CN103185987A - 具有包含埋置离散场放大器的像素的液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本发明披露了一种多区域液晶显示器。该显示器包含埋置离散场放大器，所述埋置离散场放大器位于该显示器的色点后面。具体而言，埋置离散场放大器具有一极性，该极性不同于色点的极性，色点位于埋置离散场放大器前面。此极性的不同会增强色点的离散场电场或在某些情形中可形成额外离散场。增强的离散场或额外离散场会提高该显示器的效能。

Description

具有包含埋置离散场放大器的像素的液晶显示器

技术领域

本发明是关于一种液晶显示器，特别是指一种可以平滑型基板制造的大像素多区域垂直配向液晶显示器。

背景技术

初次使用在如计算机与电子表的简单单色显示器的液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)，系已变成最优势的显示科技。液晶显示器系经常用来取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)在电脑显示与电视显示上的应用。液晶显示器的各种缺点已经被克服以改善液晶显示器的品质。举例来说，广泛地取代被动矩阵显示器的有源矩阵显示器，是相对于被动矩阵显示器具有降低鬼影(Ghosting)且改善解析度(Resolution)、色阶(Color Gradation)、视角(ViewingAngle)、对比(Contrast Ratio)以及反应时间(Response Time)的成效。

然而，传统扭转向列液晶显示器(Twisted Nematic LCD)的主要缺点系为非常窄的视角以及非常低的对比。甚至连有源式矩阵的视角更窄于阴极射线管的视角。尤其是当观看者直接地在液晶显示器前面收看一高画质影像时，在液晶显示器侧旁的其他观看者则无法看到此一高画质影像。多区域垂直配向液晶显示器(Multi-domain Vertical Alignment Liquid Crystal Display，MVA LCD)系被发展来改善液晶显示器的视角以及对比。请参考图1(a)-1(c)，其表示一垂直配向液晶显示器100的像素基本功能。为了清楚地解说，图1的液晶显示器仅使用单一区域(Single Domain)。再者，为了清楚地解说，图1(a)-1(c)(以及图2)的液晶显示器系依据灰度操作来叙述。

液晶显示器100具有一第一偏光片105、一第一基板110、一第一电极120、一第一配向层125、多个液晶130、一第二配向层140、一第二电极145、一第二基板150以及一第二偏光片155。一般而言，第一基板110与第二基板150是由透明玻璃所制成。第一电极120与第二电极145是由如氧化铟锡(Indium TinOxide，ITO)的透明导电材质所制成。第一配向层125与第二配向层140系由聚酰亚氨(Polyimide，PI)所制成，且与在静止态的液晶130垂直地配向。在操作时，一光源(图未示)从贴附在第一基板110的在下面的第一偏光片105射出光线。第一偏光片105通常在一第一方向偏振，且贴附在第二基板150的第二偏光片155与第一偏光片104垂直地偏振。因此，从光源而来的光线并不会同时穿透第一偏光片105与第二光偏光片155，除非光线的偏振在第一偏光片105与第二偏光片155之间旋转90度。为了清楚说明，并未显示很多的液晶。在实际的显示器中，液晶为棒状分子(rod like molecules)，其直径大约为5埃(Angstrom，

长度大约20-25埃。因此，在一像素中有超过一千两百万的液晶分子，其中像素的长、宽、高分别为300微米(micrometer，μm)、120微米、3微米。尽管图未示出，然而许多液晶显示器（尤其是有源矩阵式液晶显示器）于第一电极120的底部上包含一钝化层（passivation layer）。钝化层于第一电极120与可能形成于基板上的装置及导体之间用作一绝缘层。钝化层通常使用氮化硅形成。

在图1中，液晶130为垂直配向。在垂直配向中，液晶130并不会将从光源的偏振极光转向。因此，从光源来的光线并不会穿过液晶显示器100，且对所有颜色及所有间隙晶胞(cell gap)而言，提供一个完全地光学暗态(optical blackstate)及非常高的的对比度(contrast ratio)。因此，多区域垂直配向液晶显示器相对传统的低对比度的扭转式向列型液晶显示器而言，在对比度上提供一个显著的改善。然而，如图1(b)所示，当在第一电极120与第二电极145之间加入一个电场(electric field)时，液晶130即重新定向到一倾斜位置(tilted position)。在倾斜位置的液晶是将从第一偏光片105而来的偏振光线的偏振转向90度，以致光线可以穿过第二偏光片155。而倾斜的大小，即控制光线穿过液晶显示器的多寡(如像素的亮度)，是与电场强度成正比。一般而言，单一个薄膜晶体管，是用在每一个像素上。然而对彩色显示器而言，各别的薄膜晶体管是用在每一色分量(color component，典型地为红、绿及蓝)。

然而，对不同角度的观看者而言，光线通过液晶显示器120并不是相同的。如图1(c)所示，在中央左边的观看者172会看到亮像素(bright pixel)，因为液晶显示器130宽阔(光线转向)的一侧是面对观看者172。位在中央的观看者174会看到灰像素(gray pixel)，因为液晶显示器130宽阔的一侧是仅部分地面对观看者174。而位在中央右侧的观看者176会看到暗像素(dark pixel)，因为液晶显示器130宽阔的一侧几乎没有面对观看者176。

多区域垂直配向液晶显示器(MVA LCDs)是被发展来改善单区域垂直配向液晶显示器(single-domain vertical alignment LCD)的视角问题。请参考图2，其表示一多区域垂直配向液晶显示器(MVA LCDs)200的像素。多区域垂直配向液晶显示器200包括一第一偏光片205、一第一基板210、一第一电极220、一第一配向层225、若干液晶235、237、若干突起物260、一第二配向层240、一第二电极245、一第二基板250以及一第二偏光片255。液晶235是形成像素的第一区域(first domain)，而液晶237则形成像素的第二区域(seconddomain)。当在第一电极220与第二电极245之间施加一电场时，突起物260会导致液晶235相对液晶237而倾斜一不同的方向。因此，中央偏左的观看者会看到左边区域(液晶235)呈现黑色(black)而右边区域(液晶237)呈现白色(white)。在中央的观看者则会同时看到两个区域而呈现灰色。中央偏右的观看者则会看到左边区域呈现白色而右边区域呈现黑色。然而，因为个别单独的像素很小，因此三个观看者都认为像素是灰色的。如上所述，液晶的倾斜的大小，是由在电极220与245之间的电场大小所控制。观看者所感知的灰度是与液晶倾斜大小相关联。多区域垂直配向液晶显示器也可以扩大到使用四个区域，以便在一像素中的液晶方向被区分为四个主区域，以提供同时在垂直与水平方向上的宽大且对称的视角。

因此，提供宽大且对称的视角的多区域垂直配向液晶显示器，成本却非常高，因为将突起物增加到上、下基板的困难，以及将突起物正确地配向到上、下基板的困难。尤其是在下基板的一突起物必须设置在上基板的二突起物中央；任何在上、下基板之间的配向，都将会降低生产良率。其他在基板上使用物理特性的技术，如已用来取代或结合突起物使用的氧化铟锡间隙(ITO slits)，在制造上非常昂贵。再者，突起物与氧化铟锡间隙无法传输光线，也因此降低多区域垂直配向液晶显示器的亮度及对比度（contrast ratio）。

然而，已开发出无需在基板上使用物理特征（例如，突起物或氧化铟锡间隙）的多区域垂直配向液晶显示器。具体而言，这些多区域垂直配向液晶显示器系使用离散场来形成多区域。在无需物理特征的情况下，将消除对顶部基板及底部基板的物理特征进行配向的困难。因此，使用离散场的多区域垂直配向液晶显示器较在基板上使用物理特征的多区域垂直配向液晶显示器具有更高的良率且制造成本更低。

请参考图3(a)及图3(b)，其表示依据本发明基本概念，无须在基板上使用物理特性，以产生一多区域垂直配向液晶显示器(MVA LCD)300的示意图。而图3(a)及图3(b)系显示出在一第一基板305与一第二基板355之间，具有像素310、320及330。一第一偏光片302系粘贴到第一基板305，且一第二偏光片357系粘贴到第二基板355。像素310包含有一第一电极311、若干液晶312、313以及一第二电极315。像素320包含有一第一电极321、若干液晶322、323以及一第二电极325。相似地，像素330包含有一第一电极331、若干液晶332、333以及一第二电极335。所有电极一般地架构系使用如氧化铟锡(ITO)的透明导电材质。再者，一第一配向层307系覆盖在第一基板305上的电极之上。相似地，一第二配向层352系覆盖在第二基板355上的电极之上。二液晶配向层307及352系提供一垂直液晶配向。为了下列的更加详细叙述，电极315、325及335系维持在一共同电压(common voltage)V_Com。因此，为了容易制造，电极315、325及335系为一单一结构(如图3(a)及图3(b)所示)。多区域垂直配向液晶显示器300系使用交替偏振以操作像素310、320及330。举例来说，若像素310与330的偏振为正(positive)的话，则像素320的偏振为负(negative)。相反地，若像素310与330的偏振为负(negative)的话，则像素320的偏振为正(positive)。一般来说，每一像素的偏振系在帧(frames)间切换，但交替偏振的图案(pattern)系维持在每一帧中。在图3(a)中，像素310、320及330系在“关闭(OFF)”状态，意即关闭在第一与第二电极之间的电场(electric field)。在关闭状态下，某些残余电场可能存在第一与第二基板之间。然而，一般而言，残余电场太小而无法使液晶倾斜。

在图3(b)中，像素310、320及330系处在“开启(ON)”状态。而图3(b)系使用“+”及“-”代表电极的电压极性(voltage polarity)。因此，电极311及331具有正电压极性，而电极321具有负电压极性。基板355与电极315、325及335系保持在共同电压V_Com。电压极性系相对共同电压V_Com来定义，其中一正极性系其电压高于共同电压V_Com，一负极性系其电压低于共同电压V_Com。在电极321与325之间的电场327(以电力线表示)系造成液晶322与323倾斜。一般而言，没有突起物或其他物理特性，液晶的倾斜方向不会被在一垂直的液晶配向层307与352的液晶所固定。然而，在像素边缘的离散电场会影响到液晶的倾斜方向。举例来说，在电极321与325之间的电场327，系垂直围绕像素320中心，但倾斜到像素左半部的左边，以及倾斜到像素右半部的右边。因此，在电极321与325之间的离散电场系造成液晶323倾斜到右边而形成一第一区域，且造成液晶322倾斜到左边而形成一第二区域。因此，像素320系为具有对称宽视角的多区域像素。

相似地，在电极311与315之间的电场(图未示)系具有离散电场，此离散电场系造成液晶313重新定位，且倾斜到像素312右侧的右边，也造成液晶312倾斜到像素310左测的左边。相似地，在电极331与335之间的电场(图未示)系具有离散电场，此离散电场系造成液晶333重新定位，且倾斜到像素330右侧的右边，也造成液晶332倾斜到像素330左测的左边。

邻近像素的交替极性系放大每一像素离散场效(fringe field effect)。因此，借由在每列的像素(或每栏的像素)之间重复交替极性图案，即可无须物理特性而达到一多区域垂直配向液晶显示器。再者，可以使用交替极性棋盘图案，以在每一像素产生四个区域。

然而，一般而言，离散场效系相对地小且微弱。所以，当像素变较大时，在像素边缘的离散电场系无法传递到在一像素中的所有液晶。因此，在大像素中，对于远离像素边缘的液晶的倾斜方向系随意变化，且不会产生一多区域像素。一般而言，当像素变得大于40-60微米(micrometer，μm)时，像素的离散场效不会影响控制液晶倾斜。故，对大像素液晶显示器而言，使用一新颖的像素区分方法来达到多区域像素。尤其是对彩色液晶显示器而言，像素系区分成色分量。每一色分量系由如薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)的一个别的切换装置所控制。一般而言，色分量为红色、绿色及蓝色。依据本发明，一像素的色分量系进一步区分成色点(color dots)。

每一像素的极性系在影像的的每一连续帧之间做切换，以避免图像品质的降低，而图像品质的降低系因为在每一帧中液晶在相同方向扭曲。然而，若是所有的切换元件系为相同极性者，则色点极性图案切换系可能造成其他如闪烁(flicker)的图像品质问题。为了降低闪烁，切换元件(如晶体管)系配置在一切换元件驱动模式中，此机制包括正、负极性。再者，为了降低串影(cross talk)，切换元件的正、负极性系被配置在一固定图案中，此固定图案系提供一更稳定的配电。不同的切换元件驱动模式系使用在本发明的实施例中。有三个主要的切换元件驱动模式，系为切换元件点反转驱动模式(switching element pointinversion driving scheme)、切换元件列反转驱动模式(switching element rowinversion driving scheme)以及切换元件行反转驱动模式(switching elementcolumn inversion driving scheme)。在切换元件点反转驱动模式中，切换元件系形成一交替极性的棋盘图案。在切换元件列反转驱动模式中，在每一列的切换元件具有相同极性；然而，在一列上的一切换元件相对于邻近列的切换元件的极性而具有相反极性。在切换元件行反转驱动模式中，在每一行的切换元件具有相同极性；然而，在一行上的一切换元件相对于邻近行的切换元件的极性而具有相反极性。当切换元件点反转驱动模式提供最稳定的配电时，切换元件点反转驱动模式的复杂性与额外的成本，相比较切换元件列反转驱动模式与切换元件行反转驱动模式而言，是不划算的。因此，当切换元件点反转驱动模式通常保持在高性能应用时，对于大部分低成本与低电压应用的液晶显示器的制造，系使用切换元件列反转驱动模式。

（新）像素可包含各种关键组件（key component），这些关键组件被设置成用以达成高品质、低成本显示单元。举例而言，像素可包含色分量（colorcomponent）、色点（color dot）、离散场放大区域（fringe field amplifying region，FFAR）、切换元件（switching element）、装置组件区域（device component area）、及关联点（associated dot）。使用这些各种组件的显示器阐述于以下专利文献中：名称为“使用离散场的大像素多区域垂直配向液晶显示器（Large PixelMulti-Domain Vertical Alignment Liquid Crystal Display Using Fringe Fields）”的美国专利第7,630,033号、名称为“用于多区域垂直配向液晶显示器的使用关联点极性的像素（Pixels Using Associated Dot Polarity for Multi-DomainVertical Alignment Liquid Crystal Displays）”的美国专利申请案第11/751,454号、名称为“用于多区域垂直配向液晶显示器的具有极性延伸区域的像素（PixelsHaving Polarity Extension Regions For Multi-Domain Vertical Alignment LiquidCrystal Displays）”的美国专利申请案第12/018,675号、以及名称为“用于多区域垂直配向液晶显示器且具有跨位面离散场放大区域的像素（Pixels havingFringe Field Amplifying Regions for Multi-Domain Vertical Alignment LiquidCrystal Displays）”的美国专利申请案第12/573,085号，这些专利文献以引用方式并入本文中。

此装置元件区域系包含占用切换元件及/或储存电容的区域，而且此区域系被用来制造切换元件及/或储存电容。为了清楚说明，一不同的装置元件区域系由每一切换元件所界定。

关联点与离散场放大区域为电性偏振区域(electrically polarized area)，而并未是色分量的一部分。在本发明许多的实施例中，关联点系覆盖装置元件区域。对这些实施例而言，关联点系由将一绝缘层沉积覆盖在切换元件及/或储存电容上所制成。接着，借由沉积一电性导电层以形成所述的关联点。此关联点系电性地连接到特定的切换元件及/或其他偏振元件(例如色点)。储存电容系电性地连接到特定的切换元件及色点电极(color dot electrodes)，以在液晶盒打开(switching-on)或是关掉(switching off)的过程期间补偿并抵销在液晶盒上的电容值变化。因此，储存电容系用来在液晶盒打开或是关掉的过程期间减低串影效应(cross talk effect)。一图案化掩模(patterning mask)系使用在当关联点需要形成图案化电极(patterned electrode)之时。一般而言，系附加一黑色矩阵层(blackmatrix layer)以形成对色点、切换元件、DCA及关联点的一光屏蔽(light shield)。一般而言，黑色矩阵层系为黑色的，然而某些显示器使用不同颜色来达成一所需的颜色图案或阴影(shading)。附加一颜色层以给予色点所需的颜色。一般而言，颜色层系借由在对应的ITO玻璃基板上沉积一滤色层(color filter layer)而获得。具体而言，在第二基板355与第二电极315、325、及335之间沉积一图案化滤色层，且其图案对应于色点及关联点的颜色。然而，某些显示器亦可在第一基板305上将一图案化滤色层放置于下列的顶部上或底下：切换元件、色点的电极层、关联点、或DCA。

在本发明其他实施例中，关联点系为与切换元间相互独立的一区域。再者，本发明的某些实施例具有额外的关联点，此等关联点并不直接地与切换元件相关。一般而言，关联点系包括如氧化铟锡(ITO)或其他导电层的一有源电极层(active electrode layer)，且连接到一附近的色点或者是以其他手段供电。对不透明的关联点而言，一黑色矩阵层可以被附加在导电层的底部上，以形成不透明区域(opaque area)。在本发明某些实施例中，黑色矩阵可以被制造在氧化铟锡(ITO)玻璃基板侧上，以简化制程(fabrication process)。额外的关联点系改善显示区域有效的使用，借以改善开口率(aperture ratio)且在色点内形成多个液晶区域(liquid crystal domains)。本发明的某些实施例使用关联点以改善色彩表现。举例来说，关联点的小心布局(careful placement)可以允许附近色点的颜色从有用的色彩图案进行修饰。

离散场放大区域(FFARs)系比关联点更加多功能。特别是，离散场放大区域系可以具有非矩形形状，虽然一般来说璃散场放大区域的整体形状可以被划分成一矩形形状组。再者，离散场放大区域系沿着多于一色点的一侧而延伸。而且，在本发明某些实施例中，离散场放大区域可以被用来取代关联点。尤其是，在这些实施例中，离散场放大区域不仅覆盖装置元件区域，而且沿着多于邻近装置元件区域的色点一侧而延伸。

一般而言，色点、装置组件区域、及关联点排列成一格状图案，且以一水平点间距HDS及一垂直点间距VDS而彼此间隔开。当使用离散场放大区域来取代关联点时，离散场放大区域的部分亦适配于格状图案中。在某些显示器中，可使用多个垂直点间距多个水平点间距。每一色点、关联点、及装置组件区域在一第一维度（例如，垂直维度）中具有二相邻组件（例如，色点、关联点、或装置组件区域），且在一第二维度（例如，为水平的）中具有二相邻组件。此外，二相邻组件可为配向的或偏移的。每一色点具有一色点高度CDH及一色点宽度CDW。相似地，每一关联点具有一关联点高度ADH及一关联点宽度ADW。此外，每一装置组件区域具有一装置组件区域高度DCAH以及一装置组件区域宽度DCAW。在某些显示器中，色点、关联点、及装置组件区域具有相同尺寸。然而，在许多显示器中，色点、关联点、及装置组件区域可具有不同尺寸或形状。举例而言，在许多显示器中，关联点的高度小于色点的高度。

随着具有更高效能的可携式装置的流行，越来越需要在液晶显示器中达成更高的像素密度，这是因可携式装置通常较用于电视机或电脑显示器的液晶显示器屏幕更靠近一使用者的眼睛。然而，高像素密度需要更小的像素，而此可导致亮度降低，这是因液晶显示器中的许多装置组件的尺寸无法与像素尺寸减小量同等地减小。此外，像素或色点中各种装置组件间之间距会在显示器的表面积中占据一更大百分比。此外，许多移动装置包含供使用者输入的触控屏幕。触控屏幕装置可使一液晶显示器面板出现触碰云纹效应（touch mura effect），该触碰云纹效应系起因于液晶的物理扰动。触碰云纹效应系指不规则图案或区域造成不均一的屏幕均匀性。液晶的物理扰动可系由摇动（shaking）、震动（vibration）、及在显示器上的按压所造成。特别是，垂直配向液晶显示器非常容易因在显示器上的按压而造成触碰云纹效应。尤其是，在一垂直配向液晶显示器上的按压可使液晶厚度局部地变平，且在显示器上形成一干扰效应。因此，需要一种用于使各种组件间之间距最小化的方法或系统以提高光学透射率（optical transmission），且需要一种用于降低一垂直配向液晶显示器中的触碰云纹效应的方法或系统。

发明内容

因此，本发明提供一种垂直配向液晶显示器，该垂直配向液晶显示器具有更高的像素密度及降低的触碰云纹效应。

具体而言，本发明的各实施例系使用具有色点的新颖像素设计，这些色点具有用于放大离散场的埋置极性区域(embedded polarity regions，EPR)，离散场可增强多区域垂直配向操作，且亦更快地将液晶恢复至其正确位置。此外，本发明的各实施例包含埋置离散场放大器，所述埋置离散场放大器无需广阔的区域便能够放大离散场，从而获得一高的光学透射率。此外，本发明的各实施例的光学透射率增大，从而可获得更高的亮度、同时可降低背光单元的电功率消耗。

举例而言，依据本发明的某些实施例，一像素包含一第一色分量、一第一切换元件及一埋置离散场放大器。该第一色分量具有一第一色分量第一色点，该第一色分量第一色点系耦接至该第一切换元件。该第一埋置离散场放大器系位于该第一色分量第一色点后面。更具体而言，该第一色分量第一色点的一第一边缘及一第二边缘系位于该第一埋置离散场放大器前面。该像素亦包含一第二色分量，该第二色分量具有一第二色分量第一色点，该第二色分量第一色点系耦接至一第二切换元件。该第二色分量第一色点具有一第一边缘及一第二边缘，该第一边缘及该第二边缘系位于该第一埋置离散场放大器前面。在本发明的其他实施例中，该第一埋置离散场放大器系用于该第一色分量，且一第二埋置离散场放大器系与该第二色分量一起使用。具体而言，该第二埋置离散场放大器系位于该第二色分量第一色点后面。该第二色分量第一色点的至少一第一边缘及一第二边缘系位于该第二埋置离散场放大器前面。

在本发明的再一些实施例中，埋置离散场放大器包含垂直埋置部及水平埋置部。举例而言，在本发明的某些实施例中，一像素包含：一第一色分量，具有一第一色分量第一色点；一第一切换元件，耦接至该第一色分量第一色点；以及一第一埋置离散场放大器，具有一第一垂直埋置部及一第一水平埋置部。该第一垂直埋置部系位于该第一色分量第一色点的一第一边缘后面，且该第一水平埋置部系位于该第一分量第一色点的一第二边缘后面。该第一埋置离散场放大器可包含额外的水平埋置部及额外的垂直埋置部。举例而言，在本发明的一实施例中，该第一埋置离散场放大器亦包含一第二垂直埋置部及一第二水平埋置部，该第二垂直埋置部系位于该第一色分量第一色点的一第三边缘后面，该第二水平埋置部系位于该第一色分量第一色点的一第四边缘后面。

借由以下说明与图式，将会更全面地理解本发明。

附图说明

图1(a)-1(c)为一已知单区域垂直配向液晶显示器的一像素的三个图示。

图2为一已知多区域垂直配向液晶显示器的一像素的一图示。

图3(a)-3(b)例示依据本发明一实施例的一多区域垂直配向液晶显示器。

图4(a)-4(b)例示依据本发明一实施例的一像素设计。

图5(a)-5(c)例示依据本发明一实施例的一色点。

图6(a)-6(b)例示依据本发明一实施例的一色点。

图7(a)-7(c)例示依据本发明一实施例的一像素设计。

图7(d)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图7(e)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图7(f)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图8(a)-8(c)例示依据本发明一实施例的一像素设计。

图8(d)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图9(a)-9(b)例示依据本发明一实施例的一像素设计。

图9(c)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图10(a)-10(b)例示依据本发明一实施例的一像素设计。

图10(c)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图10(d)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图11(a)-11(c)例示依据本发明一实施例的一像素设计。

图11(d)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图11(e)-11(f)例示依据本发明一实施例的一像素设计。

图11(g)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图11(h)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图12(a)-12(b)例示依据本发明一实施例的一像素设计。

图12(c)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图12(d)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图13(a)-13(b)例示依据本发明一实施例的一像素设计。

图13(c)例示依据本发明一实施例的一显示器的一部分。

图14例示一埋置离散场放大器。

图15例示一埋置离散场放大器。

图16例示一埋置离散场放大器。

图17例示依据本发明一实施例的一半透半反射性像素设计。

图18例示依据本发明一实施例的一半透半反射性色点。

主要元件符号说明：

302  第一偏光片

305  第一基板

307  第一配向层

310  像素

311  第一电极

312  液晶

313  液晶

315  第二电极

320  像素

321  第一电极

322  液晶

323  液晶

325  第二电极

327  电场

330  像素

331  第一电极

332  液晶

333  液晶

335  第二电极

352  第二配向层

355  第二基板

357  第二偏光片

410  像素设计

500  色点

510  电极

512  埋置极性区域

514  钝化层

516  埋置电极

518  改变导电性区域

600  色点

610  电极

612  埋置极性区域

614  钝化层

616  埋置电极

710  像素设计

712  导体

714  导体

716  导体

720  显示器

730  显示器

740  显示器

810  像素设计

812  导体

820  显示器

821  透明基板

823  钝化层

827  钝化层

840  显示器

910  像素设计

920  显示器

1010 像素设计

1020 显示器

1030 显示器

1110 像素设计

1112 电极

1114 电极

1116 电极

1121 透明基板

1123 钝化层

1127 钝化层

1140 显示器

1160 显示器

1210 像素设计

1214 电极

1216 电极

1220 显示器

1230 显示器

1310 像素设计

1320 显示器

1400 埋置离散场放大器

1500 埋置离散场放大器

1600 埋置离散场放大器

1710 像素设计

1800 色点

CC_1 色分量

CC_2 色分量

CC_3 色分量

CD_1_1 色点

CD_1_2 色点

CD_1_3 色点

CD_2_1 色点

CD_2_2 色点

CD_2_3 色点

CD_3_1 色点

CD_3_2 色点

CDH  色点高度

CDW  色点宽度

DCA_1 装置元件区域

DCA_2 装置元件区域

DCA_3 装置元件区域

EPR_1_1  埋置极性区域

EPR_1_2  埋置极性区域

EPR_2_1  埋置极性区域

EPR_2_2  埋置极性区域

EPR_3_1  埋置极性区域

EPR_3_2  埋置极性区域

EPR_SE_0_1  埋置极性区域切换元件

EPR_SE_0_2  埋置极性区域切换元件

EPR_SE_1_1  埋置极性区域切换元件

EPR_SE_1_2  埋置极性区域切换元件

FFAR_1  离散场放大区域

FFAR_2  离散场放大区域

FFAR_3  离散场放大区域

HAP  水平放大部

HAP_H  水平放大部高度

HAP_W  水平放大部宽度

HDO1  水平点偏移

HDS1  水平点间距

HFFARS  水平离散场放大区域间距

HPS  水平像素间距

SE_1  切换元件

SE_2  切换元件

SE_3  切换元件

VDO1  垂直点偏移

VDS1  垂直点间距

VFFARS  垂直离散场放大区域间距

VPS  垂直像素间距

具体实施方式

如上所述，已知垂直配向液晶显示器具有有限的光学透射率，且极易因液晶受到物理扰动而造成触碰云纹效应。然而，依据本发明原理的垂直配向液晶显示器系使用埋置离散场放大器，此等埋置离散场放大器能达成更高的开口率（aperture ratio）以增大光学透射率。此外，埋置离散场放大器会增强多区域垂直配向操作，并借由增强横向离散场来降低触碰云纹效应，进而有助于增强多区域垂直配向操作并亦有助于使液晶在一物理扰动之后恢复至其正确定向。因此，依据本发明的垂直配向液晶显示器具有提高的光学透射率，并可迅速地消除由液晶的物理扰动所造成的触碰云纹效应。

图4(a)及图4(b)显示依据本发明一实施例的一像素设计410（如下所述被标示为410+及410-）的不同点极性图案。在实际操作中，一像素将在每一影像帧（image frame）之间在一第一点极性图案与一第二点极性图案之间切换。为清楚起见，将其中第一色分量的第一色点具有一正极性的点极性图案称为正的点极性图案。相反，将其中第一色分量的第一色点具有一负极性的点极性图案称为负的点极性图案。具体而言，在图4(a)中，像素设计410具有一正的点极性图案（因此被标示为410+），且在图4(b)中，像素设计410具有一负的点极性图案（因此被标示为410-）。此外，在各种像素设计中，每一偏极化组件的极性系以“+”表示正极性，或以“-”表示负极性。

像素设计410具有三个色分量CC_1、CC_2及CC_3。该三个色分量其中每一者包含一个色点。为清楚起见，所述色点被表示成CD_X_Y，其中X系为一色分量(在图4(a)-4(b)中系从1至3)，且Y系为一色点编号(在图4(a)-4(b)中Y始终为1)。像素设计410亦针对每一色分量包含一切换元件(被表示为SE_1、SE_2及SE_3)，且针对每一色分量包含一装置组件区域（被表示为DCA_1、DCA_2、及DCA_3）。切换元件SE_1、SE_2及SE_3系排列成一列。装置组件区域DCA_1、DCA_2、及DCA_3系分别围绕切换元件SE_1、SE_2及SE_3。

像素设计410的第一色分量CC_1具有一个色点CD_1_1。色点CD_1_1系与装置组件区域DCA_1水平地配向，并以一垂直点间距VDS1与装置组件区域DCA_1垂直地间隔开。切换元件SE_1系耦接至色点CD_1_1的电极，以控制色点CD_1_1的极性。色点CD_1_1包含一埋置极性区域EPR_1_1_1。为清楚起见，埋置极性区域被表示成EPR_X_Y_Z，其中X系为一色分量，Y系为一色点编号，且Z系列举位于一色点中的埋置极性区域。埋置极性区域可具有不同形状。举例而言，在像素设计410中，埋置极性区域具有一矩形形状。然而，其他实施例可具有正方形形状、圆形形状、多边形形状（例如，四边形及六边形）、或甚至其他不规则形状。

一般而言，极性系指极性方向，其通常被标记为正的或负的。更具体而言，极性亦包含一极性大小。埋置极性区域可具有与色点相同的极性方向但具有一不同的极性大小。此外，埋置极性区域可具有不同于色点的极性（即，“极性方向”）（例如，色点极性为正极性，而埋置极性区域具有负极性）。此外，埋置极性区域可具有中性极性（neutral polarity）。本发明的不同实施例系使用各种不同的新颖技术或新颖技术的组合以在色点中形成埋置极性区域。以下将详细阐述这些技术。在图4(a)及图4(b)的实施例中，色点与位于色点中的埋置极性区域具有相反的极性。

像素设计410的第二色分量CC_2具有一个色点CD_2_1。色点CD_2_1系与装置组件区域DCA_2水平地配向，并以垂直点间距VDS1与装置组件区域DCA_2垂直地间隔开。色点CD_2_1系与色点CD_1_1垂直地配向，并以一水平点间距HDS1与色点CD_1_1水平地间隔开。切换元件SE_2系耦接至色点CD_2_1的电极，以控制色点CD_2_1的极性。色点CD_2_1包含一埋置极性区域EPR_2_1_1。

像素设计410的第三色分量CC_3具有一个色点CD_3_1。色点CD_3_1系与装置组件区域DCA_3水平地配向，并以垂直点间距VDS1与装置组件区域DCA_3垂直地间隔开。色点CD_3_1系与色点CD_2_1垂直地配向，并以一水平点间距HDS1与色点CD_2_1水平地间隔开。切换元件SE_3系耦接至色点CD_3_1的电极，以控制色点CD_3_1的极性。色点CD_3_1包含一埋置极性区域EPR_3_1_1。

使用“+”及“-”符号来显示色点、埋置极性区域、及切换元件的极性。因此，在其中显示像素设计410+的正的点极性图案的图4(a)中，切换元件SE_1及SE_3、色点CD_1_1及CD_3_1、以及埋置极性区域EPR_2_1_1具有正极性。然而，切换元件SE_2、色点CD_2_1、及埋置极性区域EPR_1_1_1及EPR_3_1_1具有负极性。

图5(a)及图5(b)例示依据本发明一实施例的一色点500。色点500包含一正方形形状的电极510，该正方形形状的电极510具有一正方形形状的埋置极性区域512。图5(b)系为沿图5(a)所示A1-A1切线截取的色点500的剖视图。如图5(b)所示，埋置极性区域512系由位于电极510下面的一埋置电极516所形成。埋置电极516与电极510系由一钝化层514间隔开。埋置电极516系带电的，以产生穿过电极510的一电场。在本发明的大多数实施例中，电极510与埋置电极516具有相反的极性方向。举例而言，当电极510具有正极性时，埋置电极516将具有一负极性。然而，在本发明的某些实施例中，埋置电极系被保持于一共同电压V_com。电极510与埋置电极516所产生电场的交互作用会形成横向力（lateral force），横向力可增强多区域垂直配向操作，且亦在一物理扰动之后更快地将液晶重新定向至其正确位置。

图5(c)例示可与埋置电极相组合的另一种用于形成埋置极性区域的技术。具体而言，在图5(c)中，在位于埋置极性区域512内的电极510中形成一改变导电性区域（changed conductivity regions）518。在本发明的一实施例中，改变导电性区域受到重掺杂，以降低改变这些导电性区域的导电性。在本发明的其他实施例中，这些改变导电性区域可借由如下方式形成：蚀刻导体510的某些部分并使用例如电活性聚合物（例如，聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯（PPY）、聚苯胺（PANI）、及聚苯乙烯）、硅锗及砷化铝镓等较低导电性材料或一非导电性材料（例如，二氧化硅）来填充这些区域。由于改变导电性区域中具有不同的导电性，埋置极性区域中的电场不同于电极510的其余部分周围的电场。

在图5(c)的实施例中，改变导电性区域518系被制成非导电性的，从而使埋置极性区域512中的电场主要受埋置电极516控制。电极510与埋置电极516所产生电场的交互作用会形成横向力，横向力可增强多区域垂直配向操作，且亦在一物理扰动之后更快地将液晶重新定向至其正确位置。

图6(a)-6(b)例示依据本发明另一实施例的一色点600的部分。色点600包含一正方形形状的电极610，该正方形形状的电极610具有一正方形形状的埋置极性区域612。然而，电极610未延伸至埋置极性区域612中。在图6(a)的实施例中，电极610被蚀刻，以在埋置极性区域612中形成一空隙。在本发明的其他实施例中，电极系形成有空隙。

图6(b)系为沿图6(a)所示A1-A1切线截取的色点600的剖视图。如图6(b)所示，埋置极性区域612系由位于电极610下面的一埋置电极616所形成。埋置电极616与电极610系由一钝化层614间隔开。在图6(b)的实施例中，钝化层614被蚀刻，以在埋置极性区域612中形成一空隙。在本发明的其他实施例中，钝化层614不包含空隙。埋置电极616系带电的，以产生穿过电极610中的空隙的一电场。在本发明的大多数实施例中，电极610与埋置电极616具有相反的极性方向。举例而言，当电极610具有正极性时，埋置电极616将具有一负极性。电极610与埋置电极616所产生电场的交互作用会形成横向力，横向力可增强多区域垂直配向操作，且亦在一物理扰动之后更快地将液晶重新定向至其正确位置。

如上所述，可使用本质离散场（intrinsic fringe field）来形成多区域。然而，本质离散场仅适用于小色点。因此，对于较大的显示器，像素系形成有包含许多色点的色分量。每一色分量系由一单独的切换元件（例如，一薄膜晶体管（thin-film transistor，TFT））控制。一般而言，色分量系为红色、绿色及蓝色。依据本发明，一像素的各色分量被进一步划分成色点。图7(a)-7(b)显示依据本发明其中每一色分量具有多个色点的一像素设计，这些色点包含埋置极性区域。具体而言，图7(a)及图7(b)显示一像素设计710（如下所述被标示为710+及710-）的不同点极性图案，像素设计710系常常用于具有一切换元件列反转驱动模式的显示器中。在实际操作中，一像素将在每一影像帧之间在一第一点极性图案与一第二点极性图案之间切换。为清楚起见，将其中第一色分量的第一色点具有一正极性的点极性图案称为正的点极性图案。相反，将其中第一色分量的第一色点具有一负极性的点极性图案称为负的点极性图案。具体而言，在图7(a)中，像素设计710具有一正的点极性图案（因此被标示为710+），且在图7(b)中，像素设计710具有一负的点极性图案（因此被标示为710-）。此外，在各种像素设计中，每一偏极化组件的极性系以“+”表示正极性，或以“-”表示负极性。然而，在本发明的某些实施例中，某些导体可被保持于共同电极V_com，进而具有一中性极性。

像素设计710具有三个色分量CC_1、CC_2及CC_3（在图7(a)-7(b)中未标示出）。该三个色分量其中每一者包含二色点。为清楚起见，这些色点被表示成CD_X_Y，其中X系为一色分量（在图7(a)-7(b)中系从1至3），且Y系为一色点编号（在图7(a)-7(b)中系从1至2）。像素设计710亦针对每一色分量包含一切换元件（被表示为SE_1、SE_2及SE_3），且针对每一色分量包含一离散场放大区域（被表示为FFAR_1、FFAR_2、及FFAR_3）。切换元件SE_1、SE_2及SE_3系排列成一列。围绕各该切换元件的装置组件区域系由离散场放大区域覆盖，且因此在图7(a)及图7(b)中未具体标示出。离散场放大区域FFAR_1、FFAR_2、及FFAR_3亦排列成一列，且将在图7(c)中对其进行详细阐述。

像素设计710的第一色分量CC_1具有二色点CD_1_1及CD_1_2。色点CD_1_1与CD_1_2形成一行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。换言之，色点CD_1_1与CD_1_2系水平地配向并由垂直点间距VDS1垂直地间隔开。此外，色点CD_1_1与CD_1_2系垂直地错开垂直点偏移量VDO1，垂直点偏移量VDO1系等于垂直点间距VDS1加上色点高度CDH。切换元件SE_1系位于色点CD_1_1与CD_1_2之间，从而使色点CD_1_1位于该列切换元件的一第一侧，而色点CD_1_2位于该列切换元件的一第二侧。切换元件SE_1系耦接至色点CD_1_1及CD_1_2的电极，以控制色点CD_1_1及CD_1_2的电压极性及电压大小。

色分量CC_1的每一色点包含一埋置极性区域，该埋置极性区域会将色点中的任何触碰云纹效应最小化。具体而言，色点CD_1_1及CD_1_2分别包含埋置极性区域EPR_1_1及EPR_1_2。如图7(a)所示，埋置极性区域EPR_1_1及EPR_1_2系分别居中于色点CD_1_1及CD_1_2中。在像素设计710中，系使用图6(a)-6(b)所示埋置导体技术来形成埋置极性区域。然而，为降低附图的复杂性，如在图5(a)中一般，以一阴影正方形来例示埋置极性区域。然而，本发明的其他实施例可使用其他技术来形成埋置极性区域，可包含多个埋置极性区域，或者可使埋置极性区域偏置。

如上所述，埋置极性区域的极性不同于色点的极性。因此，埋置极性区域EPR_1_1及EPR_1_2的极性系由一不同于切换元件SE_1（其控制色点CD_1_1及CD_1_2的极性）的极性源所控制。在本发明的某些实施例中，一显示器包含专用埋置极性区域切换元件来控制埋置极性区域的极性（一个此类实施例参见图7(d)）。本发明的其他实施例可将埋置极性区域耦接至像素的具有一不同极性的其他元件。举例而言，在本发明的某些实施例中，埋置极性区域EPR_1_1及EPR_1_2系耦接至以下所述的离散场放大区域FFAR_1。

相似地，像素设计710的第二色分量CC_2具有二色点CD_2_1及CD_2_2。色点CD_2_1与CD_2_2形成一第二行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。因此，色点CD_2_1与CD_2_2系水平地配向并以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。切换元件SE_2系位于色点CD_2_1与CD_2_2之间，从而使色点CD_2_1位于该列切换元件的第一侧，而色点CD_2_2位于该列切换元件的一第二侧。切换元件SE_2系耦接至色点CD_2_1及CD_2_2的电极，以控制色点CD_2_1及CD_2_2的电压极性及电压大小。第二色分量CC_2系与第一色分量CC_1垂直地配向，并以一水平点间距HDS1与色分量CC_1间隔开，因此色分量CC_2与CC_1系水平地错开一水平点偏移量HDO1，水平点偏移量HDO1系等于水平点间距HDS1加上色点宽度CDW。具体关于色点而言，色点CD_2_1与色点CD_1_1系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。相似地，色点CD_2_2与色点CD_1_2系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。因此，色点CD_1_1与色点CD_2_1形成一第一列色点，且色点CD_1_2与色点CD_2_2形成一第二列色点。与色点CD_1_1及色点CD_1_2一样，色点CD_2_1及色点CD_2_2分别包含埋置极性区域EPR_2_1及EPR_2_2。

相似地，像素设计710的第三色分量CC_3具有二色点CD_3_1及CD_3_2。色点CD_3_1与CD_3_2形成一第三行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。因此，色点CD_3_1与CD_3_2系水平地配向并以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。切换元件SE_3系位于色点CD_3_1与CD_3_2之间，从而使色点CD_3_1位于该列切换元件的第一侧，而色点CD_3_2位于该列切换元件的一第二侧。切换元件SE_3系耦接至色点CD_3_1及CD_3_2的电极，以控制色点CD_3_1及CD_3_2的电压极性及电压大小。第三色分量CC_3系与第二色分量CC_2垂直地配向，并以水平点间距HDS1与色分量CC_2间隔开，因此色分量CC_3与CC_2系水平地错开一水平点偏移量HDO1。具体关于色点而言，色点CD_3_1与色点CD_2_1系垂直地配向且以水平点间距HDS1水平地间隔开。相似地，色点CD_3_2与色点CD_2_2系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。因此，色点CD_3_1系位于第一列色点上，且色点CD_3_2系位于第二列色点上。与色点CD_1_1及色点CD_1_2一样，色点CD_3_1及色点CD_3_2分别包含埋置极性区域EPR_3_1及EPR_3_2。

为清楚起见，以具有相同色点高度CDH的色点来例示像素设计710的各色点。然而，本发明的某些实施例可包含具有不同色点高度的色点。举例而言，在本发明的一实施例（其为像素设计710的一变体）中，色点CD_1_1、CD_2_1、及CD_3_1的色点高度小于色点CD_1_2、CD_2_2、及CD_3_2的色点高度。此外，在本发明的许多实施例中，色点可具有不同形状。

像素设计710亦包含离散场放大区域FFAR_1、FFAR_2、及FFAR_3。图7(c)显示像素设计710的离散场放大区域FFAR_1的一更详细视图。为清楚起见，将离散场放大区域FFAR_1在概念上划分成一垂直放大部VAP与一水平放大部HAP。在图7(c)中，水平放大部HAP系垂直地居中于垂直放大部VAP上并向垂直放大部VAP左侧延伸。借由使用水平放大部及垂直放大部，能够更清楚地说明离散场放大区域FFAR_1的放置。在本发明的大多数实施例中，离散场放大区域的电极系由一个连续导体形成。水平放大部HAP具有一水平放大部宽度HAP_W及一水平放大部高度HAP_H。相似地，垂直放大部VAP具有一垂直放大部宽度VAP_W及一垂直放大部高度VAP_H。离散场放大区域FFAR_2及FFAR_3具有与离散场放大区域FFAR_1相同的形状。在具有不同大小色点的本发明实施例中，水平放大部HAP将位于各色点之间而非居中于垂直放大部VAP上。

如图7(a)所示，离散场放大区域FFAR_1、FFAR_2、及FFAR_3系被放置于像素设计710的各色点之间。具体而言，离散场放大区域FFAR_1系被放置成使离散场放大区域FFAR_1的水平放大部位于色点CD_1_1与CD_1_2之间，并以一垂直离散场放大区域间距VFFARS与色点CD_1_1及CD_1_2间隔开。离散场放大区域FFAR_1的垂直放大部系被放置于色点CD_1_1及CD_1_2的右侧，并以一水平离散场放大区域间距HFFARS与色点CD_1_1及CD_1_2间隔开。因此，离散场放大区域FFAR_1系沿色点CD_1_1的底部及右侧以及沿色点CD_1_2的顶部及右侧延伸。此外，此种放置方式亦使离散场放大区域FFAR_1的垂直放大部位于色点CD_1_1与CD_2_1之间及色点CD_1_2与CD_2_2之间。

相似地，离散场放大区域FFAR_2系被放置成使离散场放大区域FFAR_2的水平放大部位于色点CD_2_1与CD_2_2之间，并以一垂直离散场放大区域间距VFFARS与色点CD_2_1及CD_2_2间隔开。离散场放大区域FFAR_2的垂直放大部系被放置于色点CD_2_1及CD_2_2的右侧，并以一水平离散场放大区域间距HFFARS与色点CD_2_1及CD_2_2间隔开。因此，离散场放大区域FFAR_2系沿色点CD_2_1的底部及右侧以及沿色点CD_2_2的顶部及右侧延伸。此种放置方式亦使离散场放大区域FFAR_2的垂直放大部位于色点CD_2_1与CD_3_1之间及色点CD_2_2与CD_3_2之间。

离散场放大区域FFAR_3系被放置成使离散场放大区域FFAR_3的水平放大部位于色点CD_3_1与CD_3_2之间，并以一垂直离散场放大区域间距VFFARS与色点CD_3_1及CD_3_2间隔开。离散场放大区域FFAR_3的垂直放大部系被放置于色点CD_3_1及CD_3_2的右侧，并以一水平离散场放大区域间距HFFARS与色点CD_3_1及CD_3_2间隔开。因此，离散场放大区域FFAR_3系沿色点CD_3_1的底部及右侧以及沿色点CD_3_2的顶部及右侧延伸。

使用“+”及“-”符号来显示色点、离散场放大区域、及切换元件的极性。因此，在其中显示像素设计710+的正的点极性图案的图7(a)中，所有切换元件（即，切换元件SE_1、SE_2及SE_3）及所有色点（即，色点CD_1_1、CD_1_2、CD_2_1、CD_2_2、CD_3_1、及CD_3_2）具有正极性。然而，所有离散场放大区域（即，离散场放大区域FFAR_1、FFAR_2、及FFAR_3）具有负极性。如上所述，埋置极性区域可具有与色点相同的极性方向（即，正的或负的）但具有一不同的极性大小。作为另一选择，埋置极性区域可具有不同于色点的极性（即，极性方向）（例如，色点极性为正极性，而埋置极性区域具有负极性）。此外，埋置极性区域可具有中性极性。在本发明的一特定实施例中，像素设计710的各埋置极性区域具有不同于色点的极性。因此，对于此实施例，埋置极性区域EPR_1_1、EPR_1_2、EPR_2_1、EPR_2_2、EPR_3_1、及EPR_3_2在图7(a)中将具有负极性。

图7(b)显示具有负的点极性图案的像素设计710。对于负的点极性图案，所有切换元件（即，切换元件SE_1、SE_2及SE_3）及所有色点（即，色点CD_1_1、CD_1_2、CD_2_1、CD_2_2、CD_3_1、及CD_3_2）具有负极性。然而，所有离散场放大区域（即，离散场放大区域FFAR_1、FFAR_2、及FFAR_3）具有正极性。在本发明的特定实施例中，像素设计710的各埋置极性区域具有不同于色点的极性，且埋置极性区域EPR_1_1、EPR_1_2、EPR_2_1、EPR_2_2、EPR_3_1、及EPR_3_2在图7(b)中将具有正极性。

若邻近组件具有相反极性，则每一色点中的离散场会被放大。像素设计710利用离散场放大区域来增强并稳定液晶结构中的多区域的形成。一般而言，偏极化组件的极性被指定成使一第一极性的一色点的相邻偏极化组件具有第二极性。举例而言，对于像素设计710(图7(a))的正的点极性图案，色点CD_2_2具有正极性。然而，相邻的偏极化组件（离散场放大区域FFAR_2及FFAR_1）具有负极性。因此，色点CD_2_2的离散场被放大。此外，如下所述，亦在显示器层阶执行极性反转模式，从而使紧邻色点CD_1_2放置的另一像素的色点将具有负极性（参见图7(d)）。

因像素设计710中的所有切换元件具有相同极性且离散场放大区域需要相反极性，故离散场放大区域系由一外部极性源（即，来自像素设计710的特定像素外的一极性源）驱动。可依据本发明的不同实施例来使用各种相反极性源。举例而言，可使用特定的离散场放大区域切换元件、或亦可使用邻近像素的具有一相反点极性的切换元件来驱动离散场放大区域。在图7(a)-7(b)的实施例中，亦可使用邻近像素的具有一相反点极性的切换元件来驱动离散场放大区域。因此，像素设计710包含用以帮助离散场放大区域耦接至其他像素中的切换元件的导体。具体而言，一当前像素的一导体712会将离散场放大区域FFAR_1的电极耦接至位于当前像素上方的一像素的切换元件SE_1（参见图7(d)及图7(e)）。与切换元件的连接将经由位于当前像素上方的像素的色点的电极达成。相似地，一当前像素的一导体714会将离散场放大区域FFAR_2的电极耦接至位于当前像素上方的一像素的切换元件SE_2（参见图7(d)）。与切换元件的连接将经由位于当前像素上方的像素的色点的电极达成。一当前像素的一导体716会将离散场放大区域FFAR_3的电极耦接至位于当前像素上方的一像素的切换元件SE_3（参见图7(d)及图7(e)）。与切换元件的连接将经由位于当前像素上方的像素的色点的电极达成。

这些连接更佳地显示于图7(d)中，图7(d)示出一显示器720的一部分，显示器720的该部分使用像素设计710的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)并使用一切换元件列反转驱动模式。显示器720可具有数千列，且每一列上具有数千像素。列与行将以图7(d)所示的方式从图7(d)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图7(d)中省略了用于控制切换元件的栅极线(gate line)及源极线(source line)。此外，为更佳地例示每一像素，将每一像素的区域阴影化，此阴影在图7(d)中仅用于例示目的，并不具有功能意义。显示器720的像素被设置成使位于一列中的所有像素皆具有相同的点极性图案（正的或负的），且每一连续列应在正的点极性图案与负的点极性图案之间交替。因此，第一列（即，列0）中的像素P(0，0)及P(1，0)具有正的点极性图案，且第二列（即，列1）中的像素P(0，1)及P(1，1)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在y为偶数时具有一第一点极性图案，而在y为奇数时具有一第二点极性图案。像素设计710中的内部导体712、714、及716提供极性至离散场放大区域。具体而言，一第一像素的离散场放大区域系自一第二像素接收电压极性及电压大小。具体而言，该第二像素系位于该第一像素上方的像素。举例而言，像素P(0，0)的离散场放大区域FFAR_1的电极系经由像素P(0，1)的色点CD_1_2的电极而耦接至像素P(0，1)的切换元件SE_1。相似地，像素P(0，0)的离散场放大区域FFAR_2及FFAR_3的电极分别经由像素P(0，1)的色点CD_2_2及CD_3_2而耦接至像素P(0，1)的切换元件SE_2及SE_3。

显示器720亦针对每一列埋置极性区域包含埋置极性区域切换元件EPR_SE_X_Y。在图7(d)中，“X”系表示像素的列编号，且“Y”系表示一像素中的埋置极性区域的列编号。因此，埋置极性区域切换元件EPR_SE_0_1及EPR_SE_0_2系用于列0中的像素（即，像素P(0，0)及像素P(1，0)）。具体而言，埋置极性区域切换元件EPR_SE_0_1系耦接至像素P(0，0)的埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1以及像素P(1，0)的埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1。埋置极性区域切换元件EPR_SE_0_2系耦接至像素P(0，0)的埋置极性区域EPR_1_2、EPR_2_2、及EPR_3_2以及像素P(1，0)的埋置极性区域EPR_1_2、EPR_2_2、及EPR_3_2。同样地，埋置极性区域切换元件EPR_SE_1_1及EPR_SE_1_2系用于列1中的像素（即，像素P(0，1)及像素P(1，1)）。具体而言，埋置极性区域切换元件EPR_SE_1_1系耦接至像素P(0，1)的埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1以及像素P(1，1)的埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1。埋置极性区域切换元件EPR_SE_1_2系耦接至像素P(0，1)的埋置极性区域EPR_1_2、EPR_2_2、及EPR_3_2以及像素P(1，1)的埋置极性区域EPR_1_2、EPR_2_2、及EPR_3_2。一般而言，一埋置极性区域切换元件相较于与该埋置极性区域切换元件相对应的像素中的切换元件具有不同极性。因此，在图7(d)中，埋置极性区域切换元件EPR_SE_0_1及EPR_SE_0_2将具有负极性。相反，埋置极性区域切换元件EPR_SE_1_1及EPR_SE_1_2将具有正极性。在本发明的某些实施例中，将以一更平衡的方式放置埋置极性区域切换元件。举例而言，在本发明的一特定实施例中，埋置极性区域切换元件的一半系被放置于显示器的右侧，且埋置极性区域切换元件的另一半系被放置于显示器的左侧。在本发明的某些实施例中，可借由对于每一列像素使用单一埋置极性区域切换元件来减少埋置极性区域切换元件的数目。具体而言，埋置极性区域切换元件EPR_SE_0_1及EPR_SE_0_2减少至一个埋置极性区域切换元件EPR_SE_0，埋置极性区域切换元件EPR_SE_0系用于列0中的像素（即，像素P(0，0)及像素P(1，0)）。埋置极性区域切换元件EPR_SE_0系耦接至像素P(0，0)的埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、EPR_3_1、EPR_1_2、EPR_2_2、及EPR_3_2以及像素P(1，0)的埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、EPR_3_1、EPR_1_2、EPR_2_2、及EPR_3_2。此外，埋置极性区域切换元件EPR_SE_1_1及EPR_SE_1_2减少至一个埋置极性区域切换元件EPR_SE_1，埋置极性区域切换元件EPR_SE_1系用于列1中的像素（即，像素P(0，1)及像素P(1，1)）。埋置极性区域切换元件EPR_SE_1系耦接至像素P(0，1)的埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、EPR_3_1、EPR_1_2、EPR_2_2、及EPR_3_2以及像素P(1，1)的埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、EPR_3_1、EPR_1_2、EPR_2_2、及EPR_3_2。

由于在显示器720中每一列上存在极性切换，若一色点具有第一极性，则任何相邻的偏极化组件及埋置极性区域将具有第二极性。举例而言，像素P(0，1)的色点CD_3_2具有负极性，而像素P(0，1)的埋置极性区域EPR_3_2、像素P(0，0)的色点CD_3_1、像素P(0，1)的离散场放大区域FFAR_2及FFAR_3具有正极性。在本发明的一特定实施例中，每一色点具有40微米的一宽度及60微米的一高度。每一埋置极性区域具有6微米的一宽度及6微米的一高度。每一离散场放大区域具有5微米的一垂直放大部宽度、145微米的一垂直放大部高度、50微米的一水平放大部宽度、5微米的一水平放大部高度。水平点间距HDS1系为15微米，垂直点间距VDS1系为25微米、水平离散场放大区域间距HFFARS系为5微米，且垂直离散场放大区域间距VFFARS系为5微米。

在本发明的另一实施例中，使用邻近像素的切换元件而非具有使用埋置极性区域切换元件来使埋置极性区域偏极化。图7(e)示出一显示器730的一部分，显示器730的该部分使用像素设计710的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)并使用一切换元件列反转驱动模式。显示器730可具有数千列，且每一列上具有数千像素。列与行将以图7(e)所示的方式从图7(e)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图7(e)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。此外，为更佳地例示每一像素，将每一像素的区域阴影化，此阴影在图7(e)中仅用于例示目的，并不具有功能意义。由于空间限制，色点被标示成CDXY（对照于CD_X_Y）且埋置极性区域被标示成EPRXY（对照于EPR_X_Y）。

因显示器730与显示器720非常相似，故仅详细阐述其不同之处。举例而言，显示器730的像素系以与显示器720的像素相同的方式排列。此外，色点、切换元件、及离散场放大区域的极性系为相同的。因此，与在显示器720中一样，在显示器730中，一像素P(x，y)在y为偶数时具有一第一点极性图案，而在y为奇数时具有一第二点极性图案。显示器720与显示器730间的主要差异在于，显示器730中的埋置极性区域的极性系自邻近像素的切换元件提供，而非自显示器720中所使用的专用埋置极性区域切换元件提供。

在显示器730中，一第一像素与一第二像素配对，从而使该第一像素的埋置极性区域耦接至该第二像素的切换元件，且该第二像素的埋置极性区域耦接至该第一像素的切换元件。具体而言，偶数列上的各像素与位于偶数列上方的奇数列中的像素配对。因此，在图7(e)中，像素P(0，0)系与像素P(0，1)配对，且像素P(1，0)系与像素P(1，1)配对。一般而言，若Y为偶数，则一像素P(X，Y)与一像素P(X，Y+1)配对。相反，若Y为奇数，则一像素P(X，Y)与像素

配对。

如图7(e)所示，在显示器730中，每一埋置极性区域系借由一导体C_I_J_X_Y（由于空间限制，在图7(e)中标示为CIJXY）而耦接至配对像素的一切换元件，其中I、J系表示包含埋置极性区域的像素（例如，像素P(I，J)），X系为色分量，且Y系表示像素中的色点（例如，色点CD_X_Y（在图7(e)中被缩写为CDXY））。举例而言，导体C0112将像素P(0，1)的埋置极性区域EPR12耦接至像素P(0，0)的切换元件SE_1。用虚线显示用于埋置极性区域的导体，以表明这些导体系位于一不同于色点的平面。通常，在一第一平面中使用氧化铟锡形成色点，且在一第二平面中使用一金属层形成导体。

如上所述，在位于奇数列上的像素中，一第一像素的埋置极性区域系耦接至位于该第一像素下方的像素的切换元件。举例而言，像素P(0，1)的埋置极性区域EPR_2_2（在图7(e)中标示为EPR22）系借由导体C_0_1_2_2（在图7(e)中标示为C0122）而耦接至像素P(0，0)的切换元件SE_2。相似地，像素P(0，1)的埋置极性区域EPR_2_1（在图7(e)中标示为EPR21）系借由导体C_0_1_2_1（在图7(e)中标示为C0121）而耦接至像素P(0，0)的切换元件SE_2。一般而言，当J为一奇数时，一导体C_I_J_X_Y将一像素P(I，J)的埋置极性区域EPR_X_Y耦接至像素

的切换元件SE_X。

在位于偶数列上的像素中，一第一像素的埋置极性区域系耦接至位于该第一像素上方的像素的切换元件。举例而言，像素P(0，0)的埋置极性区域EPR_2_2（在图7(e)中标示为EPR22）系借由导体C_0_0_2_2（在图7(e)中标示为C0022）而耦接至像素P(0，1)的切换元件SE_2。相似地，像素P(0，0)的埋置极性区域EPR_2_1（在图7(e)中标示为EPR21）系借由导体C_0_0_2_1（在图7(e)中标示为C0021）而耦接至像素P(0，1)的切换元件SE_2。一般而言，当J为一偶数时，一导体C_I_J_X_Y将一像素P(I，J)的埋置极性区域EPR_X_Y耦接至像素P(I，J+1)的切换元件SE_X。

如上所述，在显示器730中，邻近的像素列具有相反极性。因此，借由自邻近列的像素中的切换元件提供极性至埋置极性区域（如上所述），会使埋置极性区域的极性不同于色点的极性。此不同的极性用于增强色点中的离散场，因此增强多区域垂直配向操作并减轻显示器730中的触碰云纹效应。

图7(f)显示本发明的另一实施例，其中埋置极性区域系自离散场放大区域接收极性。具体而言，图7(f)示出一显示器740的一部分，显示器740的该部分系使用像素设计710的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)并使用一切换元件列反转驱动模式。显示器740可具有数千列，且每一列上具有数千像素。列与行将以图7(f)所示的方式从图7(f)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图7(f)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。此外，为更佳地例示每一像素，将每一像素的区域阴影化，此阴影在图7(f)中仅用于例示目的，并不具有功能意义。由于空间限制，色点被标示成CDXY（对照于CD_X_Y），且埋置极性区域被标示成EPRXY（对照于EPR_X_Y）。

因显示器740与显示器720非常相似，故仅详细阐述其不同之处。举例而言，显示器740的像素系以与显示器720的像素相同的方式排列。此外，色点、切换元件、及离散场放大区域的极性系为相同的。因此，与在显示器720中一样，在显示器740中，一像素P(x，y)在y为偶数时具有一第一点极性图案，而在y为奇数时具有一第二点极性图案。显示器720与显示器740间的主要差异在于，显示器740中的埋置极性区域的极性系自离散场放大区域提供，而非自显示器720中所使用的专用埋置极性区域切换元件提供。

具体而言，如图7(f)所示，在显示器740中，每一埋置极性区域系耦接至最近的离散场放大区域。具体而言，一像素P(I，J)的一埋置极性区域EPR_X_Y系借由一导体C_I_J_X_Y（由于空间限制，在图7(f)中标示为CIJXY）而耦接至离散场放大区域FFAR_X，其中I、J系表示像素（例如，像素P(I，J)），X系为色分量，Y系表示像素中的色点（例如，色点CD_X_Y（在图7(f)中被缩写为CDXY））。举例而言，导体C0112将像素P(0，1)的埋置极性区域EPR12耦接至像素P(0，1)的离散场放大区域FFAR_1（在图7(f)中未具体标示）。用虚线显示用于埋置极性区域的导体，以表明这些导体系位于一不同于色点的平面。通常，在一第一平面中使用氧化铟锡形成色点及离散场放大区域，且在一第二平面中使用一金属层形成导体。因此，使用一通路（via，标示为V）来将离散场放大区域连接至导体。在图7(f)中，离散场放大区域系耦接至一相邻像素的一切换元件，如上文参照图7(d)所述。然而，在本发明的其他实施例中，离散场放大区域可使用其他方法（例如，专用离散场放大区域切换元件）来接收极性。

如上所述，离散场放大区域具有相较于色点相反的一极性。因此，借由自离散场放大区域提供极性至埋置极性区域，会使埋置极性区域的极性不同于色点的极性。此不同的极性用于增强色点中的离散场，因此增强多区域垂直配向操作并降低显示器740中的触碰云纹效应。

如上所述，在许多应用中期望具有一更高的像素密度。显示器像素密度愈高，其中的像素愈小。光学透射率系正比于开口率（aperture ratio），开口率系为色点总面积对色分量面积的比率。一般而言，显示器像素密度愈高，其中的开口率愈小。亦需要在一正常像素密度中增大开口率，以提高显示器的亮度。因此，在本发明的某些实施例中，一高开口率系借由组合埋置电极与离散场放大器而达成。图8(a)-8(b)显示依据本发明某些实施例其中每一色分量具有多个色点的一像素设计，该像素设计包含埋置极性区域及一埋置离散场放大器。具体而言，图8(a)及图8(b)显示一像素设计810（如下所述被标示为810+及810-）的不同点极性图案，像素设计810常常用于具有一切换元件列反转驱动模式的显示器中。在实际操作中，一像素将在每一影像帧之间在一第一点极性图案与一第二点极性图案之间切换。

与像素设计710一样，像素设计810具有三个色分量CC_1、CC_2及CC_3（在图8(a)-8(b)中未标示出）。该三个色分量其中每一者包含二色点。像素设计810亦针对每一色分量包含一切换元件（被表示为SE_1、SE_2及SE_3）以及包含一埋置离散场放大器EFFA_1。切换元件SE_1、SE_2、及SE_3系排列成一列。像素设计810的色点、埋置极性区域、及切换元件系与像素设计710非常相似。然而，如下所述，像素设计810与像素设计710中的埋置极性区域的形成彼此不同。此外，各色分量被放置得彼此更靠近，乃因于像素设计810中未使用像素设计710中的离散场放大区域。

像素设计810的第一色分量CC_1具有二色点CD_1_1及CD_1_2。色点CD_1_1与CD_1_2形成一行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。换言之，色点CD_1_1与CD_1_2系水平地配向且以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。此外，色点CD_1_1与CD_1_2系垂直地错开垂直点偏移量VDO1，垂直点偏移量VDO1系等于垂直点间距VDS1加上色点高度CDH。切换元件SE_1系位于色点CD_1_1与CD_1_2之间，从而使色点CD_1_1位于该列切换元件的一第一侧，而色点CD_1_2位于该列切换元件的一第二侧。切换元件SE_1系耦接至色点CD_1_1及CD_1_2的电极，以控制色点CD_1_1及CD_1_2的电压极性及电压大小。

色分量CC_1的每一色点包含一埋置极性区域，埋置极性区域将增强离散场，因此增强多区域垂直配向操作并将色点中的任何触碰云纹效应最小化。具体而言，色点CD_1_1及CD_1_2分别包含埋置极性区域EPR_1_1及EPR_1_2。如图8(a)所示，埋置极性区域EPR_1_1及EPR_1_2系分别居中于色点CD_1_1及CD_1_2中。在像素设计810中，图6(a)-6(b)中所示埋置导体技术被扩展，并与像素设计710（图7(a)-7(b)）中所使用的离散场放大区域相结合。具体而言，在像素设计810中，一埋置离散场放大器EFFA_1系用于整个像素。以下将阐述埋置离散场放大器EFFA_1。

为清楚起见，将从一使用者观察一被保持于一垂直位置的显示器的角度来阐述一像素设计的各个部分的相对位置。因此，举例而言，在图8(a)中，色点CD_1_1系被阐述成位于切换元件SE_1上方，且色点CD_1_2系被阐述成位于切换元件SE_1下方。色点CD_1_1系位于色点CD_2_1左侧，相反，色点CD_3_1系位于色点CD_2_1右侧。此外，埋置离散场放大器系被阐述成位于色点后面。相反，色点系被阐述成位于埋置离散场放大器前面。

像素设计810的第二色分量CC_2具有二色点CD_2_1及CD_2_2。色点CD_2_1与CD_2_2形成一第二行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。因此，色点CD_2_1与CD_2_2系水平地配向并以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。切换元件SE_2系位于色点CD_2_1与CD_2_2之间，从而使色点CD_2_1位于切换元件列的第一侧，而色点CD_2_2位于切换元件列的一第二侧。切换元件SE_2系耦接至色点CD_2_1及CD_2_2的电极，以控制色点CD_2_1及CD_2_2的电压极性及电压大小。第二色分量CC_2系与第一色分量CC_1垂直地配向，并以一水平点间距HDS1与色分量CC_1间隔开，因此色分量CC_2与CC_1系水平地错开一水平点偏移量HDO1，水平点偏移量HDO1系等于水平点间距HDS1加上色点宽度CDW。具体关于色点而言，色点CD_2_1与色点CD_1_1系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。相似地，色点CD_2_2与色点CD_1_2系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。因此，色点CD_1_1与色点CD_2_1形成一第一列色点，且色点CD_1_2与色点CD_2_2形成一第二列色点。与色点CD_1_1及CD_1_2一样，色点CD_2_1及CD_2_2分别包含埋置极性区域EPR_2_1及EPR_2_2。像素设计810的水平点间距HDS1显著小于像素设计710的水平点间距HDS1。因此，在具有相同大小的色分量的情况下，像素设计810中的色点的尺寸可大于像素设计710中的色点的尺寸。因此像素设计810的开口率大于像素设计710的开口率。

相似地，像素810的第三色分量CC_3具有二色点CD_3_1及CD_3_2。色点CD_3_1与CD_3_2形成一第三行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。因此，色点CD_3_1与CD_3_2系水平地配向并以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。切换元件SE_3系位于色点CD_3_1与CD_3_2之间，从而使色点CD_3_1位于该列切换元件的第一侧，而色点CD_3_2位于该列切换元件列的一第二侧。切换元件SE_3系耦接至色点CD_3_1及CD_3_2的电极，以控制色点CD_3_1及CD_3_2的电压极性及电压大小。第三色分量CC_3系与第二色分量CC_2垂直地配向，并以水平点间距HDS1与色分量CC_2间隔开，因此色分量CC_3与CC_2系水平地错开一水平点偏移量HDO1。具体关于色点而言，色点CD_3_1与色点CD_2_1系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。相似地，色点CD_3_2与色点CD_2_2垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。因此，色点CD_3_1系位于第一列色点上，且色点CD_3_2系位于第二色点列上。与色点CD_1_1及CD_1_2一样，色点CD_3_1及CD_3_2分别包含埋置极性区域EPR_3_1及EPR_3_2。

为清楚起见，以具有相同色点高度CDH的色点来例示像素设计810的各色点。然而，本发明的某些实施例可包含具有不同色点高度的色点。举例而言，在本发明的一实施例（其为像素设计810的一变体）中，色点CD_1_1、CD_2_1、及CD_3_1的色点高度小于色点CD_1_2、CD_2_2、及CD_3_2的色点高度。此外，在本发明的许多实施例中，色点可具有不同形状。

相较于像素设计710，像素设计810包含一埋置离散场放大器EFFA_1而非包含离散场放大区域以及位于埋置极性区域中的埋置导体。在像素设计810中，埋置离散场放大器EFFA_1系为一埋置导体，该埋置导体系位于色点后面，但在色点的左侧、右侧、上方、及下方延伸超过色点。因此，像素设计810的色点系位于埋置离散场放大器EFFA_1前面。具体而言，埋置离散场放大器延伸超过色点CD_3_1及CD_3_2的右边缘达一水平埋置电极延伸距离HEEED1。尽管图中未具体标示，然而埋置离散场放大器EFFA_1亦延伸超过色点CD_1_1及CD_1_2的左边缘达水平埋置电极延伸距离HEEED1。相似地，在像素设计810中，埋置离散场放大器EFFA_1延伸至色点CD_1_1、CD_2_1、及CD_3_1上方一垂直埋置电极延伸距离VEEED1，且亦延伸于色点CD_1_2、CD_2_2、及CD_3_2下方。

使用“+”及“-”符号来显示色点、埋置离散场放大器、及切换元件的极性。因此，在其中显示像素设计810+的正的点极性图案的图8(a)中，所有切换元件（即，切换元件SE_1、SE_2及SE_3）及所有色点（即，色点CD_1_1、CD_1_2、CD_2_1、CD_2_2、CD_3_1、及CD_3_2）具有正极性。然而，埋置离散场放大器EFFA_1具有负极性。因此，埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1亦具有负极性（由于空间限制，在图8(a)及图8(b)中未表示埋置极性区域的极性）。

图8(b)显示具有负的点极性图案的像素设计810。对于负的点极性图案，所有切换元件（即，切换元件SE_1、SE_2及SE_3）及所有色点（即，色点CD_1_1、CD_1_2、CD_2_1、CD_2_2、CD_3_1、及CD_3_2）具有负极性。然而，埋置离散场放大器EFFA_1具有正极性。因此，埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1亦具有正极性。

每一色点中的离散场被放大，乃因色点的边缘附近呈现不同电压。像素设计810利用埋置离散场放大器来增强并稳定液晶结构中的多区域分割的形成。具体而言，一色点的边缘系位于埋置离散场放大器EFFA_1的一部分前面。若埋置离散场放大器EFFA_1上的电压不同于色点的电压，则色点与埋置离散场放大器EFFA_1的交叠放置会放大色点的离散场。若色点与埋置离散场放大器具有相反极性，则会更大程度地放大离散场。然而，若埋置离散场放大器系被保持于共同电压（即，中性极性，参见图9(a)-9(c)），亦可良好地放大色点的离散场。一般而言，偏极化组件的极性系被指定成使一第一极性的一色点位于一第二极性的一埋置离散场放大器前面，该第二极性的埋置离散场放大器延伸超过该色点的边缘。举例而言，对于像素设计810（图8(a)）的正的点极性图案，色点CD_2_2具有正极性。然而，埋置离散场放大器EFFA_1具有一负极性。因此，色点CD_2_2的离散场被放大。

因像素设计810中所有切换元件具有相同极性且埋置离散场放大器应具有一不同极性，故离散场放大器系由一外部极性源（即，来自像素设计810的特定像素外的一极性源）驱动。可依据本发明的不同实施例来使用各种相反极性源。举例而言，可使用特定的埋置离散场放大器切换元件或亦可使用邻近像素的具有一相反点极性的切换元件来驱动埋置离散场放大器。在图8(a)-8(b)的实施例中，亦可使用邻近像素的具有一相反点极性的切换元件来驱动离散场放大区域。因此，像素设计810包含一导体812以帮助离散场放大区域耦接至其他像素中的切换元件。具体而言，一当前像素的导体812会将埋置离散场放大器耦接至位于当前像素上方的一像素的切换元件SE_1（参见图8(e)）。与切换元件的连接将经由位于当前像素上方的像素的色点的电极达成。这些连接更佳地显示于图8(e)中，图8(e)显示使用像素设计810的显示器820的一部分。

图8(c)显示沿A-A线（图8(b)）截取的像素设计810的横截面，其包含色点CD_1_1、CD_2_1、CD_3_1、埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1、以及埋置离散场放大器EFFA_1。图8(c)系用以说明色点与埋置离散场放大器的相对放置。因此，为清楚起见，可能存在于本发明各实施例中的某些层及组件未显示于图8(c)中。此外，使用像素设计810的一显示器中的其他层及组件可能不存在于图8(c)所示像素设计820的区域中。如图8(c)所示，使用像素设计820的一显示器包含一下层透明基板821。透明基板821上形成有一第一钝化层823。尽管图未示出，然而一第一金属层常常形成于基板821上且通常由第一钝化层823覆盖。然而，第一金属层未用于图8(c)所示像素设计820的部分中。钝化层823系使用一透明钝化材料（例如，介电层SiNx）制成。一般而言，一层透明导电材料（例如ITO、或ZnO（氧化锌））系形成于钝化层823之上并被蚀刻以形成埋置离散场放大器EFFA_1。在本发明的某些实施例中，可在钝化层823上形成一第二金属层。一第二钝化层827系形成于埋置离散场放大器EFFA_1之上且亦填充由用于形成埋置离散场放大器EFFA_1的蚀刻制造所留下之间隙。图8(c)所示像素设计820的特定部分包含埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1，埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1系借由蚀刻穿过色点及钝化层827的中间而形成。因此，钝化层827在图8(c)中显现为多个部分。色点系形成于钝化层827的顶部上。通常，色点系借由在第二钝化层827上沉积一层导电材料（例如，ITO或IZO）而形成。随后，图案化并蚀刻导电层以形成色点。因此，如图8(c)所示，色点CD_1_1、CD_2_1、及CD_3_1系位于第二钝化层827的顶部上。因图8(c)的透视图系于埋置极性区域所在之处截取，故色点CD_1_1、CD_2_1、及CD_3_1在图8(c)中系显现为二分开的部分。然而，色点的实际形状系为一正方形形状，该正方形形状于中心处具有一正方形孔，如图8(a)所示。在本发明的某些实施例中，埋置离散场放大器系形成于透明基板821上。

图8(d)示出显示器840的一部分，显示器840的该部分具有像素设计810的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器840系使用一切换元件列反转驱动模式。显示器840可具有数千列，且每一列上具有数千像素。列与行将以图8(d)所示的方式从图8(d)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图8(d)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。在显示器840中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且各邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。显示器840的像素被设置成使位于一列中的所有像素具有相同的点极性图案（正的或负的），且每一连续列应在正的点极性图案与负的点极性图案之间交替。因此，第一列（即，列0）中的像素P(0，0)及P(1，0)具有正的点极性图案，且第二列（即，列1）中的像素P(0，1)及P(1，1)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在y为偶数时具有一第一点极性图案，而在y为奇数时具有一第二点极性图案。像素设计840中的内部导体812提供极性至埋置离散场放大器。具体而言，一第一像素的埋置离散场放大器系自一第二像素接收电压极性及电压大小。更具体而言，该第二像素系为位于该第一像素上方的像素。举例而言，像素P(0，0)的埋置离散场放大器EFFA_1系经由像素P(0，1)的色点CD_1_2的电极而耦接至像素P(0，1)的切换元件SE_1。

作为另一选择，在本发明的另一实施例中，一显示器可针对每一列像素具有埋置离散场放大器切换元件。相似地，埋置极性区域切换元件系用于图7(d)中。然而，每一列像素仅需要一个埋置离散场放大器切换元件。

由于在显示器840中每一列上存在极性切换，故若一色点具有第一极性，则围绕该色点的埋置离散场放大器将具有第二极性。举例而言，像素P(0，0)的色点CD_3_2具有正极性，而像素P(0，0)的埋置离散场放大器EFFA_1具有负极性（来自像素P(0，1)的切换元件SE_1）。在本发明的一特定实施例中，每一色点具有30微米的一宽度及35微米的一高度。每一埋置极性区域具有6微米的一宽度及6微米的一高度。每一埋置离散场放大器具有105微米的一宽度及105微米的一高度。水平点间距HDS1系为10微米，垂直点间距VDS1系为30微米，水平埋置电极延伸距离系为6微米，且垂直埋置电极延伸距离系为6微米。此外，水平像素间距HPS系为6微米，且垂直像素间距VPS系为40微米。

图9(a)及图9(b)显示一像素设计910（如上所述被标示为910+及910-）的不同点极性图案，像素设计910常常用于具有一切换元件列反转驱动模式的显示器中。在实际操作中，一像素将在每一影像帧之间在一第一点极性图案与一第二点极性图案之间切换。像素设计910几乎完全相同于像素设计810，因此不再予以赘述，而仅阐述其不同之处。具体而言，像素设计910与像素设计810的不同之处在于，埋置离散场放大器EFFA_1系被偏极化成一中性极性（如“=“所表示）。因此，在像素设计810中用于将埋置离散场放大器EFFA_1耦接至一邻近像素的一切换元件的导体812不存在于像素设计910中。在本发明的大多数实施例中，中性极性系自共同电压V_Com获得。

如上所述，在埋置离散场放大器EFFA_1上使用中性极性会放大色点的离散场。因此，像素设计910亦会具有良好的多区域分割效能，且可用于以与像素设计810相同的方式形成显示器。举例而言，图9(c)示出显示器920的一部分，显示器920的该部分具有像素设计910的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器920使用一切换元件列反转驱动模式。显示器920可具有数千列，且每一列上具有数千像素。在显示器920中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。列与行将以图9(c)所示的方式从图9(c)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图9(c)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。显示器920的像素被设置成使位于一列中的所有像素具有相同的点极性图案（正的或负的），且每一连续列应在正的点极性图案与负的点极性图案之间交替。因此，第一列（即，列0）中的像素P(0，0)及P(1，0)具有正的点极性图案，且第二列（即，列1）中的像素P(0，1)及P(1，1)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在y为偶数时具有一第一点极性图案，而在y为奇数时具有一第二点极性图案。

在埋置离散场放大器EFFA_1上使用中性极性的一有益效果系为：位于埋置离散场放大器前面的色点的极性可具有不同极性。举例而言，图10(a)及图10(b)显示一像素设计1010（如上所述被标示为1010+及1010-）的不同点极性图案，像素设计1010常常用于具有一切换元件点反转驱动模式及切换元件行反转驱动模式的显示器中。在实际操作中，一像素将在每一影像帧之间在一第一点极性图案与一第二点极性图案之间切换。像素设计1010几乎完全相同于像素设计910，因此不再予以赘述，而仅阐述其不同之处。具体而言，像素设计1010与像素设计910的不同之处在于，切换元件SE_2、色点CD_2_1、色点CD_2_2的极性对于正的点极性系为负的且对于负的点极性系为正的。

因此，在其中显示像素设计1010+的正的点极性图案的图10(a)中，切换元件SE_1及SE_3、色点CD_1_1、CD_1_2、CD_3_1、及CD_3_2具有正极性。然而，切换元件SE_2、色点CD_2_1及CD_2_2具有负极性。埋置离散场放大器EFFA_1具有中性极性。图10(b)显示具有负的点极性图案的像素设计1010。对于负的点极性图案，切换元件SE_1及SE_3、色点CD_1_1、CD_1_2、CD_3_1、及CD_3_2具有负极性。然而，切换元件SE_2、色点CD_2_1及CD_2_2具有正极性。埋置离散场放大器EFFA_1具有中性极性。

图10(c)示出显示器1020的一部分，显示器1020的该部分具有像素设计1010的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器1020使用一切换元件点反转驱动模式。显示器1020可具有数千列，且每一列上具有数千像素。在显示器1020中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。列与行将以图10(c)所示的方式从图10(c)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图10(c)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。在显示器1020中，像素系被设置成使位于一列中的像素交替地具有点极性图案（正的或负的），且位于一行中的像素亦在正的点极性图案与负的点极性图案之间交替。因此，像素P(0，0)及P(1，1)具有正的点极性图案，且像素P(0，1)及P(1，0)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在x+y为偶数时具有一第一点极性图案，而在x+y为奇数时具有一第二点极性图案。

像素设计1010亦可用于使用切换元件行反转驱动模式的显示器中。图10(d)示出显示器1030的一部分，显示器1030的该部分具有像素设计1010的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器1030可具有数千列，且每一列上具有数千像素。在显示器1030中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。列与行将以图10(d)所示的方式从图10(d)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图10(d)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。在显示器1030中，像素系被设置成使位于一列中的像素交替地具有点极性图案（正的或负的），且位于一行中的像素具有相同的点极性图案。因此，像素P(0，0)及P(0，1)具有正的点极性图案，且像素P(1，0)及P(1，1)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在x为偶数时具有一第一点极性图案，而在x为奇数时具有一第二点极性图案。

在许多可携式液晶显示器应用中，需要降低功耗来节省电池寿命。图11(a)及图11(b)显示依据本发明某些实施例其中每一色分量具有多个色点的一像素设计，该像素设计包含埋置极性区域及多个埋置离散场放大器。具体而言，图11(a)及图11(b)显示一像素设计1110（如下所述被标示为1110+及1110-）的不同点极性图案，像素设计1110常常用于具有一切换元件列反转驱动模式的显示器中。在实际操作中，一像素将在每一影像帧之间在一第一点极性图案与一第二点极性图案之间切换。

与像素设计810一样，像素设计1110具有三个色分量CC_1、CC_2及CC_3（在图11(a)-11(b)中未标示出）。该三个色分量其中每一者包含二色点。像素设计1110亦针对每一色分量包含一切换元件（被表示为SE_1、SE_2及SE_3）且针对每一色分量包含一埋置离散场放大器（被表示为EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3）。切换元件SE_1、SE_2及SE_3系排列成一列。埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3亦排列成一列。像素设计1110的色点、埋置极性区域、及切换元件与像素设计810非常相似。然而，如下所述，像素设计1110与像素设计810中的埋置极性区域的形成不同。

像素设计1110的第一色分量CC_1具有二色点CD_1_1及CD_1_2。色点CD_1_1与CD_1_2形成一行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。换言之，色点CD_1_1与CD_1_2系水平地配向并以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。此外，色点CD_1_1与CD_1_2系垂直地错开垂直点偏移量VDO1，垂直点偏移量VDO1系等于垂直点间距VDS1加上色点高度CDH。切换元件SE_1系位于色点CD_1_1与CD_1_2之间，从而使色点CD_1_1位于该列切换元件的一第一侧，而色点CD_1_2位于该列切换元件的一第二侧。切换元件SE_1系耦接至色点CD_1_1及CD_1_2的电极，以控制色点CD_1_1及CD_1_2的电压极性及电压大小。

色分量CD_1_1的每一色点包含一埋置极性区域，埋置极性区域会增强离散场，因此增强多区域垂直配向操作并将色点中的任何触碰云纹效应最小化。具体而言，色点CD_1_1及CD_1_2分别包含埋置极性区域EPR_1_1及EPR_1_2。如图11(a)所示，埋置极性区域EPR_1_1及EPR_1_2系分别居中于色点CD_1_1及CD_1_2中。在像素设计1110中，图6(a)-6(b)中所示埋置导体技术被扩展，并与像素设计710（图7(a)-7(b)）中所使用的离散场放大区域相结合。具体而言，在像素设计1110中，系针对每一色分量使用一埋置离散场放大器。

为清楚起见，将从一使用者观察一被保持于一垂直位置的显示器的角度来阐述一像素设计的各个部分的相对位置。因此，举例而言，在图11(a)中，色点CD_1_1系被阐述成位于切换元件SE_1上方，且色点CD_1_2系被阐述成位于切换元件SE_1下方。色点CD_1_1系位于色点CD_2_1左侧，相反，色点CD_3_1系位于色点CD_2_1右侧。此外，埋置离散场放大器系被阐述成位于色点后面。相反，色点系被阐述成位于埋置离散场放大器前面。

像素设计1110的第二色分量CC_2具有二色点CD_2_1及CD_2_2。色点CD_2_1与CD_2_2形成一第二行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。因此，色点CD_2_1与CD_1_2系水平地配向并以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。切换元件SE_2系位于色点CD_2_1与CD_2_2之间，从而使色点CD_2_1位于该列切换元件的第一侧，而色点CD_2_2位于该列切换元件的一第二侧。切换元件SE_2系耦接至色点CD_2_1及CD_2_2的电极，以控制色点CD_2_1及CD_2_2的电压极性及电压大小。第二色分量CC_2系与第一色分量CC_1垂直地配向，并以一水平点间距HDS1与色分量CC_1间隔开，因此色分量CC_2与CC_1系水平地错开一水平点偏移量HDO1，水平点偏移量HDO1系等于水平点间距HDS1加上色点宽度CDW。具体关于色点而言，色点CD_2_1与色点CD_1_1系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。相似地，色点CD_2_2与色点CD_2_1系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。因此，色点CD_1_1与色点CD_2_1形成一第一列色点，且色点CD_1_2与色点CD_2_2形成一第二列色点。与色点CD_1_1及CD_1_2一样，色点CD_2_1及CD_2_2分别包含埋置极性区域EPR_2_1及EPR_2_2。

相似地，像素1110的第三色分量CC_3具有二色点CD_3_1及CD_3_2。色点CD_3_1与CD_3_2形成一第三行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。因此，色点CD_3_1与CD_3_2系水平地配向并以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。切换元件SE_3系位于色点CD_3_1与CD_3_2之间，从而使色点CD_3_1位于该列切换元件的第一侧，而色点CD_3_2位于该列切换元件的一第二侧。切换元件SE_3系耦接至色点CD_3_1及CD_3_2的电极，以控制色点CD_3_1及CD_3_2的电压极性及电压大小。第三色分量CC_3系与第二色分量CC_2垂直地配向，并以水平点间距HDS1与色分量CC_2间隔开，因此色分量CC_3与CC_2系水平地错开一水平点偏移量HDO1。具体关于色点而言，色点CD_3_1与色点CD_2_1系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。相似地，色点CD_3_2与色点CD_2_2系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。因此，色点CD_3_1系位于第一列色点上，且色点CD_3_2系位于第二列色点上。与色点CD_1_1及CD_1_2一样，色点CD_3_1及CD_3_2分别包含埋置极性区域EPR_3_1及EPR_3_2。

为清楚起见，以具有相同色点高度CDH的色点来例示像素设计1110的各色点。然而，本发明的某些实施例可包含具有不同色点高度的色点。举例而言，在本发明的一实施例（其为像素设计1110的一变体）中，色点CD_1_1、CD_2_1、及CD_3_1的色点高度小于色点CD_1_2、CD_2_2、及CD_3_2的色点高度。此外，在本发明的许多实施例中，色点可具有不同形状。

相较于像素设计710，像素设计1110包含埋置离散场放大器EFFA而非包含离散场放大区域及位于埋置极性区域中的埋置导体。具体而言，像素设计1110包含埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3。如图11(a)所示，埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3系被放置于像素设计1110的色点后面。具体而言，埋置离散场放大器EFFA_1系被放置成使色点CD_1_1及色点CD_1_2及切换元件SE_1位于埋置离散场放大器EFFA_1前面。然而，埋置离散场放大器EFFA_1延伸超过色点CD_1_1及CD_1_2的左侧及右侧达一水平埋置电极延伸距离HEEED1。相似地，埋置离散场放大器EFFA_1延伸超过色点CD_1_1的顶部及色点CD_1_2的底部达一垂直埋置电极延伸距离VEEED1。因此，色点CD_1_1及CD_1_2的边缘系位于埋置离散场放大器EFFA_1的部分前面。相似地，埋置离散场放大器EFFA_2系被放置成使色点CD_2_1及色点CD_2_2及切换元件SE_2位于埋置离散场放大器EFFA_2前面。然而，埋置离散场放大器EFFA_2延伸超过色点CD_2_1以及CD_2_2的左侧及右侧达一水平埋置电极延伸距离HEEED1。相似地，埋置离散场放大器EFFA_2延伸超过色点CD_2_1的顶部及色点CD_2_2的底部达一垂直埋置电极延伸距离VEEED1。因此，色点CD_2_1及CD_2_2的边缘系位于埋置离散场放大器EFFA_2的部分前面。此外，埋置离散场放大器EFFA_2系与埋置离散场放大器EFFA_1垂直地配向，并以一水平埋置电极间距HEES1与埋置离散场放大器EFFA_1间隔开。

相似地，埋置离散场放大器EFFA_3系被放置成使色点CD_3_1及色点CD_3_2以及切换元件SE_3位于埋置离散场放大器EFFA_3前面。然而，埋置离散场放大器EFFA_3延伸超过色点CD_3_1及CD_3_2的左侧及右侧达一水平埋置电极延伸距离HEEED1。相似地，埋置离散场放大器EFFA_3延伸超过色点CD_3_1的顶部及色点CD_3_2的底部达一垂直埋置电极延伸距离VEEED1。因此，色点CD_3_1及CD_3_2的边缘系位于埋置离散场放大器EFFA_3的部分前面。此外，埋置离散场放大器EFFA_3系与埋置离散场放大器EFFA_2垂直地配向，并以一水平埋置电极间距HEES1与埋置离散场放大器EFFA_2间隔开。一电极1116系用于将埋置离散场放大器EFFA_1耦接至一电压源。

使用“+”及“-”符号来显示色点、埋置离散场放大器、及切换元件的极性。因此，在其中显示像素设计1110+的正的点极性图案的图11(a)中，所有切换元件（即，切换元件SE_1、SE_2及SE_3）及所有色点（即，色点CD_1_1、CD_1_2、CD_2_1、CD_2_2、CD_3_1、及CD_3_2）具有正极性。然而，埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3具有负极性。因此，埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1亦具有负极性（由于空间限制，在图11(a)及图11(b)中未表示埋置极性区域的极性）。

图11(b)显示具有负的点极性图案的像素设计1110。对于负的点极性图案，所有切换元件（即，切换元件SE_1、SE_2及SE_3）及所有色点（即，色点CD_1_1、CD_1_2、CD_2_1、CD_2_2、CD_3_1、及3_2）具有负极性。然而，埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3具有正极性。因此，埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1亦具有正极性。

每一色点中的离散场皆被放大，乃因色点的边缘附近存在不同电压。像素设计1110利用埋置离散场放大器来增强并稳定液晶结构中的多区域的形成。具体而言，一色点的边缘系位于一埋置离散场放大器的一部分前面。当埋置离散场放大器EFFA_1上的电压不同于色点的电压时，色点与埋置离散场放大器的交叠放置会放大色点的离散场。若色点与埋置离散场放大器具有相反极性，则会更大程度地放大离散场。然而，若埋置离散场放大器系被保持于共同电压（即，中性极性），亦可良好地放大色点的离散场。一般而言，偏极化组件的极性系被指定成使一第一极性的一色点位于一第二极性的一埋置离散场放大器前面，该第二极性的埋置离散场放大器延伸超过色点的边缘。举例而言，对于像素设计1110（图11(a)）的正的点极性图案，色点CD_2_2具有正极性。然而，埋置离散场放大器EFFA_2具有一负极性。因此，色点CD_2_2的离散场被放大。

因像素设计1110中的所有切换元件具有相同极性且埋置离散场放大器应具有一不同极性，故离散场放大器系由一外部极性源（即，来自像素设计1110的特定像素外的一极性源）驱动。可依据本发明的不同实施例来使用各种相反极性源。举例而言，可使用特定的埋置离散场放大器切换元件或亦可使用邻近像素的具有一相反点极性的切换元件来驱动埋置离散场放大器。在图11(a)-11(b)的实施例中，亦可使用邻近像素的具有一相反点极性的切换元件来驱动离散场放大区域。因此，像素设计1110包含导体1112、1114、及1116，以帮助离散场放大区域耦接至其他像素中的切换元件。一电极1112系用于将埋置离散场放大器EFFA_1耦接至一电压源。一般而言，在切换元件列反转驱动模式显示器中，电极1112系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_1_2（参见图11(d)）。一电极1114系用于将埋置离散场放大器EFFA_2耦接至一电压源。一般而言，在切换元件列反转驱动模式显示器中，电极1114系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_2_2（参见图11(d)）。一电极1116系用于将埋置离散场放大器EFFA_1耦接至一电压源。一般而言，在切换元件列反转驱动模式显示器中，电极1116系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_3_2（参见图11(d)）。

图11(c)显示沿A-A线（图11(b)）截取的像素设计1110的横截面，其包含色点CD_1_1、CD_2_1、CD_3_1、埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1、以及埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3。图11(c)系用以说明色点与埋置离散场放大器的相对放置。因此，为清楚起见，可能存在于本发明各实施例中的某些层及组件未显示于图11(c)中。此外，使用像素设计1110的一显示器中的其他层及组件可能不存在于图11(c)所示像素设计1110的区域中。如图11(c)所示，使用像素设计1110的一显示器包含一下伏透明基板1121。透明基板1121上形成有一第一钝化层1123。尽管图未示出，然而一第一金属层常常形成于基板1121上且通常由第一钝化层1123覆盖。然而，第一金属层未用于图11(c)所示像素设计1110的部分中。钝化层1123系使用一透明钝化材料（例如，介电层SiNx）制成。一般而言，一层透明导电材料（例如ITO、或ZnO）系形成于钝化层1123之上并被蚀刻以形成埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3。在本发明的某些实施例中，可在钝化层1123上形成一第二金属层。一第二钝化层1127系形成于埋置离散场放大器EFFA_1之上且亦填充由用于形成埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3的蚀刻制造所留下之间隙。图11(c)所示像素设计1110的特定部分包含埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1，埋置极性区域EPR_1_1、EPR_2_1、及EPR_3_1系借由蚀刻穿过色点及钝化层1127的中间而形成。因此，在图11(c)中，钝化层1127显现为多个部分。色点系形成于钝化层1127的顶部上。通常，色点系借由在第二钝化层1127上沉积一层导电材料（例如，ITO或IZO）而形成。随后，图案化并蚀刻导电层以形成色点。因此，如图11(c)所示，色点CD_1_1、CD_2_1、及CD_3_1系位于第二钝化层1127的顶部上。因图11(c)的透视图系于埋置极性区域所在之处截取，故在图11(c)中色点CD_1_1、CD_2_1、及CD_3_1系显现为二分开的部分。然而，色点的实际形状系为一正方形形状，该正方形形状于中心处具有一正方形孔，如图11(a)所示。在本发明的某些实施例中，埋置离散场放大器系形成于透明基板1121上。

图11(d)示出显示器1140的一部分，显示器1140的该部分具有像素设计1110的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器1140使用一切换元件列反转驱动模式。显示器1140可具有数千列，且每一列上具有数千像素。列与行将以图11(d)所示的方式从图11(d)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图11(d)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。在显示器1140中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。显示器1140的像素被设置成使位于一列中的所有像素具有相同的点极性图案（正的或负的），且每一连续列应在正的点极性图案与负的点极性图案之间交替。因此，第一列（即，列0）中的像素P(0，0)及P(1，0)具有正的点极性图案，且第二列（即，列1）中的像素P(0，1)及P(1，1)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在y为偶数时具有一第一点极性图案，而在y为奇数时具有一第二点极性图案。像素设计1110的内部导体1112提供极性至埋置离散场放大器。具体而言，一第一像素的埋置离散场放大器系自一第二像素接收电压极性及电压大小。更具体而言，该第二像素系为位于该第一像素上方的像素。举例而言，像素P(0，0)的埋置离散场放大器EFFA_1系经由像素P(0，1)的色点CD_1_2的电极而耦接至像素P(0，1)的切换元件SE_1。

作为另一选择，在本发明的另一实施例中，一显示器可针对每一列像素具有埋置离散场放大器切换元件。相似地，埋置极性区域切换元件系用于图7(d)中。然而，每一列像素仅需要一个埋置离散场放大器切换元件。

由于在显示器1140中每一列上存在极性切换，故若一色点具有第一极性，则围绕该色点的埋置离散场放大器将具有第二极性。举例而言，像素P(0，0)的色点CD_3_2具有正极性，而像素P(0，0)的埋置离散场放大器EFFA_1具有负极性（来自像素P(0，1)的切换元件SE_1）。在本发明的一特定实施例中，每一色点具有30微米的一宽度及35微米的一高度。每一埋置极性区域具有6微米的一宽度及6微米的一高度。每一埋置离散场放大器具有105微米的一宽度及105微米的一高度。水平点间距HDS1系为10微米，垂直点间距VDS1系为30微米，水平埋置电极延伸距离系为6微米，且垂直埋置电极延伸距离系为6微米。此外，水平像素间距HPS系为微米，且垂直像素间距VPS系为微米。

可轻易地修改像素设计1110以用于具有切换元件行反转驱动模式及切换元件点反转驱动模式的显示器。图11(e)及图11(f)显示一像素设计1120（被标示为1120+及1120-）的不同点极性图案。在实际操作中，一像素将在每一影像帧之间在一第一点极性图案与一第二点极性图案之间切换。像素设计1120几乎完全相同于像素设计1110，因此不再予以赘述，而仅阐述其不同之处。具体而言，像素设计1120与像素设计1110的不同之处在于，切换元件SE_2、色点CD_2_1、色点CD_2_2的极性对于正的点极性系为负的且对于负的点极性系为正的。此外，埋置离散场放大器EFFA_2的极性对于正的点极性系为正的且对于负的点极性系为负的。

因此，在其中显示像素设计1120+的正的点极性图案的图11(e)中，切换元件SE_1及SE_3、色点CD_1_1、CD_1_2、CD_3_1、及CD_3_2、以及埋置离散场放大器EFFA_2具有正极性。然而，切换元件SE_2、色点CD_2_1及CD_2_2、以及埋置离散场放大器EFFA_1及EFFA_3具有负极性。图11(f)显示具有负的点极性图案的像素设计1120。对于负的点极性图案，切换元件SE_1及SE_3、色点CD_1_1、CD_1_2、CD_3_1、及CD_3_2、以及埋置离散场放大器EFFA_2具有负极性。然而，切换元件SE_2、色点CD_2_1及CD_2_2、以及埋置离散场放大器EFFA_1及EFFA_3具有正极性。亦可将像素设计1120修改成对于埋置离散场放大器使用中性极性。

除极性变化的外，亦可相较于像素设计1110修改电极1112、1114及1116。一般而言，在切换元件点反转驱动模式显示器中，电极1112系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_1_2（参见图11(g)）。然而，在切换元件行反转驱动模式显示器中，电极1112系耦接至当前像素的色点CD_2_1（参见图11(h)）。然而，在本发明的其他实施例中，在切换元件行反转驱动模式显示器中，电极1112系耦接至位于当前像素左上方的一像素的色点CD_3_2。一般而言，在切换元件点反转驱动模式显示器中，电极1114系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_2_2（参见图11(g)）。然而，在切换元件行反转驱动模式显示器中，电极1114系耦接至当前像素的色点CD_3_1（参见图11(h)）。然而，在本发明的其他实施例中，在切换元件行反转驱动模式显示器中，电极1114系耦接至位于当前像素左上方的一像素的色点CD_1_2。一般而言，在切换元件点反转驱动模式显示器中，电极1116系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_3_2（参见图11(g)）。然而，在切换元件行反转驱动模式显示器中，电极1116系耦接至位于当前像素右侧的一像素的色点CD_1_1（参见图11(h)）。然而，在本发明的使用切换元件行反转驱动模式显示器的其他实施例中，电极1116系耦接至位于当前像素左上方的一像素的色点CD_2_2。

图11(g)示出显示器1160的一部分，显示器1160的该部分具有像素设计1120的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器1160使用一切换元件点反转驱动模式。显示器1160可具有数千列，且每一列上具有数千像素。在显示器1160中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。列与行将以图11(g)所示的方式从图11(g)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图11(g)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。在显示器1160中，像素系被设置成使位于一列中的像素交替地具有点极性图案（正的或负的），且位于一行中的像素亦在正的点极性图案与负的点极性图案之间交替。因此，像素P(0，0)及P(1，1)具有正的点极性图案，且像素P(0，1)及P(1，0)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在x+y为偶数时具有一第一点极性图案，而在x+y为奇数时具有一第二点极性图案。

像素设计1120亦可用于使用切换元件行反转驱动模式的显示器中。图11(h)示出显示器1180的一部分，显示器1180的该部分具有像素设计1120的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器1180可具有数千列，且每一列上具有数千像素。在显示器1180中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。列与行将以图11(h)所示的方式从图11(h)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图11(h)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。在显示器1180中，像素系被设置成使位于一列中的像素交替地具有点极性图案（正的或负的），且位于一行中的像素具有相同的点极性图案。因此，像素P(0，0)及P(0，1)具有正的点极性图案，且像素P(1，0)及P(1，1)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在x为偶数时具有一第一点极性图案，而在x为奇数时具有一第二点极性图案。

埋置离散场放大器的使用并不限于具有埋置极性区域的像素设计。此外，本发明的许多实施例使用多个埋置离散场放大器一像素。举例而言，图12(a)及图12(b)显示一像素设计1210（被标示为1210+及1210-）的不同点极性图案，像素设计1210包含三个埋置离散场放大器但不包含位于色点中的埋置极性区域。像素设计1210常常用于具有一切换元件点反转驱动模式或切换元件行反转驱动模式的显示器中。在实际操作中，一像素将在每一影像帧之间在一第一点极性图案与一第二点极性图案之间切换。

像素设计1210具有三个色分量CC_1、CC_2及CC_3（在图12(a)-11(b)中未标示出）。该三个色分量其中每一者包含二色点。为清楚起见，这些色点被表示成CD_X_Y，其中X系为一色分量（在图12(a)-12(b)中系从1至3），且Y系为一色点编号（在图12(a)-12(b)中系从1至2）。像素设计1210亦针对每一色分量包含一切换元件（被表示为SE_1、SE_2、及SE_3），且针对每一色分量包含一埋置离散场放大器（被表示为EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3）。切换元件SE_1、SE_2及SE_3系排列成一列。埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3亦排列成一列。

像素设计1210的第一色分量CC_1具有二色点CD_1_1及CD_1_2。色点CD_1_1与CD_1_2形成一行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。换言之，色点CD_1_1与CD_1_2系水平地配向并由垂直点间距VDS1垂直地间隔开。此外，色点CD_1_1与CD_1_2系垂直地错开垂直点偏移量VDO1，垂直点偏移量VDO1系等于垂直点间距VDS1加上色点高度CDH。切换元件SE_1系位于色点CD_1_1上方。切换元件SE_1系耦接至色点CD_1_1及CD_1_2的电极，以控制色点CD_1_1及CD_1_2的电压极性及电压大小。

相似地，像素设计1210的第二色分量CC_2具有二色点CD_2_1及CD_2_2。色点CD_2_1与CD_2_2形成一第二行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。因此，色点CD_2_1与CD_2_2系水平地配向并以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。切换元件SE_2系位于色点CD_2_1上方。切换元件SE_2系耦接至色点CD_2_1及CD_2_2的电极，以控制色点CD_2_1及CD_2_2的电压极性及电压大小。第二色分量CC_2系与第一色分量CC_1垂直地配向，并以一水平点间距HDS1与色分量CC_1间隔开，因此色分量CC_2与CC_1系水平地错开一水平点偏移量HDO1，水平点偏移量HDO1系等于水平点间距HDS1加上色点宽度CDW。具体关于色点而言，色点CD_2_1与色点CD_1_1系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。相似地，色点CD_2_2与色点CD_2_1系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。因此，色点CD_1_1与色点CD_2_1形成一第一列色点，且色点CD_1_2与色点CD_2_2形成一第二列色点。

相似地，像素1210的第三色分量CC_3具有二色点CD_3_1及CD_3_2。色点CD_3_1与CD_3_2形成一第三行，并以一垂直点间距VDS1间隔开。因此，色点CD_3_1与CD_3_2系水平地配向并以垂直点间距VDS1垂直地间隔开。切换元件SE_3系位于色点CD_3_1上方。切换元件SE_3系耦接至色点CD_3_1及CD_3_2的电极，以控制色点CD_3_1及CD_3_2的电压极性及电压大小。第三色分量CC_3系与第二色分量CC_2垂直地配向，并以水平点间距HDS1与色分量CC_2间隔开，因此色分量CC_3与CC_2系水平地错开一水平点偏移量HDO1。具体关于色点而言，色点CD_3_1与色点CD_2_1系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。相似地，色点CD_3_2与色点CD_2_2系垂直地配向并以水平点间距HDS1水平地间隔开。因此，色点CD_3_1系位于第一列色点上，且色点CD_3_2系位于第二列色点上。

为清楚起见，以具有相同色点高度CDH的色点来例示像素设计1210的各色点。然而，本发明的某些实施例可包含具有不同色点高度的色点。举例而言，在本发明的一实施例（其为像素设计1210的一变体）中，色点CD_1_1、CD_2_1、及CD_3_1的色点高度小于色点CD_1_2、CD_2_2、及CD_3_2的色点高度。此外，在本发明的许多实施例中，色点可具有不同形状。

像素设计1210亦包含埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3。如图12(a)所示，埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3系被放置于像素设计1210的色点后面。具体而言，埋置离散场放大器EFFA_1系被放置成使色点CD_1_1及色点CD_1_2及切换元件SE_1位于埋置离散场放大器EFFA_1前面。然而，埋置离散场放大器EFFA_1延伸超过色点CD_1_1及CD_1_2的左侧及右侧达一水平埋置电极延伸距离HEEED1。相似地，埋置离散场放大器EFFA_1延伸超过切换元件SE_1的顶部及色点CD_1_2的底部达一垂直埋置电极延伸距离VEEED1。因此，色点CD_1_1及CD_1_2的边缘系位于埋置离散场放大器EFFA_1的部分前面。一电极1212系用于将埋置离散场放大器EFFA_1耦接至一电压源。一般而言，在切换元件点反转驱动模式显示器中，电极1212系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_1_2（参见图12(c)）。然而，在切换元件行反转驱动模式显示器中，电极1212系耦接至位于当前像素左上方的一像素的色点CD_3_2（参见图12(d)，像素P(1，0)）。

相似地，埋置离散场放大器EFFA_2系被放置成使色点CD_2_1及色点CD_2_2及切换元件SE_2位于埋置离散场放大器EFFA_2前面。然而，埋置离散场放大器EFFA_2延伸超过色点CD_2_1及CD_2_2的左侧及右侧达一水平埋置电极延伸距离HEEED1。相似地，埋置离散场放大器EFFA_2延伸超过切换元件SE_2的顶部及色点CD_2_2的底部达一垂直埋置电极延伸距离VEEED1。因此，色点CD_2_1及CD_2_2的边缘系位于埋置离散场放大器EFFA_2的部分前面。此外，埋置离散场放大器EFFA_2系与埋置离散场放大器EFFA_1垂直地配向，并以一水平埋置电极间距HEES1与埋置离散场放大器EFFA_1间隔开。一电极1214系用于将埋置离散场放大器EFFA_1耦接至一电压源。一般而言，在切换元件点反转驱动模式显示器中，电极1214系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_2_2（参见图12(c)）。然而，在切换元件行反转驱动模式显示器中，电极1214系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_1_2（参见图12(d)，像素P(1，0)）。

相似地，埋置离散场放大器EFFA_3系被放置成使色点CD_3_1及色点CD_3_2及切换元件SE_3位于埋置离散场放大器EFFA_3前面。然而，埋置离散场放大器EFFA_3延伸超过色点CD_3_1及CD_3_2的左侧及右侧达一水平埋置电极延伸距离HEEED1。相似地，埋置离散场放大器EFFA_3延伸超过切换元件SE_3的顶部及色点CD_3_2的底部达一垂直埋置电极延伸距离VEEED1。因此，色点CD_3_1及CD_3_2的边缘系位于埋置离散场放大器EFFA_3的部分前面。此外，埋置离散场放大器EFFA_3系与埋置离散场放大器EFFA_2垂直地配向，并以一水平埋置电极间距HEES1与埋置离散场放大器EFFA_2间隔开。一电极1216系用于将埋置离散场放大器EFFA_1耦接至一电压源。一般而言，在切换元件点反转驱动模式显示器中，电极1216系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_3_2（参见图12(c)）。然而，在切换元件行反转驱动模式显示器中，电极1216系耦接至位于当前像素上方的一像素的色点CD_2_2（参见图12(d)，像素P(1，0)）。

使用“+”及“-”符号来显示色点、埋置离散场放大器、及切换元件的极性。因此，在其中显示像素设计1210+的正的点极性图案的图12(a)中，切换元件SE_1及SE_3、色点CD_1_1、CD_1_2、CD_3_1、及CD_3_2、以及埋置离散场放大器EFFA_2具有正极性。然而，切换元件SE_2、色点CD_2_1及CD_2_2、以及埋置离散场放大器EFFA_1及EFFA_3具有负极性。图12(b)显示具有负的点极性图案的像素设计1210。对于负的点极性图案，切换元件SE_1及SE_3、色点CD_1_1、CD_1_2、CD_3_1、及CD_3_2、以及埋置离散场放大器EFFA_2具有负极性。然而，切换元件SE_2、色点CD_2_1及CD_2_2、以及埋置离散场放大器EFFA_1及EFFA_3具有正极性。本发明的其他实施例可对于埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3使用一中性极性。举例而言，在本发明的一特定实施例中，埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3系耦接至共同电压V_com。

图12(c)示出显示器1220的一部分，显示器1220的该部分具有像素设计1010的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器1220使用一切换元件点反转驱动模式。显示器1220可具有数千列，且每一列上具有数千像素。在显示器1220中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。列与行将以图12(c)所示的方式从图12(c)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图12(c)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。在显示器1220中，像素系被设置成使位于一列中的像素交替地具有点极性图案（正的或负的），且位于一行中的像素亦于正的点极性图案与负的点极性图案之间交替。因此，像素P(0，0)及P(1，1)具有正的点极性图案，且像素P(0，1)及P(1，0)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在x+y为偶数时具有一第一点极性图案，而在x+y为奇数时具有一第二点极性图案。

像素设计1210亦可用于使用切换元件行反转驱动模式的显示器中。图12(d)示出显示器1230的一部分，显示器1230的该部分具有像素设计1210的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器1230可具有数千列，且每一列上具有数千像素。在显示器1230中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。列与行将以图12(d)所示的方式从图12(d)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图12(d)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。在显示器1230中，像素系被设置成使位于一列中的像素交替地具有点极性图案（正的或负的），且位于一行中的像素具有相同的点极性图案。因此，像素P(0，0)及P(0，1)具有正的点极性图案，且像素P(1，0)及P(1，1)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在x为偶数时具有一第一点极性图案，而在x为奇数时具有一第二点极性图案。

图13(a)及图13(b)显示一像素设计1310（被标示为1310+及1310-）的不同点极性图案，像素设计1310可与具有切换元件列反转驱动模式的显示器一起使用。像素设计1310的布局与像素设计1210相同，因此将不再予以赘述。然而，像素设计1310中的埋置离散场放大器EFFA_2、切换元件SE_2、以及色点CD_2_1及CD_2_2的极性相较于像素设计1210反转。因此，在其中显示像素设计1310+的正的点极性图案的图13(a)中，切换元件SE_1、SE_2及SE_3、色点CD_1_1、CD_1_2、CD_2_1、CD_2_2、CD_3_1、及CD_3_2具有正极性。然而，埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2、及EFFA_3具有负极性。图13(b)显示具有负的点极性图案的像素设计1310。对于负的点极性图案，切换元件SE_1、SE_2、及SE_3、色点CD_1_1、CD_1_2、CD_2_1、CD_2_2、CD_3_1、及CD_3_2具有负极性。然而，埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2及EFFA_3具有正极性。在本发明的其他实施例中，埋置离散场放大器EFFA_1、EFFA_2及EFFA_3具有中性极性。

图13(c)示出显示器1320的一部分，显示器1320的该部分具有像素设计1310的像素P(0，0)、P(1，0)、P(0，1)、及P(1，1)。显示器1320使用一切换元件列反转驱动模式。显示器1320可具有数千列，且每一列上具有数千像素。在显示器1320中，同一列上的像素系以一水平像素间距HPS间隔开，且邻近列中的像素系以一垂直像素间距VPS间隔开。列与行将以图13(c)所示的方式从图13(c)所示的部分连续排列。为清楚起见，在图13(c)中省略了用于控制切换元件的栅极线及源极线。显示器1320的像素被设置成使位于一列中的所有像素具有相同的点极性图案（正的或负的），且每一连续列应在正的点极性图案与负的点极性图案之间交替。因此，第一列（即，列0）中的像素P(0，0)及P(1，0)具有正的点极性图案，且第二列（即，列1）中的像素P(0，1)及P(1，1)具有负的点极性图案。然而，在下一帧中，像素将切换点极性图案。因此，一般而言，一像素P(x，y)在y为偶数时具有一第一点极性图案，而在y为奇数时具有一第二点极性图案。

包含埋置离散场放大器的一缺点系为：需要额外能量来使埋置离散场放大器偏极化。此额外能量需要量系与埋置离散场放大器的尺寸成正比。因此，本发明的许多实施例使用具有一更小面积的埋置离散场放大器来取代矩形埋置离散场放大器。因埋置离散场放大器系用于在色点的边缘处放大离散场，故埋置离散场放大器的最大程度地放大离散场的部分系为靠近色点边缘的部分。因此，可去除埋置离散场放大器的位于色点的中间后面的部分。因此，举例而言，本发明的一实施例使用图14所示埋置离散场放大器来取代以上所示的矩形埋置离散场放大器。

图14显示一埋置离散场放大器1400。为清楚起见，将埋置离散场放大器1400在概念上划分成垂直埋置部及水平埋置部。具体而言，埋置离散场放大器1400包含二垂直埋置部VEP_1及VEP_2以及三个水平埋置部HEP_1、HEP_2、及HEP_3。针对其中使用埋置离散场放大器1400取代像素设计13(a)的埋置离散场放大器EFFA_1的情形来阐述垂直埋置部及水平埋置部的位置。垂直埋置部VEP_1系位于色点CD_1_1及CD_1_2的右边缘后面（图13(a)）。垂直埋置部VEP_2系位于色点CD_1_1及CD_1_2的左边缘后面（图13(a)）。水平埋置部HEP_1系位于色点CD_1_2的底部边缘后面；水平埋置部HEP_2系位于色点CD_1_2的上边缘及色点CD_1_1的下边缘后面；且水平埋置部HEP_3系位于色点CD_1_1的上边缘后面。如图14所示，水平埋置部HEP_2系宽于水平埋置部HEP_1及HEP_3。水平埋置部HEP_2的额外宽度系用于两个目的。首先，水平埋置部HEP_2较宽的原因系仅因其位于色点CD_1_2的上边缘及色点CD_1_1的下边缘二者后面，以放大色点CD_1_1与CD_1_2二者的离散场。其次，水平埋置部HEP_2可用作色点CD_1_1及CD_1_2的一储存电容器。面积愈大便会提供愈大的电荷储存容量。在本发明的一特定实施例中，色点CD_1_1具有28微米的一宽度（水平）及30微米的一长度（垂直），色点CD_1_2具有28微米的一宽度及30微米的一高度，水平埋置部HEP_1具有30微米的一宽度及3微米的一高度；水平埋置部HEP_2具有28微米的一宽度及5微米的一高度；水平埋置部HEP_3具有15微米的一宽度及3微米的一高度；垂直埋置部VEP_1具有3微米的一宽度及95微米的一高度；且垂直埋置部VEP_2具有3微米的一宽度及80微米的一高度。

使用仅沿色点的边缘延伸的埋置离散场放大器的另一优点系为：埋置离散场放大器不需要使用一透明导电材料形成。因此，可使用用于显示器的其他部件（例如，切换元件、源极线、及资料线）的非透明材料（例如，金属层）来形成埋置离散场放大器1400（以及以下所述的其他埋置离散场放大器）。因此，可使用单一ITO层而非二ITO层来制成本发明的实施例。减少层的数目会降低一显示器的制造成本，乃因制造步骤的数目及掩模的数目会减少。

如上所述，在本发明的某些实施例中，用于形成埋置离散场放大器的层亦用于一切换元件中。因此，对于这些实施例，埋置离散场放大器未延伸至切换元件。图15显示一埋置离散场放大器1500，其未延伸至切换元件。为清楚起见，将埋置离散场放大器1500在概念上划分成垂直埋置部及水平埋置部。具体而言，埋置离散场放大器1500包含二垂直埋置部VEP_1及VEP_2、三个水平埋置部HEP_1、HEP_2、及HEP_3、以及一可选的第四水平埋置部HEP_4。针对其中使用埋置离散场放大器1500取代像素设计13(a)的埋置离散场放大器EFFA_1的情形来阐述垂直埋置部及水平埋置部的位置。垂直埋置部VEP_1系位于色点CD_1_1及CD_1_2的右边缘后面（图13(a)）。垂直埋置部VEP_2系位于色点CD_1_2的左边缘后面及色点CD_1_1的左边缘的一部分后面（图13(a)）。具体而言，垂直埋置部VEP_2未延伸至色点CD_1_1的左上角的切换元件SE_1所定位处。水平埋置部HEP_1系位于色点CD_1_2的底部边缘后面；水平埋置部HEP_2系位于色点CD_1_2的上边缘及色点CD_1_1的下边缘后面；且水平埋置部HEP_3系位于色点CD_1_1的上边缘的一部分后面。具体而言，水平埋置部HEP_3未延伸至色点CD_1_1的左上角的切换元件SE_1所定位处。与上述关于埋置离散场放大器1400的水平埋置部HEP_3所述的原因相同，埋置离散场放大器1500的水平埋置部HEP_2系宽于水平埋置部HEP_1及HEP_3。埋置离散场放大器1500显示有可选的水平埋置部HEP_4，水平埋置部HEP_4系自垂直埋置部VEP_1的右边缘向右延伸一段小的距离。水平埋置部HEP_4系垂直地居中于水平埋置部HEP_2上。水平埋置部HEP_4系用于将一第一埋置离散场放大器耦接至位于该第一埋置离散场放大器右侧的一第二埋置离散场放大器。因此，水平埋置部HEP_4系仅在第一埋置离散场放大器与第二埋置离散场放大器具有相同极性时使用。举例而言，在对于埋置离散场放大器使用一中性极性的像素中，包含水平埋置部HEP_4将轻易地为所有埋置离散场放大器提供中性极性。在本发明的一特定实施例中，色点CD_1_1具有28微米的一宽度（水平）及30微米的一长度（垂直），色点CD_1_2具有28微米的一宽度及30微米的一高度，水平埋置部HEP_1具有28微米的一宽度及3微米的一高度；水平埋置部HEP_2具有28微米的一宽度及5微米的一高度；水平埋置部HEP_3具有15微米的一宽度及3微米的一高度；水平埋置部HEP_4具有15微米的一宽度及12微米的一高度；垂直埋置部VEP_1具有3微米的一宽度及95微米的一高度；且垂直埋置部VEP_2具有3微米的一宽度及80微米的一高度。

除放大离散场之外，埋置离散场放大器亦可用于改善单元间隙均匀性及降低显示器的其他部件（例如，光间隔片）的液晶影响。图16显示依据本发明另一实施例的一埋置离散场放大器1600，埋置离散场放大器1600亦改善单元间隙均匀性并降低光间隔片对液晶的影响。为清楚起见，将埋置离散场放大器1600在概念上划分成垂直埋置部及水平埋置部。具体而言，埋置离散场放大器1600包含四个垂直埋置部VEP_1、VEP_2、VEP_3、及VEP_4以及四个水平埋置部HEP_1、HEP_2、HEP_3、及HEP_4。针对其中使用埋置离散场放大器1600取代像素设计13(a)的埋置离散场放大器EFFA_1的情形来阐述垂直埋置部及水平埋置部的位置。垂直埋置部VEP_1系位于色点CD_1_2的右边缘后面（图13(a)）。垂直埋置部VEP_2系位于色点CD_1_2的左边缘后面（图13(a)）。垂直埋置部VEP_3系位于色点CD_1_1的右边缘后面（图13(a)）。垂直埋置部VEP_4系位于色点CD_1_1的左边缘后面（图13(a)）。水平埋置部HEP_1系位于色点CD_1_2的底部边缘后面且亦略微地延伸至垂直埋置部VEP_1右侧及略微地延伸至垂直埋置部VEP_2左侧。水平埋置部HEP_1的延伸超过垂直埋置部VEP_1及VEP_2的部分会提高单元间隙均匀性。水平埋置部HEP_2系位于色点CD_1_2的上边缘及色点CD_1_1的下边缘后面。水平埋置部HEP_2延伸至垂直埋置部VEP_2及VEP_4左侧，以改善单元间隙均匀性。水平埋置部HEP_3系位于色点CD_1_1的上边缘的一部分后面。具体而言，水平埋置部HEP_3未延伸至色点CD_1_1的左上角的切换元件SE_1所定位处。水平埋置部HEP_4系被包含用以改善单元间隙均匀性，其延伸的垂直埋置部VEP_4左侧并与水平埋置部HEP_3近似垂直地配向。与上述关于埋置离散场放大器1400的水平埋置部HEP_2所述的原因相同，埋置离散场放大器1600的水平埋置部HEP_2系宽于水平埋置部HEP_1、HEP_3、HEP_4。在本发明的一特定实施例中，色点CD_1_1具有28微米的一宽度（水平）及30微米的一长度（垂直），色点CD_1_2具有28微米的一宽度及30微米的一高度，水平埋置部HEP_1具有32微米的一宽度及3微米的一高度；水平埋置部HEP_2具有32微米的一宽度及5微米的一高度；水平埋置部HEP_3具有15微米的一宽度及3微米的一高度；水平埋置部HEP_4具有15微米的一宽度及3微米的一高度；垂直埋置部VEP_1具有3微米的一宽度及28微米的一高度；垂直埋置部VEP_2具有3微米的一宽度及28微米的一高度；垂直埋置部VEP_3具有3微米的一宽度及28微米的一高度；垂直埋置部VEP_4具有3微米的一宽度及28微米的一高度。

亦可修改上述像素设计以用于半透半反射显示器中，半透半反射显示器在明亮环境（例如，在一晴天的室外）中提供更佳的效能。依据本发明的某些实施例，一色点子集系使用一反射性材料而非一透明材料制成。图17显示一像素设计1710，像素设计1710系设计用于半透半反射显示器。像素设计1710几乎与像素设计1210相同。因此，将仅阐述其不同之处。具体而言，在像素设计1210中，色点CD_1_1、CD_2_2、及CD_3_1系被形成为反射性色点，如在色点CD_1_1、CD_2_2、及CD_3_1中使用阴影所示。反射性色点使用一反射性材料（例如，铝）而非一透明材料。其他色点、切换元件、埋置极性区域（包括偏极化组件的极性）则与像素设计1210相同。因此，像素设计1710可用于上述使用像素设计1210的各种显示器中。在本发明的其他实施例中，一不同的色点子集系被选择成反射性色点。举例而言，色点CD_1_2、CD_2_1、及色点CD_3_2可系为反射性色点，而色点CD_1_1、CD_2_2、及CD_3_1可系为透射性色点。一般而言，反射性色点应被均匀地分散于整个显示器中，以在显示器中提供均匀的效能。相似地，上述其他像素设计亦可被修改成使用反射性色点。

图18例示依据本发明一实施例的一半透半反射性色点1800。可使用半透半反射性色点来取代普通透射性色点，以将一普通透射显示器转换成一半透半反射显示器。因此，此处所述半透半反射性色点可用以修改上述像素设计其中的任一种。具体而言，半透半反射性色点1800包含二矩形透射部TP_1及TP_2，该二矩形透射部TP_1及TP_2系由一反射部RP_1间隔开。为清楚起见，使用阴影来绘制反射部RP_1。透射部系使用一透明导电材料（例如，ITO）制成。反射部系使用一反射导电材料（例如，铝）制成。在本发明的某些实施例中，透明部TP_1及TP_2及反射部RP_1具有相同尺寸。在本发明的其他实施例中，反射部RP_1大于透明部TP_1及TP_2。在本发明的其他实施例中，使用其他半透半反射性色点。一般而言，一半透半反射性色点将具有一或多个透明部及一或多个反射部。透明部与反射部的面积比率通常系介于3:1与1:1之间。一般而言，当周围光照明亮时（例如，白天在室外环境中），反射面积的比率愈高便提供愈佳的效能。

可对使用反射性色点或半透半反射性色点的显示器作出其他修改以改善显示器的效能。举例而言，可减少位于反射性色点之上的滤色片以及半透半反射性色点的反射部，乃因反射光两次穿过滤色片（一次系在至反射性色点的途中，一次系在向外返回至显示器的观察者的途中）。举例而言，在本发明的一实施例中，位于一反射性色点之上的滤色片的厚度仅系为位于一透射性色点之上的滤色片的厚度的一半。在本发明的其他实施例中，位于反射性色点之上的滤色片（或半透半反射性色点的反射部）被减少50%以上以改善亮度。

在本发明的各种实施例中，已阐述了无需使用基板上的物理特征便会产生一多区域垂直配向液晶显示器的新颖结构及方法。上述本发明的结构及方法的各种实施例是仅用于说明本发明的原理，而非旨在将本发明的范围限制于所述特定实施例。举例而言，就本揭露内容而言，本领域技术人员可界定其他像素定义、埋置极性区域、埋置离散场放大器、场减少层、绝缘层、钝化层、导电层、空隙、点极性图案、像素设计、色分量、极性延伸区域、极性、离散场、电极、基板、膜、色点、反射性色点、半透半反射性色点等等，并依据本发明的原理使用此等替代特征来产生一种方法或系统。因此，本发明仅由所附的权利要求书限定。

Claims (29)

1.一种用于一显示器的像素，包含：

一第一色分量，具有一第一色分量第一色点；

一第一切换元件，耦接至该第一色分量第一色点；

一第一埋置离散场放大器，位于该第一色分量第一色点后面，其中该第一色分量第一色点的至少一第一边缘及一第二边缘是位于该第一埋置离散场放大器前面。

2.依据权利要求1所述的像素，还包含：

一第二色分量，具有一第二色分量第一色点，其中该第二色分量第一色点的至少一第一边缘及一第二边缘是位于该第一埋置离散场放大器前面；以及

一第二切换元件，耦接至该第二色分量第一色点。

3.依据权利要求2所述的像素，还包含：

一第三色分量，具有一第三色分量第一色点，其中该第三色分量第一色点的至少一第一边缘及一第二边缘是位于该第二埋置离散场放大器前面；以及

一第三切换元件，耦接至该第三色分量第一色点。

4.依据权利要求3所述的像素，其特征在于，该第一切换元件、该第二切换元件及该第三切换元件具有一第一极性方向。

5.依据权利要求4所述的像素，其特征在于，该第一埋置离散场放大器具有一中性极性。

6.依据权利要求4所述的像素，其特征在于，该第一埋置离散场放大器具有一第二极性方向。

7.依据权利要求3所述的像素，其特征在于，

该第一切换元件及该第三切换元件具有一第一极性方向；以及

该第二切换元件具有一第二极性方向。

8.依据权利要求7所述的像素，其特征在于，该第一埋置离散场放大器具有一中性极性。

9.依据权利要求2所述的像素，其特征在于，该第一色分量还包含一第一色分量第二色点，该第一色分量第二色点耦接至该第一切换元件，其中该第一色分量第二色点的至少一第一边缘及一第二边缘位于该第一埋置离散场放大器前面。

10.依据权利要求9所述的像素，其特征在于，该第一色分量第一色点是位于该第一切换元件上方，且该第一色分量第二色点系位于该第一切换元件下方。

11.依据权利要求9所述的像素，其特征在于，该第一色分量第一色点是位于该第一切换元件与该第一色分量第二色点之间。

12.依据权利要求9所述的像素，其特征在于，该第一色分量第一色点为一透明色点，且该第一色分量第二色点为一反射性色点。

13.依据权利要求9所述的像素，其特征在于，该第二色分量还包含一第二色分量第二色点，该第二色分量第二色点耦接至该第二切换元件，其中该第二色分量第二色点的至少一第一边缘及一第二边缘是位于该第一埋置离散场放大器前面。

14.依据权利要求13所述的像素，还包含：

一第三色分量，具有一第三色分量第一色点及一第三色分量第二色点，其中该第三色分量第一色点的至少一第一边缘及一第二边缘是位于该第一埋置离散场放大器前面，且其中该第三色分量第二色点的至少一第一边缘及一第二边缘系位于该第一埋置离散场放大器前面，其中；以及

一第三切换元件，耦接至该第三色分量第一色点及该第三色分量第二色点。

15.依据权利要求14所述的像素，其特征在于，该第一色分量第一色点、该第二色分量第一色点及该第三色分量第一色点形成一第一列色点。

16.依据权利要求15所述的像素，其特征在于，该第一色分量第二色点、该第二色分量第二色点及该第三色分量第二色点形成一第二列色点。

17.依据权利要求16所述的像素，其特征在于，该第一切换元件、该第二切换元件及该第三切换元件是位于该第一列色点与该第二列色点之间。

18.依据权利要求17所述的像素，其特征在于，第一切换元件、该第二切换元件及该第三切换元件是位于该第一埋置离散场放大器前面。

19.依据权利要求14所述的像素，其特征在于，

该第一色分量第一色点为一反射性色点；

该第二色分量第二色点为一反射性色点；以及

该第三色分量第一色点为一反射性色点。

20.依据权利要求19所述的像素，其特征在于，

该第一色分量第二色点为一透明色点；

该第二色分量第一色点为一透明色点；以及

该第三色分量第二色点为一透明色点。

21.依据权利要求14所述的像素，其特征在于，

该第一色分量第一色点为一半透半反射性色点；

该第二色分量第二色点为一半透半反射性色点；以及

该第三色分量第一色点为一半透半反射性色点。

22.依据权利要求21所述的像素，其特征在于，

该第一色分量第二色点为一半透半反射性色点；

该第二色分量第一色点为一半透半反射性色点；以及

该第三色分量第二色点为一半透半反射性色点。

23.依据权利要求14所述的像素，其特征在于，该第一切换元件、该第二切换元件及该第三切换元件具有一第一极性方向。

24.依据权利要求23所述的像素，其特征在于，该第一埋置离散场放大器具有一中性极性。

25.依据权利要求23所述的像素，其特征在于，该第一埋置离散场放大器具有一第二极性方向。

26.依据权利要求14所述的像素，其特征在于，

该第一切换元件及该第三切换元件具有一第一极性方向；以及

该第二切换元件具有一第二极性方向。

27.依据权利要求26所述的像素，其特征在于，该第一埋置离散场放大器具有一中性极性。

28.依据权利要求1所述的像素，其特征在于，该第一色分量第一色点为一半透半反射性色点。

29.依据权利要求1所述的像素，其特征在于，该第一埋置离散场放大器是使用一透明材料制成。

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