CN103165827A - 一种有机电致发光二极管器件及其显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种有机电致发光二极管器件及其显示装置，该有机电致发光二极管器件包括N层垂直垒叠的单色发光基板；每一层单色发光基板包括有机电致发光二极管像素阵列、像素阵列的供电电路和透光区域；N层垂直垒叠的单色发光基板在通电后产生的光发射方向一致；第n层单色发光基板的有机电致发光二极管像素阵列在电场激发时产生的光发射，由第1层到第n-1层的透光区域的对应部分发出；N为自然数，2≤N，n∈N，2≤n。本发明简化了全色的有机电致发光二极管器件的制造方法，避免了在真空镀膜的过程中在同一块镀膜基板上多次使用掩模板；简化了驱动电路的设计；提高了全色有机电致发光二极管显示器的开口率。

Description

一种有机电致发光二极管器件及其显示装置

【技术领域】

本发明涉及光电技术领域，特别涉及一种有机电致发光二极管器件及其显示装置。

【背景技术】

有机电致发光二极管是一种应用有机材料作为发光层的半导体发光技术。C.W.Tang和S.A.VanSlyke发表在Applied Physics Letters(第51卷，No.12，912-915)的文章中首先披露了高效的有机电致发光二极管器件。有机电致发光二极管的结构包括基板，和在基板上依次形成的多个功能层：第一电极层，有机电致发光层，和第二电极层。在一种结构中，由第一电极层作为阳极向有机电致发光层注入空穴，第二电极层向有机电致发光层注入电子，空穴和电子在有机电致发光层复合，激发有机发光物质，产生光发射。在另一种结构中，第一电极层作为阴极向有机电致发光层注入电子，第二电极层向有机电致发光层注入空穴，电子和空穴在有机电致发光层复合，激发有机发光物质，产生光发射。产生的光发射通过基板发出的有机电致发光二极管被称为底发射型(Bottom Emitting)，当产生的光发射不通过基板，由基板的另一侧发出的有机电致发光二极管被称为顶发射型(Top Emitting)。为了优化器件的性能，有机发光层通常由多层结构构成，比如空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层等。一个典型的底发射型有机电致发光二极管的器件结构示意图如图1所示，包括基板11、阳极12、空穴注入层13、空穴传输层14、有机发光层15、空穴阻挡层16、电子注入层17和阴极18。

有机电致发光二极管以其具有的诸多技术优势而在显示器领域备受关注。电致发光效率很高(例如，绿光有机电致发光二极管能够具有超过100流明每瓦)，节能效果明显；用有机电致发光二极管做成的像素可以自身发光，不需要采用LCD显示器所必须的背光源，因此能够在同时具有高亮度和高对比度的优势。由于整个有机电致发光二极管的发光层的厚度不超过1微米，并且能够形成在如塑料、金属薄片、超薄玻璃等柔性的基板上，制造出可卷曲的柔性显示器。目前，有机电致发光二极管显示器已经成功地应用在手机和mp3等小尺寸屏幕上。

要满足显示器的应用，最基本的要求是有机电致发光二极管显示器能够实现RGB(红绿蓝)的全色显示。由于有机电致发光二极管的功能层大多通过真空热蒸发的方式形成在基板上，要形成全色显示所必须的RGB独立子像素，必须采用金属掩模板，按照一定的方式形成RGB子像素区域。目前的做法是，采用金属掩模板首先遮挡住非蒸镀区域和其它颜色子像素区域，通过真空镀膜的方法首先形成第一种发光颜色子像素；然后调节金属掩模板的位置，遮挡住其它非蒸镀区域和第一种发光颜色的子像素区域，形成第二种发光颜色的子像素；调节金属掩模板的位置，遮挡住其它非蒸镀区域、第一种和第二种发光颜色的子像素区域，形成第三种发光颜色的子像素。这种在同一个基板上按照一定的布局形成红绿蓝像素的全色有机电致发光器件被称作Patterned RGB。图2示意了实现该结构的基本工艺过程。假设按照红绿蓝的次序形成全彩色有机电致发光二极管显示器。首先在基板210上形成图案化好的第一电极层220和绝缘隔离层230，然后在施加红光镀膜的金属掩模板241。金属掩模板241的开孔部分与红光像素区域对应，而蓝光光和绿光像素区域被金属掩模板241的非开孔部分保护起来。红光的有机发光物质只能通过只形成在红光像素242的指定区域。当完成红光像素242的镀膜后，更换绿光像素的金属掩模板251。绿光像素的金属掩模板251的开孔区域与绿光像素区域对应，同时非开孔区域保护了已经形成的红光像素242和还未镀膜的蓝光像素262区域。完成绿光像素252的镀膜之后，更换蓝光像素262的金属掩模板261。该掩模板的开孔部分与蓝光像素262对应，未开空部分保护住了已经蒸镀的红光像素242和绿光像素252。在完成蓝光像素262的镀膜，并且去掉金属掩模板261之后，对形成的红绿蓝像素区域同时镀膜第二电极层270，形成全色有机电致发光显示器件。这种形成有机电致发光二极管显示器子像素的方法一直受到多方面技术难题的困扰。首先，有机电致发光二极管的镀膜是在高真空环境下完成，通常的真空度达到1×10^-4Pa到1×10^-3Pa，由于形成红绿蓝像素的过程中必须多次使用金属掩模板，因此要实现在高真空条件下移动，更换，精确对位金属掩模板，需要非常精密的装备。实际生产也证明，由于对设备要求过高，有机电致发光二极管显示器的生产是一件效率低下、成本高昂、良品率难以保证的事情。其次，现有的有机电致发光二极管显示器的像素都是形成在同一基板层上，要实现全彩色显示，就必须在同一基板上形成分别显示多种颜色的子像素点(如分别显示红、绿、蓝色的子像素点)。要实现这个目的，就必须在同一个基板上多次使用金属掩模板，以使得不同颜色像素点形成在不同的区域上。通过金属掩模板的方法形成全色有机电致发光显示器还有很多难以克服的技术困难：如金属掩模板本身的制造和维护成本就很高；金属掩模板通常都是采用在100微米左右厚度的金属上开孔，很薄的金属薄膜不可避免地产生变形，这进而影响镀膜工艺过程中的移动和对位精度。再次，由于如塑料和超薄玻璃之类的柔性基板本身就容易形变，需要在镀膜过程中尽可能少地移动金属掩模板。因此已有的柔性的全色彩有机电致发光二极管显示器也需要制造方法上的创新。到目前为止，商品化的有机电致发光二极管显示器受制于尺寸难以做大，制造成本过高等诸多关键困难；同时能够突显其技术优势的柔性有机电致发光显示器也难以商品化。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种有机电致发光二极管器件及其显示装置，以避免现有技术中在同一基板上形成多种颜色像素结构带来的工艺困难；该有机电致发光二极管器件采用在多个基板上分别形成单色像素阵列和相应的驱动电路，然后将这些基板按照一定方式垂直垒叠和粘接，形成多颜色像素有机电致发光二极管器件和显示装置。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种有机电致发光二极管器件，包括N层垂直垒叠的单色发光基板；每一层单色发光基板包括有机电致发光二极管像素阵列、像素阵列的供电电路和透光区域；N层垂直垒叠的单色发光基板在通电后产生的光发射方向一致；第n层单色发光基板的有机电致发光二极管像素阵列在电场激发时产生的光发射，由第1层到第n-1层的透光区域的对应部分发出；N为自然数，2≤N，n∈N，2≤n。

本发明进一步的改进在于：相邻的两层单色发光基板之间具有透明的粘合剂层。

本发明进一步的改进在于：单色发光基板包括：透明基板；在透明基板上形成的有机电致发光二极管像素阵列、供电电路和透光区域；形成在有机电致发光二极管像素阵列上的封装层。

本发明进一步的改进在于：所述封装层为透光材质，封装层完全覆盖整个基板或者仅仅覆盖有机电致发光二极管像素阵列。

本发明进一步的改进在于：所述封装层为不透光材质，封装层仅仅覆盖有机电致发光二极管像素阵列，以保证其它层的光可以透过。

本发明进一步的改进在于：单色发光基板包括有透明基板，透明基板上具有：形成有机电致发光二极管像素阵列和供电电路的区域和用于其它单色发光基板上像素阵列产生的光透过的透光区域。

本发明进一步的改进在于：每一层单色发光基板的供电电路只能控制和驱动该单色发光基板上的有机电致发光二极管像素阵列。

本发明进一步的改进在于：该有机电致发光二极管器件的一个完整的像素由N层单色发光基板的有机电致发光二极管像素阵列中对应的子像素叠加共同构成；N层单色子像素层的有机电致发光二极管像素阵列相互错开，使第n层单色发光基板的有机电致发光二极管像素阵列在电场激发时产生的光发射，由第1层到第n-1层的透光区域的对应部分发出。

本发明进一步的改进在于：2≤N≤5。

本发明进一步的改进在于：N＝3，该3层垂直垒叠的单色发光基板通电后分别发出红光、绿光和蓝光。

本发明进一步的改进在于：每一层单色发光基板的有机电致发光二极管像素阵列上设有一层封装层；封装层的作用是阻止水、氧气或者其它化学活性的气体对有机电致发光二极管像素阵列和驱动电路产生破坏；封装层具有透光率对于可见光不少于30％。

为了实现上述目的，本发明还可以采用如下技术方案：

一种具有本发明所述有机电致发光二极管器件的有机电致发光显示装置。

相对于现有技术，本发明的优点在于：

第一，简化了全色的有机电致发光二极管器件的制造方法，避免了在真空镀膜的过程中在同一块镀膜基板上多次使用掩模板。由于每一单色发光基板仅蒸镀一种发光颜色的像素阵列，因此仅需要在镀膜时候采用一次掩模板。

第二，简化了驱动电路的设计。由于全色有机电致发光二极管显示器的像素由多个单色子像素按一定阵列形式排布在同一基板上，因此在驱动电路的设计上必须考虑多种不同发光颜色子像素的差异。本发明中，同一个单色发光基板上仅有一种发光颜色的像素阵列，因此在驱动电路的设计上不需要考虑其他颜色像素，从而使驱动电路的设计更具有灵活性。

第三，提高了全色有机电致发光二极管显示器的开口率。由于驱动电路通常不透明，在其上沉积形成的有机电致发光二极管在通电时产生的光并不能顺利射出。这一难题在采用薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistors)作为驱动电路的AMOLED(Active Matrix OLED)显示器上尤为明显。由于本发明方案中的有机电致发光二极管显示器由多层单色子像素层构成，该层的驱动电路仅需要针对一种发光颜色的子像素；同时，在垂直垒叠形成全彩色显示器时，可以使不同单色子像素层不透光的驱动电路在垂直方向占据同样的位置，从而提高开口率。

第四，由于减少了掩模板的使用次数，从而最大限度避免了由于掩模板移动和变形最基板造成的影响，简化了工艺。因此更加适合柔性基板，如：塑料、金属薄片、超薄玻璃，上的镀膜。同时，多层柔性的单色子像素层可以容易地实现垂直垒叠，从而形成全色彩的柔性有机电致发光二极管显示器。

【附图说明】

图1是底发射型有机电致发光二极管的器件结构。11：基板、12：阳极，13：空穴注入层；14：空穴传输层；15：有机发光层：16：空穴阻挡层；17：电子注入层；18：阴极。

图2a至图2f是传统采用金属掩模板方法制造全彩色有机电致发光二极管显示器的工艺流程图。

图3是本发明方法制造全彩色有机电致发光二极管器件的机构示意图。

图4a至图4d是本发明方法制造全彩色有机电致发光二极管显示器的工艺流程图。

图5是本发明实施例1获得的器件光谱图。

【具体实施方式】

请参阅图3至图4所示，本发明提供了一种有机电致发光二极管器件，该有机电致发光二极管器件由多层单色子像素层垂直垒叠构成，其中单色发光层的层数在2层到5层之间。每一层单色子像素层由具有一种发光颜色的有机电致发光二极管像素阵列、像素的供电电路和透明区域构成。每一层单色子像素层都具有以下结构：(1)基板，基板可以采用玻璃、超薄玻璃、塑料薄膜等材料。(2)在基板上形成的有机电致发光二极管像素阵列，以及供电电路。(3)形成在有机电致发光二极管像素阵列上的封装层，该封装层可以全部或者部分地覆盖有机电致发光二极管像素阵列、供电电路和透明区域。

单色子像素层可以分为两部分区域：(a)形成有机电致发光二极管像素阵列和供电电路的区域。该区域的不透光或者透光性很差。(b)透光区域，其用于其它单色发光基板上像素阵列产生的光透过。当多个单色子像素层垂直垒叠贴合时，相邻的两层单色子像素层之间通过透明粘合剂粘接，透明粘合剂的类型可包括但不限于，环氧树脂、丙烯酸酯、硅胶等。透明粘合剂的固化方式可包括但不限于，光固化胶、热固化胶、压敏胶。

如图3所示，当有电致发光二极管采用底发射的方式，即光由基板和第一电极层一侧射出时，第一层单色子像素层311的背面(第二电极层和封装层一侧)与第二层单色子像素层321的出光面通过透明粘合剂301粘接，第一层单色子像素层的像素阵列312通电产生的光发射通过基板射出。第二层单色子像素层的像素322阵列与第一层单色子像素层的透明区域313形成对应关系；并且，第二层单色子像素层的像素322通电产生的光发射能够通过第一层单色子像素层的透明区域313射出。当第三层单色子像素层331的出光面与第二层单色子像素层321的背面通过透明粘合剂302粘接后，第三层单色子像素层331的像素阵列332与第一层和第二层单色子像素层共同的透明区域323形成对应关系。并且，第三层单色子像素层的像素332通电产生的光发射能够通过第一层和第二层单色子像素层的共同的透明区域323射出。按照前述的关系，当第n层单色子像素层的出光面与第n-1层单色子像素层的背面贴合后，第n层单色发光基板的像素阵列与第n-1层到第1层单色子像素层的透明区域形成对应关系，并且第n层单色子像素层的像素通电产生的光发射能够通过第n-1层到第1层单色子像素层的透明区域射出。该方法获得的有机电致发光二极管器件每一层单色发光基板中像素阵列有其对应的供电电路。各基板层的供电电路之间不相互影响。

本发明还提供了一种全彩色有机电致发光二极管显示器。该有机电致发光二极管显示器由多层单色子像素层垂直垒叠构成，其中单色发光层的层数在2层到5层之间。每一层单色子像素层由具有一种发光颜色的有机电致发光二极管子像素阵列、子像素的驱动电路构成和透明区域构成。每一层单色子像素层都具有以下结构：(1)基板，基板可以采用玻璃、超薄玻璃、塑料薄膜等材料。(2)在基板上形成的有机电致发光二极管像素阵列，以及子像素的驱动电路。(3)形成在有机电致发光二极管像素阵列上的封装层，该封装层可以全部或者部分地覆盖有机电致发光二极管像素阵列、驱动电路和透明区域。单色子像素层可以分为两部分区域：(a)形成有机电致发光二极管像素阵列和驱动电路的区域，该区域的不透光或者透光性很差。(b)透光区域，其用于其它单色发光基板上像素阵列产生的光透过。当多个单色子像素层垂直垒叠贴合时，相邻的两层单色子像素层之间通过透明粘合剂粘接，透明粘合剂的类型可包括但不限于，环氧树脂、丙烯酸酯、硅胶等。透明粘合剂的固化方式可可包括但不限于，光固化胶、热固化胶、压敏胶。

请参阅图4a至图4d。如图4a所示，在第一层单色子像素层410的玻璃基板411上形成图形化的ITO(氧化铟锡)条纹414，作为有机电致发光二极管的第一电极构成像素阵列412。ITO由于透明度很高，因此也可以覆盖在透明区域413上。由作为第一电极层的ITO条纹414和第二电极层415(通常为金属)，共同构成了像素阵列412的驱动电路；并且，像素阵列412每一个子像素可以独立寻址。

图4b是第二层单色子像素层420的结构示意图；在第二层单色子像素层420的玻璃基板421上形成图形化的ITO(氧化铟锡)条纹424，作为有机电致发光二极管的第一电极构成像素阵列422。ITO由于透明度很高，因此也可以覆盖在透明区域423上。由作为第一电极层的ITO条纹424和第二电极层425(通常为金属)，共同构成了像素阵列422的驱动电路；并且，像素阵列422每一个子像素可以独立寻址。

图4c是第三层单色子像素层430的结构示意图；在第三层单色子像素层430的玻璃基板431上形成图形化的ITO(氧化铟锡)条纹434，作为有机电致发光二极管的第一电极构成像素阵列432。ITO由于透明度很高，因此也可以覆盖在透明区域433上。由作为第一电极层的ITO条纹434和第二电极层435(通常为金属)，共同构成了像素阵列432的驱动电路；并且，像素阵列432每一个子像素可以独立寻址。

有电致发光二极管可以采用底发射的方式，即光由玻璃基板411和第一电极层414一侧射出。第二层单色子像素层420和第三层单色子像素层430也采用相同的底发射出光方式。当第一层单色子像素层410的第二电极层415一侧和第二层单色子像素层420的玻璃基板421一侧通过透明粘合剂垂直贴合时，第二层单色子像素层420的像素阵列422在垂直方向占据第一层单色子像素层410的透明区域413的部分位置；第一和第二子像素层的第一电极层ITO条纹414和424在垂直位置上重合。当第三层单色子像素层430的玻璃基板431通过透明粘合剂与第二层单色子像素层420的第二电极层425一侧垂直贴合时，第三层单色子像素层430的像素阵列432在垂直方向占据第一层单色子像素层410和第二层单色子像素层420共同的透明区域；三个子像素层的第一电极层ITO条纹414、424和434在垂直位置上重合。按照前述的关系，当第n层单色子像素层的出光面与第n-1层单色子像素层的背面贴合后，第n层单色发光基板的像素阵列与第n-1层到第1层单色子像素层的透明区域形成对应关系，并且第n层单色子像素层的像素通电产生的光发射能够通过第n-1层到第1层单色子像素层的透明区域射出。该方法获得的有机电致发光二极管器件每一层单色子像素层中像素阵列有其对应的驱动电路。每一层单色子像素层的驱动电路在工作时候只能驱动该层的像素。

下面结合具体的实施例对本发明做进一步详细的介绍：

实施例1：

面积75mm×75mm、厚度100μm的超薄玻璃上涂覆10μm的光刻胶FuturrexN71-3000PY。光刻胶显影后，形成100μm宽的沟槽用于沉积第一电极层和20μm宽的光刻胶区域。以氩气为背景，在2.5Pa的压力下，以20瓦的功率在PET表面形成约50nm厚的条纹状ITO薄膜。去胶之后，在与ITO条纹垂直方向，用N71-3000PY形成宽度为100μm的光刻胶区域，光刻胶之间的宽度为200μm。以氩气为背景，在0.5Pa的压力下，沉积150微米的Si0₂。去胶之后，施加金属掩模板，在与ITO条纹垂直方向上沉积100μm的条纹状有机电致发光二极管，条纹的位置与SiO₂层的100μm沟槽中心一致。最后沉积50微米的SiO作为封装层。

在3片对应红绿蓝单色子像素层的超薄玻璃基板上沉积的有机电致发光层的器件结构如下：

红光：ITO、α-NPD 40nm、CBP(含10％Ir(piq)₂(acac))30nm、TPBi 20nm、Alq325nm、LiF 1nm、Al 200nm；

绿光：ITO、α-NPD 60nm、Alq3 65nm、LiF 1nm、Al 200nm；

蓝光：ITO、α-NPD 40nm、AND 30nm、TPBi 30nm、LiF 1nm、Al 200nm。

其中，ITO作为第一电极层，Al作为第二电极层。工作时，有机电致发光二极管产生的光发射由ITO所在的超薄玻璃一侧射出。

在形成好的红光子像素层上涂覆30μm厚的PDMS(polydimethylsiloxane，聚二甲基硅氧烷)，将蓝光子像素层的超薄玻璃面垂直垒叠与其上。蓝光子像素层的像素阵列在垂直方向置于红光子像素层阵列之间的200μm透明区域中；且蓝光自像素阵列与一侧的红光子像素阵列在垂直方向接近，与另一侧的红光子像素阵列间隔100μm。将整个结构置于真空中，放置48小时，使得PDMS固化。这时，得到已经粘接好的红光和蓝光双层结构。在这个结构中，从红光子像素层的超薄玻璃基板一侧看去，红光子像素阵列和蓝光子像素阵列水平并置；并且，红光子像素阵列和蓝光子像素阵列之间有宽度100μm的透明区域。将蓝光子像素层的第二电极层一侧涂覆30μm厚的PDMS，将绿光子像素层的超薄玻璃面垂直垒叠与其上。绿光子像素阵列置于红光和蓝光双层结构的透明区域位置，从垂直方向上看，红光、蓝光和绿光子像素阵列水平并置，每一个子像素的尺寸是100μm×100μm，整个像素的尺寸是100μm×300μm。将整个结构置于真空中，放置48小时，使得PDMS固化。

实施例2：

在面积75mm×75mm、厚度100μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)施加开孔100μm宽，间隔200微米的金属掩模板。在3片不同的该PET上分别形成红、绿、蓝子像素层。相应的有机电致发光二极管结构如下：

红光：Al 15nm、MoO3 50nm、α-NPD 40nm、CBP(含10％Ir(piq)₂(acac))30nm、TPBi 20nm、Alq3 25nm、LiF 1nm、Al 200nm；

绿光：Al 15nm、MoO3 50nm、α-NPD 60nm、Alq3 65nm、LiF 1nm、Al200nm；

蓝光：Al 15nm、MoO3 40nm、α-NPD 40nm、AND 30nm、TPBi 30nm、LiF1nm、Al 200nm。

最后对每一层单色子像素层沉积50微米的SiO作为封装层。

按照实施例1的方法将单色子像素层按照蓝、红、绿的次序贴合，其中蓝光子像素层为第一层，绿光子像素层为第三层。这样获得了颜色可独立调节的3基色有机电致发光二极管。其中三层的光谱如图5所示。

缩略语：

α-NPD：N，N′-Bis(naphthalen-1-yl)-N，N′-bis(phenyl)-benzidine；

Alq3：Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium；

CBP：4，4′-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl；

TPBi：2，2′，2″-(1，3，5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)；

AND：9，10-Di(naphth-2-yl)anthracene；

Ir(piq)₂(acac)：Bis(1-phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato)iridium(III)。

Claims (10)

1.一种有机电致发光二极管器件，其特征在于，包括N层垂直垒叠的单色发光基板；每一层单色发光基板包括有机电致发光二极管像素阵列、像素阵列的供电电路和透光区域；N层垂直垒叠的单色发光基板在通电后产生的光发射方向一致；第n层单色发光基板的有机电致发光二极管像素阵列在电场激发时产生的光发射，由第1层到第n-1层的透光区域的对应部分发出；N为自然数，2≤N，n∈N，2≤n。

2.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管器件，其特征在于，相邻的两层单色发光基板之间具有透明的粘合剂层。

3.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管器件，其特征在于，单色发光基板包括：

透明基板；

在透明基板上形成的有机电致发光二极管像素阵列、供电电路和透光区域；

形成在有机电致发光二极管像素阵列上的封装层。

4.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管器件，其特征在于，单色发光基板包括有透明基板，透明基板上具有：形成有机电致发光二极管像素阵列和供电电路的区域和用于其它单色发光基板上像素阵列产生的光透过的透光区域。

5.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管器件，其特征在于，每一层单色发光基板的供电电路只能控制和驱动该单色发光基板上的有机电致发光二极管像素阵列。

6.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管器件，其特征在于，该有机电致发光二极管器件的一个完整的像素由N层单色发光基板的有机电致发光二极管像素阵列中对应的子像素叠加共同构成；N层单色子像素层的有机电致发光二极管像素阵列相互错开，使第n层单色发光基板的有机电致发光二极管像素阵列在电场激发时产生的光发射，由第1层到第n-1层的透光区域的对应部分发出。

7.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管器件，其特征在于，2≤N≤5。

8.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管器件，其特征在于，N＝3，该3层垂直垒叠的单色发光基板通电后分别发出红光、绿光和蓝光。

9.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管器件，其特征在于，每一层单色发光基板的有机电致发光二极管像素阵列上设有一层封装层。

10.一种具有权利要求1至9中任一项所述的有机电致发光二极管器件的有机电致发光显示装置。

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