CN103050416A - 用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置，该方法包括：将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充；其中，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%。本发明得到的底部填充的气泡和空洞少，提高了探测器的稳定性和可靠性。

Description

用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置
技术领域
本发明涉及光电领域，尤其涉及一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置。
背景技术
为了克服百万像素碲镉汞混成芯片的热膨胀系数差异，通常在红外焦平面探测器和读出电路芯片进行底部填充，来削弱红外焦平面探测器和读出电路芯片的热失配应力、提高混成芯片可靠性。
但是现有的百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充的方法中的胶水流动速度缓慢，且在流动过程中更容易产生空洞气泡等缺陷，降低了百万像素碲镉汞混成芯片的可靠性。
发明内容
鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置，用以进一步提高百万像素碲镉汞混成芯片的可靠性。
本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：
一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法，该方法包括：
将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；
对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充；
其中，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%。
优选地，所述三氧化二铝的直径为5~10纳米。
优选地，所述预定温度为60~100度。
优选地，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶的步骤具体包括：
沿所述读出电路芯片和所述探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶。
优选地，所述喷射点胶的点胶总量为3~5毫克，共分4~6次进行，每次点胶的间隔为30~120秒。
本发明还提供了一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置，该装置包括：
混料器，用于将填充胶水进行混合，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%；
脱泡机，用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；
加热设备，用于对读出电路芯片上进行加热；
点胶器，用于当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充。
优选地，所述三氧化二铝的直径为5~10纳米。
优选地，所述预定温度为60~100度。
优选地，所述点胶头具体用于，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶。
优选地，所述点胶器具体用于，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶，其中，点胶总量为3~5毫克，共分4~6次进行，每次点胶的间隔为30~120秒。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种百万像素碲镉汞混成芯片的填充方法及装置，将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理，然后对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片的侧边进行喷射点胶，得到处理后的底部填充，本发明得到的底部填充不产生气泡和空洞，提高了探测器的稳定性和可靠性。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本发明实施例1的百万像素碲镉汞混成芯片的填充方法的流程图；
图2为本发明实施例2的百万像素碲镉汞混成芯片的填充装置示意图。
具体实施方式
下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。为了清楚和简化目的，当其可能使本发明的主题模糊不清时，将省略本文所描述的器件中已知功能和结构的详细具体说明。
实施例1
本发明实施例提供了一种百万像素碲镉汞混成芯片的填充方法，参见图1，该方法包括：
S101、配置填充胶水；
填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述双组份环氧胶的类型为EP29LPSP，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%；
通过采用本发明实施例的填充胶水的配比，有效的减少了探测器底部填充产生空洞和气泡的几率，提高了探测器的稳定性和可靠性。
S102、将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；
本发明实施例中的对配置好的填充胶水进行充分的搅拌，搅拌后还进行脱泡处理，进一步减少了填充胶水的存在气泡的几率。
S103、对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充。
所述三氧化二铝的直径为5~10纳米。
所述预定温度为60~100度。
沿所述读出电路芯片的侧边进行喷射点胶的步骤具体包括：
沿所述读出电路芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶，即通过“一型”、“型”或“
Figure BDA00002545482100042
型”进行喷射点胶。
所述喷射点胶的点胶总量为3~5毫克，共分4~6次进行，每次点胶的间隔为30~120秒。
本发明实施例提供的一种百万像素碲镉汞混成芯片的填充方法，将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理，然后对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片的侧边进行喷射点胶，得到处理后的底部填充，本发明实施例得到的底部填充不产生气泡和空洞，提高了探测器的稳定性和可靠性。
实施例2
本发明实施例提供了一种百万像素碲镉汞混成芯片的填充装置，参见图2，该装置包括：
混料器21，用于将填充胶水进行混合，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述双组份环氧胶的类型为EP29LPSP，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%；
脱泡机22，用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；
加热设备23，用于对读出电路芯片上进行加热；
点胶器，用于当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶，即通过“一型”“、型”或“
Figure BDA00002545482100052
型”进行喷射点胶，其中，点胶总量为3~5毫克，共分4~6次进行，每次点胶的间隔为30~120秒。
所述三氧化二铝的直径为5~10纳米。
所述预定温度为60~100度。
综上所述，本发明实施例提供了一种百万像素碲镉汞混成芯片的填充方法及装置，通过采用本发明实施例的材料制的填充胶水，并将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理，然后对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片的侧边进行喷射点胶，得到处理后的底部填充，本发明实施例得到的底部填充不产生气泡和空洞，提高了探测器的稳定性和可靠性。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法，其特征在于，
将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；
对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充；
其中，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三氧化二铝的直径为5~10纳米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定温度为60~100度。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶的步骤具体包括：
沿所述读出电路芯片和所述探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述喷射点胶的点胶总量为3~5毫克，共分4~6次进行，每次点胶的间隔为30~120秒。
6.一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置，其特征在于，包括：
混料器，用于将填充胶水进行混合，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%；
脱泡机，用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；
加热设备，用于对读出电路芯片上进行加热；
点胶器，用于当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述三氧化二铝的直径为5~10纳米。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述预定温度为60~100度。
9.根据权利要求6-8任意一项所述的装置，其特征在于，
所述点胶头具体用于，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶。
10.根据权利要求6-8任意一项所述的装置，其特征在于，
所述点胶器具体用于，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶，其中，点胶总量为3~5毫克，共分4~6次进行，每次点胶的间隔为30~120秒。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116884883A (zh) * 2023-09-01 2023-10-13 山西创芯光电科技有限公司 一种用于减少红外探测器底部填充中气泡的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08293524A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
CN101030611A (zh) * 2006-03-05 2007-09-05 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 大功率发光二极管点胶工艺
CN101728403A (zh) * 2009-11-18 2010-06-09 中国科学院上海技术物理研究所 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器
CN101948610A (zh) * 2010-09-11 2011-01-19 汕头市骏码凯撒有限公司 一种低黏度双组分环氧树脂灌封胶及其制备方法
CN203085492U (zh) * 2012-12-07 2013-07-24 中国电子科技集团公司第十一研究所 用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08293524A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
CN101030611A (zh) * 2006-03-05 2007-09-05 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 大功率发光二极管点胶工艺
CN101728403A (zh) * 2009-11-18 2010-06-09 中国科学院上海技术物理研究所 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器
CN101948610A (zh) * 2010-09-11 2011-01-19 汕头市骏码凯撒有限公司 一种低黏度双组分环氧树脂灌封胶及其制备方法
CN203085492U (zh) * 2012-12-07 2013-07-24 中国电子科技集团公司第十一研究所 用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116884883A (zh) * 2023-09-01 2023-10-13 山西创芯光电科技有限公司 一种用于减少红外探测器底部填充中气泡的方法
CN116884883B (zh) * 2023-09-01 2023-11-14 山西创芯光电科技有限公司 一种用于减少红外探测器底部填充中气泡的方法

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