CN103042463A - 一种ic级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法 - Google Patents
一种ic级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103042463A CN103042463A CN2013100256066A CN201310025606A CN103042463A CN 103042463 A CN103042463 A CN 103042463A CN 2013100256066 A CN2013100256066 A CN 2013100256066A CN 201310025606 A CN201310025606 A CN 201310025606A CN 103042463 A CN103042463 A CN 103042463A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- controlled
- polishing
- surface roughness
- pressure
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明涉及一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法,该方法是将抛光分为五个阶段,五个阶段的抛光过程温度控制到25℃-28℃;PH控制到10.5-11;在第三阶段将抛光时间缩短为6-8分钟;在第四阶段将抛光时间延长到2-3分钟,压力从0.1KN提高到0.2KN,同时在抛光结束前添加高纯表面活性剂至第五阶段结束;采用本发明,可以有效控制化学与机械抛光的平衡度,从而防止抛光片表面容易因化学或机械作用过强而引起硅片表面粗糙,使IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度符合标准,提高后续加工过程的图形良率。
Description
技术领域
本发明涉及一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法。
背景技术
目前,对EPI等级要求较高的产品,IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度会严重影响到后续加工过程的图形良率。EPI过程后产生的副产物虽然经HCl清洗后会使表面变得略粗糙,但如果所提供的原片表面粗糙度达不到要求,经HCl清洗后表现尤为明显,影响图像良率。所以为满足EPI厂商要求,使抛光片表面粗糙度达到标准非常重要。
发明内容
本发明的目的是提供能使表面粗糙度符合标准,从而提高后续加工过程的图形良率的一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法。
本发明采取的技术方案是:一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法,其特征在于它经过下列阶段:A、在抛光机中加入PH值为10.5~11的抛光液后,进入第一阶段抛光,将温度控制在20℃~23℃,压力控制在0.3~0.5KN,时间控制在20~30秒;B、抛光液PH值保持在10.5~11,进入第二阶段抛光,将温度控制在20℃~23℃,压力控制在0.5~1KN,时间控制在30~60秒;C、抛光液PH值保持在10.5~11,进入第三阶段抛光,将温度控制在25℃~30℃,压力控制在2.0~2.5KN,时间控制在6~8分钟;D、抛光液PH值保持在10.5~11,进入第四阶段抛光,将温度控制在25℃~30℃,压力控制在0.1~0.2KN,时间控制在2~3分钟,并在该阶段结束前20~25秒时将抛光液切换为高纯表面活性剂;F、进入第五阶段抛光,将温度控制在20℃~23℃,压力控制在0.1~0.3KN,时间控制在30~60秒,即可完成抛光。
采用本发明,可以有效控制化学与机械抛光的平衡度,从而防止抛光片表面容易因化学或机械作用过强而引起硅片表面粗糙,使IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度符合标准,提高后续加工过程的图形良率。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。它包括下列阶段:
一、在抛光机中加入PH值为10.5~11的抛光液后,进入第一阶段抛光,将温度控制在20℃~23℃,压力控制在0.3~0.5KN,时间控制在20~30秒;
二、抛光液PH值保持在10.5~11,进入第二阶段抛光,将温度控制在20℃~23℃,压力控制在0.5~1KN,时间控制在30~60秒;
三、抛光液PH值保持在10.5~11,进入第三阶段抛光,将温度控制在25℃~30℃,压力控制在2.0~2.5KN,时间控制在6~8分钟;
四、抛光液PH值保持在10.5~11,进入第四阶段抛光,将温度控制在25℃~30℃,压力控制在0.1~0.2KN,时间控制在2~3分钟,并在该阶段结束前20~25秒时将抛光液切换为高纯表面活性剂;
五、进入第五阶段抛光,将温度控制在20℃~23℃,压力控制在0.1~0.3KN,时间控制在30~60秒,即可完成抛光。
Claims (1)
1.一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法,其特征在于它经过下列阶段:A、在抛光机中加入PH值为10.5~11的抛光液后,进入第一阶段抛光,将温度控制在20℃~23℃,压力控制在0.3~0.5KN,时间控制在20~30秒;B、抛光液PH值保持在10.5~11,进入第二阶段抛光,将温度控制在20℃~23℃,压力控制在0.5~1KN,时间控制在30~60秒;C、抛光液PH值保持在10.5~11,进入第三阶段抛光,将温度控制在25℃~30℃,压力控制在2.0~2.5KN,时间控制在6~8分钟;D、抛光液PH值保持在10.5~11,进入第四阶段抛光,将温度控制在25℃~30℃,压力控制在0.1~0.2KN,时间控制在2~3分钟,并在该阶段结束前20~25秒时将抛光液切换为高纯表面活性剂;F、进入第五阶段抛光,将温度控制在20℃~23℃,压力控制在0.1~0.3KN,时间控制在30~60秒,即可完成抛光。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013100256066A CN103042463A (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 一种ic级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013100256066A CN103042463A (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 一种ic级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103042463A true CN103042463A (zh) | 2013-04-17 |
Family
ID=48055447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2013100256066A Pending CN103042463A (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 一种ic级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103042463A (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5571373A (en) * | 1994-05-18 | 1996-11-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness |
CN101352829A (zh) * | 2007-07-24 | 2009-01-28 | 上海光炜电子材料有限公司 | 一种低粗糙度硅抛光片的加工方法 |
CN101934490A (zh) * | 2010-08-10 | 2011-01-05 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 超高电阻率硅抛光片的抛光工艺 |
CN102019582A (zh) * | 2010-12-10 | 2011-04-20 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 8英寸轻掺硅抛光片的抛光工艺 |
-
2013
- 2013-01-22 CN CN2013100256066A patent/CN103042463A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5571373A (en) * | 1994-05-18 | 1996-11-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness |
CN101352829A (zh) * | 2007-07-24 | 2009-01-28 | 上海光炜电子材料有限公司 | 一种低粗糙度硅抛光片的加工方法 |
CN101934490A (zh) * | 2010-08-10 | 2011-01-05 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 超高电阻率硅抛光片的抛光工艺 |
CN102019582A (zh) * | 2010-12-10 | 2011-04-20 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 8英寸轻掺硅抛光片的抛光工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
PH12017501375A1 (en) | Method for recovering scandium | |
SG143125A1 (en) | Chromium-free etching solution for si-substrates and sige-substrates, method for revealing defects using the etching solution and process for treating si-substrates and sige-substrates using the etching solution | |
TW200733230A (en) | Semiconductor processing | |
WO2012154498A3 (en) | Removal of metal impurities from silicon surfaces for solar cell and semiconductor applications | |
SG10201805702QA (en) | Method of forming an integrated circuit and related integrated circuit | |
TW200622538A (en) | Wafer-to-wafer control using virtual modules | |
ATE488794T1 (de) | Halbleiter-bearbeitungsverfahren mit virtuellen modulen | |
MX2007007407A (es) | Procedimiento para la produccion de sales de (4,5-dihidroisoxazol- 3-il)tiocarboxamidina. | |
TW201614105A (en) | Etching gas composition for silicon compound, and etching method | |
SG11201900729TA (en) | Kit, detergent composition and method for producing semiconductor element | |
CN103042463A (zh) | 一种ic级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法 | |
MX2015010649A (es) | Metodo para lavar telas. | |
WO2005008741A3 (en) | System and method for automating integration of semiconductor work in process updates | |
WO2014184709A3 (en) | Chemical-mechanical polishing compositions comprising n,n,n',n'-tetrakis-(2-hydroxypropyl)-ethylenediamine or methanesulfonic acid | |
MY170163A (en) | Solar cell production method, and solar cell produced by same production method | |
JP2018520674A5 (zh) | ||
PH12019500001A1 (en) | Progressive spectacle lens, method of manufacturing a progressive spectacle lens and method of designing a progressive spectacle lens | |
MX2013009403A (es) | Agrupamiento genico para la biosintesis de cicloclavina. | |
US8383523B2 (en) | Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor, and use | |
WO2016196216A8 (en) | Methods for processing semiconductor wafers having a polycrystalline finish | |
CN106277812A (zh) | 一种曲面盖板玻璃蚀刻液 | |
IN2015DN01445A (zh) | ||
CN104308744A (zh) | 化学机械研磨之研磨液供给装置 | |
WO2016153166A3 (ko) | 흰등멸구를 접종한 벼로부터 코클리오퀴논을 분리하는 방법 | |
CN204772068U (zh) | 一种通孔抛光定位冶具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C05 | Deemed withdrawal (patent law before 1993) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130417 |