CN103269233A - 一种收发一体多功能电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，所述天线端通道选择开关电路为非对称开关电路，所述驱动端通道选择开关电路为对称开关拓扑结构电路，所述接收通道低噪声放大器电路为电阻桥偏置电路，所述发射通道功率放大器电路为有源偏置电路。所述电路具有集成功能复杂、批量生产幅度、相位一致性好、工作温度稳定性高和输出功率高等特点。

Description

一种收发一体多功能电路

技术领域

本发明涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。

背景技术

瓦级功率输出的收发一体多功能电路作为一个部件在微波和毫米波相控阵系统中广泛应用，图15是一个简化的相控阵T/R组件的示意图，该系统包含了收发一体多功能电路210和幅相控制多功能电路220，两款多功能电路实现一个相控阵用T/R单元，实现传输信号的收发放大功能及幅度、相位控制。收发一体多功能电路210包含了天线端通道选择开关电路211，接收通道低噪声放大器电路212，发射通道功率放大器电路214，驱动端通道选择开关电路213和收发支路电源控制215等五个功能单元。

随着相控阵T/R组件高功率输出、小型化和批量化的要求，目前该系统中采用的分离单功能MMIC电路不能满足小型化及批量工程化的要求。申请号为200820141364的专利文件公开了一种毫米波功率级单片收/发集成电路。文献中描述采用MMIC技术实现类似收发一体多功能芯片的可能性，但不包含实现工作温度变化及阈值电压波动自调节和大功率发射功率输出时通道开关设计的技术途径。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种收发一体多功能电路，所述电路具有结构简单，集成功能多，工作温度稳定性高和输出功率高等特点。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种收发一体多功能电路，包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，其特征在于所述天线端通道选择开关电路为非对称开关电路，所述驱动端通道选择开关电路为对称开关拓扑结构电路，所述接收通道低噪声放大器电路为电阻桥偏置电路，所述发射通道功率放大器电路为有源偏置电路。

优选的：所述接收通道低噪声放大器电路包括微带线MS1-MS5、电阻Rb1- Rb2、电阻Rd、电阻Rs、电阻Rg电容Ci、电容Co、电容Cs和场效应管T1，接收通道低噪声放大器电路的输入端经电容Ci、微带线MS1、微带线MS2接场效应管T1的栅极，场效应管T1的源极经微带线MS5、电阻Rs接地，所述电容Cs与电阻Rs并联，电源Vdd经电阻Rd、微带线MS4接场效应管T1的漏极，所述微带线MS3的一端接微带线MS1与微带线MS2的结点，所述微带线MS3的另一端经电阻Rg、电阻Rb2接电阻Rd与微带线MS4的结点，所述电阻Rg与电阻Rb2的结点经电阻Rb1接地，所述微带线MS4与场效应管T1的漏极的结点与电容Co的一端连接，电容Co的另一端为所述接收通道低噪声放大器电路的输出端。

优选的：所述接收通道低噪声放大电路包括微带线M4-M18、电阻R4-R18、电容C4-C10和场效应管FET2-FET4，所述接收通道低噪声放大电路的输入端经电容C4、微带线M4、微带线M6接场效应管FET2的栅极，场效应管FET2的源极经微带线M7、电阻R7接地，所述电容C5与电阻R7并联，电源经电阻R8、微带线M8接场效应管FET2的漏极，所述微带线M4与微带线M6的结点经微带线M5、电阻R4、电阻R6接电阻R8与微带线M8的结点，所述电阻R4与电阻R6的结点经电阻R5接地；

场效应管FET2的漏极经电容C6、微带线M9、微带线M11接场效应管FET3的栅极，所述场效应管FET3的源极经微带线M12、电阻R12接地，所述电容C7与电阻R12并联，电源经电阻R13、微带线M13接场效应管FET3的漏极，所述微带线M9与微带线M11的结点经微带线M10、电阻R9、电阻R11接电阻R13与微带线M13的结点，所述电阻R9与电阻R11的结点经电阻R10接地；

场效应管FET3的漏极经电容C8、微带线M14、微带线M16接场效应管FET4的栅极，所述场效应管FET4的源极经微带线M17、电阻R17接地，所述电容C9与电阻R17并联，电源经电阻R18、微带线M18接场效应管FET4的漏极，所述微带线M14与微带线M16的结点经微带线M15、电阻R14、电阻R16接电阻R18与微带线M18的结点，所述电阻R14与电阻R16的结点经电阻R15接地，所述场效应管FET4的漏极接电容C10的一端，所述电容C10的另一端为所述接收通道低噪声放大电路的输出端。

优选的：所述发射通道功率放大器电路包括微带线M26-M38、电阻R25-R31、电容C17-C22、电感L3、场效应管FET7-FET9，所述发射通道功率放大器电路的输入端经电容C17、微带线M26、微带线M27接场效应管FET7栅极，微带线M26与微带线M27的结点经电阻R25接地，所述场效应管FET7的源极经微带线M28、电阻R26接地，所述电容C18与所述电阻R26并联，所述场效应管FET7的漏极的一路经电容C19、微带线M30、微带线M31接场效应管FET8的栅极，所述场效应管FET7的漏极的另一路经微带线M29与电感L3的一端连接，微带线M31与微带线M30的结点经电阻R27、电阻R28接地，所述场效应管FET8的源极经微带线M32、电容C20接地，电感L3的另一端接微带线M32与电容C20的结点，所述场效应管FET8的漏极的第一路经电阻R29接电阻R27与电阻R28的结点，所述场效应管FET8的漏极的第二路经电容C21、微带线M33、微带线M35接场效应管FET9的栅极，所述场效应管FET8的漏极的第三路接电源，微带线M33与微带线M35的结点经微带线M34、电阻R30、电阻R31接地，所述电阻R30与电阻R31的结点与场效应管FET11的漏极连接，场效应管FET11的栅极和源极接电源，所述场效应管FET9的源极经微带线M36接地，所述场效应管FET9的漏极的第一路经微带线M37接电源，所述场效应管FET9的漏极的第二路经微带线M38与电容C22的一端连接，所述电容C22的另一端为所述发射通道功率放大器电路的输出端。

优选的：所述天线端通道选择开关电路包括微带线M1-M3、微带线M39-M41、电阻R1-R3、电容C1-C3、电容C23-C24和场效应管FET1，所述天线端通道选择开关电路的双向端口的第一路经电容C1、微带线M1、微带线M3与所述电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端为所述选择开关电路的输出端，所述微带线M1与微带线M3的结点与所述场效应管FET1的漏极连接，所述场效应管FET1的栅极经电阻R1接地，所述场效应管FET1的源极经微带线M2、电容C2接地，所述电容C2与微带线M2的结点经电阻R2接电源，所述电容C3与微带线M3的结点经电阻R3接电源；所述选择开关电路的双向端口的第二路经电容C24、微带线M41、微带线M39与电容C23的一端连接，所述电容C23的另一端为所述选择开关电路的输入端，所述微带线M39与微带线M41的结点经微带线M40接地，所述电容C23与微带线M39的结点处设有开路线OS1。

优选的：所述驱动端通道选择开关电路包括电阻R19-R24、微带线M19-M25、电容C11-C16和场效应管FET5-FET6，所述驱动端通道选择开关电路的双向端口的第一路经电容C13、微带线M21、微带线M19接电容C11的一端，电容C11的另一端为所述驱动端通道选择开关电路的输入端，场效应管FET5的源极接微带线M19与微带线M21的结点，场效应管FET5的漏极经微带线M20、电容C12接地，所述微带线M20与电容C12的结点经电阻R20、电阻R19接微带线M19与电容C11的结点，所述电阻R19与电阻R20的结点接电源，所述驱动端通道选择开关电路的双向端口的第二路经电容C14、微带线M22、微带线M23、电容C16接微带线M25的一端，微带线M25的另一端为所述驱动端通道选择开关电路的输出端，场效应管FET6的源极接微带线M22与微带线M23的结点，场效应管FET6的漏极经微带线M24、电容C15接地，所述微带线M23与电容C16的结点经电阻R24、电阻R23接微带线M24与电容C15的结点，所述电阻R23与电阻R24的结点接电源。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述电路在接收通道低噪声放大器电路和发射通道功率放大器电路的设计中分别采用电阻桥偏置和有源偏置技术，电路性能对工作温度变化及阈值电压波动具有自适应调节能力。在天线端通道选择开关电路的设计中采用非对称开关结构实现瓦级功率线性通过，提升功率输出能力，改善传统电路结构输出功率受有源器件的耐受功率能力限制。所述多功能电路具有集成功能多、批量生产幅度、相位一致性好、工作温度稳定性高和输出功率高等特点，同时结构简单，降低大功率输出T/R组件实现的复杂程度。 

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

图1是本发明的原理框图；

图2是图1中接收通道低噪声放大器电路的一种原理图；

图3是图1中接收通道低噪声放大器电路的另一种原理图；

图4是图1中发射通道功率放大器电路的原理图；

图5是图1中天线端通道选择开关电路的原理图；

图6是图1中驱动端通道选择开关电路的原理图；

图7是本发明的原理图；

图8是接收通道低噪声放大器电路中场效应管的工作点与阈值电压波动的分析表；

图9是现有技术接收通道低噪声放大器电路中场效应管的工作点与阈值电压波动的分析表；

图10是现有技术接收通道低噪声放大器电路中场效应管的工作点与阈值电压波动的分析图；

图11是接收通道噪声测试图；

图12是接收通道增益侧视图；

图13是发射通道输出功率测试图；

图14是发射通道功率增益测试图；

图15是简化的相控阵T/R组件的示意图；

其中：210、收发一体多功能电路 211、天线端通道选择开关电路 212、接收通道低噪声放大器电路 213、驱动端通道选择开关电路 214、发射通道功率放大器电路 215、收发支路电源控制 220、幅相控制多功能电路。

具体实施方式

如图1所示，一种收发一体多功能电路，包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路。所述天线端通道选择开关电路为非对称开关电路，所述驱动端通道选择开关电路为对称开关拓扑结构电路，所述接收通道低噪声放大器电路为电阻桥偏置电路，所述发射通道功率放大器电路为有源偏置电路。

如图2所示，所述接收通道低噪声放大器电路包括微带线MS1-MS5、电阻Rb1- Rb2、电阻Rd、电阻Rs、电阻Rg电容Ci、电容Co、电容Cs和场效应管T1。接收通道低噪声放大器电路的输入端经电容Ci、微带线MS1、微带线MS2接场效应管T1的栅极，场效应管T1的源极经微带线MS5、电阻Rs接地，所述电容Cs与电阻Rs并联，电源Vdd经电阻Rd、微带线MS4接场效应管T1的漏极，所述微带线MS3的一端接微带线MS1与微带线MS2的结点，所述微带线MS3的另一端经电阻Rg、电阻Rb2接电阻Rd与微带线MS4的结点，所述电阻Rg与电阻Rb2的结点经电阻Rb1接地，所述微带线MS4与场效应管T1的漏极的结点与电容Co的一端连接，电容Co的另一端为所述接收通道低噪声放大器电路的输出端。

如图3所示，所述接收通道低噪声放大电路包括微带线M4-M18、电阻R4-R18、电容C4-C10和场效应管FET2-FET4。所述接收通道低噪声放大电路的输入端经电容C4、微带线M4、微带线M6接场效应管FET2的栅极，场效应管FET2的源极经微带线M7、电阻R7接地，所述电容C5与电阻R7并联，电源经电阻R8、微带线M8接场效应管FET2的漏极，所述微带线M4与微带线M6的结点经微带线M5、电阻R4、电阻R6接电阻R8与微带线M8的结点，所述电阻R4与电阻R6的结点经电阻R5接地。

场效应管FET2的漏极经电容C6、微带线M9、微带线M11接场效应管FET3的栅极，所述场效应管FET3的源极经微带线M12、电阻R12接地，所述电容C7与电阻R12并联，电源经电阻R13、微带线M13接场效应管FET3的漏极，所述微带线M9与微带线M11的结点经微带线M10、电阻R9、电阻R11接电阻R13与微带线M13的结点，所述电阻R9与电阻R11的结点经电阻R10接地。

场效应管FET3的漏极经电容C8、微带线M14、微带线M16接场效应管FET4的栅极，所述场效应管FET4的源极经微带线M17、电阻R17接地，所述电容C9与电阻R17并联，电源经电阻R18、微带线M18接场效应管FET4的漏极，所述微带线M14与微带线M16的结点经微带线M15、电阻R14、电阻R16接电阻R18与微带线M18的结点，所述电阻R14与电阻R16的结点经电阻R15接地，所述场效应管FET4的漏极接电容C10的一端，所述电容C10的另一端为所述接收通道低噪声放大电路的输出端。

如图4所示，所述发射通道功率放大器电路包括微带线M26-M38、电阻R25-R31、电容C17-C22、电感L3、场效应管FET7-FET9。所述发射通道功率放大器电路的输入端经电容C17、微带线M26、微带线M27接场效应管FET7栅极，微带线M26与微带线M27的结点经电阻R25接地，所述场效应管FET7的源极经微带线M28、电阻R26接地，所述电容C18与所述电阻R26并联，所述场效应管FET7的漏极的一路经电容C19、微带线M30、微带线M31接场效应管FET8的栅极，所述场效应管FET7的漏极的另一路经微带线M29与电感L3的一端连接，微带线M31与微带线M30的结点经电阻R27、电阻R28接地，所述场效应管FET8的源极经微带线M32、电容C20接地，电感L3的另一端接微带线M32与电容C20的结点，所述场效应管FET8的漏极的第一路经电阻R29接电阻R27与电阻R28的结点，所述场效应管FET8的漏极的第二路经电容C21、微带线M33、微带线M35接场效应管FET9的栅极，所述场效应管FET8的漏极的第三路接电源，微带线M33与微带线M35的结点经微带线M34、电阻R30、电阻R31接地，所述电阻R30与电阻R31的结点与场效应管FET11的漏极连接，场效应管FET11的栅极和源极接电源，所述场效应管FET9的源极经微带线M36接地，所述场效应管FET9的漏极的第一路经微带线M37接电源，所述场效应管FET9的漏极的第二路经微带线M38与电容C22的一端连接，所述电容C22的另一端为所述发射通道功率放大器电路的输出端。

如图5所示，所述天线端通道选择开关电路包括微带线M1-M3、微带线M39-M41、电阻R1-R3、电容C1-C3、电容C23-C24和场效应管FET1。所述天线端通道选择开关电路的双向端口的第一路经电容C1、微带线M1、微带线M3与所述电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端为所述选择开关电路的输出端，所述微带线M1与微带线M3的结点与所述场效应管FET1的漏极连接，所述场效应管FET1的栅极经电阻R1接地，所述场效应管FET1的源极经微带线M2、电容C2接地，所述电容C2与微带线M2的结点经电阻R2接电源，所述电容C3与微带线M3的结点经电阻R3接电源；所述选择开关电路的双向端口的第二路经电容C24、微带线M41、微带线M39与电容C23的一端连接，所述电容C23的另一端为所述选择开关电路的输入端，所述微带线M39与微带线M41的结点经微带线M40接地，所述电容C23与微带线M39的结点处设有开路线OS1。

如图6所示，所述驱动端通道选择开关电路包括电阻R19-R24、微带线M19-M25、电容C11-C16和场效应管FET5-FET6。所述驱动端通道选择开关电路的双向端口的第一路经电容C13、微带线M21、微带线M19接电容C11的一端，电容C11的另一端为所述驱动端通道选择开关电路的输入端，场效应管FET5的源极接微带线M19与微带线M21的结点，场效应管FET5的漏极经微带线M20、电容C12接地，所述微带线M20与电容C12的结点经电阻R20、电阻R19接微带线M19与电容C11的结点，所述电阻R19与电阻R20的结点接电源，所述驱动端通道选择开关电路的双向端口的第二路经电容C14、微带线M22、微带线M23、电容C16接微带线M25的一端，微带线M25的另一端为所述驱动端通道选择开关电路的输出端，场效应管FET6的源极接微带线M22与微带线M23的结点，场效应管FET6的漏极经微带线M24、电容C15接地，所述微带线M23与电容C16的结点经电阻R24、电阻R23接微带线M24与电容C15的结点，所述电阻R23与电阻R24的结点接电源。

在图3和图7的接收通道低噪声放大器设计中，采用电阻桥偏置技术，降低低噪声放大器电路的工作点随阈值电压波动的变化；在图4和图7的发射通道功率放大器电路设计中，采用有源偏置技术，通过有源器件对阈值电压变化的自适应能力和负温度系数变化特性，实现不同生产批、不同应用环境下稳定的功率输出能力；在图5和图7的天线端通道选择开关电路设计中，采用非对称开关结构的拓扑技术，提升功率放大器线性功率输出能力，实现了瓦级功率输出收发一体多功能电路。

主要解决不同生产批工艺加工过程中器件阈值电压的波动和芯片应用环境温度的变化对电路关键性能的影响，满足用户对芯片性能参数的一致性和温度特性非常高的要求。和传统拓扑结构的收发一体多功能电路相比，通过在接收通道采用电阻桥偏置、发射通道采用有源偏置技术实现了的批量一致性指标改善1.5dB以上，增益、功率关键技术指标全温范围内变化小于1dB。增加了电路对工艺波动、环境温度变化的自适应功能。末级收发一体多功能电路天线端的切换开关微波特性直接决定T/R组件的噪声系数和输出功率等关键指标。充分发挥工艺和设计的优势，采用非对称开关设计理念，实现通道切换开关的设计，可有效降低开关插入损耗对芯片的噪声系数和功率输出能力的不利影响。通过新型非对称开关拓扑技术的应用，实现具备更大发射功率输出的电路。

在接收通道低噪声放大器电路的设计中，采用电阻桥偏置技术，即通过图2中电阻Rb1、电阻Rb2、电阻Rd、电阻Rs实现有源器件阈值电压波动时，栅源电压Vgs、漏源电压Vds随阈值电压的自适应。通过实测结果、电路设计结果和工艺加工情况的分析：当电路采用自偏压结构，在工艺加工阈值电压变化0.1V的情况下，需要提高工作电压0.5V。为了改善电路的工艺容差能力，对电路拓扑结构进行了创新，采用图2所示的电路偏置网络。在图8-10中进行两种拓扑结构的对比分析，VGS、VDS为传统偏置技术的分析结果，VGS_R、VDS_R为采用电阻桥偏置技术的分析结果，对比表明在阈值中心值-0.786V变化3δ范围内，采用电阻桥技术的电路拓扑结构，明显提高耗尽型场效应晶体管Vds和Vgs工作点的工艺容差能力。

在发射通道功率放大器电路的设计中，采用有源偏置技术，即通过图7中耗尽型场效应晶体管FET11的栅源互联和电阻R31建立动态分压进行放大器的栅极馈电，实现放大器栅压随阈值电压自调节功能，明显提高耗尽型场效应晶体管的Vgs工作点的工艺容差能力。

图7所述多功能电路的电路原理图，电路的信号端口分别是21a和21b，21a端口为接收输入端及发射输出端，21b端口为发射输入端及接收输出端。

在天线端通道选择开关电路的设计中，采用不对称开关技术实现通道选择开关发射支路线性通过瓦级以上功率。通过匹配元件微带线M39-M41和开路线OS1取代并联的开关型场效应晶体管，类似场效应管FET6的功能，突破了开关型场效应晶体管功率处理能力的限制。通过电容C1-C3对耗尽型场效应晶体管FET1的漏极和源极进行隔离直流，晶体管FET1的栅极通过隔离电阻R1接地，晶体管FET1的漏极和源极分别通过电阻R3和电阻R2进行正电压Vc_Rx馈电，从而实现正电压Vc_Rx对耗尽型场效应晶体管FET1的开关控制，微带线M1、-M3实现开关的微波匹配功能；通过电容C23-C24对外围电路进行直流隔离，开路线OS1和微带线M39-M41实现微波匹配。

接收通道低噪声放大器电路设计中，采用电阻桥偏置技术分别对耗尽型场效应晶体管FET2-FET4进行直流偏置；电阻R5-R8、电阻R10-R13、电阻R15-R18提供电路中耗尽型场效应晶体管FET2-FET4直流偏置；电阻R4、电阻R9、电阻R14提供电路中耗尽型场效应晶体管FET2-FET4栅极直流馈电；电容C4、电容C6、电容C8、电容C10实现隔直；电容C5、电容C7、电容C9实现交流接地；微带线M4-M6、微带线M8-M11、微带线M13-M16、微带线M18实现微波匹配功能，降低直流馈电网络对电路性能的影响；微带线M7、微带线M12、微带线M17改善电路稳定性。在工作频率范围内，实现24dB的接收增益、3dB的接收噪声系数，含天线端通道选择开关插入损耗。

发射通道功率放大器电路的设计中，采用有源偏置技术对末级放大的场效应晶体管的栅压馈电，即通过具有阈值波动自调节能力的耗尽型场效应晶体管FET11和电阻R31实现动态分压电路，保证稳定的输出功率外。其它各级采用电流复用技术，即通过电感L1实现耗尽型场效应晶体管FET8的源极向耗尽型场效应晶体管FET7的漏极馈电，实现工作电流复用。在工作频率范围内，实现26dB的发射功率增益、26.5dBm的发射输出功率，含天线端通道选择开关插入损耗。

驱动端通道选择开关电路的设计中，采用对称开关拓扑结构实现。通过电容C11-C13对耗尽型场效应晶体管FET5的漏极和源极进行隔离直流，晶体管FET5的栅极通过隔离电阻R21接地，晶体管FET5的漏极和源极分别通过电阻R19-R20进行正电压Vc_Rx馈电，从而实现正电压Vc_Rx对耗尽型场效应晶体管FET5的开关控制，微带线M19-M21实现开关的微波匹配功能；通过电容C14-C16对耗尽型场效应晶体管FET6的漏极和源极进行直流隔离，晶体管FET6的栅极通过隔离电阻R22接地，晶体管FET6的漏极和源极分别通过电阻R23-R24进行正电压Vc_Tx馈电，从而实现正电压Vc_Tx对耗尽型场效应晶体管FET6的开关控制，微带线M22-M25实现开关的微波匹配功能。当Vc_Tx等于0伏、Vc_Rx等于5伏时，接收通道工作；当Vc_Tx等于5伏、Vc_Rx等于0伏时，发射通道工作。

本发明就是基于该工作原理，通过调整合适的元器件值来实现不同的指标要求。根据以上所述，按照图7的电路图，采用砷化镓单片集成电路制造工艺便可实现本发明。经工程验证，运用该技术的收发一体多功能电路在工作温度变化及阈值电压波动自调节和高生产重复性、一致性等方面取得优势。降低了大功率输出T/R组件的体积、简化系统的复杂度。

Claims (6)

1.一种收发一体多功能电路，包括天线端通道选择开关电路（211）、接收通道低噪声放大器电路（212）、驱动端通道选择开关电路（213）、发射通道功率放大器电路（214）和收发支路电源控制电路（215），其特征在于所述天线端通道选择开关电路（211）为非对称开关电路，所述驱动端通道选择开关电路（213）为对称开关拓扑结构电路，所述接收通道低噪声放大器电路（212）为电阻桥偏置电路，所述发射通道功率放大器电路（214）为有源偏置电路。

2.根据权利要求1所述的一种收发一体多功能电路，其特征在于所述接收通道低噪声放大器电路（212）包括微带线MS1-MS5、电阻Rb1- Rb2、电阻Rd、电阻Rs、电阻Rg、电容Ci、电容Co、电容Cs和场效应管T1，接收通道低噪声放大器电路的输入端经电容Ci、微带线MS1、微带线MS2接场效应管T1的栅极，场效应管T1的源极经微带线MS5、电阻Rs接地，所述电容Cs与电阻Rs并联，电源Vdd经电阻Rd、微带线MS4接场效应管T1的漏极，所述微带线MS3的一端接微带线MS1与微带线MS2的结点，所述微带线MS3的另一端经电阻Rg、电阻Rb2接电阻Rd与微带线MS4的结点，所述电阻Rg与电阻Rb2的结点经电阻Rb1接地，所述微带线MS4与场效应管T1的漏极的结点与电容Co的一端连接，电容Co的另一端为所述接收通道低噪声放大器电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的一种收发一体多功能电路，其特征在于所述接收通道低噪声放大电路（212）包括微带线M4-M18、电阻R4-R18、电容C4-C10和场效应管FET2-FET4，所述接收通道低噪声放大电路的输入端经电容C4、微带线M4、微带线M6接场效应管FET2的栅极，场效应管FET2的源极经微带线M7、电阻R7接地，所述电容C5与电阻R7并联，电源经电阻R8、微带线M8接场效应管FET2的漏极，所述微带线M4与微带线M6的结点经微带线M5、电阻R4、电阻R6接电阻R8与微带线M8的结点，所述电阻R4与电阻R6的结点经电阻R5接地；

场效应管FET2的漏极经电容C6、微带线M9、微带线M11接场效应管FET3的栅极，所述场效应管FET3的源极经微带线M12、电阻R12接地，所述电容C7与电阻R12并联，电源经电阻R13、微带线M13接场效应管FET3的漏极，所述微带线M9与微带线M11的结点经微带线M10、电阻R9、电阻R11接电阻R13与微带线M13的结点，所述电阻R9与电阻R11的结点经电阻R10接地；

场效应管FET3的漏极经电容C8、微带线M14、微带线M16接场效应管FET4的栅极，所述场效应管FET4的源极经微带线M17、电阻R17接地，所述电容C9与电阻R17并联，电源经电阻R18、微带线M18接场效应管FET4的漏极，所述微带线M14与微带线M16的结点经微带线M15、电阻R14、电阻R16接电阻R18与微带线M18的结点，所述电阻R14与电阻R16的结点经电阻R15接地，所述场效应管FET4的漏极接电容C10的一端，所述电容C10的另一端为所述接收通道低噪声放大电路的输出端。

4.根据权利要求1所述的一种收发一体多功能电路，其特征在于所述发射通道功率放大器电路（214）包括微带线M26-M38、电阻R25-R31、电容C17-C22、电感L3、场效应管FET7-FET9，所述发射通道功率放大器电路的输入端经电容C17、微带线M26、微带线M27接场效应管FET7栅极，微带线M26与微带线M27的结点经电阻R25接地，所述场效应管FET7的源极经微带线M28、电阻R26接地，所述电容C18与所述电阻R26并联，所述场效应管FET7的漏极的一路经电容C19、微带线M30、微带线M31接场效应管FET8的栅极，所述场效应管FET7的漏极的另一路经微带线M29与电感L3的一端连接，微带线M31与微带线M30的结点经电阻R27、电阻R28接地，所述场效应管FET8的源极经微带线M32、电容C20接地，电感L3的另一端接微带线M32与电容C20的结点，所述场效应管FET8的漏极的第一路经电阻R29接电阻R27与电阻R28的结点，所述场效应管FET8的漏极的第二路经电容C21、微带线M33、微带线M35接场效应管FET9的栅极，所述场效应管FET8的漏极的第三路接电源，微带线M33与微带线M35的结点经微带线M34、电阻R30、电阻R31接地，所述电阻R30与电阻R31的结点与场效应管FET11的漏极连接，场效应管FET11的栅极和源极接电源，所述场效应管FET9的源极经微带线M36接地，所述场效应管FET9的漏极的第一路经微带线M37接电源，所述场效应管FET9的漏极的第二路经微带线M38与电容C22的一端连接，所述电容C22的另一端为所述发射通道功率放大器电路的输出端。

5.根据权利要求1所述的一种收发一体多功能电路，其特征在于所述天线端通道选择开关电路（211）包括微带线M1-M3、微带线M39-M41、电阻R1-R3、电容C1-C3、电容C23-C24和场效应管FET1，所述天线端通道选择开关电路的双向端口的第一路经电容C1、微带线M1、微带线M3与所述电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端为所述选择开关电路的输出端，所述微带线M1与微带线M3的结点与所述场效应管FET1的漏极连接，所述场效应管FET1的栅极经电阻R1接地，所述场效应管FET1的源极经微带线M2、电容C2接地，所述电容C2与微带线M2的结点经电阻R2接电源，所述电容C3与微带线M3的结点经电阻R3接电源；所述选择开关电路的双向端口的第二路经电容C24、微带线M41、微带线M39与电容C23的一端连接，所述电容C23的另一端为所述选择开关电路的输入端，所述微带线M39与微带线M41的结点经微带线M40接地，所述电容C23与微带线M39的结点处设有开路线OS1。

6.根据权利要求1所述的一种收发一体多功能电路，其特征在于所述驱动端通道选择开关电路（213）包括电阻R19-R24、微带线M19-M25、电容C11-C16和场效应管FET5-FET6，所述驱动端通道选择开关电路的双向端口的第一路经电容C13、微带线M21、微带线M19接电容C11的一端，电容C11的另一端为所述驱动端通道选择开关电路的输入端，场效应管FET5的源极接微带线M19与微带线M21的结点，场效应管FET5的漏极经微带线M20、电容C12接地，所述微带线M20与电容C12的结点经电阻R20、电阻R19接微带线M19与电容C11的结点，所述电阻R19与电阻R20的结点接电源，所述驱动端通道选择开关电路的双向端口的第二路经电容C14、微带线M22、微带线M23、电容C16接微带线M25的一端，微带线M25的另一端为所述驱动端通道选择开关电路的输出端，场效应管FET6的源极接微带线M22与微带线M23的结点，场效应管FET6的漏极经微带线M24、电容C15接地，所述微带线M23与电容C16的结点经电阻R24、电阻R23接微带线M24与电容C15的结点，所述电阻R23与电阻R24的结点接电源。

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