CN103066149A

CN103066149A - 用于制造薄膜太阳能电池的划线方法

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Publication number: CN103066149A
Application number: CN2011103305807A
Authority: CN
Inventors: 林信志; 谢天宏
Original assignee: Pvnext Corp
Current assignee: Pvnext Corp
Priority date: 2011-10-20
Filing date: 2011-10-20
Publication date: 2013-04-24

Abstract

本发明公开了一种用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，包括如下步骤：提供一具有若干个前电极和若干条P1线的基板，前电极和P1线上面设有光吸收层；分别测出第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值，再利用P1线的数量计算出能够避免若干条P2线与相应的P1线交叉情况下这些P2线各自应偏转的纠偏角度值，以各自纠偏角度在各条P1线的同一侧分别划线以形成这些P2线，将光吸收层分割成若干个光吸收单元；设置后电极层；以同样的方式划P3线，将后电极层划分成若干个后电极。本发明的方法能有效避免各P2、P3线与P1线之间的交叉，大幅度提高成品的良率。

Description

用于制造薄膜太阳能电池的划线方法

技术领域

本发明涉及一种用于制作薄膜太阳能电池的划线方法。

背景技术

近年来，随着现代工业的高速发展，对能源量的需求越来越大，传统的煤炭、石油、天然气等能源正逐渐枯竭；可再生能源，主要是太阳能，从2000年开始迅猛发展。利用太阳能的产品主要是薄膜太阳能电池，如图1所示，图1示出薄膜太阳能电池的结构，包括玻璃等材料制成的基板1以及通过沉积、溅射等工艺设置在基板1上的薄膜层，从功能上薄膜层又可以分为前电极层2、后电极层4和中间的光吸收层3，其中光吸收层3通常以非晶硅(amorphous silicon，简称a-Si)、微晶硅、CIGS(铜铟镓硒)、CdTe(锑化镉)、多元化合物等不同材质的单层或多层结构所制成，光吸收层3的作用在于将光能转换为电能。

制造薄膜太阳能电池的工艺主要是将薄膜层划分为多个电池单元，由于每个电池单元的结构包括前电极20、光吸收单元30和后电极40(图1)，因此为了让各单元电池建立串联连接结构，需要进行三次划线切割动作。具体来说，制造薄膜太阳能电池的工艺包括：在基板1上设置前电极层2；在前电极层2上划切割线，将前电极层2划分成若干个前电极20；在若干个前电极2上表面设置光吸收层3，光吸收层3同时填充由于划分前电极层2的划线动作而形成的线槽；在光吸收层3上划切割线，将光吸收层3划分成若干个光吸收单元30；在若干个光吸收单元30上表面设置后电极层4，后电极层4同时填充由于划分光吸收层3的划线动作而形成的线槽；将后电极层4划分成若干个后电极40。

经上述划线切割后，薄膜层被划分为多个电池单元，并且各个电池单元之间建立有串联连接结构。为了使各个电池单元在串接起来后能形成最佳的电压和电流，要求各个电池单元的面积尽量相同，即在划线过程中要使形成电池单元的三条切割线尽量保持平行。通常第一次划线动作(用于划分前电极层)形成的各条切割线之间，由于位于同一层面上，所以各条切割线之间容易实现平行；同样第二次划线动作(用于划分光吸收层)形成的各条切割线之间也容易实现平行；第三次划线动作(用于划分后电极层)形成的各条切割线之间也同样容易实现平行。

但是，在太阳能薄膜电池的制作过程中，切割线发生变形的情况是非常普遍的。如图2所示，图2示出薄膜太阳能电池制程中，第一次划线动作所形成的各条切割线发生变形时的结构示意图。从图2中可以看出，切割线发生凹向一侧面的弯曲变形，此种情况下，如何确保第二次、第三次划线动作所形成的各条切割线平行于第一次划线动作所形成的切割线就比较困难了，而各条切割线间的平行度差，将导致太阳能电池的输出效率降低，特别是当各切割线有交叉时，将导致该电池单元失效。

参照图1和图2。针对上述难于实现第二次、第三次划线动作所形成的各条切割线与第一次划线动作所形成的切割线平行的问题，提出了一种薄膜太阳能电池的制造方法，包括如下步骤：

S1、通过沉积、溅射等工艺在基板1上表面设置前电极层2.

S2、将基板1定位于划线机的承载台上；划线机上的一个或多个划线头在前电极层2上划出平行且间距相同的若干条切割线，从而将前电极层2平均分割成若干个前电极20，这种用来分割前电极层2的每一条切割线均称为P1线；在形成P1线的同时，在前电极层2边缘位置形成一条平行于P1线的对位线M。

S3、将基板从划线机上取下来送入工艺室，通过沉积、溅射等工艺在若干个前电极20的上表面设置光吸收层3，光吸收层3同时填充由于划分前电极层2的划线动作而形成的线槽。

S4、再次将基板1固定于划线机的承载台上；由CCD装置采集对位线M的轨迹信息，控制器接收CCD装置采集的对位线M的轨迹信息，并据此控制划线头在光吸收层3上划出平分光吸收层3的若干条平行于对位线M的切割线，从而将光吸收层3平均分割成若干个光吸收单元30，该平分光吸收层3的每一条切割线均称为P2线。

S5、又一次将基板1从划线机上取下来送入工艺室，通过沉积、溅射等工艺在光吸收层3的上表面设置后电极层，后电极层4同时填充由于划分光吸收层3的划线动作而形成的线槽。

S6、又一次将基板固定于划线机的承载台上；由控制器根据接收的CCD装置采集的对位线M的轨迹信息，控制划线头在后电极层4划出若干条平行于对位线M的切割线，从而将后电极层4平分成若干个后电极40，该平分后电极层4的每一条切割线均称为P3线，P3线在切割后电极层4的同时，一并切割其下面的光吸收单元30。

上述的薄膜太阳能电池的制造方法中，在形成P1线的同时，在前电极层边缘位置划出平行于P1线的对位线M；在后续的制程中，使P2线、P3线追随对位线M的轨迹，也就是说，该制造方法能够保证P2线、P3线与对位线M平行。但是，在上述步骤S3中，当P1线形成后，在各个前电极20的上设置光吸收层3时是通过沉积、溅射等工艺进行的，而沉积、溅射等工艺需要在很高的温度下进行，所以在高温作用下各条P1线会发生变形，当然对位线M也会随着发生变形，但只有当各条P1线的变形均与对位线的变形一致时，才能保证后续的P2线、P3线也与P1线平行；然而实际制程中，各条P1线的变形情况是很复杂的，通常情况下很难实现所有的P1线的变形都与对位线M的变形相一致，这时，虽然各条P2线、P3线均与对位线平行，但却无法实现各条P2线与各条P1线平行，变形严重时可能出现某些P2线、P3线与某些P1线交叉的情况发生。同样在接下来的步骤S6中，因S3步骤中设置光吸收层的高温作用同样会使P1线发生变形，因此平行于对位线的各条P3线很难保证与与P1线、P2线平行。因此，即使是上述比较先进的薄膜太阳能电池的制造方法，也很难保证各P1线、P2线和P3线之间的平行度，甚至无法避免某些切割线交叉。

因此，如何在薄膜太阳能电池制作过程中确保P1线、P2线和P3线之间的平行度已经成为业界关注的议题之一。

发明内容

为了解决上述现有技术中存在的问题，本发明提供一种用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，其能在薄膜太阳能电池制作过程中避免各条切割线交叉。

本发明提出了一种用于制造薄膜太阳能电池的划线方法。

在本发明的一实施例中，包括如下步骤：

提供一基板，该基板上具有若干个前电极和若干条P1线，且所述若干个前电极和P1线上面设有光吸收层；

分别测出第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值，划线机的控制器根据第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值、基板上所有P1线的数量计算出能够避免若干条P2线与相应的P1线交叉情况下这些P2线各自应偏转的纠偏角度值，然后控制划线机的各划线头分别偏转相应的纠偏角度并在各条P1线的同一左侧或者同一右侧分别作划线动作，以形成这些P2线，从而将所述光吸收层分割成若干个光吸收单元；

在所述光吸收层的上表面设置后电极层，后电极层同时填充由于划分光吸收层的划线动作而形成的线槽；

分别测出第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值，划线机的控制器根据第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值、基板上所有P1线的数量计算出能够避免若干条P3线与相应的P1线交叉情况下这些P3线各自应偏转的纠偏角度值，然后控制划线机的各划线头分别偏转相应的纠偏角度并在各条P2线的同一左侧或者同一右侧分别作划线动作，使这些P3线分别平行于相应的P1线、P2线，以将所述后电极层分割成若干个后电极，每条P3线在切割所述后电极层的同时，一并切割其下面的光吸收单元。

在本发明的一实施例中，包括如下步骤：

所述控制器控制划线机的划线头分别在各条P2线的同一左侧或者同一右侧划相应的P3线，使每条P3线相对于相应的P2线偏转的纠偏角度值与相应的P2线相对于相应的P1线偏转的纠偏角度值相同，从而将所述后电极层分割成若干个后电极，每条P3线在切割所述后电极层的同时，一并切割其下面的光吸收单元。

在本发明的一实施例中，包括如下步骤：

分别测出第一条P2线与最后一条P2线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值，划线机的控制器根据第一条P2线与最后一条P2线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值、基板上所有P2线的数量计算出能够避免若干条P3线与相应的P2线交叉情况下这些P3线各自应偏转的纠偏角度值，然后控制划线机的各划线头分别偏转相应的纠偏角度并在各条P2线的同一左侧或者同一右侧分别作划线动作，使这些P3线分别平行于相应的P2线，以将所述后电极层分割成若干个后电极，每条P3线在切割所述后电极层的同时，一并切割其下面的光吸收单元。

在本发明的一实施例中，包括如下步骤：

用图像采集装置扫描所述若干条P2线的轨迹，并发送到划线机的控制器，所述控制器根据所接收的若干条P2线的轨迹信息控制所述划线机的划线头在所述若干条P2线的同一左侧或者同一右侧分别划P3线，使这些P3线分别平行于相应的P1线、P2线，以将所述后电极层分割成若干个后电极，每条P3线在切割所述后电极层的同时，一并切割其下面的光吸收单元。

基于上述，本发明的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，首先测量第一条P1线与最后一条P1线分别在前端处和后端处的变形量，再通过计算得出各条P2线在避免与相应的P1线相交情况下各自的纠偏角度，分别以各自的纠偏角度划P2线；而划各条P3线时，可以重复划P2线时的步骤，计算出P3线在避免与相应的P2线相交情况下各自的纠偏角度，分别以各自的纠偏角度划P3线；也可利用划P2线时计算出的各自的纠偏角度分别进行划线；或者通过扫描P2线，划P3线时使P3线平行于P2线。由于相应于每一条P1线的P2线的纠编角度都经过精确计算，所以能有效防止各条P2线与P1线交叉；同理有效防止各条P3线与P1线、P2线交叉，在不影响制程效率的情况下，大幅度提高了成品的良率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的图作详细说明如下。

附图说明

图1示出薄膜太阳能电池中的各个单元之间串联的结构的示意图。

图2示出传统薄膜太阳能电池制程中，第一次划线动作形成的各条切割线以及对位线经过沉积光吸收层的高温制程后，发生变形时的示意图。

图3示出本发明的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法的第一实施例的示意图，其表示第一条P1线与最后一条P1线之间前、后端处的距离直接测量得到。

图4示出本发明的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法的第一实施例的示意图，其表示第一条P1线与最后一条P1线之间前、后端处的距离借助两条对位线的测量而得到。

【主要附图标记说明】

1：基板

2：前电极层

3：光吸收层

4：后电极层

20：前电极

30：光吸收单元

40：后电极

51、52、53、54：高解析度图像采集装置

M：对位线

M1：第一对位线

M2：第二对位线

具体实施方式

本发明中所使用的高解析度图像采集装置可以是高解析度的CCD装置，或者高解析度的CMOS装置，这种高分辨率图像采集装置的测量精度最好能达到微米等级，以使其能采集到微小的轨迹图像。

实施例1

图3示出本发明的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法的第一实施例的示意图。请参照图1和图3，本发明第一实施例的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，包括如下步骤：

S1、提供一基板1，通过沉积或者溅射等工艺在基板1上表面设置前电极层2。

S2、将基板1定位于划线机的承载台上；划线机上的多个划线头在前电极层2上划出平行且间距相同的若干条P1线，从而将前电极层2平均分割成若干个前电极20。

S3、将基板从划线机上取下来送入工艺室，通过沉积或者溅射等工艺在若干个前电极20的上表面设置光吸收层3，光吸收层3同时填充由于划分前电极层2的划线动作而形成的线槽。

S4、控制器控制划线机的各划线头分别偏转相应的纠偏角度并在各条P1线的同一左侧或者同一右侧分别作划线动作，以划出各条P2线，从而将所述光吸收层分割成若干个光吸收单元，其中的纠偏角度能够确保避免若干条P2线与P1线交叉，即保证P2线平行于P1线。划线机控制器对划线头偏转角度的控制与现有技术相同，这里不再赘述。

其中关于纠偏角度的计算：在第一条P1线的前端处布置一个高解析度图像采集装置51，在第一条P1线的后端处布置一个高解析度图像采集装置52；在最后一条P1线的前端处布置一个高解析度图像采集装置53，在最后一条P1线的后端处各布置一个高解析度图像采集装置54；并且，高解析度图像采集装置51、53所在的中心线与高解析度图像采集装置52、54所在的中心线互相平行。关于偏转角度Q的计算51、53用于测量第一条P1线与最后一条P1线前端处的宽度值A，高解析度图像采集装置52、54用于测量第一条P1线与最后一条P1线后端处的宽度值B，高解析度图像采集装置51、52用于测量第一条P1线的前端处宽度测量点与后端处宽度测量点之间的长度E，高解析度图像采集装置53、54用于测量最后一条P 1线的前端处宽度测量点与后端处宽度测量点之间的长度F，当基板呈等腰梯形状变形时，E＝F。对上述各个参量的测量不限于使用4个高解析度图像采集装置，也可以只使用一个或者两个高解析度图像采集装置进行多次检测，再由控制器计算而得出各个参量的值。

优选地，可以按如下公式NeedleNQ＝tan^-1{[N(A-B)/D²]/E}计算各条P2线相应于对应的P1线应偏转的纠偏角度，其中NeedleNQ表示第N条P2线相对于第N条P1线所偏转的纠偏角度值，N表示P1线的序号，D表示薄膜太阳能电池中串接连接的电池单元的数量，其数值与P1线的数量相同，E表示第一条P1线前端处宽度测量点与后端处宽度测量点之间的长度。参照图3：

第一条P1线偏转的纠偏角度为：Needle1Q＝tan^-1{[1(A-B)/D²]/E}，

第二条P1线偏转的纠偏角度为：Needle2Q＝tan^-1{[2(A-B)/D²]/E}，

第三条P1线偏转的纠偏角度为：Needle3Q＝tan^-1{[3(A-B)/D²]/E}。

关于纠偏角度的计算并不限于上述计算公式，使用其他参量、其他计算公式也是可行的。

S5、又一次将基板1从划线机上取下来送入工艺室，通过沉积或者溅射等工艺在光吸收层3的上表面设置后电极层，后电极层4同时填充由于划分光吸收层3的划线动作而形成的线槽。

S6、又一次将基板固定于划线机的承载台上；同步驟S4分别测出第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值，划线机的控制器根据第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值、基板上所有P1线的数量计算出能够避免若干条P3线与相应的P1线交叉情况下这些P3线各自应偏转的纠偏角度值，然后控制划线机的各划线头分别偏转相应的纠偏角度并在各条P2线的同一左侧或者同一右侧分别作划线动作，使P3线平行于P1线、P2线，以将后电极层分割成若干个后电极，每条P3线在切割所述后电极层的同时，一并切割其下面的光吸收单元。其中该S6步骤中，测量第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值时，可以使用高解析度图像采集装置由基板的正面进行测量，这时对图像采集装置的解析精度要求比较高；也可以用高解析度图像采集装置由基板的背面进行测量，这时对图像采集装置的解析精度要求相对较低；当然也可以用现有的其他方式测量第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值。经上述步骤，就完成了薄膜太阳能电池的制作。

上述第一实施例的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法中，A、B的值是用高解析度图像采集装置直接测量第一条P1线和最后一条P1线前端处、后端处之间的距离而得出来的。本发明的划线方法中，A、B值不限于用上述方法得到，使用其他的方法得出A值、B值也是可以的。下面结合图4介绍借助定位线来求得A值、B值的方法：

在前电极层上划若干条P1线的同时，在若干条P1线的左侧边缘划出第一条对位线M1，并在若干条P1线的右侧边缘划出第二条对位线M2。

第一条对位线M1的前端处布置一个高解析度图像采集装置51，第一条对位线M1的后端处布置一个高解析度图像采集装置52；第二条对位线M2的前端处布置一个高解析度图像采集装置53，第二条对位线M2的后端处布置一个高解析度图像采集装置54。

高解析度图像采集装置51、53用于测量第一条对位线M1与第二条对位线M2前端处的宽度值，该宽度值减去在该宽度测量处第一条对位线M1与第一条P1线之间的间隙，再减去在该宽度测量处第二条对位线M2与最后一条P1线之间的间隙，便能得出该前端处第一条P1线与最后一条P1线之间的宽度值A；同理，高解析度图像采集装置52、54用于测量第一条对位线M1与第二条对位线M2后端处的宽度值，该宽度值减去在该宽度测量处第一条对位线M1与第一条P1线之间的间隙，再减去在该宽度测量处第二条对位线M2与最后一条P1线之间的间隙，便能得出该后端处第一条P1线与最后一条P1线之间的宽度值B；高解析度图像采集装置51、52用于测量第一条对位线M1的前端处宽度测量点与后端处宽度测量点之间的长度等于第一条P1线的前端处宽度测量点与后端处宽度测量点之间的长度E；高解析度图像采集装置53、54用于测量第二条对位线M2的前端处宽度测量点与后端处宽度测量点之间的长度，该第二条对位线M2的前端处宽度测量点与后端处宽度测量点之间的长度等于最后一条P1线的前端处宽度测量点与后端处宽度测量点之间的长度F，当基板呈等腰梯形状变形时，E＝F。对上述各个参量的测量不限于使用4个高解析度图像采集装置，也可以只使用一个或者两个高解析度图像采集装置进行多次检测，再由控制器计算而得出来。

实施例2

本发明第二实施例的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法与上述第一实施例的不同之处仅在于划P3线的制程。

在划P3线时，控制器控制划线机的划线头分别在各条P2线的同一左侧或者同一右侧划相应的P3线，使每条P3线相对于相应的P2线

(或者P1线)偏转的纠偏角度值与相应的P2线相对于相应的P1线偏转的纠偏角度值相同，这样形成的P3线平行于P2线及P1线，多条P3线将后电极层分割成若干个后电极，每条P3线在切割后电极层的同时，一并切割其下面的光吸收单元。

本第二实施例的其他与第一实施例相同的部分这里不再赘述。

实施例3

本发明第三实施例的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法与上述第一实施例的不同之处仅在于划P3线的制程。

在划P3线时，分别测出第一条P2线与最后一条P2线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值，划线机的控制器根据第一条P2线与最后一条P2线之间前端处的宽度值和后端处的宽度值、基板上所有P2线的数量计算出能够避免若干条P3线与相应的P2线交叉情况下这些P3线各自应偏转的纠偏角度值，然后控制划线机的各划线头分别偏转相应的纠偏角度并在各条P2线的同一左侧或者同一右侧分别作划线动作，使这些P3线分别平行于相应的P2线，以将所述后电极层分割成若干个后电极，每条P3线在切割所述后电极层的同时，一并切割其下面的光吸收单元。

本第三实施例的其他与第一实施例相同的部分这里不再赘述。

实施例4

本发明第四实施例的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法与上述第一实施例的不同之处仅在于划P3线的制程。

在划P3线时，用图像采集装置扫描若干条P2线的轨迹，并发送到划线机的控制器，控制器根据所接收的若干条P2线的轨迹信息控制所述划线机的划线头在若干条P2线的同一左侧或者同一右侧分别划P3线，使这些P3线分别平行于相应的P1线、P2线，以将所述后电极层分割成若干个后电极，每条P3线在切割所述后电极层的同时，一并切割其下面的光吸收单元。

本第四实施例的其他与第一实施例相同的部分这里不再赘述。

本发明的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，主要适用于基板变形为一头大一头小的梯形形状，特别是等腰形形状的变形，首先测量第一条P1线与最后一条P1线分别在前端处和后端处的变形量，再通过计算得出各条P2线在避免与相应的P1线相交情况下各自的纠偏角度，分别以各自的纠偏角度划P2线；而划各条P3线时，可以使各条P3线分别平行于相应的P2线，也可利用划P2线时计算出的各自的纠偏角度分别进行划线。由于相应于每一条P1线的P2线的纠编角度都经过精确计算，所以能有效防止各条P2线与P1线交叉；同理有效防止各条P3线与P1线、P2线交叉，在不影响制程效率的情况下，大幅度提高了成品的良率。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有普通知识的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当以所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims

1.一种用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.一种用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.一种用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，其特征在于，包括如下步骤：

4.一种用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，其特征在于，包括如下步骤：

5.如权利要求1、2、3或4所述的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，其特征在于，所述各条P2线分别相对于相应的P1线的各偏转角度Q按如下公式计算：NeedleNQ＝tan^-1{[N(A-B)/D²]/E}，其中NeedleNQ表示第N条P2线相对于第N条P1线所偏转的纠偏角度值，N表示P1线的序号，A表示第一条P1线与最后一条P1线前端处的宽度值，B表示第一条P1线与最后一条P1线后端处的宽度值，D表示薄膜太阳能电池中串连连接的电池单元的数量，E表示第一条P1线或者最后一条P1线的前端处宽度测量点与后端处宽度测量点之间的长度。

6.如权利要求5所述的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，其特征在于，用图像采集装置扫描第一条P1线与最后一条P1线的前端处的位置，并将该位置信息发送到所述划线机的控制器，由所述控制器计算出所述图像采集装置扫描第一条P1线与最后一条P1线前端处之间的宽度值(A)；用图像采集装置扫描第一条P1线与最后一条P1线的后端处的位置，并将该位置信息发送到所述划线机的控制器，由所述控制器计算出所述图像采集装置扫描第一条P1线与最后一条P1线后端处之间的宽度值(B)。

7.如权利要求5所述的用于制造薄膜太阳能电池的划线方法，其特征在于，在所述前电极层上划若干条P1线的同时，在所述若干条P1线的左侧边缘划出第一条对位线(M1)，并在所述若干条P1线的右侧边缘划出第二条对位线(M2)，用图像采集装置扫描所述第一条对位线(M1)和第二条对位线(M2)的前端处的位置，并将该位置信息发送到所述划线机的控制器，所述控制器根据所接收的所述前端处的位置信息、第一条对位线(M1)与左侧第一条P1线在前端处宽度测量点位置间的间距、第二条对位线(M2)与最后一条P1线在前端处宽度测量点位置间的间距，计算出所述图像采集装置扫描第一条P1线与最后一条P1线之间前端处的宽度值(A)；用图像采集装置扫描所述第一条对位线(M1)和第二条对位线(M2)的后端处的位置，并将该位置信息发送到所述划线机的控制器，由所述控制器根据所接收的所述后端处的位置信息、第一条对位线(M1)与左侧第一条P1线在后端处宽度测量点位置间的间距、第二条对位线(M2)与最后一条P1线在后端处宽度测量点位置间的间距，计算出所述图像采集装置扫描第一条P1线与最后一条P1线之间后端处的宽度值(B)。