CN103165568A - 被动元件的结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种被动元件的结构。此被动元件的结构至少包含被动元件本体、第一缓冲层与第一导电层堆叠于被动元件本体的第一表面上，而被动元件本体的第二表面上更可堆叠有第二缓冲层与第二导电层。其中，被动元件本体的材质为陶瓷。第一缓冲层与第二缓冲层的材质为镍铬合金或镍钒合金，其中镍铬合金含有98wt％至33wt％的镍及2wt％至67wt％的铬，而镍钒合金含有99wt％至87wt％的镍及1wt％至13wt％的钒。此外，第一导电层与第二导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
Description
技术领域
本发明是有关于一种被动元件的结构，特别是有关于一种具有预设重量百分比的金属薄膜的被动元件的结构。
背景技术
现今社会对于电子产品的依赖性日益提高，人们身边总是存在有电子产品，而电子产品内部更是具有电路。并且不论是简单电路，亦或是复杂电路，总是会包含基本的被动元件，例如电容于电路中可用以储存能量、更正功率因子以及作为滤波之元件。
并且，现今的电子产品体积日渐缩小，然而所要求的特性却日益提高，因此人们要求被动元件必须具有小体积以及稳定性。举例而言，习知电容中，陶瓷电容因以介电系数较大的陶瓷作为二导体间之介电材质，因此可在小体积中具有相对较大的电容量。但习知陶瓷电容的电性并不甚理想，且被动元件的结构本身的附着效果亦不甚理想。
发明内容
鉴于习知技艺的各项问题，为了能够兼顾解决之，本发明人基于多年研究开发与诸多实务经验，提出一种被动元件的结构，以作为改善上述缺点之实现方式与依据。
有鉴于上述习知技艺的问题，本发明目的就是在提供一种被动元件的结构，以解决习知被动元件的结构本身附着效果不佳的问题。
为达上述目的，本发明提供一种被动元件的结构，至少包含：
一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；
至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质可为镍铬合金，该镍铬合金可含有约98wt％至约33wt％的镍以及约2wt％至约67wt％的铬；以及，
至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
此外，本发明的被动元件的结构，更可包含：
至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质可和第一缓冲层相同；以及，
至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
其中，第一缓冲层与第二缓冲层可由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层可由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。
其中，沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质可为镍铬合金，该镍铬合金可含有约98wt％至约33wt％的镍以及约2wt％至约67wt％的铬。
另外，被动元件可为电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。
除此之外，被动元件本体的材质可为陶瓷。
本发明还提供了另一种被动元件的结构，至少包含：
一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；
至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质可为镍钒合金，该镍钒合金可含有约99wt％至约87wt％的镍以及约1wt％至约13wt％的钒；以及，
至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层的材质可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
此外，本发明的被动元件的结构，更可包含：
至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质可和第一缓冲层相同；以及，
至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
其中，第一缓冲层与第二缓冲层可由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面上和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层可由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。
其中，沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质可为镍钒合金，该镍钒合金可含有约99wt％至约87wt％的镍以及约1wt％至约13wt％的钒。
另外，被动元件可为电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。
除此之外，被动元件本体的材质是陶瓷。
因此，本发明被动元件的结构特点在于，由预设的第一缓冲层与第二缓冲层材质的重量百分比，藉以提升被动元件的特性。本发明的另一特点在于，由沉积第一缓冲层与第二缓冲层所使用靶材材质的重量百分比，藉以增加第一缓冲层与第二缓冲层的附着效果，进而避免第一导电层与第二导电层脱落。
附图说明
图1为本发明被动元件的结构侧面示意图。
图2为本发明被动元件的结构上视图。
图3为用以形成本发明被动元件的结构的溅镀装置剖面示意图。
图中：100：被动元件、120：被动元件本体、121：第一表面、122：第二表面、131：第一缓冲层、132：第二缓冲层、141：第一导电层、142：第二导电层、200：沉积装置、210：沉积室、220：靶材、230：磁石。
具体实施方式
以下将参照附图，说明依本发明较佳实施例的被动元件的结构，为使便于理解，下述实施例中相同元件以相同符号标示来说明。
本发明被动元件至少具有一表面，且此表面上可依序堆叠有缓冲层及导电层。此外，本发明被动元件亦可于另一表面上依续堆叠有缓冲层及导电层。换句话说，本发明被动元件可于单面上依序堆叠缓冲层及导电层，亦或者，可于双面上均依序堆叠有缓冲层及导电层。为使便于理解，下述实施例中于被动元件之不同表面上之缓冲层及导电层具有不同之名称及符号。
以双面上均依序堆叠有缓冲层及导电层为例，如图1、图2所示，该被动元件100结构至少包含被动元件本体120、第一缓冲层131、第一导电层141、第二缓冲层132以及第二导电层142。其中，被动元件100可例如为电容、突波吸收器、热敏电阻、压电陶瓷或其它被动元件。另外，被动元件本体120例如具有第一表面121与第二表面122，而第一缓冲层131与第一导电层141例如依序堆叠于被动元件本体120的第一表面121上，以及第二缓冲层132与第二导电层142例如依序堆叠于被动元件本体120的第二表面122上。
除此之外，本发明被动元件100亦可仅于被动元件本体120之单面上依序堆叠有第一缓冲层131与第一导电层141。亦或者，本发明被动元件100可仅于被动元件本体120之单面上依序堆叠有第二缓冲层132与第二导电层142。另外，本发明被动元件100亦可于被动元件本体120之第一表面121上堆叠有第一缓冲层131与第一导电层141，且第二表面122上堆叠有第二缓冲层132与第二导电层142。
此外，被动元件100的被动元件本体120的材质可例如为陶瓷。并且，被动元件100的结构中第一缓冲层131与第二缓冲层132的材质可例如为镍铬合金或镍钒合金。而此镍铬合金含有约98wt％至约33wt％的镍以及约2wt％至约67wt％的铬；此镍钒合金含有约99wt％至约87wt％的镍以及约1wt％至约13wt％的钒。另外，本被动元件100之结构中第一导电层141与第二导电层142的材质可例如为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的任一种。
其中，本发明被动元件100的结构的特点在于，由第一缓冲层131附着于被动元件本体120的第一表面121上，甚至更由第二缓冲层132附着于被动元件本体120的第二表面122上，并且利用第一缓冲层131、第二缓冲层132与第一导电层141、第二导电层142彼此间的相互附着力，以避免第一导电层141与第二导电层142脱落。
另外，第一缓冲层131与第二缓冲层132例如由沉积法分别形成于被动元件本体120的第一表面121上与第二表面122上。且第一导电层141与第二导电层142亦例如由相同的沉积法分别形成于第一缓冲层131与第二缓冲层132上。其中，沉积法可例如为蒸镀、溅镀、离子镀或电弧镀法。
详言之，以沉积法中的电浆溅镀法为例，同时参阅图3，此沉积法系由一沉积装置200进行沉积动作。以沉积第一缓冲层131为例，此沉积法例如先将被动元件本体120置于沉积装置200内，其中，沉积装置200例如至少包含磁石230以及位于沉积室2 10中的靶材220。接着，此沉积法加热被动元件本体120至适合沉积的温度，再于压力为10-2托(torr)至10-6托(torr)之间的低压沉积室210中通入一制程气体，直至沉积室210之工作压力达到可沉积范围。然后，即可开始进行沉积动作。其中，适合沉积的温度可约为150摄氏度。
以沉积第一缓冲层131为例，被动元件本体120位于沉积装置200一端，靶材220位于沉积装置200另一端，靶材220材质可为镍铬合金或镍钒合金。当加热被动元件本体120至适合沉积的温度，以及沉积室210的工作压力达到适合沉积的范围时，再由沉积室210中，呈电浆状态的气体粒子撞击靶材220，使得靶材220的部分原子被撞击出靶材220，而落至被动元件本体120的表面，以达成沉积之动作。其中，适合沉积的工作压力可约为1微托(mtorr)到30微托之间。
此外，沉积装置200于靶材220一端例如具有磁石230，并借由磁石230的作用，于沉积室210中形成磁场。使得沉积过程中，被溅射出靶材220的粒子的前进方向较为集中，进而提升沉积成效。
但是，由前述得知，第一缓冲层131与第二缓冲层132其中一效果在于，避免第一导电层141与第二导电层142脱落。因此，靶材220可为附着力较佳的镍金属。不过，沉积装置200的磁石230反而会使得被溅射出的镍金属靶材220不易溅射出至另一端，进而无法成功的进行沉积之动作。因此，靶材220的材质可为镍铬合金或镍钒合金，凭借铬或钒的作用，使得沉积装置200可以进行沉积之动作。但若掺杂铬或钒比例过高，会导致第一缓冲层131、第二缓冲层132与第一导电层141、第二导电层142的附着效果较差。
因此，本被动元件100的结构中的第一缓冲层131与第二缓冲层132在沉积过程中，所使用靶材230的材质可为镍铬合金或镍钒合金。其中，镍铬合金可含有约98wt％至约33wt％的镍以及约2wt％至约67wt％的铬；镍钒合金可含有约99wt％至约87wt％的镍以及约1wt％至约13wt％的钒。具有以上比例的第一缓冲层131与第二缓冲层132会具有较佳的附着力，且被动元件100之结构亦会具有较佳的元件特性。
总言之，本被动元件100的结构中，第一缓冲层131与第二缓冲层132的材质可为镍铬合金或镍钒合金。其中，镍铬合金含有约98wt％至约33wt％的镍以及约2wt％至约67wt％的铬；镍钒合金含有约99wt％至约87wt％的镍以及约1wt％至约13wt％的钒。
为了证实本被动元件100确实具有较佳的电性，发明人更提出实验数据以佐证其效果。当第一缓冲层131与第二缓冲层132的材质比例为约33wt％至约98wt％的镍以及约2wt％至约67wt％的铬时，于后续制程焊接接脚后，被动元件100于至少2.5公斤(kilogram，kg)的拉拔力的量测中，可维持至少60秒时间。并且于例如电容值以及损耗等电性方面其量测值都符合被动元件的标准。此外，当第一缓冲层131与第二缓冲层132的材质比例为约99wt％至约87wt％的镍以及约1wt％至约13wt％的钒时，于后续制程焊接接脚后，被动元件100于至少2.5公斤的拉拔力的量测中，可维持至少60秒时间。并且于例如电容值以及损耗等电性方面其量测值都符合被动元件的标准。因此，可以得知本发明之被动元件100的结构确实具有良好的元件特性及附着效果。
以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明精神与范畴，而对其进行等效修改或变更，均应包含于后附之权利要求范围中。
Claims (12)
1.一种被动元件的结构，其特征在于，包含：
一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；
至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质为镍铬合金，该镍铬合金含有98wt％至33wt％的镍以及2wt％至67wt％的铬；以及，
至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
2.如权利要求1所述的被动元件的结构，其特征在于，更包含：
至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质和第一缓冲层相同；以及，
至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
3.如权利要求2所述的被动元件的结构，其特征在于，所述第一缓冲层与第二缓冲层由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。
4.如权利要求3所述的被动元件的结构，其特征在于，所述沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质是镍铬合金，该镍铬合金含有98wt％至33wt％的镍以及2wt％至67wt％的铬。
5.如权利要求1所述的被动元件的结构，其特征在于，所述被动元件是电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。
6.如权利要求1所述的被动元件的结构，其特征在于，所述被动元件本体的材质是陶瓷。
7.一种被动元件的结构，其特征在于，包含：
一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；
至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质为镍钒合金，该镍钒合金含有99wt％至87wt％的镍以及1wt％至13wt％的钒；以及，
至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
8.如权利要求7所述的被动元件的结构，其特征在于，更包含：
至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质和第一缓冲层相同；以及，
至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
9.如权利要求8所述的被动元件的结构，其特征在于，所述第一缓冲层与第二缓冲层由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面上和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。
10.如权利要求9所述的被动元件的结构，其特征在于，所述沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质是镍钒合金，该镍钒合金含有99wt％至87wt％的镍以及1wt％至13wt％的钒。
11.如权利要求7所述的被动元件的结构，其特征在于，所述被动元件是电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。
12.如权利要求7所述的被动元件的结构，其特征在于，所述被动元件本体的材质是陶瓷。
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| TW201324549A (zh) | 2013-06-16 |
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Legal Events
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130619 |