CN103052734A - 表面处理装置和表面处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的表面处理方法包括：容纳工序，在该容纳工序中容纳用于容纳被处理体的容器；以及处理工序，在该处理工序中使容器进行往返动作或摆动动作之中的至少一个动作，从而一边使被处理体在容器内滚动，一边对被处理体的表面实施处理。

Description

表面处理装置和表面处理方法
技术领域
本发明涉及用于在被处理体的表面上实施形成薄膜、或者使杂质离子扩散等表面处理的表面处理装置和表面处理方法。
背景技术
公知有在p型硅基板上扩散了n型杂质的球状的太阳能电池。在于这种球状构件的表面上扩散杂质离子，或者形成防止反射兼提高性能用的、例如SiNx（氮化硅）等的钝化膜时，难以利用与对通常的基板进行的表面处理相同的方法来将其处理为均匀厚度。
作为在球状的被处理体的表面上利用溅射法或等离子体CVD法形成薄膜的方法，公知有如下的方法：在真空腔室内配置六角筒型机筒，使该六角筒型机筒以配置在与重力垂直的方向上的轴为中心进行旋转，一边对容纳在六角筒型机筒内的被处理体进行搅拌一边形成薄膜（例如，参照专利文献1）。
专利文献1：日本特开2006－257472号公报
在上述现有文献所述的方法中，容纳在六角筒型机筒内的被处理体伴随着六角筒型机筒的旋转而上升，并在重力的作用下下降，并且在被处理体的表面上形成薄膜。如此，球状的被处理体伴随着六角筒型机筒的旋转而上升，并利用因重力的作用而下降的动作来进行旋转，从而在整个表面上形成薄膜。
然而，在被处理体呈球状的情况下，尤其是在微小的构件的情况下，使被处理体伴随着六角筒型机筒的旋转而上升的作用变小，上升的高度将会变得极其小。即，被处理体在紧挨着六角筒型机筒的最低位置的附近聚集成大致直线状的较厚层状，并成为几乎无法发挥搅拌作用的状态。因此，难以在被处理体上形成均匀厚度的薄膜。
发明内容
本发明的表面处理装置包括：容器，其容纳被处理体；表面处理单元，其具有处理室，该处理室具有容纳容器的空间，并导入用于对被处理体的表面进行处理的气体；以及容器驱动机构，其使容纳被处理体的容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作。
本发明的第2技术方案的表面处理装置构成为，根据第1技术方案中的表面处理装置，表面处理单元包括电极板，该电极板的与容器相对的面平坦，容器驱动机构使容器处于与电极板大致平行的面内，且使容纳在容器内的被处理体滚动。
本发明的第3技术方案的表面处理装置构成为，根据第1技术方案或第2技术方案中的任一技术方案中的表面处理装置，表面处理单元包括电极板，该电极板的与容器相对的面平坦的，容器驱动机构使容器在与电极板垂直的方向上进行摆动动作。
本发明的第4技术方案的表面处理装置为，根据第1至第3技术方案中的任一技术方案中的表面处理装置，容器驱动机构具有：至少一对辊；以及驱动单元，其用于驱动辊。
本发明的第5技术方案的表面处理装置为，根据第1至第4技术方案中的任一技术方案中的表面处理装置，容器驱动机构包括用于使容器的移动停止的止挡件。
本发明的第6技术方案的表面处理装置为，根据第1至第5技术方案中的任一技术方案中的表面处理装置，表面处理单元具有等离子体产生单元，该等离子体产生单元用于在球状、柱状或多面体的被处理体的表面上形成薄膜。
本发明的第7技术方案的表面处理方法为，包括：容纳工序，在该容纳工序中容纳用于容纳被处理体的容器；以及处理工序，在该处理工序中使容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作，从而一边使被处理体在容器内滚动，一边对被处理体的表面实施处理。
本发明的第8技术方案的表面处理方法为，根据第7技术方案的表面处理方法，在与重力大致垂直的面内，使容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作。
本发明的第9技术方案的表面处理方法为，根据第7技术方案或第8技术方案中的表面处理方法，使容器在重力方向上进行摆动动作。
根据本发明，通过使容器进行往返动作或摆动动作，将会发挥能够对被处理体的表面进行均匀地处理这样的效果。
附图说明
图1是本发明的直线排列式等离子体CVD装置的框图。
图2是用于说明图1的成膜室的输送系统构造的用II－II线截断的剖视图。
图3是设置于图1的成膜室的输送机构的立体图。
图4的（A）～图4的（C）是用于说明容器的往返动作的侧视图。
图5的（A）～图5的（C）是分别表示图4的（A）～图4的（C）中的容器内的被处理体的滚动的状态的剖视图。
图6的（A）～图6的（C）是用于说明容器的动作的第1变形例的侧视图。
图7的（A）～图7的（H）是用于说明容器的动作的第2变形例的侧视图。
图8的（A）～图8的（C）是用于说明容器的动作的第3变形例的侧视图。
图9是表示容器容纳部的第1变形例的剖视图。
图10是表示容器容纳部的第2变形例的剖视图。
具体实施方式
下面，说明本发明的表面处理装置和表面处理方法的一实施方式。
图1是表示本发明的一实施方式的直线排列式等离子体CVD（Chemical Vapor Deposition）装置的框图。等离子体CVD装置1包括有装入室10、加热室20以及成膜室30。
装入室10是用于将容纳有被处理体的容器51安装在输送部（cart）41上的室。在容器51中形成有从上表面向厚度方向开口的容纳部52。容纳部52的底面形成为平坦状，在该容纳部52内容纳球状、圆柱状或多面体等的微小的被处理体。在装入室10内设有输送机构60A。输送机构60A包括多个辊11。在该辊11上搭载输送部41。之后详细叙述输送机构。
加热室20是用于对被处理体进行预加热的室。在加热室20内设有块状加热器22、输送机构60B。输送机构60B包括多个辊21。被处理体被块状加热器加热。另外，设有经由气体阀27和配管排出加热室20内的气体的真空泵25。
成膜室30是用于对被处理体的表面实施处理的室。在成膜室30内设有输送机构60C。输送机构60C包括多个辊31。在辊31上搭载输送部41，在该输送部41的下表面上设有隔着输送部41对容纳在容器51内的被处理体进行加热的夹套加热器33。
在夹套加热器33和辊31的上方设有电极板34。在电极板34上连接有RF电源35。另外，设有用于对供给到成膜室30内的原料气体的流量进行调整的质量流量控制器36和导入气体阀。并且设有用于排出在成膜时经由质量流量控制器36和气体导入阀37而流入的气体的排气阀39和真空泵38。
图2是用II－II线截取包含图1的成膜室30内的输送机构60C和夹套加热器33在内的区域的剖视图，图3是输送部41、容器51以及输送机构60C的立体图。但是，在图3中，为了便于图示，省略了基座61、支承机构等的图示。输送机构60A和输送机构60B也具有与输送机构60C相同的构造。
输送机构60C的用于驱动辊31和辊31的机构形成为左右对称。
各辊31在图1中仅图示有两对，但是实际上是以左右各一个为一对的方式配置有多对。在图3中图示有四对，但这是一个例子，可以设定为适当的数量。各辊31的旋转轴77以能够旋转的方式被基座61（参照图2）支承。在基座61的外侧配置有电机62，电机62的旋转轴63与伞齿轮64结合。在伞齿轮64上啮合有伞齿轮72。伞齿轮64与伞齿轮72之间的轴角为90度。
在伞齿轮72的中心设有轴71。在轴71上设有四个伞齿轮73。各伞齿轮73配置在对应于辊31的旋转轴77的区域，与各伞齿轮73啮合的伞齿轮74设置于各辊31的旋转轴77。伞齿轮73与伞齿轮74的轴角为90度。
在辊31上搭载输送部41。通过驱动电机62而使辊31进行旋转，使该输送部41在辊31的旋转方向上移动。在输送部41上利用固定器具(未图示)固定有容器51。因而，容器51在辊31的作用下与输送部41一体地移动。
输送机构60C是如此构成的：如图3所示，若电机62的旋转轴63如→箭头所示那样沿顺时针方向进行旋转，则经由伞齿轮64－伞齿轮72－轴71－伞齿轮73－伞齿轮74使辊31的旋转轴77沿逆时针方向进行旋转，从而向左侧方向输送搭载于辊31的输送部41。另外，若使电机62的旋转轴63沿逆时针方向进行旋转，则经过相同的传递路径，使辊31的旋转轴77沿顺时针方向进行旋转，从而向右侧方向输送搭载于辊31的输送部41。
在输送部41的下表面处的左右辊31之间设有夹套加热器33。夹套加热器33具有在金属壳81之中保持镍铬合金线等发热体82，并在两者之间牢固地填充有无机绝缘材料的构造。该夹套加热器33配置为在输送部41的下表面靠近输送部41，隔着输送部41和容器51对容纳在容器51的容纳部52内的被处理体快速地进行加热。
接着，说明利用该等离子体CVD装置1在被处理体的表面上形成薄膜的方法。
首先，在搭载于装入室10的辊11的输送部41上安装容器51，该容器51在容纳部52内容纳有被处理体。也可以将安装有容器51的输送部41配置在辊11上，从而将被处理体容纳在容器51的容纳部52内。
作为被处理体的一个例子，能够列举出在球状的p型硅的表面上具有n型扩散层的太阳能电池用元件。太阳能电池用元件是直径为0.5mm～1.0mm左右的球状体。该例示并非限定本发明的意思，而是以使理解变得明确为目的。
打开闸门阀2，驱动电机而使辊11进行旋转，从而将输送部41和容器51输送至加热室20。关闭闸门阀2，利用真空泵25使加热室20成为真空状态，利用块状加热器22对容纳在容器51的容纳部52内的被处理体进行预加热。
接着，打开闸门阀3，驱动电机而使辊21进行旋转，从而将输送部41和容纳有预加热后的被处理体的容器51输送至成膜室30。关闭闸门阀3，利用真空泵38使成膜室30内成为真空。一边利用夹套加热器33对容器51的容纳部52内的被处理体进行加热一边利用质量流量控制器36来调整流量从而将原材料导入到成膜室30内。另外，从RF电源35向电极板34供给电力。若输送部41由碳等形成，则以电极板34为阴极，以输送部41为阳极，产生等离子体。
说明在作为被处理体的球状的太阳能电池用元件的表面上形成SiNx来作为钝化膜的一个例子。在该例子中，作为原料气体，供给SiH4（甲硅烷）、NH3（氨气）、N2（氮气）。在该成膜工序中，驱动电机63而使输送部41和容器51在图1中的左右方向上进行往返移动，从而使容纳在容器51的容纳部52内的被处理体在容纳部52内滚动。
图4的（A）～图4的（C）是表示利用输送机构60C输送的输送部41和容器51的移动状态的侧视图，图5的（A）～图5的（C）是用于分别表示在对应于图4的（A）～图4的（C）的位置处的、容纳在容器51的容纳部52内的被处理体55的滚动的状态的图。
图4的（A）表示电机62进行旋转之前的状态。在该状态下，输送部41和容器51静止，容器51的容纳部52的底面大致平坦，因而容纳在容器51的容纳部52内的被处理体55如图4的（A）所示那样大致均匀地分散在容纳部52的整个底面上。
从图4的（A）的状态起，驱动电机62而使旋转轴63沿顺时针方向进行旋转，而经由伞齿轮64－伞齿轮72－轴71－伞齿轮73－伞齿轮74的传递路径使辊31沿逆时针方向进行旋转。由此，容器51与输送部41一同向图4的（A）所图示的←箭头(左侧)方向移动而成为图4的（B）所示的状态。若在该位置处使电机62停止，则如图5的（B）所示，容纳在容器51的容纳部52内的被处理体55在惯性力的作用下一边在容纳部52的底面上进行旋转一边移动，并抵接于容纳部52的左侧的内壁。
接着，使电机62的旋转轴63沿作为相反方向的逆时针方向进行旋转，经由与上述相同的传递路径使辊31沿顺时针方向进行旋转。由此，容器51与输送部41一同向图4的（B）所图示的→箭头(右侧)方向移动而成为图4的（C）所示的状态。若在输送部41和容器51到达了图4的（C）所示的位置的时机使电机62停止，则如图5的（C）所示，容纳在容器51的容纳部52内的被处理体55在惯性力的作用下一边在容纳部52的底面上进行旋转一边移动，并抵接于容纳部52的右侧的内壁。
通过重复进行图4的（B）～图4的（C）所示的驱动，在这期间继续进行针对被处理体55的成膜，从而能够在各被处理体55的整个表面上均匀地形成薄膜。例如，在被处理体55为上述的太阳能电池用元件时，通过供给SiH4（甲硅烷）、NH3（氨气）、N2（氮气）作为原料气体，从而SiNx以均匀的膜厚形成在太阳能电池用元件的整个表面上。
在上述的实施方式中，通过使容器51进行往返动作，从而使球状的被处理体55一边在容纳部52的底面上滚动一边在被处理体55的表面上形成薄膜，因而能够使形成在被处理体55的整个表面上的薄膜成为均匀的厚度。另外，由于将被处理体55容纳在底面为大致平坦状的容纳部52内，因而被处理体55在容纳部52的底面上广泛地分散，滚动的区域将变宽，因而被处理体的滚动变得可靠，另外，能够增加可容纳在容纳部52内的被处理体的量。
此外，也可以取代往返动作而使容器51进行其他动作。以下表示其变形例。
容器动作的变形例1
图6的（A）～（C）是用于说明使容器51进行摆动动作的方法的图。
输送机构60在基座61的中心处具有成为基座61的摆动中心的支承轴67。图6的（A）表示基座61在与重力大致垂直的方向(水平方向)上静止的状态。若从该状态起，如图示的↑箭头那样使基座61以支承轴67为中心沿顺时针方向进行旋转，则如图6的（B）所示，容器51与输送部41一同向右下方倾斜。因此，容纳在容器51的容纳部52内的被处理体55一边在容纳部52的底面上进行旋转，一边向右侧下方移动。
接着，如图示的↓箭头，若使基座61以支承轴67为中心沿逆时针方向进行旋转，则如图6的（C）所示，容器51与输送部41一同向右上方倾斜。因此，容纳在容器51的容纳部52内的被处理体55一边在容纳部52的底面上进行旋转，一边向左侧下方移动。重复进行图6的（B）～图6的（C）所图示的动作，在这期间内，在被处理体的表面上形成薄膜。
通过使容纳有这种被处理体的容器进行摆动动作，也能够在被处理体的表面上形成均匀厚度的薄膜。
此外，作为驱动基座61的构造，能够采用在基座61的端部上连结进行往返动作的气缸的杆、或连结利用电机进行旋转的偏心凸轮等适当的驱动机构。
容器动作的变形例2
图7的（A）～图7的（H）是用于说明使容器进行往返动作和摆动动作的复合动作的方法的图。
图7的（A）表示使基座61在与重力垂直的状态（水平状态）下静止的状态。
若在该状态下驱动电机62，使辊31进行旋转，如←箭头所示那样使输送部41和容器51向左侧方向移动，并且如↑箭头所示那样使基座61以支承轴67为中心沿顺时针方向进行旋转，则如图7的（B）所示，容器51成为稍微向右下方倾斜的状态。
若从图7的（B）的状态起进一步向相同方向驱动电机62，使辊31进行旋转，如←箭头所示那样使输送部41和容器51进一步向左侧方向移动，并且如↑箭头所示那样使基座61以支承轴67为中心进一步沿顺时针方向进行旋转，则如图7的（C）所示，容器51成为进一步向右下方倾斜的状态。
若在图7的（C）的状态下使电机62向相反方向进行旋转，使辊31向相反方向进行旋转，如→箭头所示那样使输送部41和容器51向右侧方向移动，并且如↓箭头所示那样使基座61以支承轴67为中心沿逆时针方向进行旋转，则如图7的（D）所示，容器51成为稍微向右下方倾斜的状态。
若从图7的（D）的状态起进一步向相同方向驱动电机62，使辊31进行旋转，如→箭头所示那样使输送部41和容器51进一步向右侧方向移动，并且如↓箭头所示那样使基座61以支承轴67为中心进一步沿逆时针方向进行旋转，则如图7的（E）所示，输送部41和容器51成为水平状态。
若从图7的（E）的状态起进一步向相同方向驱动电机62，使辊31进行旋转，如→箭头所示那样使输送部41和容器51进一步向右侧方向移动，并且如↓箭头所示那样使基座61以支承轴67为中心进一步沿逆时针方向进行旋转，则如图6的（F）所示，容器51成为稍微向右上方倾斜的状态。
若从图7的（F）的状态起进一步向相同方向驱动电机62，使辊31进行旋转，如→箭头所示那样使输送部41和容器5进一步1向右侧方向移动，并且如↓箭头所示那样使基座61以支承轴67为中心进一步沿逆时针方向进行旋转，则如图7的（G）所示，容器51成为进一步向右上方倾斜的状态。
若从图7的（G）的状态起向反方向驱动电机62，使辊31进行旋转，如←箭头所示那样使输送部41和容器51向左侧方向移动，并且如↑箭头所示那样使基座61以支承轴67为中心沿顺时针方向进行旋转，则如图7的（H）所示，容器51成为稍微向右下方倾斜的状态。
若从图7的（H）的状态起向相同方向驱动电机62，使辊31进行旋转，如←箭头所示那样使输送部41和容器51进一步向左侧方向移动，并且如↑箭头所示那样使基座61以支承轴67为中心进一步沿顺时针方向进行旋转，则如图7的（A）所示，容器51成为水平状态。
通过重复进行图7的（A）～图7的（H）所图示的驱动，在这期间内持续进行针对被处理体55的成膜，从而能够在各被处理体55的整个表面上均匀地形成薄膜。
在该容器动作的变形例2中，使容器51一边在水平方向上进行往返动作，一边向重力所作用的方向进行摆动动作，因而对容纳在容器51的容纳部52内的被处理体作用重力和水平方向的惯性力。因此，能够使被处理体的滚动变得更可靠。
容器动作的变形例3
图8的（A）～（C）表示能够进一步增大作用于被处理体的惯性力的例子。
在该实施例的输送机构60上，在基座61的两端设有止挡件68。止挡件68的间隔设定为比输送部41的长度大，且输送部41能够在止挡件68之间进行往返动作的长度。另外，容器51两侧的外侧面抵接于竖直设置在输送部41上的止动销56，被限制了向长度方向的移动。
图8的（A）是未驱动电机62的停止的状态。从该状态起驱动电机62，利用辊31使输送部41和容器51向图8的（A）的←箭头所示的左侧方向移动。若继续驱动电机62，则如图8的（B）所示，输送部41的左端撞击于左侧的止挡件68。在基于该撞击的冲击下，容纳在容器51的容纳部52内的被处理物可靠地进行滚动。
一旦成为图8的（B）的状态，使电机62的驱动停止，紧接着向相反方向进行旋转。然后，如→箭头所示那样使输送部41和容器51向右侧方向移动，这次，如图8的（C）所示，使输送部41的右端撞击于右侧的止挡件68。之后，使电机62的驱动停止，紧接着进行相反方向的旋转。由此，经过图8的（A）所示的状态，成为图8的（B）的状态。如此，通过重复进行图8的（A）～图8的（C）所示的动作，在这期间，持续进行针对被处理体55的成膜，从而能够在各被处理体55的整个表面上均匀地形成薄膜。
该实施方式是一种使输送部41撞击于止挡件68，并利用此时的冲击力使容纳在容器51的容纳部52内的被处理物55滚动的方法，输送部41撞击在止挡件68时的冲击比突然使电机62停止而产生的能量大，因而使容纳部52内的被处理体的滚动变得可靠。另外，通过调整容器51的输送速度，能够将冲击力设定为任意的大小。
另外，容器51的容纳部52的形状也能够进行各种变形，下面示出其变形例。
容纳部形状的变形例1
图9表示容器51的容纳部52的变形例的剖视图。在该变形例中，在容纳部52的底面52a的两侧缘上形成有坡度较缓的倾斜部52b。另外，与坡度较缓的倾斜部52b连续地形成有较陡的倾斜部52c。坡度较缓的倾斜部52b用于防止微小的被处理体被夹在底面与侧面之间的边界部即垂直的角部而被限制滚动。另外，较陡的倾斜部52c用于防止被处理体从坡度较缓的倾斜部52b向容纳部52的外部飞出。
容纳部形状的变形例2
图10表示容器51的另一变形例的剖视图。在该变形例中，容纳部52的底面52d呈圆弧状。容纳部52的侧面成为在端部设为圆倒角状的直线状的陡倾斜面52e。另外，在陡倾斜面52e的上部形成有悬空部52f。悬空部52f用于防止被处理体从容纳部52飞出。另外，悬空部52f使尽管如此仍从容纳部52飞出的被处理体再次落入到容纳部52内。
容纳部52的底面的粗糙度也对被处理体的滚动动作带来影响。只要被处理体呈球状，容纳部52的底面也可以是镜面。另外，为了给被处理体和容纳部的底面带来一些摩擦力，也可以在容纳部52的底面形成微小的凹凸。若在被处理体为多面体的情况下，容纳部52的底面为镜面，则被处理体的一个面在容纳部52的底面上滑动，从而难以进行滚动。在这种情况下，推荐在容纳部52的底面上形成微小的凹凸。但是，若形成在容纳部52的底面上的微小的凹凸过深，或者凹凸的间距比多面体的各表面尺寸大，则多面体将会滞留在凹部内，因而需要注意。
如上，本发明通过使容器51进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作，从而一边使被处理体55在容纳部52的底面上滚动一边在被处理体55的表面上形成薄膜，因而能够使形成在被处理体55的整个表面上的薄膜形成为均匀的厚度。另外，将被处理体55容纳在底面形成为大致平坦状的容纳部52内，因而被处理体55在容纳部52的底面广泛地分散，滚动的区域变宽，能够使被处理体的滚动动作进一步变得可靠，另外，能够增加可容纳在容纳部52内的被处理体的量，从而提高生产率。
此外，在上述实施方式中，以在被处理体上形成薄膜的情况为例进行了说明，但是能够应用于包括在被处理体上扩散杂质离子、或者照射离子束等而带来物理或化学变化的情况等在内的，进行各种处理的情况。
进行被处理体的处理的装置也不限于等离子体CVD装置，也能够应用于溅射装置等其他装置。以在水平状态下使容器进行往返动作为例进行了说明，但是在水平状态中，也可以使容器进行摆动动作等，从而使容器进行并非一维而是二维的动作。另外，作为容器的动作，还能够采用组合了这些动作和重力方向上的摆动动作而成的动作。
以被处理体55容纳在与输送部41不同的容器51内的实施方式进行了说明，但是还能够进行在输送部41内设置被处理体的容纳部，而将被处理体55直接容纳在输送部41的容纳部内的实施方式。
除此之外，本发明的表面处理装置能够进行各种变形而构成，主要具备以下构件即可：容器，其容纳被处理体；表面处理单元，其具有处理室，该处理室具有容纳容器的空间，并导入用于对被处理体的表面进行处理的气体；以及容器驱动机构，其使容纳有被处理体的容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作。
另外，本发明应用于如下表面处理方法：该表面处理方法包括：容纳工序，在该容纳工序中容纳用于容纳被处理体的容器；以及处理工序，在该处理工序中使容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作，从而一边使被处理体在容器内滚动，一边对被处理体的表面实施处理。
以上，说明了各种实施方式和变形例，但是本发明并不限定于这些内容。在本发明的技术主旨的范围内所能想出的其他技术方案也属于本发明的范围内。
以下的优先权基础申请的公开内容作为引用文引用于此。
日本国特许出愿2010年第175176号（2010年8月4日提出申请）

Claims (9)

1.一种表面处理装置，其中，
该表面处理装置包括：
容器，其容纳被处理体；
表面处理单元，其具有处理室，该处理室具有容纳上述容器的空间，且该处理室被导入用于对上述被处理体的表面进行处理的气体；以及
容器驱动机构，其使容纳被处理体的上述容器进行往返动作或摆动动作之中的至少一个动作。
2.根据权利要求1所述的表面处理装置，其中，
上述表面处理单元包括电极板，该电极板的与上述容器相对的面平坦，上述容器驱动机构使上述容器处于与上述电极板大致平行的面内，且使容纳在上述容器内的被处理体滚动。
3.根据权利要求1或2中的任一项所述的表面处理装置，其中，
上述表面处理单元包括电极板，该电极板的与上述容器相对的面平坦，上述容器驱动机构使上述容器在与上述电极板垂直的方向上进行摆动动作。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的表面处理装置，其中，
上述容器驱动机构具有：
至少一对辊；以及
驱动单元，其用于驱动上述辊。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的表面处理装置，其中，
上述容器驱动机构包括用于使上述容器的移动停止的止挡件。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的表面处理装置，其中，
上述表面处理单元具有等离子体产生单元，该等离子体产生单元用于在球状、柱状或多面体的被处理体的表面上形成薄膜。
7.一种表面处理方法，包括：
容纳工序，在该容纳工序中容纳用于容纳被处理体的容器；以及
处理工序，在该处理工序中使上述容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作，从而一边使上述被处理体在上述容器内滚动，一边对上述被处理体的表面实施处理。
8.根据权利要求7所述的表面处理方法，其中，
在与重力大致垂直的面内，使上述容器进行往返动作或摆动动作中的至少一个动作。
9.根据权利要求7或8所述的表面处理方法，其中，
使上述容器在重力方向上进行摆动动作。
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