CN103325704A - 晶片品质检验方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶片品质检验方法，包含有下列步骤：先设定一组检测参数；而后，扫描该晶片并依据所设定的参数检测各晶粒，并将扫描后的晶粒外观以及检测结果输出形成一晶粒状态图(Die Status Map)；依据产生的晶粒状态图产生一用以显示该晶片检测不合格的晶粒的不合格晶粒图；抽测所产生的不合格晶粒图中的至少一晶粒是否合格；若是，则修改该晶粒状态为合格，并依据抽测结果修改该晶粒状态图；储存并输出修改后的晶粒状态图。
Description
技术领域
本发明是与晶片有关，更详而言是指一种晶片品质检验方法。
背景技术
随着科技的进步，越来越多电子产品问世，且亦逐渐有朝小型化设计发展的趋势。而电子产品得以小型化，主要在于其内部电路大量使用半导体材料所制成的芯片、二极管、晶体管或是发光二极管等小型化的电子元件，而可大幅减低整体电路的体积，进而节省设置的空间以达到小型化的目地。
众所皆知的是，半导体电子材料在制作时，主要是于晶片制作完成后，检察晶片中各晶粒是否合乎出厂或布设的标准，并于检测完成后，筛选出晶片中合格的晶粒，以利后续的封装作业，请参阅图1，已知的品质检验方法主要包含有下列步骤：
A.设定一组检测参数；
B.扫描该晶片并依据步骤A所设定的参数检测各晶粒，并将扫描后的检测结果输出；
C.依据步骤B输出的检测结果执行晶粒筛选(Sorting)；
D.检测至少一个步骤C筛选后剩余的晶粒是否合格；
以此，透过上述设计来达到产品质量管理的目的，但上述品质检验方法的设计于检测参数设定完成后，若扫描结果不合乎理想而需重新设定参数时，在参数重新设定后，必须再重新执行一次扫描的步骤才能得知所设定的参数是否理想，且容易有品质检验方法延宕、以及检测时间过于冗长的缺点产生。另外，晶粒筛选后所进行的抽测作业虽可达到将所误杀的晶粒救回的效果，以及达到再度检视设定的参数是否理想的目的，但若发现于抽测作业时发现设定的参数仍不甚理想时，则表示在晶粒筛选时，可能已将不良的晶粒选出并送至后续的工艺，而有造成产品良率降低的风险。是以，已知的晶片品质检验方法仍未臻完善，且尚有待改进之处。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种晶片品质检验方法，可大幅提升产品的制造良率。
缘以达成上述目的，本发明所提供的晶片品质检验方法包含有下列步骤：
A.设定一组检测参数；
B.扫描该晶片并依据步骤A所设定的参数检测各晶粒，并将扫描后的晶粒外观以及检测结果输出形成一晶粒状态图(Die Status Map)；
C.依据步骤B形成的晶粒状态图产生一用以显示该晶片检测不合格的晶粒的不合格晶粒图；
D.抽测步骤C所产生的不合格晶粒图中的至少一晶粒是否合格；若是，则修改该晶粒状态为合格，并依据抽测结果修改该晶粒状态图；
E.储存并输出步骤D修改后的晶粒状态图。
依据上述构思，于步骤A中，所设定的检测参数包含有外观检测参数、电极区检测参数、发光区检测参数、刻蚀(Mesa)区检测参数以及金线区检测参数其中之一。
依据上述构思，于步骤B中，于晶粒状态图中是透过不同颜色显示各该晶粒合格与否。
依据上述构思，于步骤C中，该不合格晶粒图是显示该晶片上部分检测不合格的晶粒。
依据上述构思，于步骤C中，该不合格晶粒图是显示该晶片上部分区块中检测不合格的晶粒。
依据上述构思，于步骤C中，该不合格晶粒图是显示该晶片上同一检测参数不合格的部分晶粒。
依据上述构思，于步骤C中，该不合格晶粒图是显示该晶片上全部检测不合格的晶粒。
依据上述构思，于步骤C中，是透过搜集各不合格晶粒的位置、各不合格晶粒的检测参数、以及各不合格晶粒的外观其中之一的方式形成该不合格晶粒图。
依据上述构思，于步骤D中，修改不合格晶粒图中的晶粒状态为合格时，一并同步修改该晶粒状态图上对应的晶粒状态。
依据上述构思，于步骤D中，该不合格晶粒图中的晶粒状态修改结束后，再一并修改该晶粒状态图上对应的晶粒状态。
依据上述构思，于步骤D中，是透过目测的方式，检测该不合格晶粒图中所抽测的晶粒是否合格。
依据上述构思，于步骤E之后，更包含一步骤F，是依据步骤E输出的晶粒状态图执行晶粒筛选(Sorting)。
以此，透过上述设计便可大幅提升产品的制造良率，且可大幅降低品质检验方法以及检测所需耗费的时间。
附图说明
图1为已知晶片品质检验方法的流程图。
图2为本发明的晶片检测系统。
图3为本发明晶片品质检验方法的流程图。
图4为本发明修改前的晶粒状态图。
图5揭示依据该晶粒状态图产生不合格晶粒图。
图6为本发明修改后的晶粒状态图。
【主要元件符号说明】
10 初检测装置
20 服务器
30 再检测装置
40 设定装置
具体实施方式
为能更清楚地说明本发明，兹举较佳实施例并配合图示详细说明如后。
请参阅图2，本发明较佳实施例的晶片检测系统所提供的晶片品质检验方法主要用以检查晶片中各晶粒是否合格。该晶片检测系统包含有多台初检测装置10、一与该多台初检测装置10联机的服务器20、以及多台与该服务器20联机的再检测装置30。请参阅图3，该晶片检测系统所提供的品质检验方法包含有下列步骤：
A.于该多台初检测装置10分别设定一组检测参数；于本实施例中，该检测参数包含有外观检测参数、电极区检测参数、发光区检测参数、刻蚀(Mesa)区检测参数、以及金线区检测参数，用以检测各晶粒外观以及各区域的面积、灰阶值、亮度等数据，以此作为该晶粒是否合乎标准的依据。
B.利用各该初检测装置10扫描该晶片并依据步骤A所设定的参数检测各晶粒，并将扫描后的晶粒外观以及检测结果输出形成一晶粒状态图(Die Status Map)，于本实施例中，该晶粒状态图是透过不同颜色显示各该晶粒合格与否(如图4)，其中合格的晶粒颜色为白色，而不合格的晶粒颜色为黑色，但不以此为限，除使用颜色外，亦可使用文字、图形或其他方式进行区分。
C.利用各该再检测装置30读取步骤B所形成的该晶粒状态图，并依据该晶粒状态图产生一用以显示该晶片检测不合格的晶粒的不合格晶粒图(如图5)；于本实施例中，该不合格晶粒图是显示该晶片上全部检测不合格的晶粒，但不以此为限，亦可依需求仅显示该晶片上部分检测不合格的晶粒，举例而言，该不合格晶粒图可仅显示该晶片上其中一检测参数不合格的部分晶粒，或是将该晶片区分成数个部分区块，而该不合格晶粒图则显示该晶片上其中一部分区块中检测不合格的晶粒。而于本实施例中，该不合格晶粒图是先搜集并整合该晶粒状态图上各不合格晶粒的位置、各不合格晶粒的检测参数、以及各不合格晶粒的外观等信息后，计算出每页要显示的晶粒数量及所需显示的页数，而后再以分页的方式显示不合格的晶粒，但可行的显示方式并不以此为限，可以为表格式、阵列式的方式显示各该不合格晶粒的信息。
D.抽测步骤C所产生的不合格晶粒图中的至少一晶粒是否合格；若是，则修改该晶粒状态为合格，并依据抽测结果修改该晶粒状态图。修改该晶粒状态的方式，可以在不合格晶粒图中，透过鼠标光标位移至需要修改的不合格晶粒实际状态图上，再以点击两次鼠标右键的方式即可修改该晶粒状态为合格。于本实施例中，在修改该不合格晶粒图中的晶粒状态为合格时，将一并同步修改该晶粒状态图上对应的晶粒状态(如图6粗框处)。当然，除同步修改外，亦可在该不合格晶粒图中的晶粒状态修改结束后，再一并修改该晶粒状态图上对应的晶粒状态。另外，于本实施例中，是透过目测不合格晶粒图中的晶粒外观方式来检测该不合格晶粒图中所抽测的晶粒是否合格，以此大幅提升检测的速度，但不以此为限。
E.利用各该再检测装置30输出步骤D修改后的晶粒状态图并储存至该服务器20；
F.依据步骤E输出储存至该服务器20的晶粒状态图执行后续的晶粒筛选(Sorting)。
如此一来，透过上述储存晶粒状态图进行后续作业、以及于晶粒筛选前进行抽测的设计，便可使晶粒筛选时能更加准确，除可达到大幅提升产品制造良率的目的外，亦可达到降低品质检验时间的效果，而可使得品质检验作业更加地有效率。
以此，透过上述说明可得知，本发明透过储存晶粒状态图作为品质检验、检测及校正使用的设计，不仅可大幅提升产品的制造良率，且可大幅提升晶片品质检验及检测时的准确率与执行效率。
另外，以上所述仅为本发明较佳可行实施例而已，并不以此为限，举凡应用本发明说明书及权利要求范围所为的等效方法变化，理应包含在本发明的保护范围内。
Claims (13)
1.一种晶片品质检验方法，用以检查晶片中各晶粒是否合格；该品质检验方法包含有下列步骤：
A.设定一组检测参数；
B.扫描该晶片并依据步骤A所设定的参数检测各晶粒，并将扫描后的晶粒外观以及检测结果输出形成一晶粒状态图(Die Status Map)；
C.依据步骤B形成的晶粒状态图产生一用以显示该晶片检测不合格的晶粒的不合格晶粒图；
D.抽测步骤C所产生的不合格晶粒图中的至少一晶粒是否合格；若是，则修改该晶粒状态为合格，并依据抽测结果修改该晶粒状态图；
E.储存并输出步骤D修改后的晶粒状态图。
2.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于步骤A中，所设定的检测参数包含有外观检测参数、电极区检测参数、发光区检测参数、刻蚀(Mesa)区检测参数以及金线区检测参数其中之一。
3.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于步骤B的晶粒状态图中，是透过不同颜色显示各该晶粒合格与否。
4.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于步骤C中，该不合格晶粒图是显示该晶片上部分检测不合格的晶粒。
5.根据权利要求4所述的晶片品质检验方法，于步骤C中，该不合格晶粒图是显示该晶片上部分区块中检测不合格的晶粒。
6.根据权利要求4所述的晶片品质检验方法，于步骤C中，该不合格晶粒图是显示该晶片上同一检测参数不合格的部分晶粒。
7.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于步骤C中，该不合格晶粒图是显示该晶片上全部检测不合格的晶粒。
8.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于步骤C中，是透过搜集各不合格晶粒的位置、各不合格晶粒的检测参数、以及各不合格晶粒的外观其中之一的方式形成该不合格晶粒图。
9.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于步骤C中，该不合格晶粒图是以分页显示的方式显示不合格的晶粒。
10.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于该步骤D中，修改不合格晶粒图中的晶粒状态为合格时，一并同步修改该晶粒状态图上对应的晶粒状态。
11.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于该步骤D中，该不合格晶粒图中的晶粒状态修改结束后，再一并修改该晶粒状态图上对应的晶粒状态。
12.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于该步骤D中，是透过目测的方式，检测该不合格晶粒图中所抽测的晶粒是否合格。
13.根据权利要求1所述的晶片品质检验方法，于该步骤E后，更包含一步骤F，是依据步骤E输出的晶粒状态图执行晶粒筛选(Sorting)。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105080845A (zh) * | 2014-05-22 | 2015-11-25 | 旺矽科技股份有限公司 | 晶粒标示方法及晶粒标示设备 |
| CN112233994A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-15 | 珠海市科迪电子科技有限公司 | 一种芯片金线检测方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002048722A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 欠陥検査装置 |
| TW535207B (en) * | 2002-05-08 | 2003-06-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Method for automatically controlling defect-specification in manufacturing process of semiconductors |
| CN101349723A (zh) * | 2007-07-17 | 2009-01-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体测试管理系统 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002048722A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 欠陥検査装置 |
| TW535207B (en) * | 2002-05-08 | 2003-06-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Method for automatically controlling defect-specification in manufacturing process of semiconductors |
| CN101349723A (zh) * | 2007-07-17 | 2009-01-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体测试管理系统 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105080845A (zh) * | 2014-05-22 | 2015-11-25 | 旺矽科技股份有限公司 | 晶粒标示方法及晶粒标示设备 |
| CN112233994A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-15 | 珠海市科迪电子科技有限公司 | 一种芯片金线检测方法 |
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