CN103194116A - 一种油墨、透明导电线路及透明导电线路的制备方法 - Google Patents
一种油墨、透明导电线路及透明导电线路的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103194116A CN103194116A CN2012100060747A CN201210006074A CN103194116A CN 103194116 A CN103194116 A CN 103194116A CN 2012100060747 A CN2012100060747 A CN 2012100060747A CN 201210006074 A CN201210006074 A CN 201210006074A CN 103194116 A CN103194116 A CN 103194116A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- printing ink
- electrically conducting
- alloy
- conducting transparent
- transparent circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 26
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 21
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 17
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000498 pewter Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010957 pewter Substances 0.000 claims description 11
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract 2
- 229910002064 alloy oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 6
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- -1 tin-antiomony oxide Chemical compound 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
Abstract
本发明涉及一种油墨、透明导电线路及透明导电线路的制备方法。相较于磁控溅射、真空蒸发法、化学气相沉积法、喷涂法以及溶胶-凝胶法，本发明直接采用印刷或者涂布的方法直接将线路图打印出来，无需上述方法的后期蚀刻方法制作导电线路，能够节约成本，同时还能够减少环境污染。相比于磁控溅射的设备高昂来说，本发明的设备成本低廉，方法简单。相比于真空蒸发法、化学气相沉积法、喷涂法、溶胶-凝胶法来说，本发明制成的导电线路的合金氧化物附着力好、致密性好，导电率高，同时透光性好，另外，本发明的原材料利用率高，采用本发明制作透明导电线路能够显著的节约原材料成本，减少浪费。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种油墨、透明导电线路及透明导电线路的制备方法，特别涉及一种用于制备透明导电线路的油墨、制成的透明导电线路以及制备该透明导电线路的方法。
【背景技术】
导电氧化物线路主要由In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其复合多元氧化物等透明导电材料组成，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等特性。透明导电材料以掺锡氧化铟(ITO)为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。平板显示器市场广阔，被认为具有比半导体产业更高的增长率，特别是液晶显示器(LCD)具有体积小、重量轻、能耗低、无辐射、无闪烁、抗电磁干扰等特点，广泛应用于笔记本电脑、台式电脑、各类监视器、数字彩电和手机等电子产品，以全球显示器市场来看，LCD产值远高于其他显示器。透明导电材料是简单液晶显示器的三大主要材料之一，随着LCD产业的发展，市场对ITO透明导电材料的需求也随之急剧增大。
ITO透明导电线路主要有ITO薄膜经过蚀刻工艺制得，ITO薄膜的制备方法多样，研究较多的制备方法为磁控溅射法，另外还有真空蒸发法、化学气相沉积法、喷涂法、溶胶-凝胶法等方法。
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar和新的电子；新电子飞向基片，Ar在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，磁控溅射法制备ITO薄膜的成本很高，主要原因在于磁控溅射的设备成本很高，维护费用高昂，而另一方面，沉积在基片上的薄膜还需要经过蚀刻工艺才能制作成导线线路，由于蚀刻工艺本身对环境有污染，而且成本较高，所以磁控溅射法制备ITO线路具有很多缺点。
另外一种真空蒸发法和磁控溅射的原理比较近似，其采用高温使氧化锡铟基片上沉积成膜，不仅生产效率不高(主要原因是靶材的利用率不高，以及后期蚀刻工艺又浪费了一些溅射到基材上的氧化锡铟)，而且其在后期还需要通过蚀刻工艺将导电薄膜制成导电线路，也对环境构成污染。
化学气相沉积法、溶胶-凝胶法也不能直接制备出透明导电线路，其也需要先制备出透明导电薄膜后经过蚀刻工艺才可以制备出导电线路，制作成本较高，对环境造成污染，而且产出率不高(与磁控溅射一样，在蚀刻工艺阶段会浪费一些涂覆在基材上的氧化物)，会浪费很多原材料，而且采用化学气相沉积法、溶胶-凝胶法制备的导电薄膜的烧结温度高，致密性差，致使导电线路的导电率和透光率均不高。
喷涂法是将包含有合金氧化物(例如氧化铟锡、氧化锡锑、氧化锌铝)粉末的油墨直接喷墨打印或者涂布在基材上，再通过高温烧结，使油墨中的有机溶剂和助剂蒸发，同时使合金氧化物粉末烧结成透明导电线路，此种方法要求基材具有耐高温的特性，而由于本身这些合金氧化物的烧结温度很高，所以低温难以将合金氧化物烧结结晶，所以致使制得的导电线路致密性不好，透光率和导电率差。
【发明内容】
为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种新的透明导电线路的制备方法、通过这种方法制备成的透明导电线路以及制备该导电线路所使用的油墨。
从广义上来讲，本发明所述的透明导电线路包括具有网格或者空缺的线路，也包括全部覆盖在基材上的一种透明导电膜，因为通过喷墨打印或者涂布的方法将油墨全覆盖在基材上后，经过本发明的制备方法，同样可以制备出透明导线膜，所以本发明的保护范围不仅仅局限于具有网格或者空缺的透明导电线路上。
本发明提供一种用于制备透明导电线路的油墨，其特征在于，按重量份计，该油墨包括：
纳米合金粉末：5～65份；
助剂：1～10份；
溶剂：余量。
所述纳米合金粉末包括纳米铟锡合金粉末、纳米锡锑合金粉末以及纳米锌铝合金粉末中的一种或多种。
所述助剂包括分散剂。
所述纳米铟锡合金粉末中，锡与铟的重量比为2～20∶100；
所述纳米锡锑合金粉末中，锑与锡的重量比为1～15∶100；
所述纳米锌铝合金粉末中，铝与锌的重量比为1～3∶100。
本发明还提供一种透明导电线路的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
将上述的油墨按照线路图印刷或者涂布于基材上；
在非氧化性气氛下将基材上的油墨低温烧结成致密的合金；
氧化所述合金形成透明导电线路。
步骤：“在非氧化性气氛下将基材上的油墨低温烧结成致密的合金”具体为：在100℃～350℃的温度下，将所述印刷或者涂布有油墨的基材放在真空或者惰性环境或还原性气体中烧结，并且边烧结边将烧结的挥发物抽出，使基材上的油墨逐渐烧结成致密的合金。
步骤：“在非氧化性气氛下将基材上的油墨低温烧结成致密的合金”具体为：通过光波或者微波将基材上的油墨烧结成致密的合金，通过控制光波或微波的强度使烧结温度控制在100℃～350℃。
步骤“氧化所述合金形成透明导电线路”具体为：
在氧气环境下加热合金，控制温度在100℃～500℃范围，缓慢氧化所述合金形成透明导电线路。
所述基材为玻璃或者透明树脂。
本发明另提供一种透明导电线路，其特征在于，所述透明导电线路由透明的合金氧化物组成，所述合金氧化物的透光率为75％～95％，电阻率为8×10-2～5×10-4Ω*CM。所述透明导电线路是通过如下方法制备而成的：
将上述油墨按照线路图印刷或者涂布于基材上；
在非氧化性气氛下将基材上的油墨低温烧结成致密的合金；
氧化所述合金形成透明导电线路。
所述合金氧化物包括氧化铟锡、氧化锡锑以及氧化锌铝中的一种或多种。
所述氧化铟锡中，锡与铟重量比为2～20∶100；
所述氧化锡锑中，锑与锡的重量比为1～15∶100；
所述氧化锌铝中，铝与锌的重量比为1～3∶100。
相较于之前的技术，本发明有益的技术效果在于：
相较于磁控溅射、真空蒸发法、化学气相沉积法、喷涂法以及溶胶-凝胶法，本发明直接采用印刷或者涂布的方法直接将线路图打印出来，无需上述方法的后期蚀刻方法制作导电线路，能够节约成本，同时还能够减少环境污染。
相比于磁控溅射的设备高昂来说，本发明的设备成本低廉，方法简单，原料利用率高。
相比于真空蒸发法、化学气相沉积法、喷涂法、溶胶-凝胶法来说，本发明制成的导电线路的合金氧化物附着力好、致密性好，导电率高，同时透光性好，另外，本发明的原材料利用率高，采用本发明制作透明导电线路能够显著的节约原材料成本，减少浪费。
【具体实施方式】
下面采用具体实施例对本发明进行进一步说明。
实施例1
一种用于制备透明导电线路的油墨，按照重量份计，包括：
5份纳米铟锡合金粉末，1份分散剂烷基硫醇以及94份溶剂(由水、醇类、醚类以及酯类中的一种或多种组成)，所述纳米铟锡合金粉末中，锡与铟的重量比为2∶100。纳米铟锡合金粉末的平均粒径为30nm。
采用上述的油墨制备透明导电线路的方法如下：
(1)将上述的油墨放入喷墨打印机中，通过喷墨打印机将上述的油墨按照线路图印刷于玻璃基材上；
(2)在100℃～350℃的温度下，将所述印刷有油墨的玻璃基材放在真空环境中烧结，并且边烧结边将烧结的挥发物抽出，使玻璃基材上的油墨逐渐烧结成致密的合金；
(3)在空气中加热合金，缓慢的升温，并控制温度在100～450℃范围，使所述合金缓慢氧化成为透明导电线路。
通过上述方法制备出的导电线路，导电线路由氧化铟锡组成，氧化铟锡的的透光率为75％，电阻率为8×10-2Ω*CM，制备出的导电线路相比采用磁控溅射方法制成的相同材料、相同厚度的导电线路来说，电阻率和透光率相差不大。
实施例2
一种用于制备透明导电线路的油墨，按照重量份计，包括：
10份纳米铟锡合金粉末，2份分散剂烷基硫醇以及88份溶剂(由水、醇类、醚类以及酯类中的一种或多种组成)，所述纳米铟锡合金粉末中，锡与铟的重量比为20∶100。纳米铟锡合金粉末的平均粒径为20nm。
采用上述的油墨制备透明导电线路的方法如下：
(1)将上述的油墨放入喷墨打印机中，通过喷墨打印机将上述的油墨按照线路图印刷于玻璃基材上；
(2)通过光波将玻璃基材上的油墨烧结成致密的合金，通过控制微波的强度使烧结温度控制在100℃～350℃；
(3)在空气中加热合金，通过程序控制升温，并控制温度在100～500℃范围，使所述合金缓慢氧化成为透明导电线路。
通过上述方法制备出的导电线路，导电线路由氧化铟锡组成，氧化铟锡的的透光率为80％，电阻率为9×10-3Ω*CM，制备出的导电线路相比采用磁控溅射方法制成的相同材料、相同厚度的导电线路来说，电阻率和透光率相差不大。
实施例3
一种用于制备透明导电线路的油墨，按照重量份计，包括：
30份纳米锡锑合金粉末，3份分散剂烷基酸以及67份溶剂(由水、醇类、醚类以及酯类中的一种或多种组成)，所述纳米锡锑合金粉末中，锑与锡的重量比为1∶100。纳米锡锑合金粉末的平均粒径为40nm。
采用上述的油墨制备透明导电线路的方法如下：
(1)将上述的油墨通过涂布的方法将上述的油墨按照线路图涂布于树脂基材上；
(2)在100℃～250℃的温度下，将所述涂布有油墨的树脂基材放在惰性气体环境中烧结，并且边烧结边将烧结的挥发物抽出，并且不断的通入惰性气体，使树脂基材上的油墨逐渐烧结成致密的锡锑合金；
(3)在富氧环境中加热合金，缓慢的升温，并控制温度在100℃～500℃范围，缓慢氧化所述合金形成透明导电线路。
通过上述方法制备出的导电线路，导电线路由氧化锡锑组成，氧化锡锑的透光率为82％，电阻率为3×10-3Ω*CM，制备出的导电线路相比采用磁控溅射方法制成的相同材料、相同厚度的导电线路来说，电阻率和透光率相差不大。
实施例4
一种用于制备透明导电线路的油墨，按照重量份计，包括：
50份纳米锡锑合金粉末，6份分散剂烷基酸以及44份溶剂(由水、醇类、醚类以及酯类中的一种或多种组成)，所述纳米锡锑合金粉末中，锑与锡的重量比为15∶100。纳米铟锡合金粉末的平均粒径为35nm。
采用上述的油墨制备透明导电线路的方法如下：
(1)将上述的油墨通过涂布的方法将上述的油墨按照线路图涂布于树脂基材上；
(2)在100℃～250℃的温度下，将所述涂布有油墨的树脂基材放在惰性气体环境中烧结，并且边烧结边将烧结的挥发物抽出，并且不断的通入惰性气体，使树脂基材上的油墨逐渐烧结成致密的锡锑合金；
(3)在富氧环境中加热合金，通过程序控制逐步的升温，并控制温度在100℃～500℃范围，缓慢氧化所述合金使合金成为透明导电线路。
通过上述方法制备出的导电线路，导电线路由氧化锡锑组成，氧化锡锑的透光率为85％，电阻率为9×10--3Ω*CM，制备出的导电线路相比采用磁控溅射方法制成的相同材料、相同厚度的导电线路来说，电阻率和透光率相差不大。
实施例5
一种用于制备透明导电线路的油墨，按照重量份计，包括：
60份纳米锌铝合金粉末，8份分散聚乙烯醇以及32份溶剂(由水、醇类、醚类以及酯类中的一种或多种组成)，所述纳米锌铝合金粉末中，铝与锌的重量比为1∶100。纳米锌铝合金粉末的平均粒径为50nm。
采用上述的油墨制备透明导电线路的方法如下：
(1)将上述的油墨通过涂布的方法将上述的油墨按照线路图涂布于透明树脂基材上；
(2)通过微波将透明树脂基材上的油墨烧结成致密的锌铝合金，通过控制微波的强度使烧结温度控制在100℃～250℃；
(3)在富氧环境中加热合金，通过程序控制逐步的升温，并控制温度在100℃～500℃范围，缓慢氧化所述合金形成透明导电线路。
通过上述方法制备出的导电线路，导电线路由氧化锌铝组成，氧化锌铝的透光率为85％，电阻率为4×10-4Ω*CM，制备出的导电线路相比采用磁控溅射方法制成的相同材料、相同厚度的导电线路来说，电阻率和透光率相差不大。
实施例6
一种用于制备透明导电线路的油墨，按照重量份计，包括：
65份纳米锌铝合金粉末，10份分散剂烷基磷酸以及25份溶剂(由水、醇类、醚类以及酯类中的一种或多种组成)，所述纳米锌铝合金粉末中，铝与锌的重量百分比为3％。纳米锌铝合金粉末的平均粒径为60nm。
采用上述的油墨制备透明导电线路的方法如下：
(1)将上述的油墨通过涂布的方法将上述的油墨按照线路图涂布于透明树脂基材上；
(2)在100℃～250℃的温度下，将所述涂布有油墨的透明树脂基材放在惰性气体环境中烧结，并且边烧结边将烧结的挥发物抽出，并且不断的通入惰性气体，使透明树脂基材上的油墨逐渐烧结成致密的锌铝合金；
(3)在富氧环境中，通过控制微波的强度使合金缓慢氧化，并控制温度在100℃～350℃，缓慢氧化所述合金形成透明导电线路。
通过上述方法制备出的导电线路，导电线路由氧化锌铝组成，氧化锌铝的透光率为95％，电阻率为9×10-4Ω*CM，制备出的导电线路相比采用磁控溅射方法制成的相同材料、相同厚度的导电线路来说，电阻率和透光率相差不大。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种用于制备透明导电线路的油墨，其特征在于，按重量份计，该油墨包括：
纳米合金粉末：5～65份；
助剂：1～10份；
溶剂：余量。
2.根据权利要求1所述的用于制备透明导电线路的油墨，其特征在于，所述纳米合金粉末包括纳米铟锡合金粉末、纳米锡锑合金粉末以及纳米锌铝合金粉末中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的用于制备导电线路的油墨，其特征在于，
所述纳米铟锡合金粉末中，锡与铟重量比为2～20∶100；
所述纳米锡锑合金粉末中，锑与锡重量比为1～15∶100；
所述纳米锌铝合金粉末中，铝与锌重量比为1～3∶100。
4.一种透明导电线路的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
将权利要求1-3任一所述油墨按照线路图印刷或者涂布于基材上；
在非氧化性气氛下将基材上的油墨低温烧结成致密的合金；
氧化所述合金形成透明导电线路。
5.根据权利要求4所述的透明导电线路的制备方法，其特征在于，步骤：“在非氧化性气氛下将基材上的油墨低温烧结成致密的合金”具体为：
在100℃～350℃的温度下，将所述印刷或者涂布有油墨的基材放在真空或者惰性环境或者还原性气体中烧结，并且边烧结边将烧结的挥发物抽出，使基材上的油墨逐渐烧结成致密的合金。
6.根据权利要求4所述的透明导电线路的制备方法，其特征在于，步骤：“在非氧化性气氛下将基材上的油墨低温烧结成致密的合金”具体为：
通过光波或者微波将基材上的油墨烧结成致密的合金，通过控制光波或微波的强度使合金烧结温度控制在100℃～350℃。
7.根据权利要求4所述的透明导电线路的制备方法，其特征在于，步骤“氧化所述合金形成透明导电线路”具体为：
在氧气环境下加热合金，控制温度在100℃～500℃范围，缓慢均匀氧化所述合金使合金成为透明导电线路。
8.根据权利要求4-7任一所述的透明导线线路的制备方法，其特征在于，所述基材为玻璃或者透明树脂。
9.一种透明导电线路，其特征在于，所述透明导电线路由透明的合金氧化物组成，所述合金氧化物的透光率为75％～95％，电阻率为8×10-2～5×10-4Ω*CM。所述透明导电线路是通过如下方法制备而成的：
将权利要求1-3任一所述油墨按照线路图印刷或者涂布于基材上；
在非氧化性气氛下将基材上的油墨低温烧结成致密的合金；
氧化所述合金形成透明导电线路。
10.根据权利要求9所述的透明导电线路，其特征在于，所述合金氧化物包括氧化铟锡、氧化锡锑以及氧化锌铝中的一种或多种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100060747A CN103194116A (zh) | 2012-01-09 | 2012-01-09 | 一种油墨、透明导电线路及透明导电线路的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100060747A CN103194116A (zh) | 2012-01-09 | 2012-01-09 | 一种油墨、透明导电线路及透明导电线路的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103194116A true CN103194116A (zh) | 2013-07-10 |
Family
ID=48716939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012100060747A Pending CN103194116A (zh) | 2012-01-09 | 2012-01-09 | 一种油墨、透明导电线路及透明导电线路的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103194116A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103865309A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-06-18 | 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 | 一种水性导电涂布液 |
| CN110972403A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-04-07 | 广东工业大学 | 一种基于纳米铜的精细嵌入式线路的成型方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1723510A (zh) * | 2003-12-17 | 2006-01-18 | 株式会社爱发科 | 透明导电膜的形成方法及透明电极 |
| CN101632136A (zh) * | 2007-03-15 | 2010-01-20 | Dic株式会社 | 凸版反转印刷用导电性油墨 |
| US20100031848A1 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Alloy nanoparticles of sn-cu-ag, preparation method thereof and ink or paste using the alloy nanoparticles |
| CN101650981A (zh) * | 2008-08-12 | 2010-02-17 | 波音公司 | 聚合物基材上的耐久透明导体 |
-
2012
- 2012-01-09 CN CN2012100060747A patent/CN103194116A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1723510A (zh) * | 2003-12-17 | 2006-01-18 | 株式会社爱发科 | 透明导电膜的形成方法及透明电极 |
| CN101632136A (zh) * | 2007-03-15 | 2010-01-20 | Dic株式会社 | 凸版反转印刷用导电性油墨 |
| US20100031848A1 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Alloy nanoparticles of sn-cu-ag, preparation method thereof and ink or paste using the alloy nanoparticles |
| CN101650981A (zh) * | 2008-08-12 | 2010-02-17 | 波音公司 | 聚合物基材上的耐久透明导体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103865309A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-06-18 | 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 | 一种水性导电涂布液 |
| CN103865309B (zh) * | 2014-04-14 | 2016-05-11 | 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 | 一种水性导电涂布液 |
| CN110972403A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-04-07 | 广东工业大学 | 一种基于纳米铜的精细嵌入式线路的成型方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104157331B (zh) | 一种硅太阳能电池电极银包铜浆料及其制备方法 | |
| CN105821378B (zh) | 一种铌掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法 | |
| An et al. | Effect of sol-layers on Sb-doped SnO2 thin films as solution-based transparent conductive oxides | |
| EP2494093A2 (en) | Conductive metal oxide films and photovoltaic devices | |
| US9024179B2 (en) | Solderable polymer thick film conductive electrode composition for use in thin-film photovoltaic cells and other applications | |
| CN101851739A (zh) | 一种高稳定性能透明导电膜用azo溅射靶材及制造方法 | |
| TW201308352A (zh) | 導電膠體及包含此導電膠體之太陽能電池 | |
| CN101562216B (zh) | 具有类金字塔结构的绒面ZnO薄膜的制备方法 | |
| CN103194116A (zh) | 一种油墨、透明导电线路及透明导电线路的制备方法 | |
| Si-Ning et al. | Fabrication and characterization of the AZO/Ag/AZO transparent conductive films prepared by RF magnetron sputtering using powder targets | |
| CN109980129A (zh) | 一种金属氧化物及其制备方法与qled器件 | |
| CN102586741B (zh) | 一种掺杂氧化锌薄膜的制备方法 | |
| CN103924191A (zh) | 在基片上镀制ito薄膜的方法 | |
| Chen et al. | Optical and electronic properties of Mo: ZnO thin films deposited using RF magnetron sputtering with different process parameters | |
| Rivkin et al. | Direct write processing for photovoltaic cells | |
| CN108914064A (zh) | 一种新型rpd用多元导电氧化物材料及其制备方法 | |
| CN108877987A (zh) | 基于柔性衬底的ZnO复合透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN103745765A (zh) | 一种高附着力、低翘曲的晶硅电池背面铝浆 | |
| Shaik et al. | ZnO: Al thin films from (Al2O3) x (ZnO)(1-x) powder targets by magnetron sputtering | |
| Chu et al. | Preparation of indium tin oxide thin films without external heating for application in solar cells | |
| CN102426876A (zh) | H掺fzo透明导电薄膜及其制备方法 | |
| WO2022202563A1 (ja) | 導電性ペースト、太陽電池用電極及び太陽電池 | |
| CN109136863A (zh) | 一种高耐候性的rpd用多元导电氧化物薄膜的制备方法 | |
| CN103778992B (zh) | 一种基于铜氨络合物的铜浆料及其制备方法和应用 | |
| KR101598501B1 (ko) | 실버프린팅을 이용한 태양전지의 투명전극의 제조방법과 이를 이용한 태양전지의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130710 |