或放电电流,对应节点的电压为Vesr1和Vesr2。当电流对Co充电时,Vesr1>Vesr2;当CO向负载放电时,Vesr1<Vesr2,因此Vesr1和Vesr2能够感应出瞬态何时发生。“Mp电流感应电路”感应流过调整管Mp的电流,输出一个与调整管Mp电流成正比的电压VIMp;“输出电流感应电路”感应负载电流,输出一个与负载电流成正比的电压VIo。
更进一步的,所述调整管Mp为P型MOS管。
更进一步的,所述Mp电流感应电路包括MOS管M1、MOS管M2和电阻R9,所述MOS管M1的栅极接调整管Mp的栅极,MOS管M1的源极接调整管Mp的源极,MOS管M1的漏极接MOS管M2的源极,MOS管M2的栅漏极连接,并通过电阻R9接地,同时与放大器OA6的正输入端连接。
更进一步的,所述MOS管M1、MOS管M2为P型MOS管。
更进一步的,所述MOS管M1的宽长比是Mp的宽长比的
更进一步的,所述输出电流感应电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R7、电阻R8、电阻Rs和运放OA7,所述调整管Mp的漏极通过串联连接的电阻R4、R3接地,调整管Mp的漏极还通过串联连接的电阻Rs、R8与R7接地,电阻R4与电阻R3的引出端接运放OA7的正输入端,电阻R8与电阻R7的引出端接运放OA7的负输入端,运放OA7的输出端接放大器OA6的负输入端。
更进一步的,所述电阻R4=R8,R3=R7,RS<<R8。
本发明的有益效果:本发明通过检测电流来感应负载状态,在负载和调整管两处设置了Mp电流感应器。当负载发生瞬态变化时,最先变化的是负载电流,负载电流对输出电容充放电一段时间后,才有明显的输出电压变化。因此感应电流的方式能够最大限度地降低瞬态响应的延迟,提高LDO瞬态性能。仿真结果显示,本发明能够显著提供LDO的负载瞬态响应能力。
附图说明
图1为传统LDO电路原理图。
图2为本发明的基于电流感应的摆率增强电路。
图3为本发明的Mp电流感应电路和输出电流感应电路。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行进一步阐述,但本发明的实施方式并不限于此。
实施例一
图2所示的基于电流感应的摆率增强电路,包括负载和调整管Mp,还包括电阻R1、电阻R2、放大器EA和基于电流感应的摆率增强电路;其中所述基于电流感应的摆率增强电路包括比较器OA3、比较器OA4、放大器OA6、NMOS管MSKD2、MSK2、PMOS管MSR2、感应电阻Resr1-Resr2、电容Co、Mp电流感应电路和输出电流感应电路;
所述调整管Mp的漏极通过串联连接的感应电阻Resr1、Resr2和电容Co接地,还通过串联连接的电阻R2、R1接地,并通过输出电流感应电路与负载连接,负载的另一端接地;调整管Mp的栅极通过Mp电流感应电路与放大器OA6的正输入端连接;
感应电阻Resr1、Resr2间的引出端分别接比较器OA3、比较器OA4的负输入端,感应电阻Resr2与电容Co间的引出端分别接比较器OA3、比较器OA4的正输入端,比较器OA3的输出端接MSR2的栅极,比较器OA4的输出端接MSK2的栅极,输出电流感应电路的输出端接放大器OA6的负输入端,放大器OA6的输出端接MSKD2的栅极,MSKD2、MSK2的源极接地,MSKD2的漏极接MSK2的栅极,MSK2的漏极分别与MSR2的漏极和调整管Mp的栅极连接,MSR2的源极与VHD连接;电阻R2、R1间的引出端接放大器EA的正输入端,放大器EA的负输入端接基准电压源Vref,放大器EA的输出端与调整管Mp的栅极连接。
片内集成的输出电容CO串联着很小的感应电阻Resr1和Resr2,这里Resr1=0.05Ω,Resr2=0.25Ω。用来感应CO充电或放电电流,对应节点的电压分别为Vesr1和Vesr2。当电流对CO充电时,Vesr1>Vesr2;当电容CO向负载放电时,Vesr1<Vesr2,因此Vesr1和Vesr2能够感应出瞬态何时发生。“Mp电流采样电路”检测流过调整管Mp的电流,输出一个与调整管Mp电流成正比的电压VIMp;“输出电流采样电路”检测负载电流,输出一个与负载电流成正比的电压VIo。
按照负载电流瞬态变化的不同情况,对基于电流感应的摆率增强电路的工作分析如下:
负载电流稳定工作的情况
当负载电流稳定不变时,流过调整管Mp的电流和负载电流相等,因此VIMp=VIo,设计放大器OA6的直流工作点使放大器OA6输出为低电平,MSKD2关断。电容CO既没有充电也没有放电,流过Resr1和Resr2的电流约等于0,并且由于Resr1和Resr2的阻值很小,Vesr1=Vesr2。设计比较器OA3和OA4时,使比较器OA3输出的直流工作点为高电平,使比较器OA4输出的直流工作点为低电平,关断MSK2和MSR2。在负载电流稳定时,整个LDO只有基本环路工作,瞬态增强电路处于休眠状态,因此不增加过多的静态电流。
负载电流由小突变到大的情况
当负载电流由小突变到大时,最先感应到的是“输出电流感应电路”和“Mp电流感应电路”的电压VIo、VIMp,以及Vesr1和Vesr2,误差放大器EA构成的基本控制环路由于带宽限制而不能马上响应。
“输出电流感应电路”的输出VIo马上升高,而VIMp因为调整管来不及导通大电流而保持不变,大的VIo和小的VIMp使放大器OA6输出低电平,关断MSKD2,以允许MSK2支路工作。
此时,调整管Mp不足以导通足够的电流给负载,输出电容CO开始放电为负载提供电流。这时Resr1和Resr2马上检测到CO的放电电流,使Vesr1<Vesr2。比较器OA3和OA4输出高电平,MSR2截止,MSK2导通。导通的MSK2形成一个支路,将调整管Mp的栅极电压迅速拉低,让调整管Mp导通更大电流,以满足负载电流的要求,从而使输出电压停止下降。
然而,过低的调整管Mp的栅极电压会使调整管过分导通,导通比负载电流还大的电流,过大的电流对输出电容CO充电,使Vesr1>Vesr2,从而使MSK2关闭、MSR2导通,增加栅极电压,减小导通电流,又使输出电压降低,又使CO放电,Vesr1<Vesr2,从而发生振荡。因此,当调整管Mp电流刚刚能够提供给负载电流使,必须及时地关断MSK2,阻止栅极电压过分降低,防止振荡。调整管Mp电流稍稍大于负载电流时,VIMp>VIo,放大器OA6输出高电平,MSKD2导通把MSK2的栅极电位拉低,从而截止了MSK2,防止调整管Mp栅极电压过低。因此比负载电流稍大一点的调整管Mp电流除了提供给负载外,还缓慢地对Co进行充电,由于电流较小,不会引起比较器OA3、OA4的改变,从而抑制了振荡。
实施例二
负载电流稳定工作的情况
负载电流稳定不变时,流过调整管Mp的电流和负载电流相等,因此VIMp=VIo,设计放大器OA6的直流工作点使放大器OA6输出为低电平,NMOS管MSKD2关断。电容Co既没有充电也没有放电,流过Resr1和Resr2的电流约等于0,并且由于Resr1和Resr2的阻值很小,Vesr1=Vesr2。所以运放使比较器OA3输出的直流工作点为高电平,使比较器OA4输出的直流工作点为低电平,关断NMOS管MSK2和PMOS管MSR2。在负载电流稳定时,整个LDO在基本环路上工作,瞬态增强电路处于休眠状态。
负载电流由大突变到小的情况
负载电流由大突变到小时,“Mp电流感应电路”和“输出电流感应电路”马上感应到电流的不同,输出的电压VIMp>VIo,放大器OA6输出高电平,MSKD2导通,使MSK2的栅极被拉低到低电平,MSK2截止。过多的调整管Mp电流向输出电容CO充电,使得Vesr1>Vesr2,比较器OA3输出低电平,导通MSR2,调整管Mp的栅极电压被拉高,从而迅速降低了调整管Mp电流,减小过冲。
图3所示是“调整管Mp电流感应电路”和“输出电流感应电路”的原理图。“Mp电流感应电路”的M1宽长比是Mp宽长比的流过M1的电流为 因此得到VIMp∝IMp。这里n=34667,R9=100kΩ。
在“输出电流感应电路”中,R4=R8=200kΩ,R3=R7=360kΩ,RS是阻值很小(RS=0.1Ω)的感应电阻(RS<<R8)。当LDO正常工作时,IO>>I8,其中I8为流过R8的电流。由图3可得
由于R4=R8,R3=R7,可得
经过运放OA7放大后,得到
VIo=AR'IO (4)
其中A为运放OA7的增益。因此,得到的VIo正比于IO。
以上所述的本发明的实施方式,并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神原则之内所作出的修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (7)
1.一种基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路,包括负载和调整管Mp,其特征在于,还包括电阻R1、电阻R2、放大器EA和基于电流感应的摆率增强电路;其中所述基于电流感应的摆率增强电路包括比较器OA3、比较器OA4、放大器OA6、NMOS管MSKD2、MSK2、PMOS管MSR2、感应电阻Resr1-Resr2、电容Co、Mp电流感应电路和输出电流感应电路;
所述调整管Mp的漏极通过串联连接的感应电阻Resr1、Resr2和电容Co接地,还通过串联连接的电阻R2、R1接地,并通过输出电流感应电路与负载连接,负载的另一端接地;调整管Mp的栅极通过Mp电流感应电路与放大器OA6的正输入端连接;
感应电阻Resr1、Resr2间的引出端分别接比较器OA3、比较器OA4的负输入端,感应电阻Resr2与电容Co间的引出端分别接比较器OA3、比较器OA4的正输入端,比较器OA3的输出端接MSR2的栅极,比较器OA4的输出端接MSK2的栅极,输出电流感应电路的输出端接放大器OA6的负输入端,放大器OA6的输出端接MSKD2的栅极,MSKD2、MSK2的源极接地,MSKD2的漏极接MSK2的栅极,MSK2的漏极分别与MSR2的漏极和调整管Mp的栅极连接,MSR2的源极与VHD连接;电阻R2、R1间的引出端接放大器EA的正输入端,放大器EA的负输入端接基准电压源Vref,放大器EA的输出端与调整管Mp的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述调整管Mp为P型MOS管。
3.根据权利要求2所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述Mp电流感应电路包括MOS管M1、MOS管M2和电阻R9,所述MOS管M1的栅极接调整管Mp的栅极,MOS管M1的源极接调整管Mp的源极,MOS管M1的漏极接MOS管M2的源极,MOS管M2的栅漏极连接,并通过电阻R9接地,同时与放大器OA6的正输入端连接。
4.根据权利要求3所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述MOS管M1、MOS管M2为P型MOS管。
5.根据权利要求4所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述MOS管M1的宽长比是Mp的宽长比的
6.根据权利要求5所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述输出电流感应电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R7、电阻R8、电阻Rs和运放OA7,所述调整管Mp的漏极通过串联连接的电阻R4、R3接地,调整管Mp的漏极还通过串联连接的电阻Rs、R8与R7接地,电阻R4与电阻R3的引出端接运放OA7的正输入端,电阻R8与电阻R7的引出端接运放OA7的负输入端,运放OA7的输出端接放大器OA6的负输入端。
7.根据权利要求6所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述电阻R4=R8,R3=R7,RS<<R8。
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