CN103292029A - 新型层流对冲降压盘片结构 - Google Patents

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刘金涛
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Abstract

本发明公开的新型层流对冲降压盘片结构,其特征在于:有若干个盘片压接而成,所述每个盘片上设有供流体通过的凹槽;所述凹槽为呈阶梯型槽。本发明的新型层流对冲降压盘片结构是一种新型的盘片结构,实现层流对冲多级降压,可以使用在最小流量阀、减温水调节阀和排污阀上,本发明不仅仅增加了盘片的种类,同时为满足不同工况还增加了盘片的可选择性。

Description

新型层流对冲降压盘片结构
技术领域
本发明涉及阀门结构,具体涉及一种新型层流对冲降压盘片结构。
背景技术
阀门广泛应用于石油、化工、冶金、纺织、机械等各种领域的流体控制设备中,在整个工作装置和系统中起着至关重要的作用。流体流动的不稳定性或者在高压差下,流体对阀门的冲击作用严重影响阀门的使用寿命,导致系统、设备无法正常工作,严重是可能会导致灾难性事故的发生。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种最小流量阀、减温水调节阀和排污阀使用的新型层流对冲降压盘片结构,用于降低阀内件的初始流速,以降低高速流体对于阀内件的冲刷,可以有效延长阀门寿命。
解决上述问题的技术方案是:
新型层流对冲降压盘片结构,其特征在于:有若干个盘片压接而成,所述每个盘片上设有供流体通过的凹槽;所述凹槽为呈阶梯型槽。
进一步地,
所述相邻两个盘片通过焊接连接,盘片上的凹槽构成供介质通过的通道。
所述盘片的数量为2-15片。
所述凹槽有多条,在所述盘片上均匀对称设置,所述每条凹槽自所述盘片外侧向盘片中心延伸。
所述每条凹槽自其起始端点分散成斜向延伸的两条对称的阶梯型支槽;所述各支槽在终点处与相邻的支槽相交。
所述每条凹槽在其延伸过程中与相邻的一凹槽相交后再继续延伸至所述盘片的中心。
本发明的新型层流对冲降压盘片结构是一种新型的盘片结构,实现层流对冲多级降压,可以使用在最小流量阀、减温水调节阀和排污阀上,本发明不仅仅增加了盘片的种类,同时为满足不同工况还增加了盘片的可选择性。
附图说明
图1是本发明的新型层流对冲降压盘片结构的实施例1的结构示意图,其中箭头指示方向为流体流动方向。
图2是本发明的新型层流对冲降压盘片结构的实施例2的结构示意图,其中箭头指示方向为流体流动方向。
附图标记说明
1、盘片  2、凹槽  3、支槽
具体实施方案
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
实施例1
如图1所示的本发明的新型层流对冲降压盘片结构,由若干个盘片1压接而成,每个盘片上设有供流体通过的凹槽2,凹槽为呈阶梯型槽。
本发明的相邻两个盘片通过焊接连接,盘片上的凹槽构成供介质通过的通道。
构成本发明的盘片结构的盘片的数量为2-15片。
本发明的每个盘片上的凹槽可以有多条,在盘片上均匀对称设置,每条凹槽自盘片外侧向盘片中心延伸。
本例中,每条凹槽如图1所示,自其起始端点分散成斜向延伸的两条对称的阶梯型支槽3;各支槽在终点处与相邻的凹槽的一条支槽相交。介质顺着由凹槽连通的通道流动,进入阀体内部。
当介质进入本发明的新型层流对冲降压盘片结构盘片时,由于盘片的特殊结构,介质由一条整流分散成两条分流。介质整流变成分流,可使介质流速和压力降低,当介质通过梯形槽时,可以进一步的降速和降压,同时也会与另一条的梯形槽的介质相汇,通过介质的相交、对撞,达到了介质的最佳降速、降压效果,这样介质对阀内件的损坏达到了最小值。为满足不同工况,通过计算,参照盘片材料,可以加工出满足相应工况的阶梯型槽。
实施例2
如图2所示的本例与实施例1的区别在于:每条凹槽在其延伸过程中与相邻的一凹槽相交后再继续延伸至盘片的中心,从而相邻两条凹槽形成类似X型交叉形状。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明作任何形式上的限制,凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属本发明技术方案的保护范围。

Claims (6)

1.新型层流对冲降压盘片结构,其特征在于:有若干个盘片压接而成,所述每个盘片上设有供流体通过的凹槽;所述凹槽为呈阶梯型槽。 
2.根据权利要求1所述的新型层流对冲降压盘片结构,其特征在于:所述凹槽有多条,在所述盘片上均匀对称设置,所述每条凹槽自所述盘片外侧向盘片中心延伸。 
3.根据权利要求2所述的新型层流对冲降压盘片结构,其特征在于:所述每条凹槽自其起始端点分散成斜向延伸的两条对称的阶梯型支槽;所述各支槽在终点处与相邻的支槽相交。 
4.根据权利要求2所述的新型层流对冲降压盘片结构,其特征在于:所述每条凹槽在其延伸过程中与相邻的一凹槽相交后再继续延伸至所述盘片的中心。 
5.根据权利要求1-4中任一项所述的新型层流对冲降压盘片结构,其特征在于:所述相邻两个盘片通过焊接连接,盘片上的凹槽构成供介质通过的通道。 
6.根据权利要求5所述的新型层流对冲降压盘片结构,其特征在于:所述盘片的数量为2-15片。 
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 215000 Suzhou Lake Industrial Park, Xiangcheng District Economic Development Zone, Jiangsu

Applicant after: SUZHOU DELAN ENERGY SCIENCE & TECHNOLOGY CORP., LTD.

Address before: Cao Hu Industrial Park of Xiangcheng Economic Development Zone, Suzhou City, Jiangsu province 215000

Applicant before: Suzhou Delan Energy Technology Co., Ltd.

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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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