CN103208409B - 一种载片台 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种载片台，属于等离子体工艺技术领域。该载片台包括腔室、腔室上盖、电极、芯片固定盘、固定盘支撑环和支撑盘。该载片台的芯片固定结构包括芯片固定盘和固定盘支撑环，能够减小或避免等离子体启辉时由于结构不对称而引起的不均匀现象，简化匀气结构，在等离子体启辉条件下，本发明提供的载片台没有出现放气现象，因此，可以保持芯片对腔室真空度的要求。

Description

一种载片台
技术领域
本发明涉及等离子体工艺技术领域，特别涉及一种用于支撑芯片的载片台。
背景技术
在等离子体刻蚀工艺中所使用的载片台是一种芯片固定结构，选择合理的芯片固定结构，对等离子体刻蚀工艺的可靠性和稳定性有重要的作用。在选择芯片固定结构时，应当考虑芯片的尺寸，刻蚀工艺的气体流量分布，芯片固定结构材料对于刻蚀工艺过程的物理和化学影响，以及刻蚀工艺过程产生的热效应等因素。对于具有射频或者直流偏压的工艺结构，在选择芯片固定结构时，还应考虑电极对载片台的电磁场分布作用的影响。
现有技术中，载片台通常采用的是铝合金阳极氧化，具有He气体冷却加水冷结构。这种载片台结构复杂，不易安装维护。并且，当冷却水的温度较低时，容易在载片台外部或下电极周围凝结水珠或者反应聚合物，导致降低刻蚀速率，从而影响刻蚀工艺的均匀性和稳定性。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出了一种能够提高等离子工艺技术的均匀性和稳定性，优化等离子体芯片固定结构，减少等离子体电磁场特定不均匀问题的载片台。
本发明提供的载片台包括腔室、腔室上盖、电极，
所述腔室底部开设有出气口，
所述腔室上盖装设于所述腔室上，所述腔室上盖上开设有进气口，所述腔室上盖于所述进气口下部附着有电极，
其特征在于，
还包括芯片固定盘、固定盘支撑环和支撑盘，
所述支撑盘呈环状，所述支撑盘中心开设有第Ⅰ通孔，所述支撑盘装设于所述腔室的内侧壁上，
所述固定盘支撑环装设于所述支撑盘上，所述固定盘支撑环包埋住所述第Ⅰ通孔，
所述芯片固定盘装设于所述固定盘支撑环上，所述芯片固定盘上均匀地开设有第Ⅱ种通孔。
作为优选，还包括调整环、所述调整环装设于所述固定盘支撑环和所述芯片固定盘之间，使得所述芯片固定盘相对于所述固定盘支撑环的安装高度能够调整。
作为优选，所述芯片固定盘中心设有圆形凹槽，使得芯片能够被置于所述凹槽中。
作为优选，所述固定盘支撑环上均匀地开设有第Ⅲ种通孔。
作为优选，所述第Ⅲ种通孔的直径由上至下依次增大。
作为优选，
所述芯片固定盘直径为10～1000mm，厚度为1～100mm，
所述固定盘支撑环的直径能够与所述芯片固定盘的直径相配合，所述固定盘支撑环的高度10mm～1000mm。
所述调整环的直径能够与所述芯片固定盘和所述固定盘支撑环的直径相配合，所述调整环壁厚为1～100mm，高度为10mm～1000mm。
作为优选，制成所述芯片固定盘和/或固定盘支撑环和/或调整环的材料选自聚四氟、聚碳酸酯、石英、陶瓷、铝合金、SiC、不锈钢中的一种。
作为优选，所述固定盘支撑环上涂覆有导热材料。
本发明提供的载片台的有益效果在于：
本发明提供的载片台的芯片固定结构包括芯片固定盘和固定盘支撑环，能够减小或避免等离子体启辉时由于结构不对称而引起的工艺不均匀现象，简化匀气结构，在等离子体启辉条件下，本发明提供的载片台没有出现放气现象，因此，可以保持芯片对腔室真空度的要求。
附图说明
图1为本发明实施例提供的载片台的整体结构剖视示意图；
图2为本发明实施例提供的载片台的芯片固定结构的立体结构示意图；
图3为本发明实施例提供的载片台的芯片固定盘的立体结构示意图；
图4为本发明实施例提供的载片台在使用过程中气体流量控制示意图。
具体实施方式
为了深入了解本发明，下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明。
参见附图1，本发明提供的载片台包括腔室6、腔室上盖5、电极4、芯片固定盘1、固定盘支撑环3和支撑盘7，腔室6底部开设有出气口9。腔室上盖5装设于腔室6上，腔室上盖5上开设有进气口8，腔室上盖5于进气口8下部附着有电极4。支撑盘7呈环状，支撑盘7中心开设有第Ⅰ通孔10，支撑盘7装设于腔室6的内侧壁上。固定盘支撑环3装设于支撑盘7上，固定盘支撑环3包埋住第Ⅰ通孔10。芯片固定盘1覆盖于固定盘支撑环3上，参见附图2，芯片固定盘1上均匀地开设有第Ⅱ种通孔11，在气体导流时，在刻蚀过程中，由于气体流动产生向下的牵引力，第Ⅱ种通孔11能够将刻蚀过程产生的大部分的热量带走，从而加快冷却速度。
其中，参见附图1，本发明提供的载片台还可以包括调整环2、调整环2装设于固定盘支撑环3和芯片固定盘1之间，使得芯片固定盘1相对于固定盘支撑环3的安装高度能够调整，进而使得电极4与芯片固定盘1之间的距离能够调整。
其中，参见附图1和附图3，芯片固定盘1中心可以设有圆形凹槽12，使得芯片能够被置于凹槽12中，从而被吸附固定。
其中，固定盘支撑环3上可以均匀地开设有第Ⅲ种通孔13，具有匀气和导流的作用，使得芯片在刻蚀过程中气体的流速均匀一致。
其中，第Ⅲ种通孔13的直径由上至下可以依次增大，从而当气体流速增加时，保证气流在各个方向的均匀性。
其中，芯片固定盘1直径为10～1000mm，厚度为1～100mm，固定盘支撑环3的直径能够与芯片固定盘1的直径相配合，固定盘支撑环3的高度10mm～1000mm。调整环2的直径能够与芯片固定盘1和固定盘支撑环3的直径相配合，调整环2壁厚为1～100mm，高度为10mm～1000mm，从而，减小本发明提供的载片台中心气流的滞留。
其中，制成芯片固定盘1和/或固定盘支撑环2和/或调整环2的材料可以选自聚四氟、聚碳酸酯、石英、陶瓷、铝合金、SiC、不锈钢中的一种，例如刻蚀条件下选择石英盘或阳极氧化的铝合金6061，由于这些材料导热系数较大，因此，可以加快冷却速度。或者，在固定盘支撑环3上涂覆导热材料，也可以起到加快冷却速度的作用。
应用本发明提供的载片台时，将芯片置于凹槽12中，使芯片被吸附固定，参见附图4，在刻蚀过程中，首先从进气口8通入反应气体，流量为Q1，持续时长为T1，T1为0.01～100s，之后再从进气口8增加通入冷却惰性He气体，使得气体He和反应气体的总流量为Q2，持续时间为T2，T1为0.01～100s，本发明提供的载片台的工作周期即为T＝T1+T2。
本发明提供的载片台的芯片固定结构包括芯片固定盘1和固定盘支撑环3，能够减小或避免等离子体启辉时由于结构不对称而引起的不均匀现象，简化匀气结构，在等离子体启辉条件下，本发明提供的载片台没有出现放气现象，因此，可以保持芯片对腔室真空度的要求。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种载片台，包括腔室、腔室上盖、电极，
所述腔室底部开设有出气口，
所述腔室上盖装设于所述腔室上，所述腔室上盖上开设有进气口，所述腔室上盖于所述进气口下部附着有电极，
还包括芯片固定盘、固定盘支撑环和支撑盘，
所述支撑盘呈环状，所述支撑盘中心开设有第Ⅰ通孔，所述支撑盘装设于所述腔室的内侧壁上，
所述固定盘支撑环装设于所述支撑盘上，所述固定盘支撑环包埋住所述第Ⅰ通孔，
所述芯片固定盘装设于所述固定盘支撑环上，所述芯片固定盘上均匀地开设有第Ⅱ种通孔；
其特征在于，
所述固定盘支撑环上均匀地开设有第Ⅲ种通孔。
2.根据权利要求1所述的载片台，其特征在于，还包括调整环、所述调整环装设于所述固定盘支撑环和所述芯片固定盘之间，使得所述芯片固定盘相对于所述固定盘支撑环的安装高度能够调整。
3.根据权利要求2所述的载片台，其特征在于，所述芯片固定盘中心设有圆形凹槽，使得芯片能够被置于所述凹槽中。
4.根据权利要求1所述的载片台，其特征在于，所述第Ⅲ种通孔的直径由上至下依次增大。
5.根据权利要求2所述的载片台，其特征在于，
所述芯片固定盘直径为10～1000mm，厚度为1～100mm，
所述固定盘支撑环的直径能够与所述芯片固定盘的直径相配合，所述固定盘支撑环的高度10mm～1000mm，
所述调整环的直径能够与所述芯片固定盘和所述固定盘支撑环的直径相配合，所述调整环壁厚为1～100mm，高度为10mm～1000mm。
6.根据权利要求2、3、5中任一所述的载片台，其特征在于，制成所述芯片固定盘和/或固定盘支撑环和/或调整环的材料选自聚四氟、聚碳酸酯、石英、陶瓷、铝合金、SiC、不锈钢中的一种。
7.根据权利要求1～5中任一所述的载片台，其特征在于，所述固定盘支撑环上涂覆有导热材料。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1868031A (zh) * 2003-08-18 2006-11-22 东京毅力科创株式会社 基板保持构件以及基板处理装置
CN201549485U (zh) * 2009-10-23 2010-08-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种用于集成电路加工设备的晶片载台和反应腔室

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110065276A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1868031A (zh) * 2003-08-18 2006-11-22 东京毅力科创株式会社 基板保持构件以及基板处理装置
CN201549485U (zh) * 2009-10-23 2010-08-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种用于集成电路加工设备的晶片载台和反应腔室

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