CN103236481A - 图形衬底、led芯片及led芯片制备方法 - Google Patents
图形衬底、led芯片及led芯片制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103236481A CN103236481A CN2013100849998A CN201310084999A CN103236481A CN 103236481 A CN103236481 A CN 103236481A CN 2013100849998 A CN2013100849998 A CN 2013100849998A CN 201310084999 A CN201310084999 A CN 201310084999A CN 103236481 A CN103236481 A CN 103236481A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- graph substrate
- graphics field
- cutting
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明图形衬底、LED芯片及LED芯片制备方法,图形衬底上设有至少一个图形区域、非图形区域和切割区域,每一个图形区域内设有多个图形单元,每一个所述图形区域的形状与需要切割的LED芯片的形状相匹配,切割区域设置于所述非图形区域。图形区域的形状按照需要切割的形状设置为相匹配的形状,而其他部分则为非图形区域,切割区域设置于非图形区域,切割后得到的LED芯片衬底边缘平整。在每一个图形区域内可增加单个图形的个数,增强LED芯片的出光效率。并且在切割单颗LED芯片时,切割区域没有设置图形,切割厚度一致,避免因过度切割而造成PN结污染。LED芯片制备方法采用图形衬底做为介质对LED芯片结构进行图形化。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其是指一种图形衬底、LED芯片及LED芯片制备方法。
背景技术
发光二极管(LED)必将逐步取代白炽灯、荧光灯而成为新一代照明光源,这已是业界的普遍共识。在LED照明产业界,如何继续提高光效始终是相关研发的重要课题之一。图形化衬底技术可以有效地减少LED外延材料的位错和缺陷,在氮化物器件制备中得到了广泛的应用;而且,有源层发出的光经图形化衬底界面多次散射,改变了原全反射光的入射角,增加了LED光出射的几率,从而提高光的提取效率。
但是,现有技术的衬底图形普遍为均匀分布的图形。如图1所示,图形衬底11、图形12、图形衬底上制成的LED芯片13,当切割道14经过图形12时容易造成切割后得到的LED芯片13衬底边缘不平整。此外,如图2所示,111为图形衬底的上表面,112为图形衬底的下表面,①和②为切割方向,15为承载LED芯片的载体,在切割时,由于衬底图形使得切割厚度不一,容易造成过度切割(如光线②切入载体15)而产生的PN结污染。
发明内容
本发明之一发明目的是提供了一种图形衬底,该图形衬底被切割后边缘平整,解决了因过度切割而产生的PN结污染问题。
本发明的目的是这样实现的:
一种图形衬底,所述图形衬底上设有至少一个图形区域、非图形区域和切割区域,每一个所述图形区域内设有多个图形单元,每一个所述图形区域的形状与需要制备的LED芯片的形状相匹配,切割区域包含于所述非图形区域内。
优选的是,每一个所述图形区域分布面积不大于所述LED芯片的面积。
优选的是,所述非图形区域的宽度不小于所述切割区域的宽度。
优选的是,所述图形衬底上设有多个图形区域,所述非图形区域设于相邻两个所述图形区域之间。
优选的是,所述图形区域的形状为与所述LED芯片形状相匹配的方形、矩形或圆形。
优选的是,所述图形衬底的材质为蓝宝石、氮化镓、碳化硅、或者硅。
本发明还提供一种LED芯片,其包括有如以上任意一项所述的图形衬底。
本发明还提供一种应用如以上任意一项所述的图形衬底做为介质对LED芯片结构进行图形化。
优选的是,所述方法制备的图形化LED芯片,不包括所述图形衬底。
本发明图形衬底、LED芯片及LED芯片制备方法与现有技术相比,具有如下有益效果:
图形区域的形状按照需要切割的形状设置为相匹配的形状,而其他区域则为非图形区域,切割区域包含于非图形区域内,这样,切割后得到的LED芯片衬底边缘平整。
在每一个图形区域内可增加单个图形的个数,增强LED芯片的出光效率。
并且在切割单颗LED芯片时,切割区域没有设置图形单元,切割厚度一致,避免因过度切割而造成PN结污染。
附图说明
图1为现有技术图形衬底的结构示意图;
图2为应该现有技术图形衬底制备LED芯片的切割示意图;
图3为本发明优选实施例图形衬底的结构示意图;
图4为应用本发明图形衬底制备LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
如图3所示,本发明图形衬底100,所述图形衬底100上设有至少一个图形区域110、非图形区域120和切割区域130。每一个所述图形区域110内均匀设置有多个图形单元112,每一个所述图形区域110的形状与需要制备并切割的LED芯片的形状相匹配,且切割区域130包围所述图形区域110、并设置于所述非图形区域120内。优选所述切割区域130即为环绕所述图形区域110一周的区域。
图形衬底100上制备的LED芯片设置于所述切割区域130所围成的区域内,每一个所述图形区域110分布面积不大于所述LED芯片140的面积,所述非图形区域120的宽度h不小于所述切割区域130的宽度。当所述非图形区域120的宽度h不等时,其宽度最小处的宽度不小于所述切割区域130的宽度,确保切割时不会切到图形单元112。相比于现有技术,切割后得到的LED芯片衬底边缘平整,而且切割厚度一致,避免因过度切割而造成LED芯片的PN结污染。
在本优选实施例中,如图3所示,示意出了四个完整的图形区域110,所述非图形区域120设于相邻两个所述图形区域110之间,即通过所述非图形区域120将多个所述图形区域110分隔开来,因此,所述非图形区域120的宽度h即为相邻两个图形区域110的间隔宽度。每一个图形区域110中设置纵横4列图形单元112,每一列设置有4个图形单元112。相比于现有技术,每一个图形区域内110可设置更多的图形单元112,可以增加其出光率。
所述图形区域110的形状为与所述LED芯片形状相匹配的方形、矩形或圆形;本实施例优选所述图形区域110的形状为方形。所述图形衬底100的材质为蓝宝石、氮化镓、碳化硅、或者硅。
如图4所示,一种图形化的垂直结构LED芯片140,包括构成LED芯片的第二衬底141、在第二衬底141上依次层叠的P型氮化镓层144、多量子阱发光层143和N型氮化镓层142。其中,N型氮化镓层142具有上述图形衬底100的图形结构,包括至少一个图形区域110、非图形区域120和切割区域130。具体通过如下方法制备:首先在图形衬底100上进行MOCVD外延生长,依次形成N型半导体层142、多量子阱发光层143、P型半导体层144,再以高热导率Si、SiC、金属或合金等材料作为第二衬底141,将LED外延层粘接在其上并制成芯片,P型半导体层144与第二衬底141接触,然后利用现有技术去除所述图形衬底100,图形衬底100的图形结构被复制在N型半导体层142上。该图形化的垂直结构LED芯片切割区域没有设置图形单元,切割后得到的LED芯片衬底边缘平整,切割厚度一致,避免因过度切割而造成PN结污染。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种图形衬底,其特征在于,所述图形衬底上设有至少一个图形区域、非图形区域和切割区域,每一个所述图形区域内设有多个图形单元,每一个所述图形区域的形状与需要制备的LED芯片的形状相匹配,切割区域包含于所述非图形区域内。
2.根据权利要求1图形衬底,其特征在于,每一个所述图形区域分布面积不大于所述LED芯片的面积。
3.根据权利要求1或2所述的图形衬底,其特征在于,所述非图形区域的宽度不小于所述切割区域的宽度。
4.根据权利要求1所述的图形衬底,其特征在于,所述图形衬底上设有多个图形区域,所述非图形区域设于相邻两个所述图形区域之间。
5.根据权利要求1所述的图形衬底,其特征在于,所述图形区域的形状为与所述LED芯片形状相匹配的方形、矩形或圆形。
6.根据权利要求1所述的图形衬底,其特征在于,所述图形衬底的材质为蓝宝石、氮化镓、碳化硅、或者硅。
7.一种LED芯片,其特征在于,其包括有如权利要求1至6任意一项所述的图形衬底。
8.一种LED芯片制备方法,其特征在于,应用如权利要求1至6任意一项所述的图形衬底做为介质对LED芯片结构进行图形化。
9.根据权利要求8所述的LED芯片制备方法,其特征在于,所述方法制备的图形化LED芯片,不包括所述图形衬底。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013100849998A CN103236481A (zh) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 图形衬底、led芯片及led芯片制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013100849998A CN103236481A (zh) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 图形衬底、led芯片及led芯片制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103236481A true CN103236481A (zh) | 2013-08-07 |
Family
ID=48884510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2013100849998A Pending CN103236481A (zh) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 图形衬底、led芯片及led芯片制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103236481A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107068828A (zh) * | 2017-05-02 | 2017-08-18 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120091464A1 (en) * | 2011-09-06 | 2012-04-19 | Long Yang | GaN LEDs with Improved Area and Method for Making the Same |
CN102544246A (zh) * | 2010-12-20 | 2012-07-04 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒的制作方法 |
CN102593286A (zh) * | 2012-03-14 | 2012-07-18 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种大功率led的制备方法 |
CN203225274U (zh) * | 2013-03-18 | 2013-10-02 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 图形衬底及led芯片 |
-
2013
- 2013-03-18 CN CN2013100849998A patent/CN103236481A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102544246A (zh) * | 2010-12-20 | 2012-07-04 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒的制作方法 |
US20120091464A1 (en) * | 2011-09-06 | 2012-04-19 | Long Yang | GaN LEDs with Improved Area and Method for Making the Same |
CN102593286A (zh) * | 2012-03-14 | 2012-07-18 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种大功率led的制备方法 |
CN203225274U (zh) * | 2013-03-18 | 2013-10-02 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 图形衬底及led芯片 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107068828A (zh) * | 2017-05-02 | 2017-08-18 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11742458B2 (en) | Textured optoelectronic devices and associated methods of manufacture | |
CN102157669B (zh) | 包含纹路化基板的装置及形成半导体装置的方法 | |
CN106374020B (zh) | 一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片 | |
CN103700735B (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
CN102751400A (zh) | 一种含金属背镀的半导体原件的切割方法 | |
CN101789476A (zh) | 一种发光二极管芯片的制造方法 | |
CN103515489A (zh) | 一种发光二极管的制造方法 | |
CN103515503A (zh) | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 | |
CN105428486A (zh) | 一种具有三维p-n结的半导体发光二极管芯片及其制备方法 | |
CN103700734A (zh) | 一种发光二极管的制造方法 | |
CN101908594A (zh) | 一种反极性AlGaInP红光LED芯片电流扩展的制作方法 | |
CN103035787A (zh) | 一种高亮度led芯片及其制造方法 | |
CN104465919B (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
CN103050596A (zh) | 一种具有图形衬底的发光二极管 | |
CN203225274U (zh) | 图形衬底及led芯片 | |
CN103236481A (zh) | 图形衬底、led芯片及led芯片制备方法 | |
CN104347770A (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
CN104681672B (zh) | 一种发光二极管的制造方法 | |
CN103700741A (zh) | 一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法 | |
CN103378250B (zh) | 一种发光二极管的制造方法 | |
CN204760414U (zh) | 一种图形化蓝宝石衬底 | |
CN104347765A (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
CN103367559A (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
CN103378219B (zh) | 一种发光二极管的制造方法 | |
CN203983320U (zh) | 一种带蓝宝石衬底的垂直led芯片结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130807 |