CN214621218U

CN214621218U - 全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺

Info

Publication number: CN214621218U
Application number: CN202121104387.7U
Authority: CN
Inventors: 李备; 朴林华; 王灯山
Original assignee: Beijing Information Science and Technology University
Current assignee: Beijing Information Science and Technology University
Priority date: 2021-05-21
Filing date: 2021-05-21
Publication date: 2021-11-05
Anticipated expiration: 2031-05-21

Abstract

本实用新型公开了一种全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，该z轴薄膜陀螺包括敏感层和盖板，敏感层的上表面设置有两对加热器、两对热敏电阻和一根隔离电阻；加热器的通电方式为周期式推挽式通电；盖板上刻蚀有凹槽，且与敏感层的上表面密闭连接。本实用新型采用全桥加双推挽式热流，四个电桥桥臂都参加工作，灵敏度是单臂的4倍，是灵敏度最较高的一种，其功耗不大；提取电路为等臂电桥，等臂电桥桥臂电阻变化和电桥输出不平衡电压的关系非线性度最小，陀螺的线性好。

Description

全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺

技术领域

本实用新型涉及利用哥氏力偏转热流敏感体检测运动体角速度姿态参数的技术领域，尤其是涉及一种全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，属于惯性测量领域。

背景技术

利用微机电系统MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)技术制作的微型惯性传感器有大批量生产、成本低、体积小、功耗低等诸多优点，是未来中、低精度微型惯性传感器的理想产品。陀螺、加速度计是载体运动姿态测量和控制的核心惯性传感器，而陀螺是敏感角速度、角加速度等角参数的传感器。传统的微型陀螺(微机械陀螺)是基于高频振动质量被基座带动旋转时存在的哥氏效应原理，微电子和微机械结合的微型化速率陀螺。这种陀螺敏感元件内的固体质量块需要通过机械弹性体悬挂并振动，在稍高加速冲击下容易损坏，同时为了减少阻尼需要真空封装，其工艺复杂，长时间工作时会产生疲劳损坏和振动噪声。而微型流体惯性器件是一种新型的通过检测密闭腔体内流体的流场偏移量，实现输入加速度和角速度的测量。由于其没有传统的微型陀螺中的可动部件和悬挂系统，所以能抗高过载；由于其敏感质量为气体，质量几乎为零，所以响应时间短、寿命长；由于其结构简单，能满足低成本的应用要求。微型流体陀螺是利用密闭腔体内气流敏感体在哥氏力作用下发生偏转，由热敏电阻(热线)来敏感角速度引起偏转量的角速度传感器。目前，市场对微型惯陀螺适应恶劣苛刻的环境能力要求越来越高，与传统的微机械振动陀螺相比，微型流体陀螺以其极高的抗振动、冲击特性和低成本等优势，更具市场竞争力，应用前景十分广阔。

目前基于MEMS技术的微型流体陀螺大致可以分为四类大类:微型射流陀螺，ECF(electro-conjugate fluid)流体陀螺、微型热对流陀螺和微型热流陀螺。中国专利一种微型四通道循环流式三轴硅射流陀螺(专利申请号：201510385582.4)，属于微型射流陀螺，其敏感元件内的压电片增加了加工难度和成本，且在保持流速的前提下其体积难以进一步缩小。ECF流体陀螺的体积较大(40mm×60mm×7mm)，且液体形成喷射流需高达上千伏的电压，故而ECF陀螺很难实现大批量、低成本的商业化。微型热对流陀螺无重力场就无法工作，灵敏度低。上述微型流体陀螺因其各自固有的缺点使其难以成为低成本商业化微型陀螺的选择。微型热流陀螺(也称热膨胀陀螺)是近几年提出的一种比较新的微型流体陀螺，敏感元件内无压电片，不需要高电压，可以在无重力环境下使用，它的灵敏度适中，介于微型射流陀螺和微型热对流式陀螺之间，同时它具有结构和加工工艺非常简单，成本极低，可靠性高，优秀的抗振动和冲击特性，使得其与电容式微机械振动陀螺竞争中、低精度、低价格的微型陀螺市场成为可能。

微型热流陀螺的敏感工作原理是利用加热器通电产生热量，加热其周围的气体，形成气体热扩散，产生沿着一定方向运动的气流敏感体，当有角速度输入时，气流敏感体在哥氏力作用下发生偏转，造成惠斯登电桥的桥臂电阻(一般由热敏电阻组成)的改变，从而输出与输入角速度成正比的电桥不平衡电压。在中国专利201410140298.6和201210130318.2中传感器敏感元件内的主要部件-加热器和热敏电阻均采用悬空悬臂梁结构，首先由于加热器和热敏电阻均悬浮于腔体上方，刻蚀腔体释放结构后，应力会造成加热器和热敏电阻变形，甚至断裂，成品率低，而且翘曲变形会在无角速度输入情况下产生不对称的气体流场，从而造成角速度检测误差。其次，提取电路和传感器的敏感元件芯片是分立的，提取电路需要额外制作，没有和敏感元件集成在一个芯片上，所以集成度不高，传感器体积大。第三，这种分立器件中四臂电桥中的电阻如果不在同一温度场中，各个电阻的温度系数有差异，很容易造成温度漂移，影响传感器的精度，从而限制了它的应用领域。因此，如何克服上述问题成为本领域技术人员亟需解决的技术难题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，以解决现有技术中存在的技术问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型提供一种全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，包括敏感层和盖板，其中，

所述敏感层的上表面设置有两对加热器、两对热敏电阻和一根隔离电阻；

定义所述上表面隔离电阻的放置方向为Y方向，与其放置方向垂直的方向为X方向，敏感层的高度方向为Z向；所述加热器放置方向为Y方向，所述热敏电阻的放置方向为X方向，即加热器与热敏电阻相互垂直，用于检测Z轴的角速度；

四对加热器的通电方式为周期式推挽式通电，即加热器的一个工作周期包括脉冲电压激励时间与断电间隔时间；

所述盖板上刻蚀有凹槽，且与敏感层的上表面密闭连接。

作为一种进一步的技术方案，每对所述加热器均由两个相同频率的方波信号驱动，相位差为90度，脉冲占空比为50％。

作为一种进一步的技术方案，所述敏感层上表面至所述盖板上凹槽顶部的距离为气体介质工作腔体高度，高度为200μm至1000μm。

作为一种进一步的技术方案，所述敏感层上表面的所述加热器和热敏电阻的高度为15μm至20μm。

作为一种进一步的技术方案，所述加热器和所述热敏电阻的长度一致，均为整个敏感层宽度的1/6至1/5。

作为一种进一步的技术方案，所述加热器均是由具有高温度系数的TaN材料电阻线构成。

作为一种进一步的技术方案，所述热敏电阻均是由n型重掺杂GaAs材料电阻线构成。

作为一种进一步的技术方案，所述隔离电阻由高度为25μm至30μm的Si₃N₄材料电阻线构成。

一种加工全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺的方法，其特征在于，具体工艺流程如下：

步骤一：在GaAs晶片上制备掺杂密度为10¹⁸cm-³的n⁺GaAs外延层，刻蚀形成上表面热敏电阻及平衡电阻；

步骤二：溅射TaN(氮化钽)层作为上表面加热器；

步骤三：分别溅射Ti/Au/Ti，形成

厚的焊盘和敏感电阻线；

步骤四：采用化学气相沉积(PECVD)技术沉积

厚的Si₃N₄，制备隔离电阻；

步骤五：通过键合工艺，将上盖板与敏感层进行粘合，实现气体介质工作环境的密封；

步骤六：对加工出来的结构进行封装，形成全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺。

采用上述技术方案，本实用新型具有如下有益效果：

1.这种陀螺继承了微型热流陀螺无固体敏感质量块，抗振动和冲击等优点，该陀螺的敏感元件中无悬臂梁结构，工艺简单，敏感元件成品率高，成本低。

2.这种薄膜式微机械热流陀螺中的敏感元件中提取电路中的四臂电桥均在一个芯片上实现，同一结构，同一工艺制作，使得电桥的桥臂电阻的电阻离散程度小，非常容易制作温度系数相同的电阻，而且电桥的各个桥臂均同在一个温度场中，不会造成因温度系数和温度梯度不同导致的温度漂移。

3.本实用新型中四个热敏电阻构成等臂电桥，四个桥臂作为工作臂均参与敏感热气流的偏转，灵敏度是单一工作臂的四倍，大大提高了陀螺灵敏度。

4.本实用新型中提取电路为等臂电桥，等臂电桥桥臂电阻变化和电桥输出不平衡电压的关系非线性度最小，可以大大降低陀螺的非线性度。

5.本实用新型采用的工艺与集成电路工艺兼容，具有高集成度的潜力。

6.采用了推挽式热流，热流状态转变快，热流流速大、气流状态稳定，不仅相应速度快，陀螺灵敏度高，稳定性好。

7.由于其敏感质量不含固体质量块，较其他工作原理的微型惯性传感器，具有抗大冲击，结构简单，成本极低，可靠性高的优势。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的敏感层的三维结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的盖板的三维结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的敏感层的俯视图；

图4为图3的A-A向剖视图；

图5为本实用新型实施例提供的工作原理图；

图6为本实用新型实施例提供的加热器的结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的热敏电阻的结构示意图；

图8本实用新型实施例提供的全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺的制备工艺流程图；

图标：1-敏感层、2-盖板、3-盖板凹槽、4-加热器、5-加热器、6-加热器、7-加热器、8-热敏电阻、9-热敏电阻、10-热敏电阻、11-热敏电阻、12-隔离电阻、13-TaN材料电阻块、14-Si₃N₄材料电阻块、15-TaN材料电阻块、16-n型重掺杂GaAs材料电阻块。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。

结合图1-5所示，本实施例提供一种全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，包括敏感层1和盖板2，其中，

所述敏感层1上表面设置有两对加热器、两对热敏电阻和一根隔离电阻；

定义所述上表面隔离电阻12的放置方向为Y方向，与其放置方向垂直的方向为X方向，敏感层1的高度方向为Z向；所述加热器放置方向为Y方向，所述热敏电阻的放置方向为X方向，即加热器与热敏电阻相互垂直，用于检测Z轴的角速度；

检测Z轴角速度的热敏电阻8、热敏电阻9、热敏电阻10和热敏电阻11放置于敏感层上表面X方向的两侧，加热器4、加热器5、加热器6和加热器7放置于敏感层上表面Y方向的两侧，所示加热器与所述热敏电阻相互垂直；

加热器的通电方式为周期式推挽式通电，即加热器的一个工作周期包括脉冲电压激励时间与断电间隔时间；

热敏电阻的通电方式均为恒流电；

所述盖板2上刻蚀有盖板凹槽3，且与敏感层1的上表面密闭连接。

在该实施例中，作为一种进一步的技术方案，每对所述加热器均由两个相同频率的方波信号驱动，相位差为90度，脉冲占空比为50％。加热器交替通电产生焦耳热，向周围气体释放热量，进行热扩散，形成热流。作用于加热器上的方波信号交替加热，这样在每对加热器间形成一种推挽式的热流。这种推挽式热流流速大、气流状态稳定，陀螺灵敏度高，稳定性好。方波信号驱动加热器工作分为两个阶段，在第一阶段，加热器5和加热器6通电加热，加热器4和加热器7不通电，处于环境温度，在两对加热器之间产生两个与加热器5和加热器6正交方向相同的热气流。在第二阶段，加热器4和加热器7通电加热，加热器5和加热器6不通电，在两对加热器之间产生与第一阶段方向相反的热气流。两个阶段中的加热器连续工作将构成推挽式的热气流。其中，两对阻值相同的热敏电阻8和10、热敏电阻9和11构成等臂惠斯登电桥，均作为工作桥臂参与敏感气流的偏转，构成全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺。

以第一阶段为例说明Z轴热流陀螺的工作原理。如果在Z轴方向输入角速度Ωz时，由于哥氏力(Coriolis force)原理，加热器5和加热器6产生的热流在XOY面内沿着相反的方向到达两相对平行的热敏电阻8和11，此时，热流偏向的热敏电阻8和11的温度高于和它平行的热敏电阻9和10的温度，在两相对平行的热敏电阻8和11、热敏电阻9和10之间产生了与输入角速度Ωz成正比的温差。其中相邻的两个桥臂电阻R1和R3(热敏电阻11和9)、R2和R4(热敏电阻10和8)的变化都是一增一减，电阻变化大小相等符号相反，根据公式(1)，这种全桥电压输出为单一热敏电阻参与敏感热流偏转电桥的四倍。输入角速度产生的温差，通过上述惠思登电桥桥臂阻值的改变转化为与角速度Ωz成正比的电压不平衡电压ΔVout输出，从而敏感Z轴方向上的角速度。两个桥臂作为工作臂均参与敏感热气流的偏转，灵敏度是单一工作臂的两倍，大大提高了陀螺灵敏度。

在该实施例中，作为一种进一步的技术方案，所述敏感层1上表面至所述盖板2上凹槽顶部的距离为气体介质工作腔体高度，高度为200μm至1000μm。

在该实施例中，作为一种进一步的技术方案，所述敏感层1上表面的所述加热器和热敏电阻的高度为15μm至20μm。

在该实施例中，作为一种进一步的技术方案，所述加热器和所述热敏电阻的长度一致，均为整个敏感层宽度的1/6至1/5。

在该实施例中，作为一种进一步的技术方案，检测Z轴方向角速度的加热器与热敏电阻的间距为加热器长度的1/4至1/3。

结合图6-7所示，在该实施例中，作为一种进一步的技术方案，所述加热器均是由具有高温度系数的TaN材料电阻线构成。所述热敏电阻均是由n型重掺杂GaAs材料电阻线构成。其中，加热器包括2个对称的TaN材料电阻块13、15及1个Si₃N₄材料电阻块14。其中TaN材料电阻块13由4个串联的“电阻”组成，而每个“电阻”具体实现形式为3根并联的具有高温度系数的TaN材料电阻线。通过这样设计TaN材料电阻线，加热器可以产生更多的热量，从而有利于提高陀螺检测的灵敏度。热敏电阻为n型重掺杂GaAs材料电阻块16。其中n型重掺杂GaAs材料电阻块16由5个串联的n型重掺杂GaAs材料电阻线。通过这样设计GaAs材料电阻线，热敏电阻能获得更大的电压信号输出，从而有利于提高陀螺检测的灵敏度。

结合图8所示，本实用新型所公开的全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，可以利用GaAs-MMIC技术制备而成，具体工艺流程如下：

步骤(a)：在GaAs晶片上制备掺杂密度为10¹⁸cm-³的n⁺GaAs外延层，刻蚀形成上表面热敏电阻及平衡电阻。

步骤(b)：溅射TaN(氮化钽)层作为上表面加热器。

步骤(c)：分别溅射Ti/Au/Ti，形成

厚的焊盘和敏感电阻线。

步骤(d)：采用化学气相沉积(PECVD)技术沉积

厚的Si₃N₄，制备隔离电阻。

步骤(e)：通过键合工艺，将上盖板与敏感层进行粘合，实现气体介质工作环境的密封。

步骤(f)：对加工出来的结构进行封装，形成全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺。

综上所述，本实用新型继承了微型热流陀螺无固体敏感质量块，抗振动和冲击等优点，这种全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺敏感元件中无悬臂梁结构，工艺简单，敏感元件成品率高，实际成本低。薄膜式微机械热流陀螺中的敏感元件中提取电路中的四臂电桥均在一个芯片上实现，同一结构，同一工艺制作，不会造成因温度系数和温度梯度不同导致的温度漂移。同时，由于采用了相向运动的推挽式热流，热流状态转变快，热流流速大、气流状态稳定，响应速度快，稳定性好。本实用新型中四个热敏电阻构成等臂电桥，四个桥臂作为工作臂均参与敏感热气流的偏转，灵敏度是单一工作臂的四倍，大大提高了陀螺灵敏度。同时，提取电路为等臂电桥，等臂电桥桥臂电阻变化和电桥输出不平衡电压的关系非线性度最小，可以大大降低陀螺的非线性度。本实用新型采用的工艺与集成电路工艺兼容，具有高集成度的潜力。由于其敏感质量不含固体质量块，较其他工作原理的微型惯性传感器，具有抗大冲击，结构简单，成本极低，可靠性高的优势。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，其特征在于，包括敏感层和盖板，其中，

所述盖板上刻蚀有凹槽，且与敏感层的上表面密闭连接。

2.根据权利要求1所述的全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，其特征在于，每对所述加热器均由两个相同频率的方波信号驱动，相位差为90度，脉冲占空比为50％。

3.根据权利要求1所述的全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，其特征在于，所述敏感层上表面至所述盖板上凹槽顶部的距离为气体介质工作腔体高度，高度为200μm至1000μm1。

4.根据权利要求1所述的全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，其特征在于，所述敏感层上表面的所述加热器和热敏电阻的高度为15μm至20μm。

5.根据权利要求1所述的全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，其特征在于，所述加热器和所述热敏电阻的长度一致，均为整个敏感层宽度的1/6至1/5。

6.根据权利要求1所述的全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，其特征在于，每个所述加热器包括4个串联的“电阻块”，每个“电阻块”由3根并联的具有高温度系数的TaN材料电阻线构成。

7.根据权利要求1所述的全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，其特征在于，所述热敏电阻均是由5根串联的n型重掺杂GaAs材料电阻线构成。

8.根据权利要求1所述的全桥式双推挽流z轴薄膜陀螺，其特征在于，所述隔离电阻不参与敏感气流的偏转，由1根Si₃N₄材料电阻线构成。