CN103236635B - 一种气体激光器可控硅电源 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种气体激光器可控硅电源功率,包括双路调压电源串联,采用两个同结构容量三绕组变压器,从而有效提高了气体激光器可控硅电源功率因数,高压整流器组组成双路十二相整流电路串联,有效降低了整流后直流纹波,使气体放电更平稳。
Description
技术领域
本发明涉及激光电源技术领域,具体涉及一种高功率横流CO2激光器的高压发生器,是专门用于高功率横流CO2激光器中作为气体放电高压激励源。
背景技术
CO2激光器是用途最广泛的气体激光器之一。高功率CO2激光器加工技术应用范围持续拓展,而其在先进制造加工领域的地位越来越重要,而在高功率CO2激光器设备中,电源技术对激光器的可控性、长期运行的稳定性、可靠性起到至关重要的作用,而常见高功率横流CO2激光器的高压发生器如图1所示,由交流接触器1,可控硅交流调压装置2,升压变压器3,三相桥式整流器4产生直流高压,经LC组件5滤波后,负极经电阻箱6限流后接到放电盒7阴极,正极直接接到放电盒7阳极。其缺点是,随高压发生器功率越高,无功功率越大,谐波分量越多,功率因数低,对电网干扰越大,同时整流后高压直流纹波也越大。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的是提供一种气体激光器可控硅电源,该电源的功率因数高,谐波分量较小,并可以有效降低纹波。
为实现上述发明的目的,本发明的高功率横流CO2激光器的高压发生器采用双路同容量调压电源串联,而升压变压器采用三绕组结构组成十二相整流。双路交流接触器8、11,分别连接在两个可控硅交流调压装置上9、12,两个可控硅交流调压装置均分别连接在两个三绕组升压变压器上10、13,随即通过同一高压整流器14,经过LC组件,LC组件负极经电阻箱16接到放电盒17的阴极,正极直接接到放电盒17的阳极。
使用中,一路电路由交流接触器8,可控硅交流调压装置9调压,三绕组升压变压器10升压,到高压整流器14;另一路由交流接触器11,可控硅交流调压装置12调压,三绕组升压变压器13升压,到高压整流器组14。两路经高压整流器组14整流串联产生直流高压,经LC组件15滤波后产生正负高压,负极经电阻箱16限流后接到放电盒17阴极,正极直接接到放电盒17阳极,激励气体放电。根据实际负载情况也可使一路可控硅交流调压处于最大状态,既直通。
本发明设计的气体激光器可控硅电源克服了现有高功率横流CO2激光器的高压发生器存在随高压发生器功率越高,无功功率越大,谐波分量越多,功率因数低,对电网干扰越大等缺点,具有以下几个优点。
1.在同等电源容量下采用双路调压电源串联,从而减小了一半可控硅容量,相应提高了功率因数。
2.采用十二相整流电路,从而减少了直流纹波,使气体放电更平稳,减少对电网的干扰。
附图说明
图1为现有高功率横流CO2激光器高压发生器方框图;
图2为本发明电路方框图方框图。
具体实施方式
如图2所示,双路调压电源串联,一路由交流接触器8,连接可控硅交流调压装置9,可控硅交流调压装置9连接在三绕组升压变压器10上,另一路由交流接触器11连接在可控硅交流调压装置12上,可控硅交流调压装置12连接在三绕组升压变压器13上,两三绕组升压变压器10、13连接到高压整流器组14。高压整流器组14经LC组件15,LC组件15负极经电阻箱16接到放电盒17阴极,正极直接接到放电盒17阳极。
使用中,一路电路由交流接触器8,可控硅交流调压装置9调压,三绕组升压变压器10升压,到高压整流器14;另一路由交流接触器11,可控硅交流调压装置12调压,三绕组升压变压器13升压,到高压整流器组14。两路经高压整流器组14整流串联产生直流高压,经LC组件15滤波后产生正负高压,负极经电阻箱16限流后接到放电盒17阴极,正极直接接到放电盒17阳极,激励气体放电。根据实际负载情况也可使一路可控硅交流调压处于最大状态,既直通。
Claims (1)
1.一种气体激光器可控硅电源,其特征在于,采用双路同容量调压电源串联,而升压变压器采用三绕组结构组成十二相整流,两个双路交流接触器分别连接在两个可控硅交流调压装置上,两个可控硅交流调压装置均分别连接在两个三绕组升压变压器上,两个三绕组升压变压器连接到高压整流器组上,高压整流器组经过LC组件、LC组件负极经电阻箱接到放电盒的阴极,高压整流器组、LC组件的正极直接接到放电盒的阳极。
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