CN103194722B - 制造太阳能电池的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于制造太阳能电池的溅射靶材装置。所述靶材装置包括选自由铜、铟以及钼组成的金属或者合金，并且进一步包括混合于所述金属的基质中的锑或含锑化合物。所述靶材装置包含0.1重量%到20重量%的锑和至少80重量%的所述金属。所述靶材装置被安装于沉积系统中，用于形成掺杂锑的后电极或形成在多个前驱物层的堆叠中掺杂锑的至少一个前驱物层，以便形成半导体光伏吸收体材料。

Description

制造太阳能电池的方法
技术领域
本发明涉及制造用于光伏应用中的半导体的靶材料。仅举例来说，本发明应用于制造用于制造太阳能电池的薄膜光伏材料的溅射靶材，但应认识到，本发明具有更广泛的应用范围。
背景技术
利用光伏效应的太阳能电池将日光直接转化成电力。其由半导体材料制成，所述半导体材料被特别功能化，从而通常经由形成p-n结以便驱动由光子激发的电子来构建耗尽区的内部电场。基本上，当日光照在太阳能电池上时，日光的特定部分被吸收于半导体材料内。所吸收的光的能量被转移到半导体材料的原子中的电子上，这激发了电子并且使其与原子的结合松弛一些，从而使其自由流动。经由每一太阳能电池中跨p-n结的内建电场，形成电压以迫使通过光吸收释放的那些电子在某一方向上流动。这一电子流动是电流，其可以通过在太阳能电池的顶部和底部上放置金属触点来收集。此电流以及与内建电场相关的太阳能电池电压定义了太阳能电池可以产生的功率。
薄膜太阳能电池技术之一是由铜铟镓二硒化物(硫化物)CIGS(S)化合物半导体形成光伏吸收体，所述半导体包括至少铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硒(Se)和/或硫(S)材料。其称为CIGS技术。采用CIGS(S)光伏吸收体的现有技术CIGS技术已引起薄膜太阳能电池结构具有接近20％的转化效率。在一个实例中，用p型Cu(InGa)Se2吸收体和n型CdS收集体的结在配置有由钼材料制成的金属后触点的衬底上构筑CIGS薄膜太阳能电池。在钼材料上形成Cu(InGa)Se2薄膜吸收体并且在CIGS吸收体上形成n型CdS或ZnS材料之后，在Cu(InGa)Se2与CdS或ZnS层之间形成p-n结。然后，在CdS层上依序沉积透明导电层和前触点层以形成太阳能电池。
多种技术已用于制造Cu(InGa)Se2光伏吸收体。一种常规方法是使用蒸发工艺，其包括沉积所有元素物质。另一常规方法是两阶段工艺，其首先沉积包括Cu、In以及Ga元素物质或其合金的薄膜前驱物，接着进行硒化和/或硫化热退火工艺。然而，使用这些常规方法(包括溅射沉积)形成的Cu(InGa)Se2吸收体材料存在许多缺陷，其导致太阳能电池的产率低或转化效率低。从上文可看到，需要制造光伏吸收体材料和所得太阳能电池的改进技术。
发明内容
本发明涉及用于制造光伏吸收体的溅射薄膜的靶材料。仅举例来说，本发明应用于使用这些溅射靶材制造用于制造太阳能电池的薄膜光伏材料，但应认识到，本发明可以具有其它配置。
在一个特定实施例中，本发明提供一种用于制造太阳能电池的溅射靶材。溅射靶材包括选自由以下组成的群组的金属元素：铜、铟、镓以及钼金属。溅射靶材进一步包括混合于金属元素基质中的锑或含锑化合物。溅射靶材包含0.1重量％到20重量％的锑和至少80重量％的金属。
在另一特定实施例中，本发明提供一种溅射靶材装置，其包含至少一种选自以下项的金属元素：铜、铟、镓以及钼。溅射靶材装置进一步包括混合于至少金属元素基质中的硫化钠化合物和锑或含锑化合物，其中所述靶材装置具有0.1重量％到15重量％的锑含量，0.1重量％到5重量％的硫化钠含量以及至少80重量％的金属(选自铜、铟、镓以及钼)含量。
在一个替代实施例中，本发明提供一种形成太阳能电池的方法。所述方法包括提供衬底并且形成覆在衬底上的后电极层。后电极层是从溅射靶材生长的钼-锑合金，所述溅射靶材包含0.1重量％到15.0重量％的锑和至少85重量％的钼。或者，后电极层是从溅射靶材形成的钼-锑-硫化钠，所述溅射靶材包含0.5重量％到9.0重量％的锑、0.1重量％到5.0重量％的硫化钠以及至少86％的钼。另外，所述方法包括形成覆在后电极层上的多个前驱物层的堆叠。多个前驱物层的堆叠依序包括第一厚度的铜层、第二厚度的铟层、第三厚度的铜层、第四厚度的镓层以及第五厚度的硒层。所述方法进一步包括使多个前驱物层的堆叠在介于450℃与600℃之间的温度下进行热退火工艺约10分钟，从而形成具有锑作为掺杂物的吸收体材料。此外，所述方法包括形成覆在吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体。此外，所述方法包括形成覆在n型半导体上的氧化锌层，接着在氧化锌层上形成掺杂铝的氧化锌层，并且形成覆在掺杂铝的氧化锌层上的前电极。
在另一替代实施例中，本发明提供一种形成太阳能电池的方法。所述方法包括提供衬底并且形成钼层作为覆在衬底上的后电极。另外，所述方法包括形成依序覆在后电极上的包含铜、铟、镓以及硒的多个前驱物层的堆叠。多个前驱物层中的一者是通过由靶材装置溅射来形成的，所述靶材装置包含0.1重量％到20重量％的锑和至少80重量％的选自由铜、铟以及镓组成的金属材料的群组的金属元素。所述方法进一步包括使包括钼层和多个前驱物层的堆叠的衬底在介于450℃与600℃之间的温度下进行热退火工艺约10分钟，从而形成具有至少锑作为掺杂物的吸收体材料。此外，所述方法包括形成覆在吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体。此外，所述方法包括形成覆在n型半导体上的氧化锌层，接着在氧化锌层上形成掺杂铝的氧化锌层，并且形成覆在掺杂铝的氧化锌层上的前电极。
通过应用本发明的实施例可以实现很多益处。本发明提供用于制造用于光伏电池应用的薄膜半导体材料的新颖溅射靶材。本发明的实施例包括由选自以下项的成分制造溅射靶材：锑(Sb)或锑化合物和至少一种选自由铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硒(Se)以及钼(Mo)组成的群组的金属和/或硫化钠(NaS)。本发明还提供一种使用溅射靶材形成具有实质上减少的缺陷的薄膜光伏吸收体材料的方法，其引起CIGS(S)光伏吸收体的黄铜矿晶体结构的晶粒尺寸较大以及电池转化效率改进。使用这些溅射靶材简化了制造工艺，从而引起生产成本显著降低。这些和其它益处可以在本说明书通篇并且更尤其在下文描述。
附图说明
图1是说明根据本发明的一个实施例通过使用含Sb复合材料的溅射靶材制造太阳能电池的系统的简化示意图；
图1A是根据本发明的一个实施例的含Sb复合材料的矩形溅射靶材的俯视图的简化图；
图2是根据本发明的一个实施例用于制造CIGS太阳能电池的在衬底上形成的前驱物层的简化横截面图；
图3是根据本发明的一个实施例用于制造CIGS太阳能电池的由图2中所描绘的前驱物层形成的吸收体材料的简化横截面图；
图4是根据本发明的一个实施例的CIGS太阳能电池的简化横截面图；
图5是说明根据本发明的一个实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图；
图6是说明根据本发明的另一实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图；
图7是说明根据本发明的另一实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图；
图8是说明根据本发明的另一实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图；
图9是说明根据本发明的另一实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图；
图10是说明根据本发明的一个替代实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图；以及
图11是说明根据本发明的另一替代实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图。
具体实施方式
本发明涉及用于制造光伏吸收体的溅射薄膜的靶材料。仅举例来说，本发明应用于使用这些溅射靶材制造用于制造太阳能电池的薄膜光伏材料，但应认识到，本发明可以具有其它配置。
基于常规生成态铜铟二硒化物(CIS)的膜包含具有固有p型半导体特征的三元硫族化合物。由于其在可见到近红外光谱范围内的直接和可调能带隙、高光学吸收系数，故这些膜已成为提供超过10％功率转换效率的薄膜太阳能电池的光伏吸收体材料的主要候选物。添加其它元素作为额外成分(例如镓)或作为掺杂物(例如铝、钠或硫等)，来提高p型导电性或开路电压，并且又将基于铜铟镓硒化物(硫化物)CIGS的薄膜太阳能电池在实验室中的光电子转化效率改进到高达20％。除调整吸收体膜的化学组成之外，人们已将注意力转到最优化如膜厚度和晶粒尺寸的其它参数。在基于CIGS的光伏吸收体形成期间，锑掺杂到膜中展示为引起实质上缺陷减少和晶粒尺寸改进。在说明书通篇，提供本发明的实施例，其用于制造包含锑复合材料的溅射靶材和使用包含锑复合材料的溅射靶材来制造薄膜太阳能电池的基于CIGS的光伏吸收体材料。
本发明的特定实施例包括制造包含铜锑复合材料的溅射靶材。在一个实施例中，CuSb溅射靶材包含0.8重量％的锑(Sb)和99.2重量％的铜(Cu)。通过混合0.8重量％锑粉末和99.2重量％铜粉末来制造CuSb溅射靶材。将Sb粉末和Cu粉末的混合物热按压在一起。然后，在熔炉中在接近锑熔融温度的温度下进行烧结工艺，从而使材料凝固为具有特定靶材支撑物形式的物品。进行额外热处理以形成呈多种形状的溅射靶材。在一个实例中，CuSb溅射靶材被制成矩形状。其它形状包括圆盘、圆柱、中空圆柱、半中空圆柱、圆环、正方形、正方形环、三角形以及更多形状。靶材装置可以包括含锑化合物(锑的金属合金)代替使用纯锑来与铜粉末混合。靶材装置可以含有痕量其它杂质，包括硒、铝、硫或第VII族或第VIII族元素。
图1是说明根据本发明的一个实施例通过使用含Sb复合材料的溅射靶材来制造太阳能电池的系统的简化示意图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，提供薄膜沉积系统100来执行覆在衬底101上的掺杂锑的薄膜从相对于衬底安置的含Sb靶材装置110的溅射沉积。系统100是经由泵装置120提供的真空环境，并且将真空经由入口130用一种或一种以上惰性气体填充以维持某一压力，这作为溅射沉积条件之一。将衬底101(其可以取决于实施例而呈任何形状)安置于系统中，并且施加DC或AC偏压穿过衬底101和溅射靶材支撑物115，这作为另一溅射沉积条件。衬底与靶材之间的电磁场使惰性气体(通常使用氩气)电离并且进一步促进离子冲击靶材装置110的表面。靶材料的原子被溅射并且喷射出并且一些也电离。在沉积时间内，来自靶材装置110的这些电离的物质落在衬底101的表面上形成薄膜。可以在整个溅射沉积工艺中将衬底101保持于接近室温下，但有时可以使温度升高到所要升高值(或所要温度范围)。在一个实施例中，溅射靶材110包含至少一种选自由以下组成的群组的金属：铜、铟、镓以及钼。溅射靶材进一步包括混合于至少一种选自由铜、铟、镓以及钼组成的群组的金属的基质中的含锑化合物。溅射靶材包含0.1重量％到20重量％的锑和至少80重量％的至少一种金属。举例来说，溅射靶材中的金属包括铜或铟。
在一个实施例中，使靶材110成形以适合于衬底形状以便提供对衬底101的表面的实质上完全覆盖。作为一个实例，图1A展示根据本发明的一个实施例的含Sb复合材料的矩形溅射靶材的俯视图。如图所示，靶材料110除了暴露表面(用于面向衬底)之外均充分封闭于平面矩形状靶材支撑物115中。靶材支撑物115可以由不锈钢或其它非磁性材料制造，并且可以包括嵌入管(图中未示)以允许水冷却用于靶材温度控制。在一个替代实施例中，溅射靶材110包括与硫化钠化合物和含锑化合物混合的一种或一种以上金属元素或合金(包含铜、铟、镓以及钼材料)。将靶材装置形成为固持于靶材支撑物中的块状物品。块状物品是从硫化钠、锑以及至少一种来自铜、铟、镓以及钼的金属元素的粉末烧结的，其组成范围是0.1重量％到15重量％的锑、0.1重量％到5重量％的硫化钠以及80重量％到99.8重量％的至少一种金属元素。靶材装置的块状物品可以用如图1A中所示的矩形状制造，可以使用其它形状(如圆盘状、圆柱状、中空圆柱状、半中空圆柱状、圆环状、正方形状或三角形状)并且由相应形状的靶材支撑物进行支撑。在另一替代实施例中，溅射靶材装置110包括含钼合金的基质、硫化钠化合物以及含锑化合物，其组成范围是0.1重量％到15重量％的锑、0.1重量％到5重量％的硫化钠以及80重量％到99.8重量％的钼以及其它元素。
可提供含锑化合物来制造含Sb靶材，前提条件是纯锑粉末加少量硒、铝、硫或第VII族或第VIII族元素可以作为杂质存在，所述杂质不实质性影响或不会不利地影响通过溅射工艺沉积在衬底上的CIGS层的性能。
本发明的另一特定实施例包括使用由含锑材料制造的溅射靶材在前驱物膜的形成工艺期间沉积掺杂锑的膜来制造基于CIGS的光伏吸收体材料。图2是根据本发明的一个实施例用于制造CIGS太阳能电池的在衬底上形成的多个前驱物层的堆叠的简化横截面图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，提供衬底201。首先形成覆在衬底201的表面上的后电极层202。在后电极层202上形成多个前驱物层的堆叠。形成覆在后电极层202上的第一厚度的第一前驱物材料203。此外，连续形成第二厚度的第二前驱物材料204、第三厚度的第三前驱物材料205、第四厚度的第四前驱物材料206以及第五厚度的第五前驱物材料207。在一个特定实施例中，多个前驱物层的堆叠中的至少一层包括掺杂锑的膜。所述膜通过使用由本发明的实施例制造的含锑溅射靶材装置中的一者溅射沉积来形成。前驱物材料中的一些主要是通过电镀形成的金属材料。多个前驱物材料是以连续次序形成的，但所述次序可以被调整和切换。前驱物材料中的一者可以在前驱物材料中的另一者之前或之后形成。实质上，多个前驱物材料的形成是在保持衬底201于室温或至少低于100℃下进行的。当然，存在很多替代方案、变化以及修改。
参考图2，衬底201可以具备多种类型的材料，例如玻璃、钢或塑料。在一个实施例中，后电极层202是通过溅射、蒸发、电镀或印刷而沉积的厚度约1μm的钼材料的膜。在一个替代实施例中，后电极层202是由溅射沉积出根据本发明的一个实施例的靶材装置而制造的钼合金或复合材料。在一个实例中，靶材装置由MoSb制造，其具有约1.0重量％到10.0重量％的锑和90重量％到99重量％的钼。在另一实例中，靶材装置是由0.5重量％到9.0重量％的锑、0.1重量％到5.0重量％的硫化钠以及86.0重量％到99.6重量％的钼制造的MoSbNaS靶材。沉积系统100可以与所安装的MoSb或MoSbNaS靶材装置一起使用，并且在将系统抽汲到某一真空度之后提供氩气达到预定压力。用施加于靶材与衬底之间的DC偏压进行沉积，从而形成覆在衬底201上的约1μm厚的MoSb或MoSbNaS合金膜202。在此实施例中，锑有效掺杂到基于Mo的后电极层中。其中的锑和硫化钠物质可以扩散到上部前驱物层(稍后形成)中充当掺杂物，从而影响形成态CIGS光伏吸收体材料的结构-化学-电性质。当然，存在很多替代方案、变化以及修改。
如图2中所示，在后电极202上连续形成多个前驱物层的堆叠。在一个实施例中，后电极202是包含锑和/或硫化钠的基于钼的材料。然后，用第一厚度的铜层203、接着第二厚度的铟层204、接着第三厚度的铜层205、接着第四厚度的镓层206以及接着第五厚度的硒层207形成多个前驱物层的堆叠。在一个替代实施例中，后电极202仅是钼材料。多个前驱物层的堆叠包括通过溅射靶材装置而形成的至少一层，所述靶材装置包含锑(和/或硫化钠)和选自由以下组成的金属材料的群组的另一金属：铜、铟以及镓。举例来说，第一前驱物材料203包含由溅射靶材沉积的约0.25μm厚的铜-锑层，所述溅射靶材包含0.5重量％到9.0重量％的锑和91％原子到99.5原子％的铜。在本发明的一个特定实施例中，此靶材装置根据本发明的一个实施例制造并且使用沉积系统100(图1)。在另一实例中，第三前驱物材料205是带有0.5重量％到9.0重量％的锑的铜-锑层。或者在一个不同实施例中，第二前驱物材料204仅是通过溅射包含0.5重量％到9.0重量％的锑和91重量％到99.5重量％的铟的靶材装置而形成的约0.35μm的铟-锑合金层。在另一实例中，第一前驱物材料203包括由靶材装置沉积的0.25mm厚的铜-锑-硫化钠膜，所述靶材装置具有0.5重量％到9.0重量％的锑、0.1重量％到5.0重量％的硫化钠以及86重量％到99.6重量％的铜。在另一实例中，第四前驱物材料206可以是覆在第三前驱物材料205的铜层上的约0.35μm厚的铟-锑膜。使用装备有包含0.5重量％到9.0重量％的锑和91重量％到99.5重量％的铟的溅射靶材的沉积系统100形成铟-锑膜206。当然，存在很多替代方案、变化以及修改。
在另一实施例中，以某些预定次序连续形成多个前驱物层的堆叠。举例来说，多个前驱物层的堆叠包括第一前驱物层203，其可以选自铜层或铜-锑合金层或铜-锑-硫化钠层。可以通过溅射沉积或电镀工艺或真空蒸发工艺来形成铜层。可以使用上文所提及的靶材装置来分别形成铜-锑层和铜-锑-硫化钠层。形成具有第一厚度(例如约0.25μm)的第一前驱物层203。另外，多个前驱物层的堆叠的第二前驱物材料204可以选自铟层或镓层或铟-锑层，具有第二厚度，例如约0.35μm。当通过溅射根据本发明的一个实施例的具有0.5重量％到9.0重量％的锑含量和91重量％的铟含量的靶材装置来形成铟-锑层时，可以使用多种沉积方法。多个前驱物层的堆叠的第三前驱物层205包括选自铜和铜-锑合金的材料，其可以使用类似于形成第一前驱物层203的工艺来形成。此外，多个前驱物层的堆叠的第四前驱物层206包括选自镓或铟或铟-锑的材料，其具有约0.35μm的第四厚度。最终，用约2μm第五厚度的硒材料形成覆在第四前驱物材料206上的第五前驱物层207，从而完成多个前驱物层的堆叠的形成。当然，存在很多替代方案、变化以及修改。举例来说，多个前驱物层的堆叠中各层的厚度是工艺可变的，其可以被调整以至少部分地控制层的堆叠的化学计算量和堆叠中锑或硫化钠的掺杂水平，所述堆叠被指定通过热工艺转化为光伏吸收体材料。
在另一实施例中，第二前驱物材料204和第四前驱物层206可以交换次序。在一个实例中，铟材料或镓材料任一者可以是第二或第四前驱物层的选择，且第三前驱物层205是通过溅射包含0.5重量％到9.0重量％的锑和91原子％到99.5原子％的铜的靶材装置而形成的铜-锑膜。在另一实施例中，第一前驱物材料203和第三前驱物材料205可以是铜或铜-锑膜任一者。通过溅射包含0.5重量％到9.0重量％的锑和91原子％到99.5原子％的铜的靶材装置来形成铜-锑膜。当然，存在很多替代方案、变化以及修改。
在后电极层202上形成所有前驱物材料之后，使其后形成的携带所有层(包括后电极层202、第一厚度的第一前驱物203、第二厚度的第二前驱物204、第三厚度的第三前驱物205、第四厚度的第四前驱物206以及第五厚度的第五前驱物207)的衬底201进行热退火工艺。在一个特定实施例中，将包括之后形成的所有前驱物材料的衬底201装入熔炉(图中未示)中。可以将熔炉抽汲到具有真空水平，然后用惰性气体(例如氮气)填充以便帮助实现温度均一性；或按需要与可以直接与前驱物反应或用于帮助前驱物转化为光伏吸收体材料的某些反应气体物质混合。举例来说，可以使用氮气。可以在退火工艺期间使用反应性硒化氢(H2Se)气体物质或硫化氢(H2S)气体物质。
在另一特定实施例中，热退火工艺在预定温度概况下进行，其中所提供的衬底201和相应前驱物材料在介于450℃与600℃之间的温度下退火约10分钟，随后进行冷却。熔炉温度从室温以每秒约10℃到20℃的速率逐渐上升。在此升高温度(范围)下，层203、204、205、206、207中的所有前驱物材料(包括后电极层202中的一些掺杂锑的物质)都被热活化，在这期间物理扩散和化学反应都在多个前驱物层的堆叠中发生并且在后电极层中至少部分地发生。在一个实施例中，含有来自根据本发明的实施例制造的靶材的锑物质的膜中的组成直接影响前驱物材料的堆叠的多层结构内的物理扩散过程，并且部分地影响自身包括锑物质的后电极层中的物理扩散过程。在另一实施例中，分别选择用于形成多个前驱物层中每一者的第一厚度、第二厚度、第三厚度、第四厚度以及第五厚度产生退火态材料的所要化学计算量，所述材料形成光伏吸收体材料。具体来说，根据上文所述的本发明的实施例的多个前驱物层的堆叠的锑含量以及选定厚度确定了吸收体材料的结构特征，所述吸收体材料是通过以上退火工艺形成的多晶CIGS三元硫族化合物，其中CIGS晶粒尺寸接近于吸收体厚度，并且缺陷数目减少。相应地，基于具有适当化学计算量的这些CIGS吸收体材料，预期吸收体材料为太阳能电池提供提高的光伏转化效率。在一个特定实施例中，CIGS硫族化物吸收体材料的化学计算量包括0.75到0.95范围内的第一铜/(铟+镓)比率、0.25到0.5范围内的第二镓/(铟+镓)比率以及约1.0的第三硒/(铜+铟+镓)比率。当然，存在很多替代方案、修改以及变化。
图3是根据本发明的一个实施例用于制造CIGS太阳能电池的由多个前驱物层的堆叠形成的吸收体材料的简化横截面图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，形成覆在后电极层202上的光伏吸收体208。实际上，光伏吸收体208是通过进行上文所述的热退火工艺从根据本发明的实施例形成的前驱物材料203、204、205、206、207(图2)转化的。取决于实施例，吸收体208是由多层前驱物材料转化的基于CIGS的三元硫族化合物，所述多层前驱物材料具有特定第一厚度、第二厚度、第三厚度、第四厚度以及第五厚度的层以及通过这些前驱物材料中的至少一者适当掺杂的锑物质。在一个实施例中，还由形成覆在衬底201上的基于MoSb或MoSbNaS的后电极层(202)来进行锑掺杂工艺(在那种情况下，可能不需要在多个前驱物层的堆叠中添加任何含锑层)。在另一实施例中，覆在后电极层202上形成的吸收体材料208特征在于为p型半导体。当然，存在很多替代方案、修改以及变化。
图4是根据本发明的一个实施例的CIGS太阳能电池的简化横截面图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，在p型吸收体材料208(图3)顶部形成n型半导体材料209。n型半导体是允许可见光通过并且到达p型吸收体材料208的宽带隙材料。在一个实例中，n型半导体材料209是通过化学浴沉积工艺覆在以上根据本发明的实施例形成的CIGS吸收体材料208上形成的硫化镉(CdS)。
在一个特定实施例中，在形成覆在基于CIGS的p型吸收体材料208上的n型半导体材料209之后，形成覆在n型半导体材料上的双层氧化锌材料(图4)。双层结构包括首先覆在n型半导体CdS层209上形成的氧化锌层210和接下来覆在先前氧化锌层210上形成的铝氧化锌层211。双层氧化锌材料是光学透明材料并且还是良好电导体(也称为窗口层)，其允许光子通过并且主要由吸收体吸收然后转化为电子。导电氧化锌材料还有助于收集这些由p-n结驱动的电子。在双层氧化锌材料210/211上，由金属材料源进一步沉积前电极212，并且形成图案化网格结构，从而完成太阳能电池的制造。前电极212用于输送由太阳能电池产生的电流。
本发明的一个或一个以上实施例提供了形成基于CIGS的薄膜太阳能电池的方法，其使用含锑溅射靶材装置中的至少一者来形成至少一种前驱物材料，这有助于基于CIGS的光伏吸收体材料的形成。方法的细节可以见于本说明书通篇并且更尤其下文中。
图5是说明根据本发明的一个实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，方法500包括提供衬底(步骤510)用于制造薄膜太阳能电池。方法500进一步包括形成覆在衬底上的钼层的步骤515。这在图2中说明为钼层是覆在衬底201上形成的底部电极层202。在一个实例中，钼层的厚度是约1μm。另外，方法500包括(步骤520)通过在填充有惰性气体的系统中由CuSb靶材装置溅射沉积来形成覆在钼层上的第一厚度的铜锑膜，所述CuSb靶材装置包含0.5重量％到9.0重量％的锑和91重量％到99.5重量％的铜。用于进行溅射沉积的系统实质上是图1中所示的沉积系统100，其中CuSb靶材装置是预安装的。在一个实例中，铜锑膜的第一厚度是约0.2μm。此外，方法500包括(步骤525)形成覆在第一厚度的铜锑膜上的第二厚度的铟层，接着(步骤530)形成覆在铟层上的第三厚度的铜层。此外，形成(步骤535)覆在第三厚度的铜层上的第四厚度的镓层，接着(步骤540)形成覆在第四厚度的镓层上的第五厚度的硒层。在一个实例中，使用电镀技术分别沉积铟层、铜层、镓层以及硒层，其中第二厚度是约0.35μm，第三厚度是约0.1μm，第四厚度是约0.12μm，并且第五厚度是约2μm。
图5进一步展示方法500具有步骤545：使包括在其上形成的所有层的衬底在介于450℃与600℃之间逐渐上升的温度下进行热退火工艺约10分钟，从而形成吸收体材料。退火温度从室温以每秒约10度到20度的速率逐渐上升。退火工艺将多个前驱物层的堆叠转化为吸收体材料。在这种情况下，其是铜-铟-镓-二硒化物(CIGS)化合物，其中钼层上形成的那些相应层的第一厚度、第二厚度、第三厚度、第四厚度以及第五厚度确定了CIGS化合物的适当化学计算量。掺杂于第一厚度前驱物层中的锑有助于使吸收体材料成为p型半导体。另外，在退火工艺期间，通过第一厚度的铜-锑前驱物层掺杂的锑物质进一步通过减少缺陷数目并且增大晶粒尺寸来影响吸收体材料的结构性质，这些都促进光电电流产生。
方法500进一步包括(步骤550)形成覆在吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体和(步骤555)形成覆在n型半导体上的双层氧化锌。双层氧化锌是光学透明并且导电的材料，其相继包含氧化锌层和掺杂铝的氧化锌层。具体来说，这些步骤形成窗口材料，其允许日光通过并且由CIGS吸收体材料吸收并且还被配置以收集p-n结中产生的光电子。此外，方法500包括(步骤560)形成覆在双层氧化锌上的前电极以完成薄膜太阳能电池的制造。当然，存在很多工艺变化、替代方案以及修改。
图6是说明根据本发明的另一实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，方法600包括提供衬底(步骤610)用于制造薄膜太阳能电池。方法600进一步包括形成覆在衬底上的钼层的步骤615。这在图2中说明为钼层是覆在衬底201上形成的后电极层202。在一个实例中，钼层的厚度是约1μm。另外，方法600包括(步骤620)通过溅射沉积或蒸发来形成第一厚度的铜层。第一厚度是约0.2μm。接着，步骤630是通过溅射沉积来形成覆在第一厚度的铜层上的第二厚度的铟锑膜。使用包含0.5重量％到9重量％的锑和91重量％到99.5重量％的铟的靶材装置进行溅射沉积。用于进行溅射沉积的系统与图1中所示的沉积系统100实质上相同，其中靶材装置110是预安装的。在一个实例中，铟锑膜的第二厚度是约0.35μm。此外，方法600包括(步骤630)形成覆在第二厚度的铟锑膜上的第三厚度的铜层，接着(步骤635)形成覆在第三厚度的铜层上的第四厚度的镓层，并且接着(步骤640)形成覆在第四厚度的镓层上的第五厚度的硒层。在一个实例中，使用电镀技术分别沉积铜层、镓层以及硒层，其中第三厚度是约0.1μm，第四厚度是约0.12μm，并且第五厚度是约2μm。
图6进一步展示方法600具有步骤645：使包括钼层和所有多个前驱物层的堆叠的衬底在介于450℃与600℃之间的退火温度下进行热退火工艺约10分钟，从而形成吸收体材料。退火温度从室温以每秒约10度到20度的速率逐渐上升。形成态吸收体材料是铜铟镓二硒化物(CIGS)化合物，其中钼层上形成的多个前驱物层的堆叠的第一厚度、第二厚度、第三厚度、第四厚度以及第五厚度确定了CIGS化合物的适当化学计算量。吸收体材料由于通过第二厚度的铟-锑前驱物层掺杂锑物质而具有p型半导体特征。锑物质就缺陷减少和晶粒尺寸增大来说进一步影响吸收体材料的结构性质，从而促进光电电流产生。方法600进一步包括(步骤650)形成覆在吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体和(步骤655)形成覆在n型半导体上的氧化锌材料。氧化锌材料是顶层掺杂铝的氧化锌在底层未被掺杂的氧化锌上的导电透明双层结构。具体来说，这些步骤形成窗口材料，其允许日光通过并且由CIGS吸收体吸收并且进一步有助于收集其中产生的光电子。此外，方法600包括(步骤660)形成覆在双层氧化锌上的前电极以完成薄膜太阳能电池的制造。
图7是说明根据本发明的另一实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，方法700包括提供衬底(步骤710)用于制造薄膜太阳能电池。方法700进一步包括形成覆在衬底上的钼层作为后电极的步骤715。这在图2中说明为覆在衬底201上形成的后电极202。在一个实例中，钼层的厚度是约1μm。另外，方法700包括(步骤720)形成覆在钼层上的第一厚度的铜层。然后，方法700包括(步骤725)形成覆在第一厚度的铜层上的第二厚度的铟层。铟层和铜层都可以使用电镀工艺或蒸发工艺来形成。在一个实例中，第一厚度是约0.2μm并且第二厚度是约0.35μm。此外，所述方法包括(步骤730)通过由靶材溅射沉积来形成覆在第二厚度的铟层上的第三厚度的铜-锑膜，所述靶材包含0.5重量％到9重量％的锑和至少91重量％的铜。用于进行溅射沉积的系统与图1中所示的沉积系统100实质上相同，其中靶材110是预安装的。在一个实例中，铜-锑膜的第三厚度是约0.1μm。方法700进一步包括(步骤735)形成覆在第三铜-锑膜上的第四厚度的镓层，接着(步骤740)形成覆在第四厚度的镓层上的第五厚度的硒层。在一个实例中，第四厚度是约0.12μm并且第五厚度是约2μm。
图7进一步展示方法700具有步骤745：使包括钼层和多个前驱物层的堆叠的衬底进行在介于450℃与600℃之间的退火温度下进行的热退火工艺约10分钟，从而形成吸收体材料。退火温度从室温以每秒约10度到20度的速率逐渐上升。形成态吸收体材料是铜铟镓二硒化物(CIGS)化合物，其中钼层上形成的那些层的第一厚度、第二厚度、第三厚度、第四厚度以及第五厚度确定了CIGS化合物的适当化学计算量。CIGS吸收体材料具有由通过第三厚度的铜-锑层掺杂的锑物质提供的p型半导体特征。锑物质可以进一步通过减少缺陷数目并且增大晶粒尺寸来影响结构性质，从而促进光电电流产生。方法700进一步包括(步骤750)形成覆在吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体和(步骤755)形成覆在n型半导体上的氧化锌双层。氧化锌双层相继是未被掺杂的氧化锌层和掺杂铝的氧化锌层。具体来说，这些步骤形成窗口材料，其允许日光通过并且由CIGS吸收体吸收并且进一步有助于收集其中产生的光电子。此外，方法700包括(步骤760)形成覆在氧化锌双层上的前电极以完成薄膜太阳能电池的制造。
图8是说明根据本发明的另一实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，方法800包括提供衬底(步骤810)用于制造薄膜太阳能电池。方法800进一步包括形成覆在衬底上的钼层的步骤815。这在图2中加以说明，其中钼层形成覆在衬底201上的后电极202。在一个实例中，钼层的厚度是约1μm。另外，方法800包括连续沉积工艺(步骤820到步骤840)以形成多个前驱物层的堆叠。这些步骤实质上类似于步骤520到步骤540，但第四前驱物铟层被第四厚度的铟锑膜替换，所述第四厚度的铟锑膜通过溅射包含0.5重量％到9重量％的锑和91重量％到99.5重量％的铟的靶材而形成。然后使包括在其上形成的所有层的衬底进行在介于450℃与600℃之间的退火温度下进行的热退火工艺约10分钟(步骤845)，从而形成吸收体材料。退火温度从室温以每秒约10度到20度的速率逐渐上升。多个前驱物层的相应层的厚度确定了为多晶铜-铟-镓-二硒化物CIGS化合物的形成态吸收体材料的化学计算量。通过第四厚度的InSb膜提供的锑物质有助于形成吸收体材料的p型特征，并且还可以通过减少其晶粒缺陷并且增大晶粒尺寸来影响CIGS化合物的结构性质，从而促进光电电流产生。方法800进一步包括(步骤850)形成覆在吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体和(步骤855)形成覆在n型半导体上的氧化锌双层。氧化锌双层相继是未被掺杂的氧化锌层和掺杂铝的氧化锌层。具体来说，这些步骤形成窗口材料，其允许日光通过并且由CIGS吸收体吸收并且进一步有助于收集其中产生的光电子。此外，方法800包括(步骤860)形成覆在氧化锌双层上的前电极以完成薄膜太阳能电池的制造。
图9是说明根据本发明的另一实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，方法900包括提供衬底(步骤910)用于制造薄膜太阳能电池。方法900进一步包括形成覆在衬底上的钼层的步骤915。这在图2中加以说明，其中钼层形成覆在衬底201上的后电极202。在一个实例中，钼层的厚度是约1μm。另外，方法900包括连续沉积工艺(步骤920到步骤940)以形成多个前驱物层的堆叠。这些步骤实质上类似于步骤720到步骤740，但将第二前驱物层与第四前驱物层交换。多个前驱物层的此堆叠的第三层是通过溅射靶材装置而沉积的约0.1μm的铜-锑膜，所述靶材装置包含0.5重量％到9.0重量％的锑和至少91重量％的铜。随后，使包括在其上形成的所有层的衬底进行在介于450℃与600℃之间的退火温度下进行的热退火工艺约10分钟(步骤945)，从而形成吸收体材料。退火温度从室温以每秒约10度到20度的速率逐渐上升。多个前驱物层的相应层的厚度确定了为多晶铜-铟-镓-二硒化物CIGS化合物的形成态吸收体材料的化学计算量。在一个实施例中，CIGS光伏吸收体材料的优选化学计算量包括0.75到0.95范围内的第一铜/(铟+镓)比率、0.25到0.5范围内的第二镓/(铟+镓)比率以及约1.0的第三硒/(铜+铟+镓)比率。通过第三厚度的CuSb膜提供的锑物质有助于形成吸收体材料的p型特征，并且还可以通过减少其晶粒缺陷并且增大晶粒尺寸来影响CIGS化合物的结构性质，从而促进光电电流产生。方法900进一步包括(步骤950)形成覆在吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体和(步骤955)形成覆在n型半导体上的氧化锌双层。氧化锌双层相继是未被掺杂的氧化锌层和掺杂铝的氧化锌层。具体来说，这些步骤形成窗口材料，其允许日光通过并且由CIGS吸收体吸收并且进一步有助于收集其中产生的光电子。此外，方法900包括(步骤960)形成覆在氧化锌双层上的前电极以完成薄膜太阳能电池的制造。
图10是说明根据本发明的一个不同实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，方法1000包括提供衬底(步骤1010)用于制造薄膜太阳能电池。方法1000进一步包括形成覆在衬底上的钼层的步骤1015。这在图2中加以说明，其中钼层形成覆在衬底201上的后电极202。在一个实例中，钼层的厚度是约1μm。另外，方法1000包括(步骤1020)通过由靶材溅射沉积来形成覆在钼层上的第一厚度的铜-锑-硫化钠(CuSbNaS)膜，所述靶材包含0.5重量％到9重量％的锑、0.1重量％到5重量％的硫化钠以及至少86重量％的铜。用于进行溅射沉积的系统与图1中所示的沉积系统100实质上相同，其中靶材110是预安装的。在一个实例中，铜-锑-硫化钠膜的第一厚度是约0.2μm。此外，方法1000包括其它沉积工艺(步骤1025到步骤1040)用于形成多个前驱物层的堆叠的其它层。这些步骤实质上类似于步骤525到步骤540，包括使用电镀技术或蒸发技术分别沉积的第二厚度的铟层、第三厚度的铜层、第四厚度的镓层以及第五厚度的硒层。相对应地，在一个实例中，第二厚度是约0.35μm，第三厚度是约0.1μm，第四厚度是约0.12μm，并且第五厚度是约2μm。
图10进一步展示步骤1045，其中使包括在其上形成的所有层的衬底进行在介于450℃与600℃之间的退火温度下进行的热退火工艺约10分钟，从而形成吸收体材料。退火温度从室温以每秒约10度到20度的速率逐渐上升。多个前驱物层的相应层的厚度确定了为多晶铜-铟-镓-二硒化物CIGS化合物的形成态吸收体材料的化学计算量。在一个实施例中，CIGS光伏吸收体材料的优选化学计算量包括0.75到0.95范围内的第一铜/(铟+镓)比率、0.25到0.5范围内的第二镓/(铟+镓)比率以及约1.0的第三硒/(铜+铟+镓)比率。通过第一厚度的CuSbNaS膜提供的锑物质有助于形成吸收体材料的p型特征，并且还可以通过减少其晶粒缺陷并且增大晶粒尺寸来影响CIGS化合物的结构性质，从而促进光电电流产生。方法1000进一步包括(步骤1050)形成覆在吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体和(步骤1055)形成覆在n型半导体上的氧化锌双层。氧化锌双层相继是未被掺杂的氧化锌层和掺杂铝的氧化锌层。具体来说，这些步骤形成窗口材料，其允许日光通过并且由CIGS吸收体材料吸收并且进一步有助于收集其中产生的光电子。此外，方法1000包括(步骤1060)形成覆在氧化锌双层上的前电极以完成薄膜太阳能电池的制造。
图11是说明根据本发明的另一替代实施例制造CIGS太阳能电池的方法的简化图。此图仅是一个实例，其不应过度限制本文中权利要求书的范围。所属领域的技术人员应辨识其它变化、修改以及替代方案。如图所示，方法1100包括提供衬底(步骤1110)用于制造薄膜太阳能电池。这在图2中说明为提供衬底201。方法1100进一步包括通过由靶材溅射沉积来形成覆在衬底201上的钼锑硫化钠(MoSbNaS)膜的步骤1115，所述靶材包含0.5重量％到9.0重量％的锑、0.1重量％到5.0重量％的硫化钠以及至少86重量％的钼。用于进行溅射沉积的系统与图1中所示的沉积系统100实质上相同，其中靶材110是预安装的。在一个实例中，MoSbNaS膜的厚度是约1μm。或者，此膜可以是通过溅射具有0.5重量％到9.0重量％的锑含量和至少91％的钼含量的靶材而形成的MoSb膜。这也在图2中说明为MoSbNaS膜或MoSb充当掺杂锑的后电极层202。另外，方法1100包括一系列沉积工艺(步骤1020到步骤1040)以形成多个前驱物层的堆叠，所述多个前驱物层的堆叠依序包括第一厚度的铜层、第二厚度的铟层、第三厚度的铜层、第四厚度的镓层以及第五厚度的硒层。在一个实例中，通过电镀或蒸发技术形成的铜层的第一厚度是约0.2μm。第二厚度是约0.35μm，第三厚度是约0.1μm，第四厚度是约0.12μm，并且第五厚度是约2μm。
图11进一步展示方法1100具有步骤1140：使包括作为后电极的MoSbNaS或MoSb膜加前驱物层的堆叠的衬底在介于450℃与600℃之间的退火温度下进行热退火工艺约10分钟，从而形成吸收体材料。退火温度从室温以每秒约10度到20度的速率逐渐上升。多个前驱物层的相应层的厚度确定了为多晶铜-铟-镓-二硒化物CIGS化合物的形成态吸收体材料的化学计算量。在一个实施例中，CIGS光伏吸收体材料的优选化学计算量包括0.75到0.95范围内的第一铜/(铟+镓)比率、0.25到0.5范围内的第二镓/(铟+镓)比率以及约1.0的第三硒/(铜+铟+镓)比率。通过MoSbNaS后电极层提供的锑物质扩散到多个前驱物层的堆叠中并且有助于形成吸收体材料的p型特征，并且还可以通过减少其晶粒缺陷并且增大晶粒尺寸来影响CIGS化合物的结构性质，从而促进光电电流产生。方法1100进一步包括(步骤1150)形成覆在吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体和(步骤1155)形成覆在n型半导体上的氧化锌双层。氧化锌双层相继是未被掺杂的氧化锌层和掺杂铝的氧化锌层。具体来说，这些步骤形成窗口材料，其允许日光通过并且由CIGS吸收体材料吸收并且进一步有助于收集其中产生的光电子。此外，方法1100包括(步骤1160)形成覆在氧化锌双层上的前电极以完成薄膜太阳能电池的制造。
还应了解，本文中所述的实例、图式以及实施例仅为了说明性目的，并且根据其的各种修改或变化将由所属领域的技术人员提出并且包括在本申请案的精神和范围以及所附权利要求书的范围内。

Claims (11)

1.一种制造太阳能电池的方法，其包含：
提供衬底；
形成覆在所述衬底上的后电极层，其中所述后电极层是从包含0.1重量％到15.0重量％的锑和至少85重量％的钼的溅射靶材生长的钼-锑合金；
形成覆在所述后电极层上的多个前驱物层的堆叠，其中所述多个前驱物层的堆叠包含第一厚度的铜层、第二厚度的铟层、第三厚度的铜层、第四厚度的镓层以及第五厚度的硒层；
使所述多个前驱物层的堆叠在介于450℃与600℃之间的温度下进行热退火工艺10分钟，熔炉温度从室温以每秒10℃到20℃的速率逐渐上升，从而形成具有锑作为掺杂物的吸收体材料；
形成覆在所述吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体；
形成覆在所述n型半导体上的氧化锌层，接着在所述氧化锌层上形成掺杂铝的氧化锌层；以及
形成覆在所述掺杂铝的氧化锌层上的前电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸收体材料包含铜-铟-镓-硒化物化合物，所述铜-铟-镓-硒化物化合物具有由相应前驱物层的所述第一厚度、所述第二厚度、所述第三厚度、所述第四厚度以及所述第五厚度确定的化学计算量，所述铜-铟-镓-硒化物化合物包含经由所述后电极层掺杂的锑。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述化学计算量包含0.75到0.95范围内的第一铜/(铟+镓)比率、0.25到0.5范围内的第二镓/(铟+镓)比率以及1.0的第三硒/(铜+铟+镓)比率。
4.一种制造太阳能电池的方法，其包含：
提供衬底；
形成覆在所述衬底上的钼层作为后电极；
形成依序覆在所述后电极上的包含铜、铟、镓以及硒的多个前驱物层的堆叠，其中所述多个前驱物层中的一者是通过由靶材装置溅镀来形成的，所述靶材装置包含0.1重量％到20重量％的锑和至少80重量％的选自由铜、铟以及镓组成的金属材料的群组的金属元素；
使包括所述钼层和所述多个前驱物层的堆叠的所述衬底在介于450℃与600℃之间的温度下进行热退火工艺10分钟，熔炉温度从室温以每秒10℃到20℃的速率逐渐上升，从而形成具有至少锑作为掺杂物的吸收体材料；
形成覆在所述吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体；
形成覆在所述n型半导体上的氧化锌层，接着在所述氧化锌层上形成掺杂铝的氧化锌层；以及
形成覆在所述掺杂铝的氧化锌层上的前电极。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多个前驱物层的堆叠包含：
由溅射包含0.5重量％到9.0重量％的锑和至少91重量％的铜的靶材装置形成的第一厚度的铜-锑层；
第二厚度的铟层；
第三厚度的铜层；
第四厚度的镓层；以及
第五厚度的硒层。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述多个前驱物层的堆叠包含：
第一厚度的铜层；
由溅射包含0.5重量％到9.0重量％的锑和至少91重量％的铟的靶材装置形成的第二厚度的铟-锑层；
第三厚度的铜层；
第四厚度的镓层；以及
第五厚度的硒层。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述多个前驱物层的堆叠包含：
第一厚度的铜层；
第二厚度的铟层；
由溅射包含0.5重量％到9.0重量％的锑和至少91重量％的铜的靶材装置形成的第三厚度的铜-锑层；
第四厚度的镓层；以及
第五厚度的硒层。
8.根据权利要求4所述的方法，其中所述多个前驱物层的堆叠包含：
第一厚度的铜层；
第二厚度的镓层；
第三厚度的铜层；
由溅射包含0.5重量％到9.0重量％的锑和至少91重量％的铟的靶材装置形成的第四厚度的铟-锑层；以及
第五厚度的硒层。
9.根据权利要求4所述的方法，其中所述多个前驱物层的堆叠包含：
第一厚度的铜层；
第二厚度的镓层；
由溅射包含0.5重量％到9.0重量％的锑和至少91重量％的铜的靶材装置形成的第三厚度的铜-锑层；
第四厚度的铟层；以及
第五厚度的硒层。
10.根据权利要求4所述的方法，其中所述吸收体材料包含铜-铟-镓-硒化物化合物，所述铜-铟-镓-硒化物化合物具有由包括至少一个掺杂锑的层的所述多个前驱物层的相应厚度确定的化学计算量。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述化学计算量包含0.75到0.95范围内的第一铜/(铟+镓)比率、0.25到0.5范围内的第二镓/(铟+镓)比率以及1.0的第三硒/(铜+铟+镓)比率。
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