CN103076050A - 一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片 - Google Patents
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Abstract
一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基,在外围支撑硅基的背面配置有玻璃衬底,外围支撑硅基的背面与玻璃衬底进行键合连接,中央硅膜位于外围支撑硅基的中间,中央硅膜的一边和外围支撑硅基之间通过一硅悬臂梁相连,硅悬臂梁上的中间配置有四个压阻条,四个压阻条连接构成惠斯通电桥,中央硅膜与硅悬臂梁组成的梁膜结构构成传感器测量部位,当一定速度流体作用于传感器芯片时,将有惯性力作用于中央硅膜,进而使得梁膜结构发生变形,压阻条在硅悬臂梁的应力作用下其阻值发生变化,惠斯通电桥失去平衡,输出一个与外界流量相对应的电信号,从而实现传感器芯片对流量的测量,具有体积小,重量小,响应速度快和高灵敏度的优点。
Description
技术领域
本发明属于微机械电子技术领域,具体涉及一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片。
背景技术
流量测量是工业生产和科研工作的重要的检测参数。近年来,随着对微电子机械系统(MEMS)的深入研究和取得的进展,传统的工业和流体力学研究的流量传感器向高集成度,微型化,高精度,高可靠性方向发展。MEMS流量传感器按测量原理主要可以分为热式和非热式两种,经过30年的发展,热式MEMS流量传感器已经占据了流量测量的主流位置。但是,热式微流量传感器也有其固有的缺点。例如功耗大、衬底的热传导导致测量误差、零点随环境温度漂移、响应时间长等。另外,因为要对流体加热,所以就限制了热式微流量传感器在生物技术方面的应用。目前,非热式流量传感器研究相对较少,现有的非热式流量存在难以兼顾全量程范围内的灵敏度、普遍较难计算、制造过程难以与标准CMOS工艺兼容等问题。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,具有体积小,重量小,响应速度快和高灵敏度的优点。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基3,在外围支撑硅基3的背面配置有玻璃衬底4,外围支撑硅基3的背面与玻璃衬底4进行键合连接,中央硅膜1位于外围支撑硅基3的中间,中央硅膜1的一边和外围支撑硅基3之间通过一硅悬臂梁2相连,硅悬臂梁2上的中间配置有四个压阻条5,四个压阻条5连接构成惠斯通电桥,中央硅膜1与硅悬臂梁2组成的梁膜结构构成传感器测量部位;
所述的中央硅膜1与外围支撑硅基3之间存在150-170μm的间隙以使中央质硅膜1悬空,中央硅膜1的厚度与硅悬臂梁2的厚度相同;
所述的中央硅膜1、硅悬臂梁2和外围支撑硅基3三部分的中轴线重合。
所述的硅悬臂梁2采用了(100)晶面硅。
所述的四个压阻条5沿着[110]和[110]晶向布置。
本发明采用250um(100晶面)N型双面抛光硅片制作。
由于本发明采用梁膜结合的结构作为敏感元件,集流量感知与测量电路于一体,同时采用250um(100晶面)N型双面抛光硅片制作,故而具有体积小,重量小,响应速度快和高灵敏度的优点。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明的截面示意图。
图3为压阻条5在硅悬臂梁2上的分布示意图。
图4为压阻条5构成的惠斯通电桥示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的结构与工作原理详细说明。
参见图1和图2,一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基3,在外围支撑硅基3的背面配置有玻璃衬底4,外围支撑硅基3的背面与玻璃衬底4进行键合连接,中央硅膜1位于外围支撑硅基3的中间,中央硅膜1的一边和外围支撑硅基3之间由一硅悬臂梁2相连,硅悬臂梁2上的中间配置有四个压阻条5,四个压阻条5连接构成惠斯通电桥,中央硅膜1与硅悬臂梁2组成的梁膜结构构成传感器测量部位,传感器芯片感应到的流量信号输入通过四个压阻条5组成的测量电路最终转化为电信号,完成对流量的感应与测量。
所述的中央硅膜1与外围支撑硅基3之间存在150-170μm的间隙以使中央硅膜1悬空,并使得流体可以通过,中央硅膜1可以在外界流量作用时发生一定的位移,从而感知流量信息,所述的中央硅膜1的厚度与硅悬臂梁2的厚度相同,硅悬臂梁2的宽度小于中央硅膜的1的宽度,使应力集中作用明显。
所述的中央硅膜1,硅悬臂梁2和外围支撑硅基3三部分的中轴线重合。
所述的硅悬臂梁2采用了(100)晶面硅。
所述的四个压阻条5沿着[110]和[110]晶向布置。
本发明采用250um(100晶面)N型双面抛光硅片制作。
参见图3和图4,四个压阻条5分别为电阻R1、R2、R3和R4,在硅悬臂梁2上,电阻R1与电阻R3平行布置,电阻R2与电阻R4呈一条直线布置,四个压阻条5连接构成惠斯通电桥。
本发明的工作原理是:
一定速度流体垂直作用于传感器芯片上表面时,中央硅膜1作为传感器流量的敏感膜片。根据伯努利方程,当一定速度流体作用于中央硅膜1时,由于惯性力的作用,中央硅膜1会产生一定的位移,进而使梁膜结构中的硅悬臂梁2部分发生形变,该形变所产生的应力导致分布于硅悬臂梁2上的压阻条5的电阻值变化。这一阻值变化通过惠斯通电桥转变为电信号输出,从而实现传感器芯片的流量-电压信号转换,完成对流量的测量。
本发明中硅悬臂梁2上的压阻条5阻值的变化量通过压阻效应的相关公式计算而来,压阻效应是指当半导体材料受到应力作用时,由于载流子迁移率的变化,使其电阻率发生变化的现象。当压阻条处于一定应力作用下时,其阻值变化与其所受应力之间的比例关系式如下:
式中:R——压阻条初始阻值;
πl——为压阻条横向压阻系数;
πτ——压阻条纵向压阻系数;
σi——压阻条受到的正应力;
τi——压阻条受到的剪应力。
因此硅悬臂梁2在外界流量作用时产生的应力将会使其上的压阻条5的阻值变化,通过惠斯通电桥再将此变化转变为电信号输出,继而实现对流量的感应与测量,压阻效应具有各向异性的特征,沿着不同的方向施加应力或沿不同方向通过电流,材料的电阻率变化均不相同,为了在同样的流量作用下得到更大的输出电信号,本发明中的硅悬臂梁2选择(100)晶面硅片,利用(100)晶面硅在[110]和[110]晶向上具有最大值,在[100]和[010]晶向上几乎为零的特点,压阻条5沿着[110]和[110]晶向分布,提高了传感器芯片对流量的测量精度。
Claims (4)
1.一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基(3),其特征在于:在外围支撑硅基(3)的背面配置有玻璃衬底(4),外围支撑硅基(3)的背面与玻璃衬底(4)进行键合连接,中央硅膜(1)位于外围支撑硅基(3)的中间,中央硅膜(1)的一边和外围支撑硅基(3)之间通过一硅悬臂梁(2)相连,硅悬臂梁(2)上的中间配置有四个压阻条(5),四个压阻条(5)连接构成惠斯通电桥,中央硅膜(1)与硅悬臂梁(2)组成的梁膜结构构成传感器测量部位;
所述的中央硅膜(1)与外围支撑硅基(3)之间存在150-170m的间隙以使中央质硅膜(1)悬空,中央硅膜(1)的厚度与硅悬臂梁(2)的厚度相同;
所述的中央硅膜(1)、硅悬臂梁(2)和外围支撑硅基(3)三部分的中轴线重合。
2.根据权利要求1所述的一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,其特征在于:所述的硅悬臂梁(2)采用了(100)晶面硅。
3.根据权利要求1所述的一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,其特征在于:所述的四个压阻条(5)沿着[110]和[110]晶向布置。
4.根据权利要求1所述的一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,其特征在于:本发明采用250um(100晶面)N型双面抛光硅片制作。
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