CN100438108C - 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的p、n电极 - Google Patents

树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的p、n电极 Download PDF

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Abstract

树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散，提高发光效率。

Description

树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
技术领域
本发明涉及一种发光二极管(LED)芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。
背景技术
目前常用的正面出光大功率GaN基LED芯片采用梳状电极设计，这种设计无法保证P、N电极之间电流的均匀扩散，占用芯片表面积较大，使得有效发光面积减小，且无法解决芯片散热与光全反射严重的问题，造成芯片抽光效率低下。
方大集团股份有限公司在公开号为CN1595668的发明专利申请中提供一种蓝宝石衬底发光二极管芯片的电极制作方法，可采用三步法，具体的方法步骤依次分别为：PT超薄透明电极光刻与蒸镀、P电极光刻与蒸镀、合金、PN电极光刻与蒸镀；或者采用两步法，具体的方法步骤依次分别为：PT超薄透明电极光刻与蒸镀、合金、PN电极光刻与蒸镀，来达到提高生产效率，降低生产成本，改善产品质量的目的。
厦门大学在公开号为CN1039681的发明专利申请中提供一种磷化镓发光二极管电极制备工艺，主要包括外延片的预处理，采用真空镀膜方法分别在P面和N面蒸发上含有受主掺杂剂、施主掺杂剂的金基电极，光刻电极圆点，并通过气流进行合金热处理，蒸发电极采用具有三层电极的结构，P面镀膜的第一层用Au-Sb，第二层用Au-Be，第三层用Au，三层镀膜的厚度分别为(200～500)埃(800～2000)埃和大于6000埃；N面的第一层用Au-Be，第二层用Sn-Sb，第三层用Au，第一、二层的配方均为(99～97)％-(1-3)％，第一层镀膜的厚度为(200-500)埃。
北京工业大学在公开号为CN1622353的发明专利申请中提供一种低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜；第四层是在银高反镜上的一层保护层，所述的欧姆接触层上带有贯通的圆形微孔，圆形微孔内镀了透明膜。透明膜的最佳光学厚度为器件发光波长的四分之一，透明膜的折射率小于半导体基底和银高反镜的复折射率，形成了折射率高低高的结构。
发明内容
本发明的目的在于为了克服现有的大功率GaN基LED芯片因为尺寸过大而导致的电流无法均匀扩散且发光效率受制于散热与光线全反射的问题，提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。
本发明所采用的技术方案是：设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。
与现有的正面出光大功率GaN基LED芯片采用梳状电极设计相比，本发明突出的有益效果是，可以使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散，提高发光效率，而且对散热和减小光线的全反射也有一定的帮助。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。在图1中P为P型电极，N为N型电极。
具体实施方式
以下实施例将结合附图对本发明作进一步说明。
在图1中，本发明设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽1，将1mm×1mm尺寸大功率芯片2分成至少6个小区域的集合，既扩大了芯片的散热面积，又可以切断芯片内部光线全反射的路径，使光不至于湮没在芯片内部转化为热量。在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，N型电极淀积在比它尺度略宽的沟槽1中，沿芯片2的对角线分布成类似树叶脉络的形状，沟槽1包括1根沿对角线的对角线沟槽11和2根与对角线沟槽11垂直的平行沟槽12和13。相应的N型电极也由1根对角线N型电极N1和2根与对角线N极电极垂直的平行N型电极N2和N3组成。P型电极环绕在芯片2的边缘，并在对角处有触角P1和P2伸出。这种设计可以缩短电流在P、N电极之间的传输距离，再通过透明导电层使电流均匀扩散，提高了载流子的复合几率，从而提高了芯片的发光效率。当P电极接电源正极，N电极接电源负极时，电流就可以在P电极与N电极之间均匀地扩散。

Claims (1)

1.大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，其特征在于，在P型GaN外延片的正面刻蚀出沟槽；在所述P型GaN外延片的表面上生长一层透明导电层，在所述透明导电层上淀积P型电极，在所述沟槽内淀积N型电极；其中，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出；所述沟槽由1根沿对角线的对角线沟槽和与对角线沟槽垂直的2根相互平行的沟槽构成；相应的N型电极由1根对角线N型电极和与对角线N型电极垂直的2根相互平行的N型电极构成。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007057756B4 (de) * 2007-11-30 2022-03-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
CN101540356B (zh) * 2008-03-20 2011-04-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制作方法
CN101924116B (zh) * 2009-06-12 2014-04-23 刘胜 可扩展的超大尺寸发光二极管芯片及制造方法
CN103606418B (zh) * 2013-10-22 2015-10-28 华南师范大学 一种树叶状透明导电电极的制备方法
US10615094B2 (en) * 2017-01-28 2020-04-07 Zhanming LI High power gallium nitride devices and structures
CN112750922B (zh) * 2019-10-31 2021-12-07 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法
CN110911535A (zh) * 2019-11-20 2020-03-24 华南师范大学 基于枝形环抱电极的可见光通信器件及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0778625A2 (en) * 1991-11-25 1997-06-11 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode having a surface electrode of a tree like form
US6344665B1 (en) * 2000-06-23 2002-02-05 Arima Optoelectronics Corp. Electrode structure of compound semiconductor device
JP2004172217A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
US6885036B2 (en) * 1999-12-01 2005-04-26 Cree, Inc. Scalable LED with improved current spreading structures
JP2006128727A (ja) * 2003-05-27 2006-05-18 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
TWI256152B (en) * 2005-02-25 2006-06-01 Samsung Electro Mech Flip-chip type nitride semiconductor light emitting diode

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0778625A2 (en) * 1991-11-25 1997-06-11 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode having a surface electrode of a tree like form
US6885036B2 (en) * 1999-12-01 2005-04-26 Cree, Inc. Scalable LED with improved current spreading structures
US6344665B1 (en) * 2000-06-23 2002-02-05 Arima Optoelectronics Corp. Electrode structure of compound semiconductor device
JP2004172217A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
JP2006128727A (ja) * 2003-05-27 2006-05-18 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
TWI256152B (en) * 2005-02-25 2006-06-01 Samsung Electro Mech Flip-chip type nitride semiconductor light emitting diode

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