CN103050584A - 发光二极管芯片的制备方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 32
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
一种发光二极管芯片的制备方法，包括：提供具有正面和背面的绝缘衬底，正面定义有若干个图形单元，图形单元被划分为若干个图形区块，相邻图形单元之间具有第一走道，相邻图形区块之间具有第二走道；对第一走道进行激光内划；在第一、第二走道上刻蚀出沟槽；在绝缘衬底上形成发光外延结构；在发光外延结构上制备N电极和P电极；对绝缘衬底的背面进行减薄处理；对应于第一走道，在减薄后的背面进行激光内划；沿着第一走道进行裂片而得到LED芯片。相较于现有技术，本发明有利于外延的横向沉积，提高外延晶体生长质量，激光内划克服了常规背划芯片亮度的衰减，提高芯片侧壁出光和正面出光，使得在后续工艺制备的LED芯片具有更高的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料的制备领域，尤其涉及一种GaN基发光二极管芯片的制备方法。
背景技术
在全球能源危机的催生下，各种节能的光电器件应运而生，发光二极管(LED)依靠其体积小、低能耗、无污染、寿命长等特性，逐渐成为继白炽灯，荧光灯之后的第三代光源。白光LED照明耗电量低，具有节能、环保和绿色照明等独特优点。
LED芯片的出光效率在于外量子效率和内量子效率，其中外量子效率大小等于内量子效率与光的逃逸率之积，当前，商业化LED的内量子效率已经接近100％，但是外量子效率仅有3％-30％，这主要是由于光的逃逸率低造成的，因此，光的逃逸率成为高亮度LED的主要技术瓶颈。引起光逃逸的因素有：晶格缺陷对光的吸收、衬底对光的吸收、光出射过程中各个界面由于全反射造成的损失等。
目前，主要采用两种制备方法来制备LED芯片。
制备方法1包括：1)、提供衬底；2)、在衬底上采用金属有机化合物化学气相淀积工艺(Metal-organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD)工艺外延沉积形成发光外延结构，所述发光外延结构包括n型氮化镓层、有源层和p型氮化镓层；3)、对发光外延结构进行清洗；4)、通过溅射或蒸镀透明电极层；5)、刻蚀掉p型氮化镓层和有源层，直至n型氮化镓层；6)、制备透明电极；7)、制备N电极和P电极；8)、制备钝化(SiO2)层；9)、背减薄；10)裂片。
制备方法2包括：1)、提供衬底；2)、在衬底上采用MOCVD工艺外延沉积形成LED发光外延结构；3)、对发光外延结构进行清洗；4)、刻蚀掉p型氮化镓层和有源层，直至n型氮化镓层；5)、溅射或蒸镀透明电极层；6)、制备透明电极；7)、制备N电极和P电极；8)、制备钝化(SiO2)层；9)、背减薄；10)裂片。
上述制备工艺对提升LED芯片的发光效率非常有限。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片的制备方法，以解决现有LED芯片制作技术中LED芯片的出光效率受限的问题。
为解决上述及其他问题，本发明提供一种发光二极管芯片的制备方法，包括：提供外延生长所需的绝缘衬底，所述绝缘衬底具有相对的正面和背面；所述绝缘衬底的正面定义有若干个图形单元，每一个图形单元被划分为若干个图形区块，相邻所述图形单元之间具有第一走道，所述图形单元中的相邻所述图形区块之间具有第二走道，对应于所述第一走道，对第一走道进行激光内划；在所述第一走道和所述第二走道上刻蚀出沟槽；在所述绝缘衬底上形成发光外延结构；在所述发光外延结构上制备N电极和P电极；对所述绝缘衬底的背面进行减薄处理；对应于所述第一走道，在减薄后的所述绝缘衬底的背面进行激光内划；沿着所述第一走道进行裂片处理而得到LED芯片。
可选地，所述图形单元的形状包括平行四边形、菱形、矩形或正方形。
可选地，每一个所述图形单元中的若干个所述图形区块呈对称设置。
可选地，所述图形区块的形状包括三角形、平行四边形、菱形、矩形、正方形、六边形或正六边形。
可选地，所述图形单元中的相邻所述图形区块之间的相邻所述第二走道之间留有缺口。
可选地，在所述第一走道和所述第二走道上刻蚀出沟槽采用的是湿法腐蚀工艺。
可选地，所述沟槽为V型。
可选地，对所述第一走道进行激光内划的深度距离所述绝缘衬底的正面的范围为20微米至100微米。
可选地，减薄后的背面的激光内划的深度距离所述绝缘衬底的背面的范围为10微米至100微米。
相较于现有技术，本发明对绝缘衬底进行了图形化处理，形成图形单元以及在图形单元内划分的图形区块，在图形单元之间的第一走道以及图形区块之间的第二走道上形成沟槽，并沿着形成有沟槽的第一走道进行正面激光内划和背面减薄后的背面激光内划的处理，有利于外延的横向沉积，提高外延晶体生长质量，激光内划克服了常规背划芯片易造成亮度衰减的问题，提高芯片侧壁出光和正面出光，从而使得在后续工艺制备的LED芯片具有更高的出光效率。
附图说明
图1为本发明发光二极管芯片的制备方法的流程示意图；
图2显示了绝缘衬底的正面示意图；
图3为图2沿着A-A线的侧剖图；
图4和图5为图形单元划分为大小不等的若干个图形区块在不同实施例中的示意图；
图6为在第一走道和第二走道上刻蚀出沟槽的结构示意图；
图7为对第一走道进行激光内划处理的结构示意图；
图8为在绝缘衬底上形成发光外延结构的结构示意图；
图9为对绝缘衬底的背面进行减薄处理的结构示意图；
图10为对应于第一走道，在减薄后的所述绝缘衬底的背面进行激光内划处理的结构示意图。
具体实施方式
本发明的发明人发现：在现有的LED芯片制备工艺中，存在出光效率偏低的问题。
因此，本发明的发明人提出了一种发光二极管芯片的制备方法，本发明对绝缘衬底进行了图形化处理，形成图形单元以及在图形单元内划分的图形区块，在图形单元之间以及图形区块之间的走道上形成沟槽，并沿着形成有沟槽的第一走道进行正面激光内划，这样处理衬底可以减少外延沉积时的边缘效应，有利于外延的横向沉积，提高外延晶体生长质量，从而提高亮度，而减薄后的背面激光内划的处理，避免了常规背划芯片亮度的衰减，从而使得在后续工艺制备的LED芯片具有更高的出光效率。
以下将通过具体实施例来对发明的发光二极管的制备方法进行详细说明。
图1显示了发光二极管的制备方法的流程示意图。如图1所示，所述制备方法包括如下步骤：
步骤S100，提供外延生长所需的绝缘衬底2。图2显示了绝缘衬底2的正面示意图，图3为图2沿着A-A线的侧剖图。
在本实施例中，绝缘衬底2的材料为蓝宝石，但并不以此为限，在其他实施例中，仍可采用适用的其他绝缘材料。为便于描述，在以下内容中，我们就将绝缘衬底2直接称为蓝宝石衬底2。
特别地，在本发明中，对于蓝宝石衬底2，还通过图形化处理定义出大小相等的若干个图形单元20，图形单元20的形状可以是四边形、菱形、矩形、正方形或其他规则形状(例如六边形等)，在这里，是以矩形为例进行说明。相邻图形单元20之间具有第一走道P1，每一个图形单元20具有第一边界20a以及与第一边界20a对应的第二边界20b，因此，在第一走道P1的两侧分别为第一个图形单元20的第一边界20a和第二个图形单元20的第二边界20b。
特别地，在本发明中，每一个图形单元20又被划分为大小相等或大小不等的若干个图形区块200。图形区块200的数量、形状及其大小可以根据实际应用的需要而有不同的变化，图形区块200的形状包括三角形、平行四边形、菱形、矩形、正方形、六边形或正六边形。
例如在图4中，图形单元20被划分为7个大小不等的图形区块200，这7个图形区块200呈对称设置(无论是以图形单元20的长边还是图形单元20的短边)，其中，2个图形区块201位于图形单元20的相对两侧，1个图形区块203位于图形单元20的中间区域，而另外4个图形区块202以两两对应的方式分别位于图形区块201和图形区块203之间。特别地，如图4所示，图形区块201为等腰三角形，图形区块202为等边三角形，而中间的图形区块203则为正六边形，当然，这些图形区块200的形状在这里仅为示例性说明，在其他实施例中，仍可有其他的变化，并非用以限制本发明的保护范围。
而在图5中，图形单元20则被划分为10个大小不等的图形区块200。这10个图形区块200呈对称设置(无论是以图形单元20的长边还是图形单元20的短边)，其中，2个图形区块204位于图形单元20的相对两侧，2个图形区块206位于图形单元20的中间区域，而另外6个图形区块205以两两对应的方式位于图形区块201和图形区块203之间和两个图形区块206之间。特别地，如图4所示，图形区块204为等腰三角形，图形区块205为等边三角形，而中间的图形区块205则为菱形，当然，这些图形区块200的形状在这里仅为示例性说明，在其他实施例中，仍可有其他的变化，并非用以限制本发明的保护范围。
另外，如图4和5所示，图形单元20中的相邻图形区块200之间具有第二走道P2，而第一走道P1的宽度和深度要大于等于第二走道P2。特别地，对于图形区块200之间的第二走道P2，在本实施例中，相邻第二走道P2之间留有缺口，即两个第二走道P2在交叉点处留有缺口。这样设计的好处在于：在后续腐蚀工艺中，可以避免在两个第二走道P2的交叉点处四边扩散而导致外延生长不良的问题，提高外延生长的效果。
步骤S102，对第一走道P1进行激光内划处理，形成如图6所示的结构。在本实施例中，所述激光内划的深度H距离蓝宝石衬底20的正面的范围为20微米至100微米。
在步骤S102中，对第一走道P1进行激光内划处理，可以减少外延沉积时的边缘效应，有利于外延的横向沉积，提高外延晶体生长质量，从而提高亮度。
步骤S104，在第一走道P1和第二走道P2上刻蚀出沟槽，形成如图7所示的结构。在本实施例中，所述沟槽为V型，采用的是湿法腐蚀工艺。具体地，采用温度为200℃至350℃的浓H2SO4和浓H3PO4的混合液(浓H2SO4和浓H3PO4的混合液的配比为1∶1至3∶1)对第一走道P1和第二走道P2进行湿法腐蚀，腐蚀时间为20分钟至60分钟，从而刻蚀出V型沟槽。另外，所述V型沟槽的侧壁与所述蓝宝石衬底底面成夹角β，所述夹角β的角度范围为0°＜β＜90°，优选地，所述夹角β的角度范围为45°≤β≤80°，例如，所述夹角β可以是45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°、或80°等。当然，所述夹角β的选取并不以此为限，在其他情况下，仍可以选取其他角度，在此不再赘述。
步骤S106，在蓝宝石衬底2的图形单元20上形成发光外延结构22，形成如图8所示的结构。
在本实施例中，发光外延结构22包括n型氮化镓(GaN)层221、位于n型GaN层221上的有源层223、以及位于有源层223上的p型氮化镓(GaN)层225。另外，形成的发光外延结构22覆盖在第一走道P1和第二走道P2上。如图8所示的发光外延结构22的组成及其结构仅为示例性说明，并非用于限制本发明的权利保护范围，在其他实施例中，所述发光外延结构仍可作其他的变化。
在本实施例中，发光外延结构22是采用金属有机化合物化学气相淀积工艺(Metal-organicChemical Vapor Deposition；MOCVD)形成的。
后续，还包括：对发光外延结构进行清洗，部分刻蚀发光外延结构，溅射或蒸镀透明电极层等步骤，由于这些均为本领域技术人员所熟知的现有技术，故不在此赘述。
步骤S108，在所述发光外延结构上制备N电极和P电极。
另外，在除P电极和N电极之外的部分形成表面钝化层，所述钝化层的材料可以采用SiO2。
步骤S110，对蓝宝石衬底20的背面进行减薄处理，形成如图9所示的结构。在本实施例中，所述减薄处理可以通过研磨实现，将蓝宝石衬底20减薄至70um至200um的厚度范围内。
步骤S112，对应于第一走道P1，在减薄后的蓝宝石衬底20的背面进行激光内划处理，如图10所示。减薄后的背面激光内划的处理，避免了常规背划芯片亮度的衰减。在本实施例中，所述激光内划的深度h距离蓝宝石衬底20的正面的范围为10微米至100微米。
步骤S114，沿着第一走道P1进行裂片处理而得到符合设计尺寸的LED芯片。
综上所述，本发明对绝缘衬底进行了图形化处理，形成图形单元以及在图形单元内划分的图形区块，在图形单元之间以及图形区块之间的走道上形成沟槽，并沿着形成有沟槽的第一走道进行正面激光内划，这样处理衬底可以减少外延沉积时的边缘效应，有利于外延的横向沉积，提高外延晶体生长质量，从而提高亮度；而减薄后的背面激光内划的处理，避免了常规背划芯片亮度的衰减，从而使得在后续工艺制备的LED芯片具有更高的出光效率。
上述实施例仅列示性说明本发明的原理及功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此项技术的人员均可在不违背本发明的精神及范围下，对上述实施例进行修改。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
Claims (9)
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：
提供外延生长所需的绝缘衬底，所述绝缘衬底具有相对的正面和背面；所述绝缘衬底的正面定义有若干个图形单元，每一个图形单元被划分为若干个图形区块，相邻所述图形单元之间具有第一走道，所述图形单元中的相邻所述图形区块之间具有第二走道；
对应于所述第一走道，对第一走道进行激光内划；
在所述第一走道和所述第二走道上刻蚀出沟槽；
在所述绝缘衬底上形成发光外延结构；
在所述发光外延结构上制备N电极和P电极；
对所述绝缘衬底的背面进行减薄处理；
对应于所述第一走道，在减薄后的所述绝缘衬底的背面进行激光内划；
沿着所述第一走道进行裂片处理而得到LED芯片。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述图形单元的形状包括平行四边形、菱形、矩形或正方形。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，每一个所述图形单元中的若干个所述图形区块呈对称设置。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述图形区块的形状包括三角形、平行四边形、菱形、六边形或正六边形。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述图形单元中的相邻所述图形区块之间的相邻所述第二走道之间留有缺口。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在所述第一走道和所述第二走道上刻蚀出沟槽采用的是湿法腐蚀工艺。
7.根据权利要求1或6所述的发光二极管芯片的方法，其特征在于，所述沟槽为V型。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，对所述第一走道进行激光内划的深度距离所述绝缘衬底的正面的范围为20微米至100微米。
9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，减薄后的背面的激光内划的深度距离所述绝缘衬底的背面的范围为10微米至100微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110314132.8A CN103050584B (zh) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | 发光二极管芯片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110314132.8A CN103050584B (zh) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | 发光二极管芯片的制备方法 |
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|---|---|
| CN103050584A true CN103050584A (zh) | 2013-04-17 |
| CN103050584B CN103050584B (zh) | 2015-05-20 |
Family
ID=48063160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110314132.8A Expired - Fee Related CN103050584B (zh) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | 发光二极管芯片的制备方法 |
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|---|---|
| CN (1) | CN103050584B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107546300A (zh) * | 2016-06-29 | 2018-01-05 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种led芯片的切割及劈裂方法 |
| CN111822876A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-10-27 | 中电化合物半导体有限公司 | 基于溶液射流辅助激光图形化碳化硅籽晶的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01109778A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 光素子の低反射率端面形成方法 |
| CN1657220A (zh) * | 2004-02-19 | 2005-08-24 | 佳能株式会社 | 基于激光的分割方法，待分割物体，和半导体元件芯片 |
| CN101083292A (zh) * | 2006-05-31 | 2007-12-05 | 丰田合成株式会社 | 半导体发光器件以及用于分离半导体发光器件的方法 |
| CN101924173A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-12-22 | 孙文红 | 高光效图形衬底及其制造方法 |
-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01109778A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 光素子の低反射率端面形成方法 |
| CN1657220A (zh) * | 2004-02-19 | 2005-08-24 | 佳能株式会社 | 基于激光的分割方法，待分割物体，和半导体元件芯片 |
| CN101083292A (zh) * | 2006-05-31 | 2007-12-05 | 丰田合成株式会社 | 半导体发光器件以及用于分离半导体发光器件的方法 |
| CN101924173A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-12-22 | 孙文红 | 高光效图形衬底及其制造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107546300A (zh) * | 2016-06-29 | 2018-01-05 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种led芯片的切割及劈裂方法 |
| CN107546300B (zh) * | 2016-06-29 | 2020-10-30 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种led芯片的切割及劈裂方法 |
| CN111822876A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-10-27 | 中电化合物半导体有限公司 | 基于溶液射流辅助激光图形化碳化硅籽晶的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150520 |
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