CN103268776A - 擦写电压产生电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种擦写电压产生电路，包括第一电荷泵、爬坡电路、NMOS管及检测电路，该擦写电压产生电路还包括第二电荷泵，该第二电荷泵连接于该第一电荷泵与爬坡电路之间，以将该第一电荷泵输出的高压提高nV，使该NMOS管于源极产生的擦写电压因负载电流过大而下降时充分导通，本发明使第一电荷泵能迅速响应擦写电压的变化而不至于使擦写电压变化过大，实现了精确控制擦写电压的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种擦写电压产生电路，特别是涉及一种精确控制擦写电压的擦写电压产生电路。
背景技术
在闪存电路设计中，系统往往要产生12V的高压供闪存擦除时使用。图1为现有技术中一种擦写电压产生电路的电路示意图。如图1所示，该擦写电压产生电路包括高压电荷泵10、爬坡电路(Gramp)11、NMOS管ml以及检测电路12，高压电荷泵10输出电压Hve可以快速上升至12.4V，之后因检测电路12被触发进入工作状态而控制高压电荷泵10停止工作，这里检测电路12可以为比较器，其一输入端通过两电阻R1/R2分压取样连接至高压电荷泵10输出端，另一输入端接参考电压Vref，其输出端接高压电荷泵10以控制高压电荷泵10工作，高压电荷泵10的输出端接爬坡电路11及NMOS管ml的漏极；爬坡电路(Gramp)11用于控制NMOS管的栅极电压Vgramp缓慢上升，该NMOS管导通后使得源极产生的擦写电压Vep＝Vgramp-Vt(ml)。
然而，现有技术的这种擦写电压产生电路却存在如下缺点：当负载电流Iloading比设计估计大时，擦写电压Vep会快速下降，但产生高压Hve的高压电荷泵10却不对擦写电压Vep产生响应，从而使擦写电压Vep波动过大。
发明内容
为克服上述现有技术的擦写电压产生电路存在的擦写电压波动过大的问题，本发明的主要目的在于提供一种擦写电压产生电路，其通过在爬坡电路(Gramp)前增加一个高压电荷泵将原先的高压电荷泵的输出高压再提高一些，使原先的高压电荷泵能迅速响应擦写电压的变化而不至于使擦写电压变化过大，实现精确控制擦写电压的目的。
为达上述及其它目的，本发明提供一种擦写电压产生电路，包括第一电荷泵、爬坡电路、NMOS管及检测电路，该擦写电压产生电路还包括第二电荷泵，该第二电荷泵连接于该第一电荷泵与爬坡电路之间，以将该第一电荷泵输出的高压提高nV，使该NMOS管于源极产生的擦写电压因负载电流过大而下降时充分导通。
进一步地，该第二电荷泵将该第一电荷泵输出的高压至少提高2V。
进一步地，该第一电荷泵与该第二电荷泵为高压电荷泵。
进一步地，该检测电路包括一比较器，其一输入端通过两个电阻分压取样连接至该第一电荷泵的输出端，另一输入端连接参考电压，输出端连接该第一电荷泵以控制该第一电荷泵工作。
与现有技术相比，本发明一种擦写电压产生电路通过在爬坡电路(Gramp)前增加一个第二电荷泵将第一电荷泵的输出高压再提高一些，这样当擦写电压因负载电流过大而下降时，由于爬坡电路输出的电压较高，从而NMOS管导通充分，使得输出的擦写电压更接近等于第一电荷泵输出的高压，擦写电压的变化能更快传递至第一电荷泵输出的高压，从而使产生第一电荷泵迅速响应擦写电压的变化而不至于使擦写电压变化过大，实现精确控制擦写电压的目的。
附图说明
图1为现有技术中一种擦写电压产生电路的电路示意图；
图2为本发明一种擦写电压产生电路之较佳实施例的电路示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
图2为本发明一种擦写电压产生电路之较佳实施例的电路示意图。根据图2，本发明一种擦写电压产生电路，包括第一电荷泵20、第二电荷泵21、爬坡电路22、NMOS管ml以及检测电路23。
其中第一电荷泵20在检测电路23的控制下产生高压hve，检测电路23包括一比较器24，其一输入端通过电阻R1/R2分压取样连接至第一电荷泵20的输出端，另一输入端连接参考电压Vref，输出端连接第一电荷泵20以控制第一电荷泵20工作；第二电荷泵21连接于第一电荷泵20与爬坡电路22之间，用于将第一电荷泵20输出的高压hve再提高nV，例如n大于等于2，这样经过爬坡电路22后，爬坡电路22输出的电压Vgramp＝hve+2V，爬坡电路22的输出端接于NMOS管ml的栅极，用于控制NMOS管ml的栅极电压Vgramp缓慢上升，NMOS管漏极接第一电荷泵20的输出端，源极产生擦写电压Vep连接负载及负载电容Cloading，这样当擦写电压Vep因负载电流Iloading过大而下降时，由于Vgramp电压较高，从而NMOS管ml导通充分，使得输出的擦写电压Vep更接近等于Hve，擦写电压Vep的变化能更快传递至Hve，从而使产生Hve的第一电荷泵20迅速响应Vep的变化而不至于使擦写电压Vep变化过大，需说明的是，在本发明较佳实施例中，第一电荷泵20及第二电荷泵21均为高压电荷泵。
可见，本发明一种擦写电压产生电路通过在爬坡电路(Gramp)前增加一个第二电荷泵将第一电荷泵的输出高压再提高一些，这样当擦写电压因负载电流过大而下降时，由于爬坡电路输出的电压较高，从而NMOS管导通充分，使得输出的擦写电压更接近等于第一电荷泵输出的高压，擦写电压的变化能更快传递至第一电荷泵输出的高压，从而使产生第一电荷泵迅速响应擦写电压的变化而不至于使擦写电压变化过大，实现精确控制擦写电压的目的。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
Claims (4)
1.一种擦写电压产生电路，包括第一电荷泵、爬坡电路、NMOS管及检测电路，其特征在于：该擦写电压产生电路还包括第二电荷泵，该第二电荷泵连接于该第一电荷泵与爬坡电路之间，以将该第一电荷泵输出的高压提高nV，使该NMOS管于源极产生的擦写电压因负载电流过大而下降时充分导通。
2.如权利要求1所述的一种擦写电压产生电路，其特征在于：该第二电荷泵将该第一电荷泵输出的高压至少提高2V。
3.如权利要求2所述的一种擦写电压产生电路，其特征在于：该第一电荷泵与该第二电荷泵为高压电荷泵。
4.如权利要求2所述的一种擦写电压产生电路，其特征在于：该检测电路包括一比较器，其一输入端通过两个电阻分压取样连接至该第一电荷泵的输出端，另一输入端连接参考电压，输出端连接该第一电荷泵以控制该第一电荷泵工作。
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Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: HONGLI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE CO LTD, SHANGHAI TO: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION |
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Application publication date: 20130828 |
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