CN100444346C - 一种半导体刻蚀设备中控制分子泵的方法 - Google Patents
一种半导体刻蚀设备中控制分子泵的方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种半导体刻蚀设备中控制分子泵的方法,包括先后执行的开启流程和关闭流程,开启流程包括:判断干泵是否开启,若否,则发出分子泵启动报警;判断腔体压力是否小于分子泵开启压力;若否,则等待干泵抽真空完成;启动分子泵,同时开始记时器;判断分子泵是否正常加速状态;判断分子泵是否稳定工作;关闭流程包括:关闭气动阀三;关闭摆阀;延迟一定时间后,开启计时器;判断分子泵是否正常停止运转;关闭吹扫阀;关闭隔离阀。通过本发明的方法能控制自动检测反应腔室的压力等条件,启动和关闭分子泵,并且在分子泵不正常工作时发出报警,起到保护和自动控制反应腔室压力的作用,使复杂的分子泵操作过程变得简单和可靠。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体工艺控制方法,特别涉及半导体刻蚀设备中控制分子泵的方法。
背景技术
在硅片刻蚀机中,分子泵要求其两端的压力都处于一个较低的压力状况后,才能开始工作。所以分子泵必须在干泵把压力抽到一定的程度后开启。在分子泵工作过程中,干泵必须始终工作,在分子泵关闭后,干泵才能关闭。目前分子泵与干泵的控制方式,主要是在分子泵的开启过程中,判断分子泵正常稳定工作状态的条件,现在可以采用信号量的直接采集判断,而以前则是通过等待一段时间来完成。
分子泵是硅片刻蚀机中比较精密和贵重的部件。它的作用是与干泵一起,使反应腔室达到高真空的条件。分子泵的工作过程是在使用干泵进行粗抽真空后(真空压力小于100mTorr),启动分子泵抽高真空,它可以使刻蚀机的反应腔室达到很低的压力(压力最小可以达到0.1mTorr)。
发明内容
要解决的技术问题
分子泵的转速很高,其稳定工作时的转速达3-4万转/秒,如果腔室压力较高的情况下启动分子泵,那么分子泵承担的压力会过大,很容易损坏。本发明的目的是提供一种控制和保护刻蚀机的分子泵(TMP),使分子泵能与干泵、摆阀等部件能良好的配合工作,并且不受到损坏的一种控制方法。
技术方案
本发明的控制方法,包括分子泵开启和关闭两个流程,其中分子泵开启流程包括如下步骤:
A.判断干泵是否开启,若否,则发出分子泵启动报警;
B.判断腔体压力是否小于分子泵开启压力;若否,则等待干泵抽真空完成;
C.启动分子泵,同时开始记时器;
D.判断分子泵是否正常加速状态;
E.判断分子泵是否稳定工作。
其中,判断分子泵是否正常加速的步骤包括以下具体过程:
D1.分子泵是否加速,若是,结束判断;
D2.计数器是否大于分子泵加速时间标准,若否,则返回D1;
D3.发出分子泵加速超时报警。
其中,判断分子泵是否稳定工作的步骤包括以下具体过程:
E1.分子泵是否处理于稳定工作状态?若是,判断结束;
E2.计数器是否大于分子泵达到稳定工作时间标准,若否,则返回E1;
E3.发出分子泵稳定速度超时报警。
若分子泵启动程序中出现一种报警发出后,报警会在用户界面处给出提示,并且中断TMP开启程序。在处理完报警后,需要人为操作重新进入TMP启动程序。分子泵启动程序结束后,刻蚀设备就可以在反应腔室中进行刻蚀工艺工作了。
其中分子泵关闭流程包括如下步骤:
F.关闭气动阀三;
G.关闭摆阀;
H.延迟一定时间后,关闭分子泵,开启计时器;
I.判断TMP是否正常停止运转;
J.关闭吹扫阀;
K.关闭隔离阀。
其中判断TMP是否正常关闭的步骤包括以下具体过程:
I1.TMP是否已经停止运转,若是,停止判断;
I2.检查计时器是否大于标准时间(如设定的900秒),若否,返回I1;
I3.发出TMP关闭超时报警。
在分子泵发出报警后,会在系统软件的操作界面上产生报警信息(操作界面上发生报警的相应位置处会变为红色并闪烁),等待操作者处理。同时,系统的灯塔会变为红灯闪烁,并发出报警声。
TMP关闭超时报警后,关闭程序也会退出,并等待人为处理。由工作人员检查控制计算机与TMP之间通信或TMP设备本身的问题,等问题解决后,重新进入TMP关闭程序,或由工作人员在TMP控制面板上,手工直接关闭。
有益效果
本发明能控制自动检测反应腔室的压力等条件,启动和关闭分子泵,并且在分子泵不正常工作时发出报警,起到保护和自动控制反应腔室压力的作用,使复杂的分子泵操作过程变得简单和可靠。
附图说明
图1为本发明功能实现的硬件系统示意图;
图2为本发明开启分子泵的流程图;
图3为本发明关闭分子泵的流程图。
图中:1、腔室;2、静电卡盘;3、项针;4、槽阀;5、干泵;6、分子泵;7、摆阀;8、隔离阀;9、手动限流阀;10、氮气调节阀;11、吹扫阀;12、慢旁路阀;13、快旁路阀;14、氦气阀;15、温控系统;16、上匹配器;17、上电极;18、离子规;19、压力开关;20、终点检测;21、下电极;22、下匹配器;23、气体控制板;24、压力传感器;25、气动阀一;26、气体吹扫阀;27、质量流量控制器;28、气动阀二;29、气动阀三;30、气体;31、氮气;32、氮气;33、氦气。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由各项权利要求限定。
本发明的方法所应用的系统按用途可分为以下七个子系统:真空子系统(vacuum subsystem)、气路子系统(gas delivery subsystem)、下电极子系统(E_Chuck subsystem)、腔室子系统(chambersubsystem)、RF子系统(radio frequency subsystem)、温控子系统(temperature control subsystem)、终点子系统(endpoint subsystem)。系统的结构如图1所示。在系统中,本发明的方法用软件运行于工业控制计算机之上,操作系统为windows2000professional。工业控制计算机通过多种IO背板,直接与各种受控器件相连。通过下面的流程,可以很好的控制分子泵的运行,在实际应用中,能够完全满足实际的需求。
对分子泵开启和关闭的控制方法如下:
开启:
首先判断干泵是否开启,若否,则发出分子泵启动报警;若干泵已经开启,则判断腔体压力是否小于分子泵开启压力,若否,则等待干泵抽真空完成;若腔体压力小分子泵开启压力,则启动分子泵,同时开启记时器。
判断分子泵是否正常进入加速状态,若分子泵没有加速,则判断计时器是否大于TMP加速时间标准,若否,则继续判断分子泵是否加速;若分子泵没有加速而计时器大于TMP加速时间标准,则发出分子泵加速超时报警。
若分子泵已经加速,则判断分子泵是否处理于稳定工作状态?若是,则分子泵启动流程结束。
若分子泵没有进入稳定工作状态,则判断计时器是否大于TMP达到稳定工作时间标准,若否,则继续判断分子泵是否处理于稳定工作状态;若分子泵没有进入稳定工作状态而计时器大于TMP达到稳定工作时间标准,则发出分子泵稳定速度超时报警。
当分子泵完成工作后,关闭流程:
依次关闭气动阀三、关闭摆阀,延迟一定时间(如5秒,根据不同设备设定不同时间值)后,开启计时器。
判断TMP是否已经停止运转,若否,则检查计时器是否大于标准时间(如900秒,根据不同设备设定不同的标准值),若否,则继续判断TMP是否已经停止运转;若分子泵没有停止运转,而计时器大于标准时间(900秒),则发出TMP关闭超时报警。
若TMP已经停止运转,则依次关闭吹扫阀、隔离阀,分子泵关闭流程完成。
对流程中的各个参数,我们在实际中设置的数值为:TMP开启压力,88mTorr;TMP启动时间,2min;TMP稳定工作时间,10min;腔室最终工作压力,1mTorr。这些参数随着物理器件的不同会有所不同。
Claims (4)
1、一种半导体刻蚀设备中控制分子泵的方法,其特征在于,包括先后执行的开启流程和关闭流程,开启流程包括:
A.判断干泵是否开启,若否,则发出分子泵启动报警;
B.判断腔体压力是否小于分子泵开启压力;若否,则等待干泵抽真空完成;
C.启动分子泵,同时开始记时器;
D.判断分子泵是否正常加速状态;
E.判断分子泵是否稳定工作;
关闭流程包括:
F.关闭气动阀三;
G.关闭摆阀;
H.延迟一定时间后,关闭分子泵,开启计时器;
I.判断分子泵是否正常停止运转;
J.关闭吹扫阀;
K.关闭隔离阀。
2、如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤D所述判断分子泵是否正常加速的步骤包括以下具体过程:
D1.分子泵是否加速,若是,结束判断;
D2.计数器是否大于分子泵加速时间标准,若否,则返回D1;
D3.发出分子泵加速超时报警。
3、如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤E所述判断分子泵是否稳定工作包括以下具体过程:
E1.分子泵是否处理于稳定工作状态?若是,判断结束;
E2.计数器是否大于分子泵达到稳定工作时间标准,若否,则返回E1;
E3.发出分子泵稳定速度超时报警。
4、如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤I所述判断分子是否正常关闭的步骤包括以下具体过程:
I1.分子泵是否已经停止运转,若是,停止判断;
I2.检查计时器是否大于标准时间,若否,返回I1;
I3.发出分子泵关闭超时报警。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6274507B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and method |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6274507B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and method |
US20050189320A1 (en) * | 2003-03-04 | 2005-09-01 | Tomoyoshi Ichimaru | Plasma processing method |
CN1538502A (zh) * | 2003-04-16 | 2004-10-20 | ���������ƴ���ʽ���� | 真空处理装置和基板传送方法 |
CN1684236A (zh) * | 2004-03-29 | 2005-10-19 | 东京毅力科创株式会社 | 真空装置、其颗粒监控方法、程序以及颗粒监控用窗口部件 |
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