CN103119081A - 具有咔唑结构单元的聚合物 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及如下的聚合物，其含有至少一种通式(I)的咔唑结构单元，其中Ar1、Ar2、Ar3各自彼此独立地表示芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；m、o彼此独立地为0或1；n为1、2或3，并且虚线代表在所述聚合物中的连接；和至少一种通式(II)和/或(III)的芳基胺结构单元，其中Ar4、Ar5、Ar7、Ar8各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；Ar6为芳基或杂芳基基团，其可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代，或代表式Ar9-Ar9的基团，其中Ar9在每种情况下独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代或彼此连接；p为1、2或3；q为0或1，并且虚线代表在所述聚合物中的连接。此外，本发明涉及用于制造这些聚合物的方法，并且涉及包含这些聚合物的制剂和电子器件。
Description
技术领域
本发明涉及具有咔唑结构单元的聚合物并且涉及其制备方法。本发明另外涉及包含这些聚合物的制剂和电子器件。
背景技术
包含有机半导体、有机金属半导体和/或聚合物半导体的电子器件的重要性正在增加；它们由于成本原因和其性能而用于许多商业产品中。在此可以提到的实例有在影印机中的基于有机物的电荷传输材料（例如，基于三芳基胺的空穴传输体）、在显示器件中的有机或聚合物发光二极管（OLED或PLED）或者在影印机中的有机光感受器。有机太阳能电池（O-SC）、有机场效应晶体管（O-FET）、有机薄膜晶体管（O-TFT）、有机集成电路（O-IC）、有机光学放大器和有机激光二极管（O-laser）处于发展高级阶段并且在将来可能至关重要。
与特定应用无关，这些电子器件中的许多具有以下通用的层结构，其可根据特定应用进行调整：
（1）基底，
（2）电极，通常为金属的或无机的，以及由有机或聚合物导电材料制成的，
（3）一个或多个电荷注入层或一个或多个间层，例如用于补偿电极不均匀（“平面化层”），其常由导电的掺杂的聚合物制成，
（4）有机半导体，
（5）任选另外的电荷传输层、电荷注入层或电荷阻挡层，
（6）反电极，材料如在（2）下所提到的，
（7）封装。
上述配置代表有机电子器件的通用结构，其中多个层可以合并，在最简单的情形下产生包括两个电极、有机层位于所述两个电极之间的配置。在这种情形下，该有机层履行所有功能，包括在OLED情形下的发光功能。这种类型的体系例如描述在基于聚(对亚苯基)的WO90/13148A1中。
然而，在这种类型的“三层体系”中出现的问题是缺乏对于电荷分离的控制或缺乏优化在不同层中的个别成分的性质的方法，如在例如SMOLED（“小分子OLED”）情形下这通过多层结构以简单方式所实现的。
小分子OLED常包括一个或多个有机的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和/或电子注入层和阳极及阴极，其中整个体系通常位于玻璃基底上。这种类型的多层结构的优势在于，电荷注入、电荷传输和发光的多种功能能够在多个层中分开，并且因此能够单独地改进各层的性质。该改进使得能够显著改善电子器件的性能。
已知的电子器件具有可用的性质分布。然而，仍然需要继续改善这些器件的性质。这些性质尤其包括电子器件的寿命。另一问题尤其是电子器件实现所规定目标的能量效率。在可基于低分子量化合物以及聚合物两者的有机发光二极管的情形下，尤其光输出应该高，这意味着必须消耗尽可能少的电力来实现一定的光电流。另外，还应该需要最低的可能电压来实现预定的发光密度。
另一目标可被视为尽可能经济地并且以恒定品质提供具有优异性能的电子器件。
另外，所述电子器件应该能够用于或适应于许多目的。尤其是，应该在广泛的温度范围内保持所述电子器件的性能。
发明内容
已经令人惊讶地发现，通过具有专利权利要求1的所有特征的聚合物，实现了这些目标和没有明确提到、但可从此处引言中所论述相关内容中得出或推定的其它目标。在从属于权利要求1的权利要求项中，保护根据本发明的聚合物的有利改进。
因此，本发明涉及如下的聚合物，其含有至少一种通式(I)的咔唑结构单元
其中
Ar1、Ar2、Ar3各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；
m、o彼此独立地为0或1；
n为1、2或3；并且
虚线代表在所述聚合物中的连接；
和至少一种通式(II)和/或(III)的芳基胺结构单元
其中
Ar4、Ar5、Ar7、Ar8各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；
Ar6为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代，或代表式Ar9-Ar9的基团，其中Ar9在每种情况下独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代或彼此连接；
p为1、2或3；
q为0或1；并且
虚线代表在所述聚合物中的连接。
在所述通式(I)的咔唑结构单元中，Ar1、Ar2和Ar3各自彼此独立地为具有5至60个、优选5至40个并且特别优选5至20个环原子的芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代。
所述通式(II)和/或(III)的芳基胺结构单元含有基团Ar4、Ar5、Ar7和Ar8，所述基团中的每个彼此独立地代表具有5至60个环原子的芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代。在所述式(II)和/或(III)中，基团Ar6表示芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代，或表示式Ar9-Ar9的基团，其中Ar9在每种情况下彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团被一个或多个任何所希望类型的基团R取代或其可以彼此连接。所述芳基或杂芳基基团Ar6和/或Ar9含有5至60个环原子。
在本发明意义上的芳基基团含有6至60个、优选6至40个并且特别优选6至20个C原子，在本发明意义上的杂芳基基团含有2至59个、优选2至39个并且特别优选2至19个C原子和至少一个杂原子，其条件为C原子和杂原子之和为至少5。所述杂原子优选选自Si、N、P、O、S和/或Se，其中特别优选N、O和/或S。在此处芳基基团或杂芳基基团被认为是指简单的芳族环，即苯，或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶和噻吩，或稠合的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉、苯并噻吩、苯并呋喃和吲哚。
为了本发明的目的，在通式(I)、(II)和/或(III)的结构单元中的基团Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8和Ar9特别优选各自彼此独立地衍生自如下物质，即苯、芴、螺二芴、顺式茚并芴和反式茚并芴、萘、吡啶、蒽、菲、嘧啶、吡嗪、哒嗪、喹啉、异喹啉、呋喃、噻吩、吡咯、苯并呋喃、苯并噻吩和吲哚，其中非常特别优选苯、芴、螺二芴、顺式茚并芴和反式茚并芴、萘、吡啶、蒽、菲、喹啉和异喹啉。
在通式(I)、(II)和/或(III)的结构单元中，另外优选R在每次出现时彼此独立地选自F，Cl，Br，I，N(Ar)2，N(R’)2，CN，NO2，Si(R’)3，B(OR’)2，C(=O)Ar，C(=O)R’，P(=O)(Ar)2，P(=O)(R’)2，S(=O)Ar，S(=O)R’，S(=O)2Ar，S(=O)2R’，-CR’=CR’Ar，OSO2R’，具有1至40个C原子、优选1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子、优选3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R'取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被R’C=CR’、C≡C、Si(R’)2、Ge(R’)2、Sn(R’)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR’、P(=O)(R’)、SO、SO2、NR’、O、S或CONR’代替，并且其中一个或多个H原子可以被F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，可交联的基团，或者芳族或杂芳族环系，其具有5至60个环原子并且在每种情况下可以被一个或多个基团R'取代，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，其可以被一个或多个基团R'取代，或这些体系的组合，其中两个或更多个取代基R也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系，其中R'在每种情况下彼此独立地为H或具有1至20个C原子的脂族或芳族烃基团，并且Ar为具有2至30个C原子的芳基或杂芳基基团。
如上所述的，通式(I)、(II)和/或(III)的结构单元可以含有一个或多个可交联的基团。“可交联的基团”表示能够不可逆地反应的官能团。因此形成不溶的交联材料。所述交联通常可由热或由UV、微波、X射线或电子辐射支持。由于根据本发明的聚合物的高稳定性，在交联期间很少存在副产物的形成。另外，在根据本发明的聚合物中的可交联的基团非常容易地交联，这意味着对于该交联需要较少能量（例如，在热交联的情形下，<200℃）。
可交联的基团的实例为如下的单元，该单元含有双键、三键、能够原位形成双键或三键的前体或者可杂环加成聚合的基团。可交联的基团尤其包括乙烯基（vinyl），烯基，优选乙烯基（ethenyl）和丙烯基，C4-20环烯基，叠氮化物，氧杂环丙烷，氧杂环丁烷，二(烃基)氨基，氰酸酯，羟基，缩水甘油醚，丙烯酸C1-10烷基酯、甲基丙烯酸C1-10烷基酯，烯氧基，优选乙烯氧基，全氟烯氧基，优选全氟乙烯氧基，炔基，优选乙炔基，顺丁烯二酰亚胺，三(C1-4)烷基甲硅烷氧基和三(C1-4)烷基甲硅烷基。特别优选乙烯基（vinyl）和烯基。
芳基或杂芳基基团Ar4、Ar5、Ar6、Ar7和Ar8不经由键彼此连接，这意味着式(II)或(III)的单元不代表在通式(I)的意义上的咔唑单元。式(II)的单元因此为三芳基胺结构单元，其中式(III)的结构单元通常可优选与其它结构单元组合形成三芳基胺单元。
在本发明意义上的芳族环系在环系中含有6至60个、优选6至40个并且特别优选6至20个C原子。在本发明意义上的杂芳族环系在环系中含有2至59个、优选2至39个并且特别优选2至19个C原子和至少一个杂原子，其条件为C原子和杂原子之和为至少5。所述杂原子优选选自Si、N、P、O、S和/或Se。在本发明意义上的芳族或杂芳族环系还旨在被认为是指如下的体系，该体系不必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中多个芳基或杂芳基基团还可以被诸如sp3-杂化C原子、N或O原子的非芳族单元（优选小于非H原子的10%）所间断。因此，例如，正如其中两个或更多个芳基基团例如被直链或环状烷基基团或被甲硅烷基基团间断的体系被认为是指在本发明意义上的芳族环系，诸如9,9’-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚和茋的体系也旨在被认为是指在本发明意义上的芳族环系。P=O或C=O基团通常不是共轭间断的。
在每种情况下也可以被任何所希望基团R取代并且可以经由任何所希望位置与芳族或杂芳族环系连接的具有5至60个环原子的芳族或杂芳族环系，尤其被认为是指衍生自以下物质的基团：苯、萘、蒽、菲、芘、
苝、荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、偶苯、三联苯、三聚苯、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式茚并芴或反式茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩
嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、
唑、苯并
唑、萘并
唑、蒽并
唑、菲并
唑、异
唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-
二唑、1,2,4-
二唑、1,2,5-
二唑、1,3,4-
二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、中氮茚、苯并噻二唑、苯并蒽烯、苯并蒽、玉红省和苯并菲。为了本发明的目的，特别优选芴、螺二芴、茚并芴、蒽、菲、二氢菲和咔唑。
为了本发明的目的，其中单个H原子或CH2基团还可以被上述基团或基团R取代的具有1至40个C原子的烷基基团，优选被认为是指如下基团，即甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基和辛炔基。具有1至40个C原子的烷氧基基团优选被认为是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基和2-甲基丁氧基。
根据本发明的特别优选的实施方式，根据本发明的聚合物含有至少一种通式(Ia)的咔唑结构单元
其中
Ar1、Ar2、Ar3各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；
m、o彼此独立地为0或1；并且
虚线代表在所述聚合物中的连接。
在所述式(Ia)中的基团Ar1、Ar2、Ar3及标记m和o具有上文对于式(I)所指出的含义。
特别优选的聚合物含有至少一种通式(Ib)的咔唑结构单元
其中
Ar2在每种情况下彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；并且
虚线代表在所述聚合物中的连接。
在式(Ib)中的基团Ar2具有上文对于式(I)指出的含义。
根据本发明的优选的实施方式，在根据本发明的聚合物中，通式(I)、(Ia)和(Ib)的咔唑结构单元的比例为至少5摩尔%，特别优选至少10摩尔%，非常特别优选至少20摩尔%并且尤其为至少40摩尔%。
使用根据本发明的优选含有至少一种通式(IIa1)、(IIa2)、(IIIa1)和/或(IIIa2)的芳基胺结构单元的聚合物，可实现令人惊讶的优势
其中
Ar4、Ar5、Ar7、Ar8各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；
q为0或1，优选1；
R5在每种情况下彼此独立地为氢原子，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者为甲硅烷基基团或具有1至40个C原子的被取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O)NH2），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=O)-H），异氰基基团，异氰酸酯基团，硫代氰酸酯基团或硫代异氰酸酯基团，氨基基团，羟基基团，硝基基团，CF3基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或者被取代或未被取代的芳族或杂芳族环系，其具有5至60个环原子，或者具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中所述基团R5中的一个或多个可以彼此和/或与所述基团R5所键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系，
并且虚线代表在所述聚合物中的连接。
在所述式(IIa1)、(IIa2)、(IIIa1)和(IIIa2)中，基团Ar4、Ar5、Ar7、Ar8和标记q具有对于式(II)和/或(III)更详细地描述的含义。
另外优选含有至少一种通式(IIIb1)和/或(IIIb2)的芳基胺结构单元的聚合物
其中
R5在每种情况下彼此独立地为氢原子，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者为甲硅烷基基团或具有1至40个C原子的被取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O)NH2），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=O)-H），异氰基基团，异氰酸酯基团，硫代氰酸酯基团或硫代异氰酸酯基团，氨基基团，羟基基团，硝基基团，CF3基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或者被取代或未被取代的芳族或杂芳族环系，其具有5至60个环原子，或者具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中所述基团R5中的一个或多个可以彼此和/或与所述基团R5所键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系，
并且虚线代表在所述聚合物中的连接。
根据本发明的优选的实施方式，在根据本发明的聚合物中，通式(II)、(IIa1)、(IIa2)、(III)、(IIIa1)、(IIIa2)、(IIIb1)和(IIIb2)的芳基胺结构单元的比例为至少5摩尔%，特别优选为至少10摩尔%，非常特别优选为至少20摩尔%并且尤其为至少40摩尔%。
通式(I)、(Ia)和(Ib)的咔唑结构单元与通式(II)、(IIa1)、(IIa2)、(III)、(IIIa1)、(IIIa2)、(IIIb1)和(IIIb2)的芳基胺结构单元的摩尔比优选在10:1至1:10范围内，特别优选在5:1至1:5范围内并且非常特别优选在2:1至1:2范围内。
在本发明意义上的聚合物也旨在被认为是指低聚物和树枝状大分子。
在本发明意义上的低聚物为适用于具有3至9个重复单元的化合物的术语。在本发明意义上的聚合物被认为是指具有10个或更多个重复单元的化合物。在此处所述聚合物的支化因子在0（线性聚合物，没有支化点）与1（完全支化的树枝状大分子）之间。
所述聚合物、低聚物或树枝状大分子可以为共轭的、部分共轭的或未共轭的。所述聚合物或低聚物可以为线性的、支化的或树枝状的。在以线性方式连接的结构中，通式(I)、(II)和/或(III)的单元不仅可以彼此直接连接，而且它们可以经由二价基团例如经由被取代或未被取代的亚烷基基团、经由杂原子或经由二价芳族或杂芳族基团彼此连接。在支化结构中，例如，三种或更多种通式(I)、(II)和/或(III)的单元可以经由三价或多价的基团，例如经由三价或多价的芳族或杂芳族基团，连接以形成支化的聚合物或低聚物。
本发明的聚合物的重均分子量Mw优选在10000至2000000g/mol范围内，特别优选在20000至1000000g/mol范围内并且非常特别优选在50000至500000g/mol范围内。可通过常规方法，尤其通过凝胶渗透色谱（GPC），测定所述重均分子量Mw。
使用已知方法制备根据本发明的聚合物，其中使官能化的化合物共聚。这些官能化的化合物含有上述上式的结构单元和至少两个离去基团，例如溴、碘、硼酸或硼酸酯。
本领域的技术人员已知合适的聚合反应并且其被描述在文献中。特别合适并且优选的聚合和偶联反应为根据SUZUKI、YAMAMOTO、STILLE、HECK、NEGISHI、SONOGASHIRA或HIYAMA的那些反应，其全部产生C-C连接。特别优选经由SUZUKI偶联进行C-C连接反应。
尤其通过由BUCHWALD反应获得的聚合物，可实现令人惊讶的优势。在此处，使芳族二胺与芳基卤反应。可使用BUCHWALD反应来进行反应的优选的官能单体，尤其是含有式(I)、(Ia)或(Ib)的咔唑结构单元的卤化物和含有式(III)、(IIIa1)、(IIIa2)、(IIIb1)或(IIIb2)的结构单元的具有两个仲氮原子的二元胺。
因此，优选的用于制备本发明聚合物的咔唑单体符合式(M I)、(MIa)和(M Ib)
其中
Ar1、Ar2、Ar3各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；
m、o彼此独立地为0或1；
n为1、2或3；并且
Z在每种情况下彼此独立地为离去基团。
优选的用于制备根据本发明的聚合物的芳基胺单体由式(M II)、(MIIa1)和(M IIa2)产生
其中
Ar4、Ar5、Ar7、Ar8各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；
Ar6为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代，或代表式Ar9-Ar9的基团，其中Ar9在每种情况下独立地为芳基或杂芳基基团，该基团被一个或多个任何所希望类型的基团R取代或其可以彼此连接；
R5在每种情况下彼此独立地为氢原子，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者为甲硅烷基基团或具有1至40个C原子的被取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O)NH2），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=O)-H），异氰基基团，异氰酸酯基团，硫代氰酸酯基团或硫代异氰酸酯基团，氨基基团，羟基基团，硝基基团，CF3基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或者被取代或未被取代的芳族或杂芳族环系，其具有5至60个环原子，或者具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中所述基团R5中的一个或多个可以彼此和/或与另一环形成单环或多环的脂族或芳族环系，
p为1、2或3；
q为0或1；并且
Z在每种情况下独立地为离去基团。
尤其是通过上述SUZUKI反应，使式(M II)和(M IIa)的芳基胺单体与上述咔唑单体聚合。
另外，特别优选使用式(M III)、(M IIIa1)、(M IIIa2)、(M IIIb1)和(M IIIb2)的芳基胺单体
其中
Ar5、Ar7各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；
Ar6为芳基或杂芳基基团，该基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代，或代表式Ar9-Ar9的基团，其中Ar9在每种情况下独立地为芳基或杂芳基基团，该基团被一个或多个任何所希望类型的基团R取代或其可以彼此连接；
R5在每种情况下彼此独立地为氢原子，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者为甲硅烷基基团或具有1至40个C原子的被取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O)NH2），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=O)-H），异氰基基团，异氰酸酯基团，硫代氰酸酯基团或硫代异氰酸酯基团，氨基基团，羟基基团，硝基基团，CF3基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或者被取代或未被取代的芳族或杂芳族环系，其具有5至60个环原子，或者具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中所述基团R5中的一个或多个可以彼此和/或与另一环形成单环或多环的脂族或芳族环系；并且
p为1、2或3。
尤其通过上述BUCHWALD反应，式(M III)、(M IIIa1)、(M IIIa2)、(M IIIb1)和(M IIIb2)的芳基胺单体与所述咔唑单体反应。
另外，用于制备根据本发明的聚合物的组合物可以含有其它反应性化合物，尤其是单官能化合物，用其可以控制分子量。这些化合物对应于上述单体，但其不具有两个或更多个离去基团，而是仅有一个离去基团，优选为溴、碘、硼酸或硼酸酯基团。在Buchwald反应的情形下，也可以使用单官能胺。
可通过这些方法进行聚合的方式和然后可从反应介质中分离所述聚合物并进行纯化的方式，为本领域的技术人员所已知并且详细描述在文献中，例如描述在WO03/048225和WO04/037887中。
将含有根据本发明的结构单元的聚合物、低聚物或树枝状大分子用于例如制造OLED或PLED，优选用在发光体层中，尤其是在空穴注入层和/或空穴传输层中作为主体材料。
例如通过自溶液中涂覆，优选通过旋涂，可制得所述聚合物层。
本发明因此还涉及根据本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子在有机电子器件中的用途。
所述有机电子器件优选为有机电致发光器件（OLED）、聚合物电致发光器件（PLED）、有机集成电路（O-IC）、有机场效应晶体管（O-FET）、有机薄膜晶体管（O-TFT）、有机发光晶体管（O-LET）、有机太阳能电池（O-SC）、有机光学探测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（O-FQD）、发光电化学电池（LEC）或有机激光二极管（O-laser）。
为了本发明的目的，优选根据本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子在所述电子器件中处于层形式（或存在于层中）。
本发明因此还涉及包含一种或多种如上定义的根据本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子的层，尤其是有机层。
另外，所述聚合物和共聚物可以为线性的或支化的。根据本发明的共聚物可以具有无规、交替或嵌段状结构，或者具有交替配置的多个这些结构。例如在WO05/014688中，详细描述了可获得具有嵌段状结构的共聚物和为此目的特别优选的其它结构元件的方式。通过参考将该说明书并入本申请中。
在本发明的另外的实施方式中，所述器件包括多个层。根据本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子在此处可优选存在于空穴传输层、空穴注入层和/或发光体层中。
本发明因此还涉及包括至少一个包含根据本发明的聚合物的空穴传输层和/或空穴注入层的电子器件。所述空穴传输层和/或空穴注入层的厚度优选在1至500nm范围内，特别优选在2至200nm范围内。
另外，所述器件可以包括由低分子量化合物（所谓的小分子；SMOLED）构成的层。可通过使低分子量化合物在高真空中蒸发来制造这些。
可另外优选以如下方式使用所述聚合物，其不是作为纯物质，而是作为与任何所希望类型的其它聚合物、低聚物、树枝状大分子或低分子量物质一起的混合物（共混物）。这些例如可以改善电子性质或发光本身。本发明因此同样涉及这种类型的共混物。
在本发明的优选的实施方式中，将根据本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子用作在发光层中的主体材料或基质材料。在此处，所述有机电致发光器件可以包括一个发光层或多个发光层，其中至少一个发光层包含至少一种如上定义的根据本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子。如果存在多个发光层，则这些发光层优选具有总计多个在380nm至750nm之间的发光最大值，总体上产生白色发光，即在所述发光层中使用多种能够发荧光或发磷光的发光化合物。非常特别优选三层体系，其中这三层显示出蓝色、绿色和橙色或红色发光（对于基本结构，参见例如WO05/011013）。白色发光器件例如适合作为显示器（LCD）的光源或背光。
除了这些层以外，所述有机电致发光器件还可以包括其它层，例如，在每种情况下，一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层和/或电荷产生层（IDMC2003，台湾；Session21OLED(5)，T.Matsumoto，T.Nakada，J.Endo，K.Mori，N.Kawamura，A.Yokoi，J.Kido，Multiphoton Organic ELDevice Having Charge Generation Layer）。同样，可以将具有例如激子阻挡功能的间层引入两个发光层之间。然而，应该指出，不必必须存在这些层中的每一个。这些层同样可以包含如上定义的根据本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子。还可以使多个OLED一个配置在另一个之上，使得能够在光输出方面实现进一步提高效率。为了改善光的耦合输出，在OLED中光离开侧上的最后的有机层例如也可处于纳米泡沫体形式，引起全反射比例降低。
另外，优选如下的有机电致发光器件，其中借助于升华方法施用一个或多个层，其中在真空升华设备中在低于10-5毫巴、优选低于10-6毫巴、特别优选低于10-7毫巴的压力下通过气相沉积来施用所述材料。
同样优选如下的有机电致发光器件，其特征在于借助于OVPD（有机气相沉积）方法或借助于载气升华来施用一个或多个层，其中在10-5毫巴至1巴之间的压力下施用所述材料。
另外，优选如下的有机电致发光器件，其特征在于，从溶液中例如通过旋涂，或借助于任何所希望的印刷方法例如丝网印刷、柔性版印刷或平版印刷，但特别优选LITI（光引发热成像、热转印）或喷墨印刷，来施用一个或多个层。对于该目的，需要可溶性化合物，如果需要，通过合适的取代获得所述可溶性化合物。
相应地，本发明另外涉及如下的制剂，该制剂在一种或多种溶剂中包含如上定义的具有通式(I)、(II)和/或(III)结构单元的根据本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子。可制备该类型的制剂的方式为本领域技术人员所已知并且例如描述在WO02/072714、WO03/019694和其中引用的文献中。
合适并且优选的溶剂例如为甲苯、苯甲醚、二甲苯、苯甲酸甲酯、二甲基苯甲醚、均三甲苯、四氢萘、邻二甲氧基苯、四氢呋喃和氯苯及其混合物。
所述器件通常包括阴极和阳极（电极）。出于本发明的目的，以使得其电势尽可能接近地对应于相邻有机层的电势的方式，选择所述电极（阴极、阳极），以确保高效的电子或空穴注入。
所述阴极优选包含金属络合物、具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，其包含多种金属，例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素（例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb和Sm）。在多层结构的情形下，除了所述金属以外，还可以使用具有相对高的逸出功的其它金属，例如Ag，在这种情形下，通常使用金属的组合，例如Ca/Ag或Ba/Ag。也可以优选在金属阴极与有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄间层。适合于该目的的例如为碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物（例如，LiF、Li2O、BaF2、MgO和NaF）。这种层的层厚度优选在1至10nm之间，特别优选在2至8nm之间。
所述阳极优选包含具有高逸出功的材料。所述阳极优选具有相对于真空大于4.5eV的电势。一方面，适合于该目的的是具有高氧化还原电势的金属，例如Ag、Pt或Au。另一方面，也可以优选金属/金属氧化物电极（例如，Al/Ni/NiOx、Al/PtOx）。对于一些应用，所述电极中的至少一个必须透明以便于有机材料照射（O-SC）或光耦合输出（OLED/PLED，O-LASER）。优选的结构使用透明阳极。在此处优选的阳极材料为导电的混合金属氧化物。特别优选氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）。另外优选导电的掺杂的有机材料，尤其是导电的掺杂的聚合物，例如聚(亚乙基二氧基噻吩)（PEDOT）和聚苯胺(PANI)。
取决于应用，以本身已知的方式将所述器件相应地结构化、设置以接触并且最后密封，因为这种器件的寿命在存在水和/或空气的情况下急剧缩短。
具体实施方式
在下文参考实施例更加详细地解释本发明，但不由此限制本发明。
实施例
A）制备单体
实施例1（制备化合物3）
如下制备化合物3：
将25g4-氨基联苯1（148mmol）、22.6g（72mmol）4,4’-二溴联苯2和21.4g叔丁醇钠（222mmol）溶解于甲苯中，并且将该反应溶液谨慎地脱气。将该反应溶液温热至80℃，并且通过加入催化剂325mg（0.36mmol）Pd2dba3和451mg（0.73mmol）BINAP引发该反应，并且将其加热到回流温度。借助于薄层色谱法追踪该反应的进展。当反应完成时，将混合物冷却至室温，并且加入50ml水。使相分离，用50ml甲苯将水相萃取两次。用50ml水将合并的有机相洗涤三次，经硫酸镁
（MgSO4）干燥，并且将溶剂在真空中除去。将粗产物自甲苯中重结晶。
实施例2至4（制备化合物8至10）
如下制备化合物8至10：
类似于二联苯基联苯胺的合成（参见实施例1），获得N,N’-二烷基二芴联苯胺8至10。
N,N’-双(二甲基芴)联苯胺8
N,N’-双(二丁基芴)联苯胺9
N,N’-双(二辛基芴)联苯胺10
实施例5（制备化合物16）
根据以下合成顺序获得化合物16：
苯基咔唑硼酸酯12：
将150g（406mmol）3-碘代苯基咔唑11溶解于800ml二
烷中，并且加入123.8g（488mol）双(频哪醇基)二硼烷和131.6g（1.34mol）乙酸钾。随后加入3.2g（4.1mmol）1,1-双(二苯基膦)二茂铁氯化钯(II)（与二氯甲烷络合（1:1），Pd13%）。将反应加热到110℃。借助于薄层色谱法追踪反应的进展。当反应完成时，将批料冷却到室温，并且加入200ml水。将相分离。用100ml水将有机相萃取两次。用100ml水将合并的有机相洗涤三次，经硫酸镁干燥，过滤，并且将溶剂在真空中除去。将粗产物自庚烷中重结晶，得到浅褐色固体。
双苯基咔唑13：
将91g（242mmol）3-碘代苯基咔唑11和91g（246mmol）苯基咔唑硼酸酯12悬浮在丙酮中，并且加入350ml的20%四乙基氢氧化铵溶液（493mmol），使用氩气将该混合物谨慎地脱气。随后加入4.6g（4mmol）四(三苯基膦)钯。将该反应加热到70℃。借助于薄层色谱法追踪反应的进展。当反应完成时，将批料冷却到室温，并且将沉淀的产物在抽吸下滤出。将粗产物自乙腈中重结晶，得到浅褐色固体。
二碘代双苯基咔唑14：
将68g（139mmol）双苯基咔唑13和68g（306mmol）N-碘代丁二酰亚胺悬浮在冰乙酸中，并且在室温下在避光的情况下搅拌过夜。将沉淀物在抽吸下滤出，并且用水和庚烷洗涤。将粗产物自乙腈中重结晶，得到白色固体。
双苯基咔唑双硼酸酯15：
将100g（136mmol）二碘代双苯基咔唑14溶解于500ml二烷中，并且加入83g（326mol）双(频哪醇基)二硼烷和88g（896mmol）乙酸钾。随后加入2.2g（2.7mmol）1,1-双(二苯基膦)二茂铁氯化钯(II)（与二氯甲烷络合（1:1），Pd13%）。将该反应加热到110℃。借助于薄层色谱法追踪反应的进展。当反应完成时，将批料冷却到室温，并且加入200ml水。使相分离。用100ml水将有机相萃取两次。用100ml水将合并的有机相洗涤三次，经硫酸镁干燥，过滤，并且将溶剂在真空中除去。将粗产物自庚烷中重结晶，得到浅褐色固体。
双-3-(4-溴代苯基)双苯基咔唑16：
将30g（41mmol）双苯基咔唑双硼酸酯15和28.8g（102mmol）1-溴代-4-碘代苯溶解于甲苯中，并且加入82ml2M碳酸钠溶液（163mmol），使用氩气将该混合物谨慎地脱气。随后加入0.94g（0.8mmol）四(三苯基膦)钯。将该反应加热到110℃。借助于薄层色谱法追踪反应的进展。当反应完成时，将批料冷却到室温，并且将沉淀的产物在抽吸下滤出。将粗产物自二甲基甲酰胺（DMF）中重结晶，得到浅褐色固体。
B）制备聚合物
实施例6和7：制备聚合物（P1和P2）
标准程序：
将2mmol卤代单体和2mmol二元胺单体以及0.577g（6mmol）叔丁醇钠溶解于20ml甲苯中。将所获得的反应溶液在氩气下谨慎地脱气。在保护性气氛下将该溶液升温至约80℃，并且通过加入溶解于1ml甲苯中的3.6mg（16μmol）乙酸钯和69mg（96μmol）三叔丁基膦来引发该反应。将反应混合物在沸腾下加热约1小时，直至溶液变粘稠。通过加入3mg溴代联苯终止该聚合，并且将该反应溶液在沸腾下加热另外的1小时以终止端基。将该溶液冷却到65℃并且用80ml甲苯稀释，并且加入80ml的10%硫代碳酰胺溶液，并且将混合物在65℃下搅拌3小时。将该混合物冷却到室温并且用50ml水萃取三次，并且随后在双倍量的甲醇中沉淀。为了纯化，将聚合物溶解于甲苯中并且随后在双倍量的甲醇中沉淀。将该程序再重复一次。
实施例6（聚合物P1）
实施例7（聚合物P2）
对比实施例8（对比聚合物V1）
通过在WO03/048225中描述的方法，通过SUZUKI偶联，进行对比聚合物V1的制备。
C）PLED的制造
实施例9至14：
在文献中（例如，在WO2004/037887A2中）已经多次描述了聚合物有机发光二极管（PLED）的制造。为了通过实施例解释本发明，用聚合物P1和P2和对比聚合物V1通过旋涂制造PLED。
典型的器件具有在图1中描绘的结构，其中根据本发明的聚合物履行空穴传输层（HTL）的功能。在该制造工艺期间通过气相沉积施用的阴极具有4个2×2mm的像素。该器件的结构以平面图示于图2中。
在清洁室中用去离子水和洗涤剂（Deconex15PF）清洁基底并且随后通过UV/臭氧等离子体处理进行活化。然后，同样在清洁室中，通过旋涂施用80nm的PEDOT（PEDOT为得自Goslar，H.C.Starck的聚噻吩衍生物（Baytron P VAI4083sp.），其作为水性分散体供应）层。所需要的旋转速率取决于稀释度和特定的旋涂机的几何形状（对于80nm，典型的是：4500rpm）。为了从该层中除去残留的水，通过在180℃下在加热板上加热10分钟来干燥所述基底。
然后，首先在惰性气氛（氮气或氩气）下施用20nm的间层或HTL层。在该层中自具有5至8g/l的浓度的甲苯溶液中处理根据本发明的聚合物。然后从甲苯溶液中施用65nm的发光层。通过在180℃下加热至少10分钟来干燥这两层。
最后，经由气相沉积掩模以所指出的图案通过气相沉积来施用Ba/Al阴极（高纯金属得自Aldrich，特别是钡99.99%（订货号474711）；气相沉积设备得自Lesker或其它供应商，典型的真空度为5×10-6毫巴；Ba/Al层厚度为3nm/100nm）。尤其是为了保护阴极不受空气和大气湿度影响，最后将该器件进行封装，然后进行表征。
为此，将所述器件夹持到专门为基底尺寸制造的并且设置有弹簧接触的夹持器中。可将具有视觉响应滤色器的光电二极管直接置于测量夹持器上以排除外部光线的影响。典型的测量装置描绘在图3中。
通常将电压以0.2V的步长从0V升高到最大20V并且再降低。对于每个测量点，通过光电二极管测量通过所述器件的电流和所获得的光电流。以这种方式，获得试验器件的IVL数据。重要的特征量为所测量的最大效率（以cd/A计量）和对于100cd/m2所需要的电压。
另外，为了了解所述试验器件的颜色和精确电致发光光谱，在第一次测量之后再次施加对于100cd/m2所需要的电压，并且由光谱测量头代替光电二极管。这通过光纤与光谱仪（Ocean Optics）连接。可自测量的光谱得出彩色坐标（CIE：国际照明委员会，1931标准观察者）。
将在PLED中使用聚合物P1和P2以及V1作为间层时获得的结果汇集于表1中。所使用的发光层EML1（M1和E1）和EML2（M2和E1）为以下描绘的可溶性基质与发光体的组合。以20重量%的浓度将发光体E1与基质M1或M2混合。
表1
根据本发明的聚合物P1和P2的器件实施例（实施例9、10、12和13）和对比聚合物V1的器件实施例（实施例11和14）。
Claims (12)
1.一种聚合物，其含有至少一种通式(I)的咔唑结构单元
其中
Ar1、Ar2、Ar3各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，所述基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；
m、o彼此独立地为0或1；
n为1、2或3；并且
虚线代表在所述聚合物中的连接；
和至少一种通式(II)和/或(III)的芳基胺结构单元
其中
Ar4、Ar5、Ar7、Ar8各自彼此独立地为芳基或杂芳基基团，所述基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代；
Ar6为芳基或杂芳基基团，所述基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代，或代表式Ar9-Ar9的基团，其中Ar9在每种情况下独立地为芳基或杂芳基基团，所述基团可以被一个或多个任何所希望类型的基团R取代或彼此连接；
p为1、2或3；
q为0或1；并且
虚线代表在所述聚合物中的连接。
2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于所述聚合物含有至少一种通式(Ia)的咔唑结构单元
其中Ar1、Ar2、Ar3、m、o和虚线具有在权利要求1中指出的含义。
3.根据权利要求2所述的聚合物，其特征在于所述聚合物含有至少一种通式(Ib)的咔唑结构单元
其中Ar2和虚线具有在权利要求1中指出的含义。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的聚合物，其特征在于所述聚合物含有至少一种通式(IIa1)、(IIa2)、(IIIa1)和/或(IIIa2)的芳基胺结构单元
其中
R5在每种情况下彼此独立地为氢原子，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者为甲硅烷基基团或具有1至40个C原子的被取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O)NH2），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=O)-H），异氰基基团，异氰酸酯基团，硫代氰酸酯基团或硫代异氰酸酯基团，氨基基团，羟基基团，硝基基团，CF3基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或者被取代或未被取代的芳族或杂芳族环系，其具有5至60个环原子，或者具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中所述基团R5中的一个或多个可以彼此和/或与所述基团R5所键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系，并且
Ar4、Ar5、Ar7、Ar8、q和虚线具有在权利要求1中指出的含义。
5.根据权利要求4所述的聚合物，其特征在于所述聚合物含有至少一种通式(IIIb1)和/或(IIIb2)的芳基胺结构单元
其中
R5在每种情况下彼此独立地为氢原子，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者为甲硅烷基基团或具有1至40个C原子的被取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O)NH2），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=O)-H），异氰基基团，异氰酸酯基团，硫代氰酸酯基团或硫代异氰酸酯基团，氨基基团，羟基基团，硝基基团，CF3基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或者被取代或未被取代的芳族或杂芳族环系，其具有5至60个环原子，或者具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中所述基团R5中的一个或多个可以彼此和/或与所述基团R5所键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系，并且
虚线代表在所述聚合物中的连接。
6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的聚合物，其特征在于R在每次出现时彼此独立地选自F，Cl，Br，I，N(Ar)2，N(R’)2，CN，NO2，Si(R’)3，B(OR’)2，C(=O)Ar，C(=O)R’，P(=O)(Ar)2，P(=O)(R’)2，S(=O)Ar，S(=O)R’，S(=O)2Ar，S(=O)2R’，-CR’=CR’Ar，OSO2R’，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R'取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被R’C=CR’、C≡C、Si(R’)2、Ge(R’)2、Sn(R’)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR’、P(=O)(R’)、SO、SO2、NR’、O、S或CONR’代替，并且其中一个或多个H原子可以被F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，可交联的基团，或者芳族或杂芳族环系，其具有5至60个环原子并且在每种情况下可以被一个或多个基团R'取代，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，其可以被一个或多个基团R'取代，或这些体系的组合，其中两个或更多个取代基R也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系，其中R'在每种情况下彼此独立地为H或具有1至20个C原子的脂族或芳族烃基团，并且Ar为具有2至30个C原子的芳基或杂芳基基团。
7.一种用于制备根据权利要求1至6中的一项或多项所述的聚合物的方法，其特征在于单体组合物通过Suzuki或Buchwald方法进行聚合。
8.一种制剂，其在一种或多种溶剂中包含根据权利要求1至6中的一项或多项所述的聚合物。
9.一种电子器件，其包含根据权利要求1至6中的一项或多项所述的聚合物。
10.根据权利要求9所述的电子器件，其特征在于所述聚合物作为空穴传输层或空穴注入层的成分存在于所述器件中。
11.根据权利要求9或10所述的电子器件，其特征在于所述电子器件为有机电致发光器件（OLED）、聚合物电致发光器件（PLED）、有机集成电路（O-IC）、有机场效应晶体管（O-FET）、有机薄膜晶体管（O-TFT）、有机发光晶体管（O-LET）、有机太阳能电池（O-SC）、有机光学探测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（O-FQD）、发光电化学电池（LEC）或有机激光二极管（O-laser）。
12.一种用于制造根据权利要求9至11中的一项或多项所述的电子器件的方法，其特征在于自溶液中或借助于印刷方法将一个或多个包含根据权利要求1至6中一项或多项所述的聚合物的层施用到基底上。
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