CN103187231A - 一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法,主要包括:检测通信是否正常(1)、检测是否高真空状态(2)、高真空未建立(3)、检测水电气是否正常(4)、关所有阀门(5)、开干泵RP2和差分抽气泵RP1(6)、检测冷泵是否制冷完成(8)、开粗抽阀V8(9)、关粗抽阀V8,开阀门V61s、分子泵TP3、WP3和源干泵RP3(10)、检测源分子泵TP1是否开启(11)、低规G15和G18值都小于1(15)、开分子泵TP2(17)、开冷泵隔离阀和高规除气(18)、高真空建立成功(20)、状态错误(21)、提示错误进入手动模式(22)、高真空建立失败(23)。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体器件制造真空控制系统,尤其涉及离子注入机的一种自动建立束线与靶室高真空的方法。
背景技术
离子注入机是一种必须在真空系统下才能正常运行的设备,真空系统是离子注入机整个大系统中的一个重要组成部分之一,它是离子注入机传片系统、引束系统和注入系统的前提和保障,而自动建立高真空系统是离子注入机自动化控制成熟的重要标志,是发展的必然,自动建立束线与靶室高真空又是离子注入机自动建立高真空系统的一个重要组成部分,因此离子注入机必须拥有自己的一套完善的自动建立高真空系统的方法,才能满足社会不断发展的需求。
鉴于自动建立高真空系统的重要性,如何开发出一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法是离子注入机自动化控制急需解决的问题。
发明内容
本发明是针对离子注入机现有技术中自动建立束线与靶室高真空系统的不足,影响设备自动化控制,而开发出的一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法。如图1示意图。
本发明通过以下技术方案实现:
1.一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法,包括:检测通信是否正常(1)、检测束线与靶室是否高真空状态(2)、束线与靶室高真空未建立(3)、检测水电气是否正常(4)、关束线与靶室的所有阀门(5)、开干泵RP2和差分抽气泵RP1(6)、冷泵制冷,等待完成(7)、检测冷泵是否制冷完成(8)、开粗抽阀V8(9)、关粗抽阀V8,开阀门V61s、分子泵TP3、WP3和源干泵RP3(10)、检测源分子泵TP1是否开启(11)、关阀门V46,开阀门V53(12)、关阀门V46,开阀门V53(13)、关阀门V53,开阀门V46(14)、低规G15和G18值都小于1(15)、开阀门V46和V53(16)、开分子泵TP2(17)、开冷泵隔离阀,高规除气(18)、除其完成,开高规(19)、束线与靶室高真空建立成功(20)、状态错误(21)、提示错误进入手动模式(22)、束线与靶室高真空建立失败(23)。
2.一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法,制定了一个系统全面的流程,每个过程阶段都有相应的条件判断,把设备可能出现的状态,全部都考虑了进去,避免了因考虑不周全,存有漏洞,而造成对设备的损坏,根据设备当前不同的状态,进入不同的流程判断,满足相应条件后才能进入下一个阶段,能够安全快速地自动建立源高真空。
3.一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法,如图1中所示:自动过程中如果出现状态错误(21)的问题,会提示错误进入手动模式(22),自动建立源高真空终止,只有再次启动自动建立束线与靶室高真空,才能进入自动流程模式,这样设计的目的:一是保护设备;二是这种情况大部分非软件问题,一般是硬件、结构等其他问题,让用户手动处理,可以节约时间,提高效率。
本发明具有如下显著优点:
1.考虑的比较全面,从辅助的水电气系统,到干泵、分子泵、阀门、低规和高规等都考虑进去,并完善了各个控制点。
2.各个控制点之间都互相联锁,大幅度降低了因硬件、结构等其他原因,因信号异常,对设备造成的损坏。
3.采用状态机的编程模式,通过完善的流程和系统控制方法,在保证设备安全的前提下,提高了程序的执行速度,节约了时间,提高了效率。
附图说明
图1为离子注入机自动建立束线与靶室高真空的流程图。
具体实施方式
下面结合附图1对本发明作进一步的介绍,但不作为对本发明的限定。
如图1中所示,启动自动建立束线与靶室高真空开始命令,首先程序会判断通信的状态,检测通信是否高正常(1),如果通信异常,就会进入状态错误(21),程序会提示错误并进入手动模式(22),需要用户手动进行处理;如果通信正常,就会检测束线与靶室是否高真空状态(2),如果是高真空状态,那么说明束线与靶室已经处于高真空状态了,即束线与靶室高真空建立成功(20),这样自动建立束线与靶室高真空命令执行完成就结束了;如果是非高真空状态,说明束线与靶室高真空未建立(3),这时开始进入较复杂的流程之中。
先检测水电气是否正常(3),由于这些一般是需要手动操作的,因此如果出现状态错误(21),程序会提示错误并进入手动模式(22),需要用户手动进行处理;如果正常,检测当前各个阀门的状态,如果没有关闭,就自动关闭束线与靶室的阀门,之后判断干泵RP2和差分抽气泵RP1的状态,如果没有开启,就自动打开干泵RP2和差分抽气泵RP1,等待干泵RP2已启动完成,检测冷泵当前的状态,如果正在再生或者制冷,就等待冷泵再生和制冷完成;如果没有再生或者制冷,程序会按从P1到P6的顺序依次再生,等到所有冷泵都已经稳定在制冷的状态后,才能打开粗抽阀V8(9),当靶室低规G6真空值低于1时,一般等到0.5左右,关闭粗抽阀V8,打开阀门V61s,分子泵TP3、WP3和源干泵RP3(10),此时需要检测源分子泵TP1的状态,如果源分子泵TP1已经开启,等待源分子泵TP1加速完成,阀门V46和V53只能同时开一个,等待规管G15和G18的真空值都达到1以下且相差小于0.5时,才能同时打开这两个阀门,否则,可能对分子泵造成损害;如果源分子泵TP1是关的状态,那么直接关闭阀门V46,打开阀门V53(12)就可以了,等待G18的真空值小于1以下,一般到0.5左右,打开分子泵TP2(17),若分子泵TP2加速完成,须等分子泵TP2抽一段时间(10分钟)后,打开冷泵隔离阀,束线与靶室高规除气(18),除气时间为30分钟,等分子泵抽10分钟和除气的目的是为了保护束线与靶室高规,延长其使用寿命,除气完成,高规就会自动开启并显示真空值,这时束线与靶室已处于高真空状态,束线与靶室高真空建立成功(20),其中流程中每个部分都可能会出现状态错误(21),程序会提示错误并进入手动模式(22),让用户进行手动处理,束线与靶室高真空建立失败,不管成功与否,自动建立束线与靶室高真空命令都执行结束了。
本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。
Claims (4)
1.一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法,包括:检测通信是否正常(1)、检测束线与靶室是否高真空状态(2)、束线与靶室高真空未建立(3)、检测水电气是否正常(4)、关束线与靶室的所有阀门(5)、开干泵RP2和差分抽气泵RP1(6)、冷泵制冷,等待完成(7)、检测冷泵是否制冷完成(8)、开粗抽阀V8(9)、关粗抽阀V8,开阀门V61s、分子泵TP3、WP3和源干泵RP3(10)、检测源分子泵TP1是否开启(11)、关阀门V46,开阀门V53(12)、关阀门V46,开阀门V53(13)、关阀门V53,开阀门V46(14)、低规G15和G18值都小于1(15)、开阀门V46和V53(16)、开分子泵TP2(17)、开冷泵隔离阀,高规除气(18)、除其完成,开高规(19)、束线与靶室高真空建立成功(20)、状态错误(21)、提示错误进入手动模式(22)、束线与靶室高真空建立失败(23)。
2.如权利要求1所述的一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法,其特征在于:制定了一个系统全面的流程,根据设备当前不同的状态,进入不同的流程判断,满足相应条件后才能进入下一个阶段,能够安全快速地自动建立源高真空。
3.如权利要求1所述的一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法,其特征在于:每个过程阶段都有相应的条件判断,把设备可能出现的状态,全部都考虑了进去,避免了因考虑不周全,存有漏洞,而造成对设备的损坏。
4.如权利要求1所述的一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法,其特征在于:自动过程中如果出现状态错误(12)的问题,会提示错误进入手动模式(13),自动建立束线与靶室高真空终止,只有再次启动自动建立束线与靶室高真空,才能进入自动流程模式,这样设计的目的:一是保护设备;二是这种情况大部分非软件问题,一般是硬件、结构等其他问题,让用户手动处理,可以节约时间,提高效率。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104746033A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito-pvd 设备抽真空控制的方法及系统 |
CN104747422A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Pvd设备冷泵再生控制方法及装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5831851A (en) * | 1995-03-21 | 1998-11-03 | Seagate Technology, Inc. | Apparatus and method for controlling high throughput sputtering |
CN1427446A (zh) * | 2001-12-10 | 2003-07-02 | 日新电机株式会社 | 离子注入设备及离子注入方法 |
CN1901140A (zh) * | 2005-07-20 | 2007-01-24 | 台达电子工业股份有限公司 | 真空控制系统 |
CN101776504A (zh) * | 2009-01-13 | 2010-07-14 | 珠海格力电器股份有限公司 | 抽真空自动报警装置及方法 |
WO2010094801A1 (en) * | 2009-02-22 | 2010-08-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | A method and arrangement for realizing a vacuum in a vacuum chamber |
CN101988487A (zh) * | 2009-08-07 | 2011-03-23 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 真空试验仪器自动泵抽系统及其控制方法 |
JP2011069834A (ja) * | 2010-11-18 | 2011-04-07 | Shimadzu Corp | ヘリウムリークデテクタ |
CN102023654A (zh) * | 2010-12-23 | 2011-04-20 | 北京航空航天大学 | 一种大空间环境模拟试验室压力控制系统及其控制方法 |
CN102129949A (zh) * | 2010-01-19 | 2011-07-20 | 安捷伦科技有限公司 | 用于更换质谱仪中的离子源的系统和方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6323497B1 (en) * | 2000-06-02 | 2001-11-27 | Varian Semiconductor Equipment Assoc. | Method and apparatus for controlling ion implantation during vacuum fluctuation |
CN1282221C (zh) * | 2003-12-08 | 2006-10-25 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 离子注入机 |
CN100521104C (zh) * | 2006-09-19 | 2009-07-29 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种半导体刻蚀设备的控制方法 |
-
2011
- 2011-12-30 CN CN2011104524407A patent/CN103187231A/zh active Pending
-
2012
- 2012-09-17 WO PCT/CN2012/081492 patent/WO2013097491A1/zh active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5831851A (en) * | 1995-03-21 | 1998-11-03 | Seagate Technology, Inc. | Apparatus and method for controlling high throughput sputtering |
CN1427446A (zh) * | 2001-12-10 | 2003-07-02 | 日新电机株式会社 | 离子注入设备及离子注入方法 |
CN1901140A (zh) * | 2005-07-20 | 2007-01-24 | 台达电子工业股份有限公司 | 真空控制系统 |
CN101776504A (zh) * | 2009-01-13 | 2010-07-14 | 珠海格力电器股份有限公司 | 抽真空自动报警装置及方法 |
WO2010094801A1 (en) * | 2009-02-22 | 2010-08-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | A method and arrangement for realizing a vacuum in a vacuum chamber |
CN101988487A (zh) * | 2009-08-07 | 2011-03-23 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 真空试验仪器自动泵抽系统及其控制方法 |
CN102129949A (zh) * | 2010-01-19 | 2011-07-20 | 安捷伦科技有限公司 | 用于更换质谱仪中的离子源的系统和方法 |
JP2011069834A (ja) * | 2010-11-18 | 2011-04-07 | Shimadzu Corp | ヘリウムリークデテクタ |
CN102023654A (zh) * | 2010-12-23 | 2011-04-20 | 北京航空航天大学 | 一种大空间环境模拟试验室压力控制系统及其控制方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104746033A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito-pvd 设备抽真空控制的方法及系统 |
CN104747422A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Pvd设备冷泵再生控制方法及装置 |
CN104747422B (zh) * | 2013-12-31 | 2016-08-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Pvd设备冷泵再生控制方法及装置 |
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