CN103022182A - 利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段 - Google Patents
利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103022182A CN103022182A CN2011102953770A CN201110295377A CN103022182A CN 103022182 A CN103022182 A CN 103022182A CN 2011102953770 A CN2011102953770 A CN 2011102953770A CN 201110295377 A CN201110295377 A CN 201110295377A CN 103022182 A CN103022182 A CN 103022182A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light absorption
- film solar
- wave band
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明主要是利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段。在镀制太阳能电池时,本质层调整硅烷与氢气比例,由一开始的非晶硅薄膜,逐渐转变成微晶硅薄膜层,使其吸收层,同时能拥有非晶与微晶硅薄膜光吸收波段,有效提高此薄膜太阳能电池之转换效率,提升市场上的竞争能力。
Description
技术领域
本发明是一种利用在硅薄膜太阳能电池的新技术,其主要目是以单结硅薄膜太阳能电池结构达到双结非晶与微晶结构硅薄膜太阳能电池相同之效果。
背景技术
技术
目前,世界太阳能产业,为了能有效利用各波段的光能,来完成最有效之薄膜太阳能电池,纷纷由单结结构薄膜太阳能电池增加为双结或是三结以上结构,以各层不同光吸收波段的特性相互补足,但随着结数增多,各结间的接面问题也越多,造成许多制程上需要多增加几道缓冲层来改善其问题,导致无法大幅度降低制作成本,影响在市场上的竞争能力。
发明内容
本发明主要是利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段。在镀制太阳能电池时,本质层调整硅烷与氢气比例,由一开始的非晶硅薄膜,逐渐转变成微晶硅薄膜层,使其吸收层,同时能拥有非晶与微晶硅薄膜光吸收波段,有效提高此薄膜太阳能电池之转换效率,提升市场上的竞争能力。
具体实施方法:
吾将本发明搭配附图,详细说明如下:
图一为本发明制作结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池之示意图,由图中可得知,取得一玻璃基板(1),镀制一层透明导电层(2),在吸收层部分,先镀制非晶硅P型薄膜层(3),接着在镀制结晶梯度本质硅薄膜层(4),由于前P型层为非晶结构,而本质层一开始镀制也是非晶结构,所以可以减少接面匹配性问题,再镀制本质硅薄膜层过程中,调整硅烷与氢气比例,使其结构逐渐由非晶转变成微晶,即完成结晶梯度本质硅薄膜层(4);再来,就镀制微晶硅N型薄膜层(5),最后再镀制背电极(6),即完成一个高效能硅薄膜太阳能电池模块。当不同波段之光源(7)进入吸收层时,皆能有效吸收后转换电能,提高此薄膜太阳能电池之转换效率。
以上说明,对本发明而言只是说明性的,非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下,可作出许多修正、变化或等效,但都将落入本发明的保护范围之内。
附图说明:
下面为结合附图对本发明进一步说明。
图一为本发明制作结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池之示意图。
图标主要符号说明1 …玻璃2 …透明导电性层3 …非晶硅P型薄膜层4 …结晶梯度本质硅薄膜层5 …微晶硅N型薄膜层6 …背电极7 …各波段之光源。
Claims (3)
1.本发明主要是利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段;在镀制太阳能电池时,本质层调整硅烷与氢气比例,由一开始的非晶硅薄膜,逐渐转变成微晶硅薄膜层,使其吸收层,同时能拥有非晶与微晶硅薄膜光吸收波段,有效提高此薄膜太阳能电池之转换效率,提升市场上的竞争能力。
2.根据权利要求1所述的一种利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段之技术,在镀制吸收层时,本发明选用非晶硅P型薄膜层和微晶硅N型薄膜层来搭配结晶梯度本质硅薄膜层,以减少各接面匹配性问题。
3.根据权利要求1所述的一种利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段之技术,镀制本质硅薄膜层过程中,利用调整硅烷与氢气比例,使其结构逐渐由非晶转变成微晶,有效扩展此太阳能电池光吸收之波段,提高此薄膜太阳能电池之转换效率。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011102953770A CN103022182A (zh) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011102953770A CN103022182A (zh) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103022182A true CN103022182A (zh) | 2013-04-03 |
Family
ID=47970542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011102953770A Pending CN103022182A (zh) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103022182A (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101237000A (zh) * | 2007-01-29 | 2008-08-06 | 北京行者多媒体科技有限公司 | 基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层 |
CN101640226A (zh) * | 2008-07-28 | 2010-02-03 | 福建钧石能源有限公司 | 叠层结构和包括该叠层结构的薄膜太阳能电池 |
CN101697359A (zh) * | 2009-10-26 | 2010-04-21 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种太阳能电池 |
CN102176496A (zh) * | 2011-01-31 | 2011-09-07 | 中国科学院半导体研究所 | 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 |
-
2011
- 2011-09-27 CN CN2011102953770A patent/CN103022182A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101237000A (zh) * | 2007-01-29 | 2008-08-06 | 北京行者多媒体科技有限公司 | 基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层 |
CN101640226A (zh) * | 2008-07-28 | 2010-02-03 | 福建钧石能源有限公司 | 叠层结构和包括该叠层结构的薄膜太阳能电池 |
CN101697359A (zh) * | 2009-10-26 | 2010-04-21 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种太阳能电池 |
CN102176496A (zh) * | 2011-01-31 | 2011-09-07 | 中国科学院半导体研究所 | 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103383975A (zh) | 一种双面钝化高效异质结电池及其制作方法 | |
CN102208477B (zh) | 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法 | |
CN102332499A (zh) | 一种利用微颗粒制备双结构绒面透明电极的方法 | |
CN103022182A (zh) | 利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段 | |
CN201936892U (zh) | 拼装式薄膜太阳能电池组成结构 | |
CN202585452U (zh) | 三合一太阳能电池组件 | |
CN203850312U (zh) | 具有选择性发射极的异质结太阳能电池 | |
CN102842630A (zh) | 一种单晶硅太阳能电池组件 | |
CN203466206U (zh) | 晶体硅光伏组件 | |
CN202259323U (zh) | 无栅线n型晶体硅太阳能电池 | |
CN203325952U (zh) | 一种双面钝化高效异质结电池 | |
CN205944102U (zh) | 一种双层减反射膜的多晶硅片 | |
CN204118093U (zh) | 一种增强背面反射的异质结电池 | |
CN105140349B (zh) | 一种次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法 | |
CN202917528U (zh) | 高效非微叠层太阳能电池 | |
CN203325950U (zh) | 一种多带隙双面透光太阳能电池 | |
CN102222708A (zh) | 一种新型高效三结硅薄膜太阳电池 | |
CN202585492U (zh) | 一种太阳能电池组件 | |
CN104600139B (zh) | 非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
CN203553178U (zh) | 一种增透和能减少pid现象发生的tco玻璃 | |
CN202996852U (zh) | 一种采用新型中间层的叠层太阳能电池 | |
CN203812887U (zh) | 一种晶体硅太阳能电池减反膜 | |
CN203150561U (zh) | 柔性薄膜太阳能电池 | |
CN202581096U (zh) | 一种太阳能led灯具 | |
CN102479843A (zh) | 拼装式薄膜太阳能电池组成结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130403 |