CN103135368A - 一种测量杂散光的方法和系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种测量杂散光的方法，其包括步骤如下：步骤S1：对位移平台初始化，步骤S2：设置测量系统的测量参数，步骤S3：驱动电机带动位移平台对照明光场区域进行扫描，利用点能量探测器对掩模面或硅片面上的一测试点进行光能量探测，将点能量探测器固定在测试点位置，调节可变狭缝的开口大小，得到同一测试点在可变狭缝不同开口大小的光能量值；步骤S4：对于照明光场区域内不同的测试点，重复步骤S3测量可变狭缝不同开口大小的不同光能量值；步骤S5：通过串口通信将光能量值数据存储到计算机中；由计算机对光能量值数据进行数据处理，得到掩模面或硅片面上的每一测试点的杂散光。本发明还提供一种测量杂散光的系统。

Description

一种测量杂散光的方法和系统

技术领域

本发明属于现代光学测试技术领域，涉及对光刻照明系统和光刻投影物镜系统杂散光以及杂散光整场偏差进行精确测量。

背景技术

杂散光，也称为杂光或者杂光辐射，是指光学系统中除了成像光线外，扩散于探测器表面上的其他非成像光线辐射能，以及通过非正常光路到达探测器的成像光线辐射能。杂散光整场偏差指视场内不同测试点杂散光的偏差。在光刻系统中，是指在掩模和硅片上扩散的非成像光线，对光刻图形的成像质量和CD(Critical dimension)均匀性均产生负面影响。

因此，对杂散光的分析、控制和测量已经成为光学工程的关键技术，影响着光学工程其他方向的发展，杂散光的存在增强了背景光能量，降低了成像对比度、图形保真度和图CD均匀性，使光刻工艺窗口缩小，严重影响了光刻系统的性能。另外，对于NA0.75及以上的光刻系统，所使用的是高能激光器，必须考虑鬼像对光学元件膜层的影响，所以，为了提高图像对比度，获得良好的图形CD均匀性，必须对光刻照明系统和光刻投影物镜系统的杂散光加以严格控制。然而，杂散光对CD均匀性的影响规律非常复杂，例如，在亮场中杂散光使得实际CD值小于目标CD值，在暗场中杂散光使得实际CD值大于目标CD值。在整个曝光场内，杂散光分布的不均匀性将引起整体光能量分布不均，造成曝光场内图形CD均匀性发生变化。

杂散光对光刻系统主要有以下影响：

(1)杂散光对光能量分布的影响；随着杂光数量的增多，数值孔径越大，杂散光对背景光能量的影响越大。

(2)杂散光对图像对比度的影响；图像的对比度描述了图像中最大光能量与最小光能量之间的差异，光能量分布函数决定了图像的对比度，其大小对抗蚀剂中图像质量的好坏有决定性的影响。

(3)杂散光对线宽均匀性的影响；杂散光会使特征图像的线宽发生变化，且随着特征图形线宽的不断缩小，杂散光所引起的线宽相对变化量将不断增大。

(4)杂散光对图形位置误差的影响；制造一个电子器件需要使用多套掩模对晶片进行重复曝光，为了保证曝光图形对接的精度，对曝光图形的位置提出了很高的要求，一般来说，图形位置误差不得超过目标线宽的1/3，杂散光使不透光区域的背景光能量增加，则曝光图形位置也会相应地受到杂散光的影响。

(5)杂散光对工艺窗口的影响；在光刻工艺优化过程中，工艺窗口的大小经常被用来衡量工艺的能力，杂散光引起特征图形的线宽发生变化，使光刻工艺窗口缩水。

(6)杂散光还会引起图形侧壁陡度的变化。

(7)杂散光会导致焦深降低。

对于光刻照明系统和光刻投影物镜的杂散光性能指标检测，传统方法是制作铬掩模，对不透光的掩模进行曝光，通过对无掩模光刻胶完全感光所需曝光剂量与有掩模时光刻胶感光所需曝光剂量之比，来评价光刻系统的杂光性能。由于这种杂散光检测方法需要制作铬掩模，成本极高，同时整个曝光工艺过程受环境影响较大，也与光刻胶的选型有关。

综上所述，必须探索一种新的杂散光测量方法，建立一套能对光刻照明系统和光刻投影物镜系统杂散光进行精确测量的系统，通过对光刻曝光系统杂散光进行准确测量，与光刻系统杂散光建模仿真相结合，不断改进设计，以提高光刻系统的分辨率和成像质量。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明针对光刻照明系统和光刻投影物镜系统杂散光和杂散光整场偏差进行精确测量，并对测量过程中采集的数据以图表形式输出。

为解决上述技术问题，本发明提出一种测量杂散光的方法，实现杂散光测量的步骤如下：

步骤S1：位移平台初始化，初始化按照执行先后顺序找最佳焦面、找视场中心及方向、照明场视场方向校准、测量系统位置标定；

步骤S2：设置测量系统的测量参数，测量参数包括测试面是选择硅片面和掩模面、相干因子设置、照明模式设置、可变狭缝参数设置和测试点参数设置；

步骤S3：驱动电机带动位移平台对照明光场区域进行扫描，利用点能量探测器对掩模面或硅片面上的一测试点进行光能量探测，将点能量探测器固定在测试点位置，调节可变狭缝的开口大小，从而改变入射到掩模面或硅片面上的光场，可变狭缝的每一开口大小对应着一光能量值，得到同一测试点在可变狭缝不同开口大小的光能量值；

步骤S4：对于照明光场区域内不同的测试点，重复步骤S3测量可变狭缝不同开口大小的不同光能量值；

步骤S5：通过串口通信将光能量值数据存储到计算机中；由计算机对光能量值数据进行数据处理，得到掩模面或硅片面上的每一测试点的杂散光。

其中：通过计算机对不同测试点杂散光数据处理，得到掩模面或硅片面的杂散光整场偏差。

其中：调节可变狭缝的大小，从而控制到达掩模面或硅片面的光能量总量，所述可变狭缝的开口大小是能调节的狭缝。

其中：所使用的能量探测器为点能量探测器。

为解决上述技术问题，本发明还提出一种杂散光测量系统，该测量系统主要包括：光源、光束扩束单元、光束模式变换单元、相干因子调节单元、匀光单元、可变狭缝、成像单元、掩模面、光刻投影物镜、硅片面、点能量探测器依次位于光路中，点能量探测器位于位移平台上，计算机与位移平台的控制单元连接，其中：

光源，用于输出激光光束；

光束扩束单元，用于对激光光束进行扩束，得到扩束激光光束；

光束模式变换单元，用于对扩束激光光束进行整形，获得整形光束；

相干因子调节单元，用于对整形光束进行相干因子调节，获得目标相干因子光束；

匀光单元，用于对目标相干因子光束做匀光处理，获得匀光光束；

可变狭缝，接收匀光光束，并调节可变狭缝在X方向和Y方向的通光口径的大小，同时控制照明视场对称中心的位置，从而控制照明视场的区域；

成像单元，用于对照明视场的区域生成照射均匀的远心光束；

掩模面，用于调制照射均匀的远心光束；

光刻投影物镜，用于将掩模面的远心光束成像到硅片面上；

硅片面，用于接收光刻投影物镜所成的像；

点能量探测器，用于探测得到硅片面或掩模面上同一测试点的光能量；

位移平台，驱动点能量探测器，通过改变可变狭缝的缝的尺寸大小，再获取不同狭缝尺寸大小的光能量值；

计算机，对不同狭缝尺寸大小的光能量值数据处理，获取不同测试点的杂散光后，计算得到光刻照明系统或整个光刻系统的杂散光整场偏差。

其中：相干因子调节单元由变焦组和锥镜组构成，变焦组，用于对整形光束实现相干因子连续调节；锥镜组，随着两锥镜之间间距的变化，产生的环形照明内外环宽也发生变化，锥镜的中心圆锥的尖端，起到分割光束的作用。

其中：所述匀光单元由微复眼透镜组和聚光镜组构成，其中：微复眼透镜组，是将入射光分割成许多子光束，分割后的子光束的均匀性优于整个入射光束的均匀性；聚光镜组，是将分割的子光束叠加在同一区域，光束叠加使各子光束的光能量互相补偿，实现匀光。

其中：所述成像单元采用双远心的结构，主要作用是扩大照明视场、减小视场畸变、减小半影效应。

本发明核心部件为可变狭缝、点能量探测器、位移平台、计算机和高速数据传输与处理电路。通过改变可变狭缝的大小，从而控制入射到掩模面或硅片面上的照明光场区域，通过点能量探测器获取同一测试点不同狭缝大小状态下的光能量值。位移平台带动点能量探测器对照明光场区域进行步进扫描探测，通过串口通信将探测到的不同测试点不同刀口大小的光能量数据存储到计算机中，通过对获取的光能量值进行数据处理，从而得到光刻系统的杂散光和杂散光整场偏差。

本发明的有益效果：

本发明很好的避免了传统光刻系统杂光检测时制作铬掩模所产生的高昂费用，以及由于光刻胶的类型和整个曝光工艺过程控制所带来的不确定性。与传统光刻系统杂光测量方法相比，该方法检测结果可以直接在计算机上以图形和数据的形式显示，具有成本低，系统结构简单，运行稳定可靠的优点。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

1、本发明避免了传统光刻系统杂散光检测时制作铬掩模所产生的高昂费用。

2、本发明避免了环境的影响，传统杂散光检测需要对掩模进行曝光，整个曝光工艺过程受环境影响较大，同时也与光刻胶的选型有关。

3、本发明可对光刻照明系统或整个光刻系统进行杂散光和杂散光指标进行检测，传统杂散光检测方法只能对整个光刻系统进行杂散光指标检测。

4、本发明由于使用点能量传感器检测可以避免由于通道特性不同引起的检测误差，在提高测量可靠性的同时还避免了复杂的标定工作。

5、本发明具有实时性，将点能量探测器采集的数据通过数据处理后便得到光刻照明系统和光刻投影物镜的杂散光及杂散光整场偏差数据，同时可直观的在显示器上以图形和数据的形式显示。

通过可变狭缝与点能量探测器结合，来评价光刻照明系统和光刻投影物镜的杂光性能。对于光刻照明系统和光刻投影物镜的杂光性能指标检测，传统方法是制作铬掩模，通过对无掩模光刻胶完全感光所需曝光剂量与有掩模时光刻胶感光所需曝光剂量之比，来评价光刻系统的杂光性能。本发明很好的避免了传统光刻系统杂光检测时制作铬掩模所产生的高昂费用，以及由于光刻胶的类型和整个曝光工艺过程控制所带来的不确定性。与传统光刻系统杂光测量方法相比，该方法检测结果可以直接在计算机上以图形和数据的形式显示，具有成本低，系统结构简单，运行稳定可靠等优点。

附图说明

图1为本发明杂散光测量系统示意图；

图2为杂散光及杂散光整场偏差测量系统示意图；

图3为本发明杂散光测量方法的流程图；

图4为可变狭缝示意图；

图5为视场扫描点示意图；

图中标号说明：

1-光源、                2-光束扩束单元、     3-光束模式变换单元、

4-相干因子调节单元、    5-匀光单元、         6-可变狭缝、

7-成像单元、            8-掩模面、           9-光刻投影物镜、

10-硅片面、             11-点能量探测器、    12-位移平台、

13-计算机、             14-光场区域、        15-视场区域。

具体实施方式

为了更好地说明本发明的目的和优点，下面结合附图对本发明作进一步说明。

如图1示出测量杂散光的系统包括光刻部各功能组件和杂散光检测部示意图，图2示出杂散光及杂散光整场偏差测量系统示意图，图1中光刻部的功能组件包括光源1、光束扩束单元2、光束模式变换单元3、相干因子调节单元4、匀光单元5、成像单元7、掩模面8、光刻投影物镜9、硅片面10。杂散光检测部包括可变狭缝6、点能量探测器11、位移平台12和计算机13，点能量探测器11依次位于光路中，点能量探测器11位于位移平台12上，计算机13与位移平台的控制单元连接，其中：

光源1，用于输出激光光束；

光束扩束系统2，用于对激光光束进行扩束，得到扩束激光光束；

光束模式变换系统3，用于对扩束激光光束进行整形，获得整形光束；

相干因子调节系统4，用于对整形光束进行相干因子调节，获得目标相干因子光束；

匀光系统5，用于对目标相干因子光束做匀光处理，获得匀光光束；

可变狭缝6，接收匀光光束，并调节可变狭缝6在X方向和Y方向的通光口径的大小，同时控制照明视场对称中心的位置，从而控制照明视场的区域；

REMA镜组7，用于对照明视场的区域生成照射均匀的远心光束；

掩模面8，用于调制照射均匀的远心光束；

光刻投影物镜9，用于将掩模面的远心光束物成像到硅片面10上；硅片面10，用于接收光刻投影物镜所成的像；

点能量探测器11，用于探测得到硅片面10或掩模面8上同一测试点的光能量；

位移平台12，驱动点能量探测器11，通过改变可变狭缝6的缝的尺寸大小，再获取不同狭缝尺寸大小的光能量值；

计算机13，对可变狭缝不同开口大小的光能量值数据处理，获取不同测试点的杂散光后，计算得到光刻照明系统或整个光刻系统的杂散光整场偏差。

其中：光源1是波长为193.368nm的ArF激光器，ArF激光器发出的激光光束经过光束扩束单元2扩束后入射到光束模式变换单元3上，光束模式变换单元3将光束整形为二级照明、四极照明、环形照明或传统照明光束，经过整形后的光束然后入射到相干因子调节单元4，相干因子调节单元4主要由变焦组和锥镜组构成，变焦组的主要作用是实现相干因子连续调节，锥镜组锥角为65度，特点是随着两锥镜之间间距的变化，产生的环形照明内外环宽也发生变化，锥镜元件的中心的拐点(圆锥的尖端)，起到分割光束的作用。然后经过匀光单元5，匀光单元5通常由微复眼透镜组和聚光镜组构成，微复眼透镜组的作用是将入射光分割成许多子光束，分割后的子光束的均匀性优于整个入射光束的均匀性，聚光镜组的作用是将分割的子光束叠加在同一区域，光束叠加使各子光束的光能量互相补偿，实现匀光。光束然后通过可变狭缝6，可变狭缝6可以调节光束在X方向和Y方向的通过口径，同时可以控制照明视场对称中心的位置，从而控制照明视场的区域。最后通过成像单元7，成像单元7采用双远心的结构，放大倍率为2倍，主要作用是扩大照明视场、减小视场畸变、减小半影效应。经过掩模面8调制的光束经过光刻投影物镜9，最后成像在硅片面10上。点能量探测器11探测硅片面10或掩模面8上同一测试点的光能量，并将光能量数据传送至计算机13，然后调节可变狭缝6的大小，即改变入射到硅片面10或掩模面8的总光能量，由于杂散光的影响，硅片面10或掩模面8上同一测试点的光能量值随着可变狭缝6大小和对称中心的改变而呈现微小变化，然后通过数据处理，即可以获得光刻照明系统或整个光刻系统该测试点的杂散光。在硅片面10或掩模面8上对一测试点测试完成后，通过驱动电机驱动位移平台12带动点能量探测器11获取别的所需要测试点的光能量值，通过改变可变狭缝6的大小，再获取到不同狭缝大小的光能量值，通过数据处理，即得到了该测试点的杂散光。获取不同测试点的杂散光后，通过数据处理，即可计算得到光刻照明系统或整个光刻系统的杂散光整场偏差。

图3为本发明杂散光检测方法的流程图，按照执行先后顺序主要包括位移平台初始化、系统测量状态设置、单次设置测量、所有设置测量和计算。

步骤S1：位移平台12初始化，初始化按照执行先后顺序找最佳焦面、找视场中心及方向、照明场视场方向校准、检测系统位置标定；

步骤S2：设置检测系统的测量参数，测量参数包括测试面是选择硅片面和掩模面、相干因子设置、照明模式设置、可变狭缝参数设置和测试点参数设置；

步骤S3：单次设置测量是在同一测试点，步骤S1和S2完成后，驱动电机带动位移平台12对光场区域14进行扫描，利用点能量探测器11对掩模面8或硅片面10上的一测试点进行光能量探测，将点能量探测器11固定在测试点位置，调节可变狭缝6的开口大小，从而改变入射到掩模面8或硅片面10上的光场，可变狭缝6的每一开口大小对应着一光能量值，得到同一测试点在可变狭缝6不同开口大小的光能量值

步骤S4：对于光场区域14内不同的测试点，重复步骤S3测量可变狭缝6不同开口大小的不同光能量值；

步骤S5：通过串口通信将光能值数据存储到计算机13中；由计算机13对光能量值数据进行数据处理，得到掩模面8或硅片面10上的每一测试点的杂散光。

通过改变可变狭缝6的开口大小，即改变了入射到掩模面8和硅片面10上的光场区域14，通过点能量探测器11获取同一测试点在可变狭缝6的不同开口大小的光能量值。通过点能量探测器11，在位移平台的带动下对光场区域14进行步进扫描探测，同时改变可变狭缝6的开口大小，通过串口通信将探测到的不同测试点不同开口大小的光能量数据存储到计算机13中，进行数据处理，最后计算出光刻系统的杂散光和杂散光整场偏差。在理想情况下点能量探测器11的探测面积越小，探测精度就越高。

图4为可变狭缝示意图，透光区域为矩形，通过控制机构调节狭缝中X方向和Y方向的长度及对称点O位置，从而控制投射到掩模面8和硅片面10的光能量总量。同时，可变狭缝6的X方向和Y方向的长度可以对称于视场中心，也可以不对称于视场中心。如图4所示，图4中a表示狭缝全开时的状态，即此时将照亮整个掩模面8和硅片面10，光线没有遮挡。根据不同曝光光学系统，所需要的狭缝大小各不相同，但所实现的功能一致，即控制光线投射到掩模面8和硅片面10的光场区域14大小和位置。假设狭缝全开状态时大小40mm*20mm。然后调节狭缝大小，如图4中b状态所示，可变狭缝将一部份光线挡住，掩模面8和硅片面10将不能被全部照亮，此时狭缝大小为34mm*18mm。c状态狭缝大小为26mm*14mm。可变狭缝处于a状态、b状态和c状态时，可变狭缝6的X方向和Y方向对称于视场中心(0，0)，这样掩模面8和硅片面10被照亮区域也对称于视场中心(0，0)。当可变狭缝6处于d状态时，此时狭缝大小为20mm*8mm，且不对称于视场中心(0，0)，d状态时的可变狭缝对称点坐标为(4，0)，此时被照亮的掩模面8和硅片面10照亮区域也不对称于视场中心(0，0)。对于图4所示的可变狭缝示意图，在实际杂散光测量过程中，狭缝大小及对称点坐标可以根据实际需要进行自动控制。对于可变狭缝6，有四个参数需要控制：狭缝大小的X坐标和Y坐标、狭缝对称点的X坐标和Y坐标。当点能量探测器11对硅片面10或掩模面8的某一点进行能量探测时，通过改变可变狭缝6的大小及对称点位置，由于杂散光的影响，点能量探测器11所获取的光能量值随着可变狭缝大小的改变而不断变化，通过对获取的光能量值进行数据处理，即可获得光刻系统的杂散光及杂散光整场偏差。

图5为视场扫描点示意图，视场的大小由光刻系统本身参数决定，图5中23为视场扫描点+y方向最大坐标值，-23为视场扫描点-y方向最大坐标值，54为视场扫描点+x方向最大坐标值，-54为视场扫描点-x方向最大坐标值，点能量探测器11对视场区域15内所需各点进行光能量探测，将所获取的光能量值传送给计算机13。假设视场区域15大小为108mm*46mm，通过调节可变狭缝6的大小，测出照明视场内不同测试点的杂散光，通过数据处理，即可以得到杂散光整场偏差。

现举例如说明杂散光和杂散光整场偏差的测量方法。如图5所示，假定分别测量照明测试点坐标(0，0)，(25，0)，(-25，0)，(50，0)，(-50，0)，(0，10)，(0，-10)，(25，10)，(-25，10)，(25，-10)，(-25，-10)点的杂散光。对于每一个待测量的照明测试点，分别测量出可变狭缝不同开口大小及位置状态下的光能量值，假设可变狭缝开口大小及位置状态改变的次数m，m为自然数，(例如图4所示可变狭缝大小及位置状态改变的次数m为4次，则m＝4)，m次测量的光能量值分别为：I1，I2，I3...Im，则该测试点杂散光F大小为

F＝(Imax-Imin)/Imax

其中Imax和Imin分别表示m次测量得到的光能量最大值和光能量最小值。

假设照明视场内n个点的杂散光分别为F₁，F₂...F_n(例如图5所示为11个待测照明测试点，则n＝11)，所测得n个点的杂散光的平均值为F_a＝(F₁+F₂+…+F_n)/n，i表示第i个待测照明测试点，脚标a仅表示平均的意思。求这n个值的标准差σ如下表示：

$\mathrm{\σ}=\sqrt{\frac{\underset{i=1}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}{(F_i-F_a)}^2}{n-1}},$

获得的结果σ为光刻系统的杂散光整场偏差。在进行光刻系统杂散光整场偏差测量时，对于照明测试点坐标的选择，一般在照明视场内尽可能多的选择对称点。另外，通常用视场中心点(0，0)的杂散光值来衡量整个系统的杂散光水平。

当然，也可以多次重复上述测量，对采集到的多个测量结果求平均值，这样可以进一步提高测量精度。

本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例变化，变型都将落在本发明权利要求书的范围内。

Claims (8)

1.一种测量杂散光的方法，其特征在于：实现杂散光测量的步骤如下：

步骤S1：位移平台初始化，初始化按照执行先后顺序找最佳焦面、找视场中心及方向、照明场视场方向校准、测量系统位置标定；

步骤S2：设置测量系统的测量参数，测量参数包括测试面是选择硅片面和掩模面、相干因子设置、照明模式设置、可变狭缝参数设置和测试点参数设置；

步骤S3：驱动电机带动位移平台对照明光场区域进行扫描，利用点能量探测器对掩模面或硅片面上的一测试点进行光能量探测，将点能量探测器固定在测试点位置，调节可变狭缝的开口大小，从而改变入射到掩模面或硅片面上的光场，可变狭缝的每一开口大小对应着一光能量值，得到同一测试点在可变狭缝不同开口大小的光能量值；

步骤S4：对于照明光场区域内不同的测试点，重复步骤S3测量可变狭缝不同开口大小的不同光能量值；

步骤S5：通过串口通信将光能量值数据存储到计算机中；由计算机对光能量值数据进行数据处理，得到掩模面或硅片面上的每一测试点的杂散光。

2.如权利要求1所述的杂散光测量方法，其特征在于：通过计算机对不同测试点杂散光数据处理，得到掩模面或硅片面的杂散光整场偏差。

3.如权利要求1所述的杂散光测量方法，其特征在于：调节可变狭缝的大小，从而控制到达掩模面或硅片面的光能量总量，所述可变狭缝的开口大小是能调节的狭缝。

4.如权利要求1所述的杂散光测量方法，其特征在于：所使用的能量探测器为点能量探测器。

5.一种杂散光测量系统，其特征在于：该测量系统主要包括：光源、光束扩束单元、光束模式变换单元、相干因子调节单元、匀光单元、可变狭缝、成像单元、掩模面、光刻投影物镜、硅片面、点能量探测器依次位于光路中，点能量探测器位于位移平台上，计算机与位移平台的控制单元连接，其中：

光源，用于输出激光光束；

光束扩束单元，用于对激光光束进行扩束，得到扩束激光光束；

光束模式变换单元，用于对扩束激光光束进行整形，获得整形光束；

相干因子调节单元，用于对整形光束进行相干因子调节，获得目标相干因子光束；

匀光单元，用于对目标相干因子光束做匀光处理，获得匀光光束；

可变狭缝，接收匀光光束，并调节可变狭缝在X方向和Y方向的通光口径的大小，同时控制照明视场对称中心的位置，从而控制照明视场的区域；

成像单元，用于对照明视场的区域生成照射均匀的远心光束；

掩模面，用于调制照射均匀的远心光束；

光刻投影物镜，用于将掩模面的远心光束成像到硅片面上；

硅片面，用于接收光刻投影物镜所成的像；

点能量探测器，用于探测得到硅片面或掩模面上同一测试点的光能量；

位移平台，驱动点能量探测器，通过改变可变狭缝的缝的尺寸大小，再获取不同狭缝尺寸大小的光能量值；

计算机，对不同狭缝尺寸大小的光能量值数据处理，获取不同测试点的杂散光后，计算得到光刻照明系统或整个光刻系统的杂散光整场偏差。

6.如权利要求5所述的杂散光测量系统，其特征在于：相干因子调节单元由变焦组和锥镜组构成，其中：

变焦组，用于对整形光束实现相干因子连续调节；

锥镜组，随着两锥镜之间间距的变化，产生的环形照明内外环宽也发生变化，锥镜的中心圆锥的尖端，起到分割光束的作用。

7.如权利要求5所述的杂散光测量系统，其特征在于：所述匀光单元由微复眼透镜组和聚光镜组构成，其中：

微复眼透镜组，是将入射光分割成许多子光束，分割后的子光束的均匀性优于整个入射光束的均匀性；

聚光镜组，是将分割的子光束叠加在同一区域，光束叠加使各子光束的光能量互相补偿，实现匀光。

8.如权利要求5所述的杂散光测量系统，其特征在于：所述成像单元采用双远心的结构，主要作用是扩大照明视场、减小视场畸变、减小半影效应。

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