CN103270878B - 一种下山兰转育培养方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种下山兰快速转育培养方法，使得刚移植到室内的下山兰能在一个较短的时间内移送到相关的买家手中，并且确保下山兰的存活和正常生长。为达到所述目的，本发明涉及一种下山兰转育培养方法，包括移植和转育两个程序，在每年春季3月至4月、秋季9月至10月这两个时间段将山上的兰花移植到温室中进行培养，在温室中进行1-2个月的培养后即可离开温室。通过这样的结构，本发明通过科学合理的移植和转育两个程序，确保下山兰在移植到温室后，在较短时间内可以进行出售，并且确保即使不是专业的买家也能较为容易的养活兰花。

Description

一种下山兰转育培养方法

技术领域

本发明涉及一种兰花培养方法，特别涉及到一种下山兰转育培养方法。

技术背景

兰花为中国十大名花之首，一直深受国人的喜爱和推崇。对于优秀的兰花，无论是观赏价值还是经济价值都非常高。因此对于兰花的交易也非常多。兰花的来源非常多，包括分株、播种及组织培养繁殖等方式。但是为了寻找一些新的品种，我们仍然需要到山中去寻找下山兰来移植。对于下山兰的养殖方法，主要是注意通风、遮荫；忌湿、免肥；控制开花；配土壤这几个环节。对于有经验的兰花种植家而言，这些事情是得心应手的。现有技术的下山兰也往往是移植到室内的，对于室内养殖也有相关的技术，如专利号为CN91101932.4的发明专利《中国兰花室内栽培法》中也记载了一种中国兰花室内栽培法，系：1.首先将国兰之根部容置于一腔体深长而腔壁周缘开钻有多数国兰根部无法穿过细小孔洞内盆结构之中予以保护，然后以泡棉等植物及或干水草等物置于内盒结构内及盆口处，一方面用以固定国兰株杆之挺立，另一方面则系用以保养国兰根部之气温及湿度；2.其次，再以一无底三足鼎，底部备有空气通入孔道，于腔内侧适当部位，设有一承座之外盆结构，放其底部下放置一水盆，及一承置于外盆结构腔内侧承座上之环形植有棉质垂帘吸收体结构，而该环形植有棉质垂帘吸收体结构之末端，则适好皆垂入水盆之中，形成一自然毛吸管造湿之区间；3.然后将前述“1”方式容置国兰深长之内盆结构匹配套合于外盆结构之盆口部位密合，并使内盆与外盆间隔之间悬置环形植有棉质垂帘吸收体之结构，成为自然造湿区间，如是借由物理毛细管吸水造湿形成盆内外温差与湿差而产生气压气流之对流作用，引发雾状般之水气流通于国兰根部区间输送水分与养分。在本案发明设计单一个体内制国兰根、茎、叶之株间生长需求如野生国兰长年由大自然供应温度、湿度，及气流润湿相当生态条件之室内栽培方法破解历代对国兰栽培不易种种难题。这些技术是针对野生国兰到室内栽培的技术，也就是下山兰的培育技巧。

但是由于市场经济的发展，很多情况下，下山兰在移植到室内后非常短的时间内，就有可能被收藏家看中而选购。此时下山兰尚未恢复，同时移转到收藏家处，种植环境又一次发生变化。对于个人收藏家无法提供一个设备完善的大棚进行养殖。因此如何将下山兰顺利且快速地由室内转移到买家手中，并且确保兰花顺利的成长，是一个难以克服的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种下山兰快速转育培养方法，使得刚移植到室内的下山兰能在一个较短的时间内移送到相关的买家手中，并且确保下山兰的存活和正常生长。

为达到所述目的，本发明涉及一种下山兰转育培养方法，包括移植和转育两个程序，在每年春季3月至4月、秋季9月至10月这两个时间段将山上的兰花移植到温室中进行培养，在温室中进行1-2个月的培养后即可离开温室。

优选的，所述移植按照以下步骤进行：

步骤1：选择兰盆，移植时采用土泥盆，所述土泥盆高19-21厘米，盆口半径为8厘米，盆底半径为6厘米，盆底中间开有半径不小于3厘米的底孔，所述底孔四周的盆底设有不低于2厘米的支脚；土泥盆侧面的下半部排列有直径为1厘米的小空洞；

步骤2：铺设底料：所述底料铺设在兰盆底部，所述底料主要成分是掺有炭末的火烧土，火烧土内混有直径不大于1厘米的石粒或黄砖碎粒；

步骤3：起株，起株时间以早上9点以前或下午5点以后为宜，选定目标兰花后以兰花植株所在为圆心，距离兰花6厘米处下挖，下挖深度为15厘米，连土带植株将兰花挖起，如果土层浅于15厘米则下挖到尽可能深处，如果土层浅于5厘米则需要根据具体情况评估兰花生长状况，兰花根部过短则停止移植；

步骤4：将带有土层的兰花放入兰盆中，并且覆盖兰花所在的细土层腐殖质土，中间掺加碎木屑，填充满土层和兰盆之间空隙为止；

步骤5：浇水：少量浇水，将土层表面浇湿润即可；

步骤6：起株后两个小时内需要将兰盆放置到温室环境中。这样的步骤能确保在移植时避免先天对植株的损害。确保植株的完整，给后期转育带来先天性的优势。

优选的，所述温室培养包括两个阶段，即稳定阶段和转育阶段：

温室地面铺设为沙土，照明以阳光为主，稳定阶段培育方式采用现有的温室培育方式；而转育阶段，所述转育阶段将兰花更换温室，测量温室内室温和外部常温之间的温度差X摄氏度，以5天为一个周期，每次调整温室内室温X/6摄氏度，使室温逐渐接近外界常温，光照和湿度采用外界环境参数，当植株发生病变时进行施药，但是每个周期内最多只能进行一次施药，不进行施肥，完成3个周期后兰花如果生长状态正常则再进行后3个周期的培育；否则在前3个周期的整数个周期完成后将植株移回初始的温室。通过这样的方式能以诱导式的方式将兰花逐渐从温室较为容易生长的环境中带到常温自然环境中，解除掉兰花在移植过程中水土变化带来的不良反应。

优选的，所述底料中含炭末的火烧土和石粒或黄砖碎粒的质量比为1∶1，所述含炭末的火烧土中炭末所占质量百分比为17％-25％。这样的底料和植株所在土壤能良好结合，有利于后期人工施肥、浇水后肥料或水的流通渗透。

优选的，所述温室内地面的沙子每年更换一次，防止细菌生存。

优选的，所述兰盆在使用之前放入水中浸泡4天至5天，清洗后方可使用。这样的操作也是为了确保不会带有病害到新的植株中去。

优选的，所述温室中稳定阶段具体培育条件为：

这样针对具体时间的培养方式确保在转育前植株生长顺利。

通过这样的结构，本发明通过科学合理的移植和转育两个程序，确保下山兰在移植到温室后，在较短时间内可以进行出售，并且确保即使不是专业的买家也能较为容易的养活兰花。

具体实施方式：

1、本发明一种下山兰转育培养方法，用于使下山兰能更快进入到普通兰蕙爱好者家中，包括移植和转育两个程序，通过提高兰蕙自身的品质以提高其生存力。首先在每年春季3月至4月、秋季9月至10月这两个时间段将山上的兰花移植到温室中进行培养，在温室中进行1-2个月的培养后即可离开温室。其中所述移植按照以下步骤进行：

步骤1：选择兰盆，移植时采用土泥盆，所述土泥盆高19-21厘米，盆口半径为8厘米，盆底半径为6厘米，盆底中间开有半径不小于3厘米的底孔，所述底孔四周的盆底设有不低于2厘米的支脚；土泥盆侧面的下半部排列有直径为1厘米的小空洞；

步骤2：铺设底料：所述底料铺设在兰盆底部，所述底料主要成分是掺有炭末的火烧土，火烧土内混有直径不大于1厘米的石粒或黄砖碎粒；

步骤3：起株，起株时间以早上9点以前或下午5点以后为宜，选定目标兰花后以兰花植株所在为圆心，距离兰花6厘米处下挖，下挖深度为15厘米，连土带植株将兰花挖起，如果土层浅于15厘米则下挖到尽可能深处，如果土层浅于5厘米则需要根据具体情况评估兰花生长状况，兰花根部过短则停止移植；

步骤4：将带有土层的兰花放入兰盆中，并且覆盖兰花所在的细土层腐殖质土，中间掺加碎木屑，填充满土层和兰盆之间空隙为止；

步骤5：浇水：少量浇水，将土层表面浇湿润即可；

步骤6：起株后两个小时内需要将兰盆放置到温室环境中。

所述温室培养包括两个阶段，即稳定阶段和转育阶段：温室地面铺设为沙土，照明以阳光为主，稳定阶段培育方式采用现有的温室培育方式。其中的培育方式主要针对春秋两季，包括春季：

以及秋季

而转育阶段，所述转育阶段将兰花更换温室，测量温室内室温和外部常温之间的温度差X摄氏度，以5天为一个周期，每次调整温室内室温X/6摄氏度，使室温逐渐接近外界常温，光照和湿度采用外界环境参数，当植株发生病变时进行施药，但是每个周期内最多只能进行一次施药，不进行施肥，完成3个周期后兰花如果生长状态正常则再进行后3个周期的培育；否则在前3个周期的整数个周期完成后将植株移回初始的温室。

所述底料中含炭末的火烧土和石粒或黄砖碎粒的质量比为1∶1，所述含炭末的火烧土中炭末所占质量百分比为17％-25％。所述温室内地面的沙子每年更换一次，防止细菌生存。所述兰盆在使用之前放入水中浸泡4天至5天，清洗后方可使用。

所述温室中稳定阶段具体培育条件为：

通过恶化植株在温室内的后期生存状况，使得下山兰能进一步适应自然环境。这样当兰花销售后，即使买家家中没有相当条件的温室，也能在较为恶劣的环境中将兰花养活，减少了经济损失和纠纷。通过本发明技术处理的下山兰，后期在有人照顾的情况下，植株的死亡率低于2％，正常情况下都能养活。

以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。

Claims (6)

1.一种下山兰转育培养方法，包括移植和转育两个程序，其特征在于：在每年春季3月至4月、秋季9月至10月这两个时间段将山上的兰花移植到温室中进行培养，在温室中进行1-2个月的培养后即可离开温室，所述移植按照以下步骤进行：

步骤1：选择兰盆，移植时采用土泥盆，所述土泥盆高19-21厘米，盆口半径为8厘米，盆底半径为6厘米，盆底中间开有半径不小于3厘米的底孔，所述底孔四周的盆底设有不低于2厘米的支脚；土泥盆侧面的下半部排列有直径为1厘米的小空洞；

步骤2：铺设底料：所述底料铺设在兰盆底部，所述底料主要成分是掺有炭末的火烧土，火烧土内混有直径不大于1厘米的石粒或黄砖碎粒；

步骤3：起株，起株时间以早上9点以前或下午5点以后为宜，选定目标兰花后以兰花植株所在为圆心，距离兰花6厘米处下挖，下挖深度为15厘米，连土带植株将兰花挖起，如果土层浅于15厘米则下挖到尽可能深处，如果土层浅于5厘米则需要根据具体情况评估兰花生长状况，兰花根部过短则停止移植；

步骤4：将带有土层的兰花放入兰盆中，并且覆盖兰花所在的细土层腐殖质土，中间掺加碎木屑，填充满土层和兰盆之间空隙为止；

步骤5：浇水：少量浇水，将土层表面浇湿润即可；

步骤6：起株后两个小时内需要将兰盆放置到温室环境中。

2.如权利要求1所述的一种下山兰转育培养方法，其特征在于：所述温室培养包括两个阶段，即稳定阶段和转育阶段：

温室地面铺设为沙土，照明以阳光为主，稳定阶段培育方式采用现有的温室培育方式；而转育阶段，所述转育阶段将兰花更换温室，测量温室内室温和外部常温之间的温度差X摄氏度，以5天为一个周期，每次调整温室内室温X/6 摄氏度，使室温逐渐接近外界常温，光照和湿度采用外界环境参数，当植株发生病变时进行施药，但是每个周期内最多只能进行一次施药，不进行施肥，完成3个周期后兰花如果生长状态正常则再进行后3个周期的培育；否则在前3个周期的整数个周期完成后将植株移回初始的温室。

3.如权利要求1所述的一种下山兰转育培养方法，其特征在于：所述底料中含炭末的火烧土和石粒或黄砖碎粒的质量比为1∶1，所述含炭末的火烧土中炭末所占质量百分比为17％-25％。

4.如权利要求2所述的一种下山兰转育培养方法，其特征在于：所述温室内地面的沙子每年更换一次，防止细菌生存。

5.如权利要求2所述的一种下山兰转育培养方法，其特征在于：所述兰盆在使用之前放入水中浸泡4天至5天，清洗后方可使用。

6.如权利要求2所述的一种下山兰转育培养方法，其特征在于：所述温室中稳定阶段具体培育条件为：

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