CN103135342A - 基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法 - Google Patents

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CN103135342A
CN103135342A CN2013100734852A CN201310073485A CN103135342A CN 103135342 A CN103135342 A CN 103135342A CN 2013100734852 A CN2013100734852 A CN 2013100734852A CN 201310073485 A CN201310073485 A CN 201310073485A CN 103135342 A CN103135342 A CN 103135342A
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李小军
尤晖
孔德义
高钧
蒋锐
朱利凯
唐敏
王旭迪
付绍军
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Abstract

本发明涉及一种基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,本方法利用柔性模板代替硬质模板,具有成本低、表面能低、制作效率高等优点。在压印前,无需进行表面处理;在压印过程中,柔性模板可以较好地贴合聚合物表面,需要转移的聚合物少,压印压力更小;在压印后,柔性模版脱模为线脱离过程,相比于硬质模板脱模的面脱离过程,具有所需脱模力小的优点,便于大面积压印脱模。同时,将标尺结构集成到柔性模板上,利用模板将标尺结构最终制作到流体通道旁边,便于对测试样品进行表征。因此,本发明实现了器件功能的拓展和制作方法的更新,并且有效降低了成本并提高了制作效率。

Description

基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法
技术领域
本发明涉及纳米流体通道的制作方法,尤其涉及一种基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法。
 
背景技术
近年来,纳米流体通道相关的基础和技术应用研究成为引人注目的前沿领域,它一般定义为流体流动的通道一维以上的截面处于数百到几纳米的尺寸范围。流体在其中传输具有特异的性质,能使得主导宏观和微米量级流体传输和分子行为的许多物理化学性质发生改变。基于此系统的研究不仅突破了传统理论的一些重要概念,而且一些深入研究的成果在DNA分子的拉伸操纵、药物释放技术、电池技术、激光器等许多领域中有重大应用。目前加工制作的微纳流体通道通常只是平行或者交错的通道结构,不包括标尺的部分,难以对通道内微化学反应的颗粒尺寸的变化以及流体流动的速度进行测试和标定。
纳米压印方法已经逐渐成为微流体系统制作过程中的主要方法。利用纳米压印方法制作微纳米流体通道使用的模板通常是硬质的,对于表面不平的压印基底表面,硬质模板不能很好的贴合,需要转移的聚合物较多,压印压力大。且在纳米压印的过程中,难点不是压印的过程,而是压印结束后模板的脱离,这是由于硬质模板的脱离是一个面分离过程,模板的整个平面需要从压印基底上同时分离下来,巨大脱模力可能导致压印结构的扭曲、变形甚至硬质模板的损坏。
 
发明内容
为解决现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种集成标尺的SU-8纳米流体通道的制作方法,本方法利用柔性模板代替硬质模板,具有成本低、表面能低、制作效率高等优点。在压印前,无需进行表面处理;在压印过程中,柔性模板可以较好地贴合聚合物表面,需要转移的聚合物少,压印压力更小;在压印后,柔性模版脱模为线脱离过程,相比于硬质模板脱模的面脱离过程,具有所需脱模力小的优点,便于大面积压印脱模。同时,将标尺结构集成到柔性模板上,利用模板将标尺结构最终制作到流体通道旁边,便于对测试样品进行表征。因此,本发明实现了器件功能的拓展和制作方法的更新,并且有效降低了成本并提高了制作效率。
本发明所采用的技术方案:
一种基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,按如下步骤操作:
a、利用电子束方法制作包括光栅线条结构及数字标尺结构的光刻掩模板;
b、在石英模板上旋涂光刻胶,利用光学光刻法将光刻掩模板上的光栅线条结构及数字标尺结构制作到光刻胶上,再通过反应离子刻蚀将光刻胶上的光栅线条结构及数字标尺结构转移到石英模板上;
c、将PDMS粘稠液体浇铸到石英模板上,利用热台烘烤以固化PDMS,取下石英模板,得到具有光栅线条结构及数字标尺结构的固化形成的PDMS印章;
d、将石英片以丙酮超声处理后,用去离子水冲淋吹干,烘烤后自然冷却,在石英片表面旋涂SU-8光刻胶,再次烘烤后形成石英基底;
e、将步骤c制作的PDMS印章与石英基底层叠排列整齐,预热使石英基底表面的SU-8光刻胶软化,使用PDMS柔性棒向PDMS印章滚动并施加一定压印压力,保持预热温度及压印压力10min后自然冷却,得到PDMS印章、石英基底及SU-8光刻胶的结合体;
f、对结合体中的SU-8光刻胶通过透光的石英基底进行紫外曝光,将PDMS印章上的光栅线条结构及数字标尺结构复制在SU-8光刻胶上,曝光后烘烤使SU-8光刻胶固化,经自然冷却后将PDMS印章与表面粘附有SU-8光刻胶的石英基底分离;
g、在PET片材的表面旋涂键合层SU-8光刻胶,烘烤后对键合层SU-8光刻胶进行紫外曝光,再次烘烤使曝光后的键合层SU-8光刻胶固化,经自然冷却得PET基片,将稀释SU-8光刻胶旋涂于固化的键合层SU-8光刻胶上;
h、将步骤d制得的石英基底及SU-8光刻胶的结合体经氧气等离子体处理后层压在PET基片上,预热后施加一定压印压力,使得稀释SU-8光刻胶将键合层SU-8光刻胶和石英基底上SU-8光刻胶粘合,保持预热温度及压印压力一段时间后自然冷却,透过PET基片对石英基底上的各SU-8光刻胶层进行紫外曝光,完成曝光后对包括有石英基底、各SU-8光刻胶层及PET基片的层叠结构进行逐步升温烘烤,烘烤完毕后除去PET基片,即得集成标尺的SU-8纳米流体通道。
所述步骤b中所述光刻胶为AZ1350。
所述步骤d中丙酮处理时间为5min;第一次烘烤温度为100-150℃,烘烤时间为10-30min;第二次烘烤温度为80-100℃,烘烤时间为10-20min。
所述步骤e中预热温度为80-100℃,压印压力为1-3MPa。
所述步骤f中紫外曝光剂量为150-300mJ/cm2,曝光后烘烤温度为80-100℃,烘烤时间5-15min。
所述步骤g中曝光前烘烤温度为80-100℃,烘烤时间15-25min;紫外曝光剂量为150-300mJ/cm2;曝光后烘烤温度为80-100℃,烘烤时间为5-15min,紫外曝光剂量为100-150mJ/cm2
所述步骤g中稀释SU-8光刻胶为环戊酮与型号为2002的SU-8光刻胶按体积比(40-20):1混合制得,稀释SU-8光刻胶旋涂厚度为100-200nm。
所述步骤h中预热温度为70-90℃,预热时间为5-15min;压印压力为0.3-1Mpa,压印压力保持时间为15-25min;紫外曝光剂量为150-300mJ/cm2
所述步骤h中逐步升温烘烤起始温度为75℃,最高温度为90℃,升温速度为2-4℃/min。
本发明的有益效果:本发明提供了一种基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,本方法利用柔性模板代替硬质模板,具有成本低、表面能低、制作效率高等优点。在压印前,无需进行表面处理;在压印过程中,柔性模板可以较好地贴合聚合物表面,需要转移的聚合物少,压印压力更小;在压印后,柔性模版脱模为线脱离过程,相比于硬质模板脱模的面脱离过程,具有所需脱模力小的优点,便于大面积压印脱模。同时,将标尺结构集成到柔性模板上,利用模板将标尺结构最终制作到流体通道旁边,便于对测试样品进行表征。因此,本发明实现了器件功能的拓展和制作方法的更新,并且有效降低了成本并提高了制作效率。
 
附图说明
图1为本发明的制作流程图;
图2为本发明的的掩模板示意图。
图中:1、掩模板,2、光刻胶,3、石英基板,4、PDMS柔性模板,5、SU-8光刻胶,6、石英基底,7、PET基片,8、键合层SU-8光刻胶,9、稀释SU-8光刻胶,10、光栅线条结构,11、数字标尺结构。
 
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
实施例一
如图1和图2所示,基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法按如下步骤操作:
a、利用电子束方法制作包括光栅线条结构10及数字标尺结构11的光刻掩模板1;
b、在石英模板3旋涂AZ1350光刻胶2,如图1中A所示,利用光学光刻法将光刻掩模板1上的光栅线条结构10及数字标尺结构11制作到光刻胶2上,如图1中B所示;再通过反应离子刻蚀将光刻胶2上的光栅线条结构及数字标尺结构转移到石英模板3上,形成具有光栅线条结构及数字标尺结构的石英模板3,如图1中C所示;
c、将PDMS粘稠液体浇铸到石英模板3上,如图1中D所示,利用热台烘烤以固化PDMS,取下复制了光栅线条结构及数字标尺结构的固化形成的PDMS印章4,如图1中E所示;
d、将石英片以丙酮超声处理5min,去离子水冲淋并吹干后,100℃烘烤30min,自然冷却;在石英片表面旋涂SU-8光刻胶5,经80℃烘烤20min形成石英基底6;
e、将步骤c制作的PDMS印章4与石英基底6层叠排列整齐,如图1中F所示,80℃预热15min,使石英基底6表面的SU-8光刻胶5软化,使用PDMS柔性棒向PDMS印章4滚动并施加3MPa压印压力以排除PDMS印章4和SU-8光刻胶5之间的空气,并使得PDMS印章4压入经加热软化的SU-8光刻胶5,保持预热温度及压印压力10min后自然冷却,得到PDMS印章4、石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体,如图1中G所示;
f、对结合体中的SU-8光刻胶5通过透光的PDMS印章4进行紫外曝光,曝光剂量为300mJ/cm2,将PDMS印章4上的光栅线条结构及数字标尺结构复制在SU-8光刻胶5上,曝光后100℃烘烤5min使SU-8光刻胶5固化,经自然冷却后将PDMS印章4与表面粘附有SU-8光刻胶5的石英基底6分离,如图1中H所示;
g、取PET片材,如图1中I所示,在PET片材的表面旋涂键合层SU-8光刻胶8,80℃烘烤25min后,对键合层SU-8光刻胶8进行紫外曝光,曝光剂量为150mJ/cm2,80℃烘烤15min使曝光后的键合层SU-8光刻胶8固化,经自然冷却得PET基片7,将环戊酮与型号为2002的SU-8光刻胶按体积比40:1混合制得的稀释SU-8光刻胶9,将稀释SU-8光刻胶9旋涂于固化的键合层SU-8光刻胶8上,厚度为200nm,如图1中K所示; 
h、将步骤D制得的石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体经氧气等离子体处理后层压在PET基片7上,75℃预热10min后施加0.8Mpa的压印压力,使得稀释SU-8光刻胶9将键合层SU-8光刻胶8和石英基底6上SU-8光刻胶5粘合,75℃保持压印压力20min后自然冷却,透过PET基片7对石英基底6上的各SU-8光刻胶层进行紫外曝光,曝光剂量为300mJ/cm2,完成曝光后对包括有石英基底6、各SU-8光刻胶层及PET基片7的层叠结构进行逐步升温烘烤,起始温度为75℃,最高温度为90℃,升温速度为2℃/min,使各SU-8光刻胶层充分固化交联,如图1中L所示,烘烤完毕后去除PET基片7,即完成SU-8纳米流体系统的制作,制得集成标尺的SU-8纳米流体通道,如图1中M所示。
实施例二
如图1和图2所示,基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法按如下步骤操作:
a、同实施例一;
b、同实施例一;
c、同实施例一;
d、将石英片以丙酮超声处理5min,去离子水冲淋并吹干后,150℃烘烤10min,自然冷却;在石英片表面旋涂SU-8光刻胶5,经100℃烘烤10min形成石英基底6;
e、将步骤c制作的PDMS印章4与石英基底6层叠排列整齐,如图1中F所示,100℃预热5min,使石英基底6表面的SU-8光刻胶5软化,使用PDMS柔性棒向PDMS印章4滚动并施加1MPa压印压力以排除PDMS印章4和SU-8光刻胶5之间的空气,并使得PDMS印章4压入经加热软化的SU-8光刻胶5,保持预热温度及压印压力10min后自然冷却,得到PDMS印章4、石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体,如图1中G所示;
f、对结合体中的SU-8光刻胶5通过透光的PDMS印章4进行紫外曝光,曝光剂量为150mJ/cm2,将PDMS印章4上的光栅线条结构及数字标尺结构复制在SU-8光刻胶5上,曝光后80℃烘烤15min使SU-8光刻胶5固化,经自然冷却后将PDMS印章4与表面粘附有SU-8光刻胶5的石英基底6分离,如图1中H所示;
g、取PET片材,如图1中I所示,在PET片材的表面旋涂键合层SU-8光刻胶8,100℃烘烤15min后,对键合层SU-8光刻胶8进行紫外曝光,曝光剂量为100mJ/cm2, 100℃烘烤5min使曝光后的键合层SU-8光刻胶8固化,经自然冷却得PET基片7,将环戊酮与型号为2002的SU-8光刻胶按体积比20:1混合制得的稀释SU-8光刻胶9,将稀释SU-8光刻胶9旋涂于固化的键合层SU-8光刻胶8上,厚度为100nm,如图1中K所示; 
h、将步骤D制得的石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体经氧气等离子体处理后层压在PET基片7上,70℃预热15min后施加1Mpa的压印压力,使得稀释SU-8光刻胶9将键合层SU-8光刻胶8和石英基底6上SU-8光刻胶5粘合,70℃保持压印压力25min后自然冷却,透过PET基片7对石英基底6上的各SU-8光刻胶层进行紫外曝光,曝光剂量为300mJ/cm2,完成曝光后对包括有石英基底6、各SU-8光刻胶层及PET基片7的层叠结构进行逐步升温烘烤,起始温度为75℃,最高温度为90℃,升温速度为4℃/min,使各SU-8光刻胶层充分固化交联,如图1中L所示,烘烤完毕后去除PET基片7,即完成SU-8纳米流体系统的制作,制得集成标尺的SU-8纳米流体通道,如图1中M所示。
实施例三
如图1和图2所示,基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法按如下步骤操作:
a、同实施例一;
b、同实施例一;
c、同实施例一;
d、将石英片以丙酮超声处理5min,去离子水冲淋并吹干后,130℃烘烤20min,自然冷却;在石英片表面旋涂SU-8光刻胶5,经90℃烘烤15min形成石英基底6;
e、将步骤c制作的PDMS印章4与石英基底6层叠排列整齐,如图1中F所示,90℃预热10min,使石英基底6表面的SU-8光刻胶5软化,使用PDMS柔性棒向PDMS印章4滚动并施加2MPa压印压力以排除PDMS印章4和SU-8光刻胶5之间的空气,并使得PDMS印章4压入经加热软化的SU-8光刻胶5,保持预热温度及压印压力10min后自然冷却,得到PDMS印章4、石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体,如图1中G所示;
f、对结合体中的SU-8光刻胶5通过透光的PDMS印章4进行紫外曝光,曝光剂量为200mJ/cm2,将PDMS印章4上的光栅线条结构及数字标尺结构复制在SU-8光刻胶5上,曝光后100℃烘烤5min使SU-8光刻胶5固化,经自然冷却后将PDMS印章4与表面粘附有SU-8光刻胶5的石英基底6分离,如图1中H所示;
g、取PET片材,如图1中I所示,在PET片材的表面旋涂键合层SU-8光刻胶8,90℃烘烤20min后,对键合层SU-8光刻胶8进行紫外曝光,曝光剂量为120mJ/cm2,90℃烘烤10min使曝光后的键合层SU-8光刻胶8固化,经自然冷却得PET基片7,将环戊酮与型号为2002的SU-8光刻胶按体积比30:1混合制得的稀释SU-8光刻胶9,将稀释SU-8光刻胶9旋涂于固化的键合层SU-8光刻胶8上,厚度为150nm,如图1中K所示; 
h、将步骤D制得的石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体经氧气等离子体处理后层压在PET基片7上,90℃预热5min后施加0.3Mpa的压印压力,使得稀释SU-8光刻胶9将键合层SU-8光刻胶8和石英基底6上SU-8光刻胶5粘合,90℃保持压印压力15min后自然冷却,透过PET基片7对石英基底6上的各SU-8光刻胶层进行紫外曝光,曝光剂量为150mJ/cm2,完成曝光后对包括有石英基底6、各SU-8光刻胶层及PET基片7的层叠结构进行逐步升温烘烤,起始温度为75℃,最高温度为90℃,升温速度为3℃/min,使各SU-8光刻胶层充分固化交联,如图1中L所示,烘烤完毕后去除PET基片7,即完成SU-8纳米流体系统的制作,制得集成标尺的SU-8纳米流体通道,如图1中M所示。
实施例四
如图1和图2所示,基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法按如下步骤操作:
a、同实施例一;
b、同实施例一;
c、同实施例一;
d、将石英片以丙酮超声处理5min,去离子水冲淋并吹干后,120℃烘烤20min,自然冷却;在石英片表面旋涂SU-8光刻胶5,经85℃烘烤15min形成石英基底6;
e、将步骤c制作的PDMS印章4与石英基底6层叠排列整齐,如图1中F所示,90℃预热5min,使石英基底6表面的SU-8光刻胶5软化,使用PDMS柔性棒向PDMS印章4滚动并施加1.5MPa压印压力以排除PDMS印章4和SU-8光刻胶5之间的空气,并使得PDMS印章4压入经加热软化的SU-8光刻胶5,保持预热温度及压印压力10min后自然冷却,得到PDMS印章4、石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体,如图1中G所示;
f、对结合体中的SU-8光刻胶5通过透光的PDMS印章4进行紫外曝光,曝光剂量为250mJ/cm2,将PDMS印章4上的光栅线条结构及数字标尺结构复制在SU-8光刻胶5上,曝光后80℃烘烤15min使SU-8光刻胶5固化,经自然冷却后将PDMS印章4与表面粘附有SU-8光刻胶5的石英基底6分离,如图1中H所示;
g、取PET片材,如图1中I所示,在PET片材的表面旋涂键合层SU-8光刻胶8,90℃烘烤15min后,对键合层SU-8光刻胶8进行紫外曝光,曝光剂量为140mJ/cm2,90℃烘烤15min使曝光后的键合层SU-8光刻胶8固化,经自然冷却得PET基片7,将环戊酮与型号为2002的SU-8光刻胶按体积比35:1混合制得的稀释SU-8光刻胶9,将稀释SU-8光刻胶9旋涂于固化的键合层SU-8光刻胶8上,厚度为150nm,如图1中K所示; 
h、将步骤D制得的石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体经氧气等离子体处理后层压在PET基片7上,80℃预热10min后施加0.8Mpa的压印压力,使得稀释SU-8光刻胶9将键合层SU-8光刻胶8和石英基底6上SU-8光刻胶5粘合,80℃保持压印压力20min后自然冷却,透过PET基片7对石英基底6上的各SU-8光刻胶层进行紫外曝光,曝光剂量为200mJ/cm2,完成曝光后对包括有石英基底6、各SU-8光刻胶层及PET基片7的层叠结构进行逐步升温烘烤,起始温度为75℃,最高温度为90℃,升温速度为3℃/min,使各SU-8光刻胶层充分固化交联,如图1中L所示,烘烤完毕后去除PET基片7,即完成SU-8纳米流体系统的制作,制得集成标尺的SU-8纳米流体通道,如图1中M所示。
实施例五
如图1和图2所示,基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法按如下步骤操作:
a、同实施例一;
b、同实施例一;
c、同实施例一;
d、将石英片以丙酮超声处理5min,去离子水冲淋并吹干后,140℃烘烤15min,自然冷却;在石英片表面旋涂SU-8光刻胶5,经95℃烘烤15min形成石英基底6;
e、将步骤c制作的PDMS印章4与石英基底6层叠排列整齐,如图1中F所示,90℃预热15min,使石英基底6表面的SU-8光刻胶5软化,使用PDMS柔性棒向PDMS印章4滚动并施加2.5MPa压印压力以排除PDMS印章4和SU-8光刻胶5之间的空气,并使得PDMS印章4压入经加热软化的SU-8光刻胶5,保持预热温度及压印压力10min后自然冷却,得到PDMS印章4、石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体,如图1中G所示;
f、对结合体中的SU-8光刻胶5通过透光的PDMS印章4进行紫外曝光,曝光剂量为300mJ/cm2,将PDMS印章4上的光栅线条结构及数字标尺结构复制在SU-8光刻胶5上,曝光后90℃烘烤10min使SU-8光刻胶5固化,经自然冷却后将PDMS印章4与表面粘附有SU-8光刻胶5的石英基底6分离,如图1中H所示;
g、取PET片材,如图1中I所示,在PET片材的表面旋涂键合层SU-8光刻胶8,100℃烘烤20min后,对键合层SU-8光刻胶8进行紫外曝光,曝光剂量为140mJ/cm2,80℃烘烤15min使曝光后的键合层SU-8光刻胶8固化,经自然冷却得PET基片7,将环戊酮与型号为2002的SU-8光刻胶按体积比25:1混合制得的稀释SU-8光刻胶9,将稀释SU-8光刻胶9旋涂于固化的键合层SU-8光刻胶8上,厚度为200nm,如图1中K所示; 
h、将步骤D制得的石英基底6及SU-8光刻胶5的结合体经氧气等离子体处理后层压在PET基片7上,85℃预热10min后施加0.5Mpa的压印压力,使得稀释SU-8光刻胶9将键合层SU-8光刻胶8和石英基底6上SU-8光刻胶5粘合,85℃保持压印压力20min后自然冷却,透过PET基片7对石英基底6上的各SU-8光刻胶层进行紫外曝光,曝光剂量为250mJ/cm2,完成曝光后对包括有石英基底6、各SU-8光刻胶层及PET基片7的层叠结构进行逐步升温烘烤,起始温度为75℃,最高温度为90℃,升温速度为2℃/min,使各SU-8光刻胶层充分固化交联,如图1中L所示,烘烤完毕后去除PET基片7,即完成SU-8纳米流体系统的制作,制得集成标尺的SU-8纳米流体通道,如图1中M所示。

Claims (9)

1.一种基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,其特征在于:按如下步骤操作:
a、利用电子束方法制作包括光栅线条结构及数字标尺结构的光刻掩模板;
b、在石英模板上旋涂光刻胶,利用光学光刻法将光刻掩模板上的光栅线条结构及数字标尺结构制作到光刻胶上,再通过反应离子刻蚀将光刻胶上的光栅线条结构及数字标尺结构转移到石英模板上;
c、将PDMS粘稠液体浇铸到石英模板上,利用热台烘烤以固化PDMS,取下石英模板,得到具有光栅线条结构及数字标尺结构的固化形成的PDMS印章;
d、将石英片以丙酮超声处理后,用去离子水冲淋吹干,烘烤后自然冷却,在石英片表面旋涂SU-8光刻胶,再次烘烤后形成石英基底;
e、将步骤c制作的PDMS印章与石英基底层叠排列整齐,预热使石英基底表面的SU-8光刻胶软化,使用PDMS柔性棒向PDMS印章滚动并施加一定压印压力,保持预热温度及压印压力10min后自然冷却,得到PDMS印章、石英基底及SU-8光刻胶的结合体;
f、对结合体中的SU-8光刻胶通过透光的石英基底进行紫外曝光,将PDMS印章上的光栅线条结构及数字标尺结构复制在SU-8光刻胶上,曝光后烘烤使SU-8光刻胶固化,经自然冷却后将PDMS印章与表面粘附有SU-8光刻胶的石英基底分离;
g、在PET片材的表面旋涂键合层SU-8光刻胶,烘烤后对键合层SU-8光刻胶进行紫外曝光,再次烘烤使曝光后的键合层SU-8光刻胶固化,经自然冷却得PET基片,将稀释SU-8光刻胶旋涂于固化的键合层SU-8光刻胶上;
h、将步骤d制得的石英基底及SU-8光刻胶的结合体经氧气等离子体处理后层压在PET基片上,预热后施加一定压印压力,使得稀释SU-8光刻胶将键合层SU-8光刻胶和石英基底上SU-8光刻胶粘合,保持预热温度及压印压力一段时间后自然冷却,透过PET基片对石英基底上的各SU-8光刻胶层进行紫外曝光,完成曝光后对包括有石英基底、各SU-8光刻胶层及PET基片的层叠结构进行逐步升温烘烤,烘烤完毕后除去PET基片,即得集成标尺的SU-8纳米流体通道。
2.根据权利要求1所述的基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,其特征在于:所述步骤b中所述光刻胶为AZ1350。
3.根据权利要求1所述的基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,其特征在于:所述步骤d中丙酮处理时间为5min;第一次烘烤温度为100-150℃,烘烤时间为10-30min;第二次烘烤温度为80-100℃,烘烤时间为10-20min。
4.根据权利要求1所述的基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,其特征在于:所述步骤e中预热温度为80-100℃,压印压力为1-3MPa。
5.根据权利要求1所述的基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,其特征在于:所述步骤f中紫外曝光剂量为150-300mJ/cm2,曝光后烘烤温度为80-100℃,烘烤时间5-15min。
6.根据权利要求1所述的基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,其特征在于:所述步骤g中曝光前烘烤温度为80-100℃,烘烤时间15-25min;紫外曝光剂量为100-150mJ/cm2;曝光后烘烤温度为80-100℃,烘烤时间为5-15min。
7.根据权利要求1所述的基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,其特征在于:所述步骤g中稀释SU-8光刻胶为环戊酮与型号为2002的SU-8光刻胶按体积比(40-20):1混合制得,稀释SU-8光刻胶旋涂厚度为100-200nm。
8.根据权利要求1所述的基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,其特征在于:所述步骤h中预热温度为70-90℃,预热时间为5-15min;压印压力为0.3-1Mpa,压印压力保持时间为15-25min;紫外曝光剂量为150-300mJ/cm2
9.根据权利要求1所述的基于柔性模板的集成标尺的纳米流体通道的制作方法,其特征在于:所述步骤h中逐步升温烘烤起始温度为75℃,最高温度为90℃,升温速度为2-4℃/min。
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