CN103236388A - 一种行波管阴极加钼套结构及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种行波管阴极加钼套结构,它包括阴极和钼套,所述钼套包裹在阴极发射面的边缘,钼套端面与阴极发射面处于同一平面,所述阴极发射面与钼套外圆柱面相垂直。该行波管阴极结构的制作方法是:将阴极去铜处理后放入钼套内;然后将阴极和钼套焊接固定在一起;对焊接后的阴极和钼套进行浸盐;对浸盐后的阴极和钼套的二次加工位置进行整体加工,加工出阴极发射面;并保证加工后的钼套端面与阴极发射面处于同一平面,阴极发射面与钼套外圆柱面相垂直。采用该阴极结构,由于阴极的发射面边缘有钼套紧密包裹,边缘接近理想状态,不会出现小倒角、小缺口等瑕疵,能够消除或抑制阴极边缘发射,提高了阴极质量。
Description
技术领域
本发明涉及微波电真空器件行波管,具体地讲是一种行波管阴极加钼套结构及制作方法。
背景技术
行波管具有频带宽﹑增益高﹑动态范围大和噪声低的特点,已成为雷达﹑电子对抗﹑中继通信﹑卫星通信﹑电视直播卫星﹑导航﹑遥感﹑遥控﹑遥测等电子设备的重要微波电子器件。现代行波管通常都采用皮尔斯电子枪,用来使来自阴极的电子成形为适于与微波电路产生互作用的电子注。阴极发射面在实际加工过程中边缘与理论模型有差异,不是理想状态,存在边缘发射问题,在常用波段中,阴极边缘发射的影响不明显。随着行波管工作频率的提高,由于微波器件尺寸与工作波长的“共度性”,慢波电路的尺寸会越来越小,电子通道也越来越小。当工作频率到了太赫兹时,阴极边缘发射带来的影响就不能忽视了,消除或抑制阴极边缘发射对发展太赫兹行波管有重要意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,针对原有的阴极结构,对其阴极发射面边缘进行处理,提供一种阴极加钼套结构及制作方法,以达到消除或抑制阴极边缘发射的目的,提高太赫兹行波管的流通率。
实现本发明的技术方案是:一种行波管阴极加钼套结构,其特征是:它包括阴极和钼套,所述钼套包裹在阴极发射面的边缘,所述钼套端面与阴极发射面处于同一平面,所述阴极发射面与钼套外圆柱面相垂直。
所述阴极外圆与钼套内、外圆同轴。
所述阴极的外圆公差带为0~+0.005mm,所述钼套的内、外圆公差带为0~+0.005mm。
所述阴极发射面与钼套外圆柱面的垂直度公差0~0.005mm。
所述阴极通过钎焊焊接与钼套固定在一起。
上述的阴极加钼套结构的制作方法,该方法包括如下步骤:
(1)将阴极头去铜处理后放入钼套内;
(2)将阴极头和钼套进行焊接固定在一起;
(3)将焊接后的阴极头和钼套进行浸盐;
(4)对浸盐后的阴极头和钼套的二次加工位置进行加工,加工出阴极发射面,二次加工后的阴极发射面与钼套端面处于同一平面,与钼套外圆柱面相垂直。
上述步骤(4)中二次加工后的阴极外圆与钼套内圆、外圆同轴。
上述步骤(2)中在阴极头和钼套的相连接下缘位置放置钼钌焊料进行钎焊焊接。
本发明的有益效果是:所述阴极结构可消除由于装配等原因对阴极发射面与钼套外圆柱面的垂直度的影响,保证后期电子光学系统的装配中阴极发射面与电子通道同心;阴极发射面不会产生小倒角、小缺口等瑕疵,也不会因为后期的零、部件装配对阴极发射面产生不良影响,保证了装配过程中阴极与电子通道同心,并能够消除或抑制阴极边缘发射,提高阴极质量。经过测试,流通率≥80%。其测试数据如下表:
附图说明
图1为二次加工前的阴极加钼套结构示意图;
图2为二次加工后的阴极加钼套结构示意图;
图3为图2的俯视图。
图中标号:1、阴极;2、焊料;3、钼套;4、钼套外圆柱面; 5、阴极外圆;6、阴极发射面;7、钼套内圆;8、二次加工位置。
具体实施方式
如图1、图2、图3所示,以140GHz行波管流通管为例,所述行波管阴极加钼套结构包括阴极1和钼套3,所述钼套3包裹在阴极1的发射面6的边缘,所述钼套3端面与阴极发射面6处于同一平面,所述阴极1的发射面6与钼套外圆柱面4相垂直,其垂直度公差0~0.005mm。所述阴极外圆5与钼套内圆7同轴。所述阴极1通过钎焊焊接与钼套3固定连接;在该管中所用的阴极外圆5尺寸为0.8mm,公差带为0~+0.005mm,钼套内圆7尺寸为0.8mm,公差带为0~+0.005mm。采用了所述的阴极结构后,经过测试,流通率≥80%。
上述的行波管阴极结构的制作方法包括如下步骤:
(1)将阴极1去铜处理后放入钼套3内;
(2)将阴极1和钼套3的相连接下缘位置放置钼钌焊料进行钎焊焊接固定在一起;
(3)将焊接后的阴极1和钼套3进行浸盐;
(4)对浸盐后的阴极1和钼套3的二次加工位置8进行加工,加工出阴极发射面6,加工后的钼套3端面与阴极发射面6处于同一平面,阴极发射面6与钼套外圆柱面4相垂直,阴极外圆5与钼套内圆7、外圆4同轴。
Claims (8)
1.一种行波管阴极加钼套结构,其特征是:它包括阴极和钼套,所述钼套包裹在阴极发射面的边缘,所述钼套端面与阴极发射面处于同一平面,所述阴极发射面与钼套外圆柱面相垂直。
2.如权利要求1所述的阴极加钼套结构,其特征是:所述阴极外圆与钼套内、外圆同轴。
3.如权利要求1所述的阴极加钼套结构,其特征是:所述阴极的外圆公差带为0~+0.005mm,所述钼套的内、外圆公差带为0~+0.005mm。
4.如权利要求1所述的阴极加钼套结构,其特征是:所述阴极发射面与钼套外圆柱面的垂直度公差0~0.005mm。
5.如权利要求1~4任一权利要求所述的阴极加钼套结构,其特征是:所述阴极通过钎焊焊接与钼套固定在一起。
6.一种权利要求1所述的阴极加钼套结构的制作方法,其特征是:该方法包括如下步骤:
(1)将阴极头去铜处理后放入钼套内;
(2)将阴极头和钼套进行焊接固定在一起;
(3)将焊接后的阴极头和钼套进行浸盐;
(4)对浸盐后的阴极头和钼套的二次加工位置进行加工,加工出阴极发射面,二次加工后的阴极发射面与钼套端面处于同一平面,与钼套外圆柱面相垂直。
7.如权利要求6所述的阴极结构的制作方法,其特征是:步骤(4)中二次加工后的阴极外圆与钼套内圆、外圆同轴。
8.如权利要求6所述的阴极结构的制作方法,其特征是:步骤(2)中在阴极头和钼套的相连接下缘位置放置钼钌焊料进行钎焊焊接。
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Application publication date: 20130807 |