CN103308577A - 汞离子的光电化学测定 - Google Patents
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Abstract
本发明提供汞离子的光电化学测定。水溶性ZnX(X代表硫、硒)量子点可以修饰到ITO电极表面,在一定缓冲条件和一定浓度电子供体的存在下,光照后可以产生光电流但电流值较小,然后当加入Hg2+之后,光电流强度升高,从而使Hg2+得到测定。与最常用的通过分光光度法、原子吸收或原子发射光谱法测定汞离子相比,本发明使用的仪器设备比较简单和廉价,并且能够提高汞离子测定的选择性,常见的共存离子Ag+、Cu2+、Pb2+等在较高浓度时也不干扰测定。据我们所知,基于量子点纳米材料的光电化学方法还没有应用于汞离子的测定中。本发明能够对Hg2+实现高灵敏和高选择性测定,线性范围为1.0×10-8mol/L到1.0×10-5mol/L,检测限为4.6×10-9mol/L。
Description
技术领域:
本发明涉及分析检测领域,尤其涉及水溶性量子点作为光电化学探针及其在光电化学检测汞离子方面的应用。
背景技术:
汞是一种毒性较强的金属元素,在自然界中主要以单质汞(或汞蒸汽)、汞离子(Hg2+)以及有机汞三种形态存在。汞离子对人体健康存在多种危害,若存在于天然水体中,则会对大范围的人群造成威胁。它能够在生物体内累积,通过食物链转移到人体内。人体内累积的微量汞无法通过自身代谢进行排泄,将直接导致心脏、肝、甲状腺疾病,引起神经系统紊乱,慢性汞中毒,甚至引发恶性肿瘤的形成[Lee J S,Han M S,Mirkin C A.Angew.Chem.Int.Ed.,2007,119(22):4171-4174;Boening D W.Chemosphere.2000,40:1335-1351;Nolan E M,LippardS J.Chem.Rev.,2008,108(9):13443-3480;Long Y F,Jiang D L,Zhu X,et al.Anal.Chem.,2009,81(7):2652-2657.]。因此,对Hg2+分析方法的研究对于保证人类健康和环境保护具有十分重要的意义。目前,常用的Hg2+检测方法有原子发射光谱、原子吸收光谱[Han F X,Dean P W,XiaY J,et al.Water.Air.Soil Poll.,2006,170(1):161-171]和等离子体质谱[Fong B,Sai K,Tam S,etal.J.Anal.Toxicol.,2007,31(5):281-287]等,然而这些方法仍存在着一些缺点,例如样品需要预处理、需要昂贵的仪器、操作复杂以及检测灵敏度不够等。因此,人们希望研究出高灵敏、准确、快速、低成本并能选择性地分析检测Hg2+的方法。
光电化学方法是最近刚刚发展起来的一种新型分析方法[Tokudome H,YamadaY,Sonezaki S,et al.Appl.Phys.Lett.,2005,87,213901-213901-3;Liu S L,Li C,Cheng J,et al.Anal.Chem.,2006,78,4722-4726.]。光电化学的检测过程和电致化学发光正好相反。由于采用不同形式的激发和检测信号,因而其背景信号较低,能达到与电致化学发光相当的高灵敏度。并且,光电化学的仪器比较简单,容易微型化;由于采用电化学检测,同光学检测方法相比,其设备更加价廉。因此,光电化学是一种非常有发展前景的分析方法,并且受到了越来越多的关注。
半导体纳米粒子(又称量子点)具有量子尺寸效应和表面效应,使其具有不同于本体材料的特殊的光电化学性质,如更强的氧化还原能力以及更高的表面活性[Liu M S,Yang M Z,Cai S M.Chem.Bulletin,1997,1,20-24;Shu L,Yu S H,Qian Y T.J.Inorg.Chem.1999,15,1-7.]。因此,应用半导体纳米材料作修饰电极的光电化学方法受到广泛的关注。并且,半导体纳米材料在光电化学离子传感器方面有很好的应用,例如对Cu2+[Wang W L,Xu J J,Chen H Y.Nanoscale,2010,2,1112-1114;Wang P,Ma X Y,Su M Q,et al.Chem.Commun.,2012,48,10216-10218;Shen Q,Zhao X,Zhou S,et a1.J.Phys.Chem.C,2011,115(36):17958-17964.]、Cr6+[Li H,Li J,Wang W,et al.Analyst,2013,138(4):1167-1173.]的测定方面具有很好的效果。据我们所知,到目前为止,还没有采用基于量子点纳米材料的光电化学方法测定Hg2+的报道。我们利用量子点优异的光电化学性质建立了Hg2+的光电化学测定方法。该方法灵敏度高,选择性好。有望用于水溶液中Hg2+的检测。
发明内容:
本发明的目的是提供一种高效的Hg2+测定方法;尤其是提供量子点修饰的ITO玻璃电极在汞离子的光电化学测定方面的新用途。
本发明的目的可通过如下技术措施来实现:
a、一定量的表面修饰剂与0.02mol/L的水溶性锌盐溶液混合后,用1mol/L的NaOH溶液调节溶液的pH为中性;然后通入高纯氮气30min后,加入0.1mol/L的Na2S(或者NaHSe)水溶液,继续通N2搅拌,在一定温度下加热反应一定时间,得水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料;
b、将经过预处理的ITO玻璃片浸在含有NaCl的2%PDDA聚合物的溶液中,几分钟后用去离子水冲洗电极表面;然后再浸入到水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料中,几分钟后用去离子水清洗电极表面。以上步骤即完成对ITO电极的修饰。所制得的电极可储存在室温下。
c、由一定浓度的电子供体和一定pH的磷酸缓冲溶液组成电解质溶液,以制得的ZnX(X代表硫、硒)修饰的电极作为工作电极,加入待测的Hg2+溶液后,一定电位下,在自制
的光电化学仪器上进行光电流的测定。
本发明所制备的水溶性ZnX(X代表硫、硒)量子点修饰到ITO电极表面,在一定缓冲条件和一定浓度电子供体的存在下,光照后可以产生光电流但电流值较小,然后当加入Hg2+之后,光电流强度升高,从而使Hg2+得到测定。此传感器将量子点的优异光电化学特性巧妙应用于汞离子的测定中,表现出了选择性好、灵敏度高的优势。
本发明的目的还可通过如下技术措施来实现:
所述的ZnX(X代表硫、硒)纳米材料的表面修饰剂,分别选自巯基乙醇,巯基乙酸,巯基丙酸,半胱氨酸,柠檬酸三钠,表面修饰剂的量为锌离子的物质的量的1-6倍;合成ZnX(X代表硫、硒)纳米材料时所选用的反应温度为室温-100度,反应时间为1-6小时;光电流测定时所使用的电子供体为抗坏血酸,三乙醇胺,三乙基胺,Na2SO3,电子供体的浓度为0.05-0.5mol/L;光电流测定时所使用的磷酸缓冲溶液的pH为3.0-10.0;光电流测定时采用的电压为-0.2-0.2V(相对于Ag/AgCl参比电极)。
附图说明:
图1是发明制备的半胱氨酸修饰的ZnS量子点修饰电极的光电流及向其中加入几种不同浓度的Hg2+之后的光电流。
图2是发明制备的半胱氨酸修饰的ZnS量子点修饰电极的光电流强度随Hg2+浓度变化的关系图。
图3是在一定缓冲条件下,不同浓度的Hg2+对ZnS量子点紫外-可见吸收的影响。
图4是在一定缓冲条件下,不同浓度的Hg2+对ZnS量子点荧光强度的影响。
具体实施方式:
实施实例1:
a、250μL的巯基乙酸溶液与0.001mol的Zn(CH3COO)2溶液混合后,加入1mol/L的NaOH溶液调节溶液的pH为7,通入高纯氮气30min后,加入0.001mol/L的NaHSe水溶液,继续通氮气100度下搅拌反应4h,得水溶性ZnSe纳米材料;
b、将ITO玻璃片浸在含2mol/LNaCl的2%PDDA聚合物溶液中,10min后用去离子水冲洗表面,然后再浸入到水溶性ZnSe纳米材料中,10min后用去离子水清洗电极表面。即制得ZnSe纳米材料修饰的电极。所制得的电极储可存在室温下;
c、将制得的ZnSe修饰的电极作为工作电极,浸在0.1mol/L三乙基胺与0.1mol/L的磷酸缓冲溶液(pH=7.0)组成的电解质溶液中,在自制的光电化学测定仪器上进行光电流测定,之后加入不同浓度的Hg2+,观察光电流的变化情况。
实施实例2:
a、0.3mmol的半胱氨酸溶液与0.15mmol的ZnSO4溶液混合后,加入1mol/L的NaOH溶液调节溶液的pH为7,通入高纯氮气30min后,加入0.15m mol的Na2S水溶液,加热至60℃恒温,继续通氮气搅拌反应1h,得水溶性ZnS纳米材料;
b、将ITO玻璃片浸在含2mol/LNaCl的2%PDDA聚合物溶液中,l0min后用去离子水冲洗表面,然后再浸入到水溶性ZnS纳米材料中,10min后用去离子水清洗电极表面。即制得ZnS纳米材料修饰的电极。所制得的电极储存在室温下;
c、将制得的ZnS修饰的电极作为工作电极,浸在0.1mol/L三乙醇胺与0.1mol/L的磷酸缓冲溶液(pH=7.0)组成的电解质溶液中,在自制的光电化学测定仪器上进行光电流测定,之后加入不同浓度的Hg2+,观察光电流的变化情况。
Claims (6)
1.汞离子的光电化学测定,其特征在于:
a、一定量的表面修饰剂与0.02mol/L的水溶性锌盐溶液混合后,用1mol/L的NaOH溶液调节溶液的pH为中性;然后通入高纯氮气30min后,加入0.1mol/L的Na2S(或者NaHSe)水溶液,继续通N2搅拌,在一定温度下加热反应一定时间,得水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料;
b、将经过预处理的ITO玻璃片浸在含有NaCl的2%PDDA聚合物的溶液中,几分钟后用去离子水冲洗电极表面;然后再浸入到水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料中,几分钟后用去离子水清洗电极表面。以上步骤即完成对ITO电极的修饰。所制得的电极可储存在室温下;
c、由一定浓度的电子供体和一定pH的磷酸缓冲溶液组成电解质溶液,以制得的ZnX(X代表硫、硒)修饰的电极作为工作电极,加入待测的Hg2+溶液后,一定电位下,在自制的光电化学仪器上进行光电流的测定。
2.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定,其特征在于所述的ZnX(X代表硫、硒)纳米材料的表面修饰剂为巯基乙醇,巯基乙酸,巯基丙酸,半胱氨酸,柠檬酸三钠,表面修饰剂的量为锌离子的物质的量的1-6倍。
3.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定,其特征在于合成ZnX(X代表硫、硒)纳米材料时所选用的反应温度为室温-100度,反应时间为1-6小时。
4.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定,其特征在于光电流测定时所使用的电子供体为抗坏血酸,三乙醇胺,三乙基胺,Na2SO3,电子供体的浓度为0.05-0.5mol/L。
5.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定,其特征在于光电流测定时所使用的磷酸缓冲溶液的pH为3.0-10.0。
6.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定,其特征在于光电流测定时采用的电压为-0.2-0.2V(相对于Ag/AgCl参比电极)。
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