CN103021460A

CN103021460A - 包括存储器件和系统的半导体器件的设定数据储存

Info

Publication number: CN103021460A
Application number: CN2012103594854A
Authority: CN
Inventors: 元参规
Original assignee: Hynix Semiconductor Inc
Current assignee: SK Hynix Inc
Priority date: 2011-09-22
Filing date: 2012-09-24
Publication date: 2013-04-03
Also published as: US20130080830A1; TW201329984A; KR20130032077A

Abstract

本发明公开了一种设定数据储存电路，所述设定数据储存电路包括：设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；存取单元，其被配置成存取设定数据储存模块的设定数据；错误检测单元，其被配置成检测设定数据中的错误；以及错误恢复单元，其被配置成在错误检测单元检测到错误时恢复设定数据储存模块中的错误。

Description

包括存储器件和系统的半导体器件的设定数据储存

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年9月22日提交的韩国专利申请No.10-2011-0095763的优先权，其全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储系统设定信息储存，且更具体而言涉及用于储存供诸如非易失性存储器件的各种器件的操作使用的设定信息的设定数据储存电路。

背景技术

诸如摄录像机、数字相机、携带型电话、MP3（MPEG-1层3）播放器等的高性能移动产品是有需求的。

这些移动产品中大多数（如果不是全部的话）需要存储器件作为子组件部分。要应用于移动产品中的通常为非易失性类型的存储器件的内部选项或设定通过符合移动产品的操作特性来决定，以便允许存储器件与移动产品中运行的应用程序配合地操作。随着伴随移动技术的进步越来越多的应用在移动产品中运行，使用熔丝来设定用于移动产品中的非易失性存储器件的内部选项或设定的传统方式具有诸多限制。通常，非易失性存储器中的熔丝用来储存设定信息；然而，在高集成、高性能的移动集成电路中，熔丝所占据的电路面积有可能变为相当大。为了克服此问题，常常使用内容可寻址存储器（CAM）单元来替代熔丝储存设定信息。

通常，仅允许读取操作存取CAM单元中储存的信息。一旦在将器件投入市场之前，制造商写入信息到CAM单元，则不允许使用者或控制器对CAM单元进行重写。在非易失性NAND快闪存储器中，例如，设定信息被储存在存储器的某一模块中。为了确保CAM单元的可靠性，在一页中多次写入相同的数据。当执行CAM单元读取操作时，多次写入页中的数据被读取，且读取数据被比较。然后，已连续地被读取到大多数次的相同数据被辨识为真实或正确数据。然而，当非易失性存储器中的数据被读取如此多的次数时，非易失性存储器因其固有的读取干扰特性而会最终失去保留所储存的数据的能力。因此，当CAM单元数据经受重复的读取操作如此多的次数作为确保数据读取的完整性的过程的一部分时，可能会在非易失性存储器中丢失CAM单元数据。

发明内容

根据本发明的实施例来改善设定信息储存电路的可靠性。

根据本发明的一个实施例，一种设定数据储存电路可以包括：设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；存取单元，其被配置成存取所述设定数据储存模块的所述设定数据；错误检测单元，其被配置成检测所述设定数据中的错误；以及错误恢复单元，其被配置成在错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。

设定数据可以相同地被储存在设定数据储存模块中的至少两个区域（诸如，页）中。错误检测单元可通过比较储存在设定数据储存模块中的不同区域中的设定数据来检测错误。错误恢复单元可在错误检测单元检测到错误时改变供设定数据储存模块中的设定数据的读取使用的区域，或可以控制存取单元，使得在错误检测单元检测到错误时将设定数据重写入设定数据储存模块中。

此外，根据本发明的一个实施例，一种设定数据储存电路可以包括：设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；存取单元，其被配置成存取设定数据储存模块的设定数据；计数器，其被配置成对存取单元存取设定数据的次数进行计数；和错误恢复单元，其被配置成在计数器所计数的存取次数等于或大于预定次数时恢复设定数据储存模块。

可以在错误恢复单元执行恢复操作时初始化计数器。计数器可通过对包括设定数据储存电路的系统的加电次数进行计数而对存取次数进行计数。

另外，根据本发明的一个实施例，一种非易失性存储器件可以包括：多个正常数据储存模块，其被配置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓冲器阵列，其被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据；错误检测单元，其被配置成检测设定数据中的错误；以及错误恢复单元，其被配置成在错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。

另外，根据本发明的一个实施例，一种非易失性存储器件可以包括：多个正常数据储存模块，其被配置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓冲器阵列，其被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据；计数器，其被配置成对加电次数进行计数；以及错误恢复单元，其被配置成在加电次数等于或大于预定次数时恢复所述设定数据储存模块。

根据本发明的一个实施例，一种存储系统可以包括非易失性存储器件和用于控制非易失性存储器件的控制器，所述非易失性存储器件包括：多个正常数据储存模块，其被配置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓冲器阵列，其被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块；以及错误恢复单元，其被配置成响应于错误恢复命令而恢复设定数据储存模块，其中控制器对非易失性存储器件的加电次数进行计数，且在加电次数等于或大于预定次数时将错误恢复命令施加至非易失性存储器件。

另外，根据本发明的一个实施例，一种存储系统可以包括非易失性存储器件和用于控制非易失性存储器件的控制器，所述非易失性存储器件包括：多个正常数据储存模块，其被配置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓冲器阵列，其被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块；错误检测单元，其被配置成检测设定数据中的错误且在检测到错误时将错误发生通知给控制器；以及错误恢复单元，其被配置成恢复设定数据储存模块中的错误，其中，当从非易失性存储器件通知错误发生时，控制器控制非易失性存储器件的错误恢复单元以恢复设定数据储存模块中的错误。

附图说明

图1是根据本发明的一个实施例的包括非易失性存储器的存储器件的配置图。

图2是示出图1所示的错误检测单元检测错误的方案的流程图。

图3是示出图1中所示的错误恢复单元通过改变供设定数据储存模块中的设定数据的读取用的区域（诸如，页）而恢复错误的第一恢复方案的流程图。

图4是示出图1中所示的错误恢复单元通过重写入设定数据储存模块的设定数据而恢复错误的第二恢复方案的流程图。

图5是根据本发明的一个实施例的包括非易失性存储器的存储器件的配置图。

图6是根据本发明的一个实施例的存储系统的配置图。

图7是根据本发明的一个实施例的存储系统的配置图。

具体实施方式

下文将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以用不同的形式来实施且不应解释为限于本文所提供的实施例。确切地说，提供这些实施例，使得本发明将会清楚且完整，且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在本说明书，相同的附图标记在本说明书的各个附图和实施例中表示相同的部分。

图1是根据本发明的一个实施例的非易失性存储器件的配置图。

参看图1，根据本发明的一个实施例的非易失性存储器件具体包括：多个正常数据储存模块110_0至110_N、设定数据储存模块120、存取单元130、错误检测单元140、错误恢复单元150、计数器160和控制电路170。

所述多个正常数据储存模块110_0至110_N储存来自控制器或使用者的用于储存的正常数据或任何信息。正常数据储存模块110_0至110_N的数目以及模块与页的大小可以采用许多不同方式来设计，以适合非易失性存储器件的存储器容量和高集成度。

设定数据储存模块120储存设定数据或选项数据。与正常数据相对的设定数据涉及与非易失性存储器件自身的各种设定相关联的信息、与非易失性存储器件的恢复相关联的信息等。设定数据的大小可远小于正常数据的大小，且由此，设定数据储存模块120的页数目和页大小可以小于正常数据储存模块110_0至110_N的页数目和页大小。

将设定数据多次重复地储存在设定数据储存模块120的每个页中。例如，以1个字节（即，8个比特）为单位的设定数据可以在设定数据储存模块120的每个页中储存8次。当读取设定数据储存模块120中的设定数据时，已重复读取过大多数次的相同的8字节数据被判定为真实数据或正确数据。此外，设定数据重复地储存在预定数目个页例如3个页中。即，例如，以字节为单位的设定数据可以在设定数据储存模块120的所述3个页中的每个中写入8次，因而设定数据储存模块120中的多个页（例如，3个页）被写入相同的数据。尽管多个页（例如，3页）被写入相同的设定数据，但为了使用设定数据而预先指定特定页来用于存取，且关于哪一页将预先指定用于存取可通过控制电路170来决定。例如，可以在设定数据储存模块120的页A、B、C中储存相同的设定数据，且可以预先指定页中的一个（例如，页A）用于读取设定数据。

表1至3示出可分别储存在设定数据储存模块120的页A、B、C中的设定数据的实例。

表1示出可储存在设定数据储存模块120的页A中的设定数据的一个实例。

表2示出可储存在设定数据储存模块120的页B中的设定数据的一个实例。

表3示出可储存在设定数据储存模块120的页C中的设定数据的一个实例。

参看表1至3，设定数据CAM_DATA 0至CAM_DATA N重复8次地储存在页A、B、C中的每个中。

也已知为非易失性存储器件中的页缓冲器阵列的存取单元130被配置成对储存在多个正常数据储存模块110_0至110_N和设定数据储存模块120中的数据进行存取。页缓冲器阵列130被配置成执行编程和读取操作。例如，可以执行编程操作，以用于将数据储存在储存模块110_0至110_N及120中，且可以执行读取操作，以用于从储存模块110_0至110_N及120读出数据。

错误检测单元140被配置成检测储存在设定数据储存模块120中的设定数据中的错误。错误检测单元140被配置成通过比较储存在设定数据储存模块120的不同区域（即，页）中的设定数据而检测设定数据中的任何错误。下文参看图2描述检测设定数据中的错误的错误检测单元140的细节。可在计数器160的控制下调整操作错误检测单元140的频率。例如，错误检测单元140可被配置成每当存取单元130已存取设定数据达预定次数时才操作。

当错误检测单元140检测到错误时，错误恢复单元150复原设定数据储存模块120中的设定数据。存在两种方式使用错误恢复单元150来复原被检测到具有某错误的设定数据。下文参看图3更详细描述的第一恢复方案是针对在检测到错误时改变设定数据储存模块120的设定数据储存区域或页。下文参看图4更详细描述的第二恢复方案是针对在检测到错误时对设定数据储存模块120进行重写入。

计数器160对储存在设定数据储存模块120中的设定数据已被存取单元130存取的次数进行计数，且在判定存取设定数据的次数已超过预定次数（例如，50次）时激活错误检测单元140。这是为了防止过度的电流消耗和处理时间，如果错误检测单元140在每次存取单元130存取设定数据时操作以检测错误，则会引起过度的电流消耗及处理时间。每当错误检测单元140被激活时，计数器160的存取计数值被初始化。每当非易失性存储器件被激活时，设定数据储存模块120中的设定数据被存取。每当非易失性存储器件被激活时，加电信号PWRUP被激活。因此，通过对加电信号PWRUP被激活的次数进行计数，计数器160可算出存取单元130对设定数据储存模块120中的设定数据进行存取的次数。

控制电路170被配置成执行非易失性存储器件中的组件的总体控制。例如，控制电路170通过对来自控制器的命令、地址等进行译码来选择数据模块和页以进行存取，所述控制器控制非易失性存储器件并控制非易失性存储器件中的组件的操作顺序。

图1示出如根据本发明的一个实施例的应用于非易失性存储器件中的设定数据储存电路的一个实例；然而，应易于理解，图1的组件，诸如设定数据储存电路的组件120、130、140、150、160以及本申请的其它图的组件可不仅用于非易失性存储器件中，而且可以应用于储存合适的设定信息的各种种类的集成电路芯片中。

图2是根据本发明的一个实施例的图1中所示的错误检测单元140检测错误的恢复方案的流程图。

在步骤S210中，通过（例如）错误检测单元140经由存取单元130从设定数据储存模块120的页A读取设定数据。如表1中所示，设定数据CAM_DATA_0至CAM_DATA_N重复数次地写入页A中，且已重复地写入大多数次的相同数据集合被判定作为真实或正确数据读取。例如，如果设定数据CAM_DATA_0作为“11001010”写入7次且作为“11001011”写入1次，则“11001010”被判定为真实数据，这是因为相同的字节重复地写入了大多数次（即，8次中的7次）。

在步骤S220中，通过错误检测单元140经由存取单元130读取来自设定数据储存模块120的页B的设定数据。从页A和B读取设定数据的步骤S210、S220可以采用相同的方式操作，以从已读取大多数次的相同数据集合来判定真实数据。

在步骤S230中，将从页A所读取的设定数据与从页B所读取的设定数据比较。当从页A和B所读取的设定数据相同时，在步骤S240中判定从设定数据储存模块120所读取的设定数据中不存在错误。

当在步骤S230中判定从页A和B所读取的设定数据彼此不相同时，在步骤S250中读取来自设定数据储存模块120的页C的设定数据。接着，在步骤S260中，比较从页A、B及C所读取的设定数据，且将在大多数次比较中被判定为相同的设定数据判定为真实设定数据。例如，如果从页A所读取的设定数据不同于从页B及C所读取的设定数据，且如果从B和C所读取的设定数据为相同的，则从页B和C所读取的设定数据将会被判定为真实数据。

在步骤S270中，错误检测单元140向错误恢复单元150提供关于错误出现和含有错误的页的身份（例如，页A）的信息。

在本发明的实施例中，还可以随着设定数据重复地被写入页A、B、C，而在步骤S210、S220、S250中从页A、B、C读取所有设定数据，且在步骤S230和S260中比较在步骤S210、S220、S250中所读取的所有设定数据以便改善错误检测的精确度。即，读取且彼此比较所有数据来判定真实数据，而非以如上文所述的方式将页A、B、C彼此比较。然而，在读取且比较所有数据的情况下，可以实施会忽视小比特数目的错误的算法。

图3是用于示出图1中所示的错误恢复单元150通过改变用于设定数据的读取的设定数据储存模块120中的区域（例如，页）来恢复错误的第一恢复方案的流程图。

参看图3，在步骤S310中，错误恢复单元150从错误检测单元140接收错误发生的页。

在步骤S320中，错误恢复单元150被配置成在需要时改变用于存取（其包括读出）设定数据的设定数据储存模块120中的页的位置。例如，如果错误已出现在用于存取设定数据的页A中，则错误恢复单元150可以指定页B或C而非页A，以用于之后存取设定数据。如果（例如）页A是指定用于存取设定数据的页且错误出现在页B中，则页A可继续用于存取设定数据。如上文所述的第一恢复方案可以采用如下方式实施：错误恢复单元150被配置成改变控制电路170的关于可供存取设定数据用的页的位置的设定。

即，在步骤S320中，错误恢复单元150被配置成在需要时改变控制电路170的设定，使得被识别为具有错误的页将不再用于存取设定数据，且无错误的另一页将代替用于存取设定数据。

图4是示出图1中所示的错误恢复单元150通过重写入设定数据储存模块120的设定数据来恢复错误的第二恢复方案的流程图。

参看图4，在步骤S410中，错误恢复单元150被配置成从错误检测单元140接收关于具有错误的页的信息。

在步骤S420中，错误恢复单元150从无错误的页取得且储存设定数据。例如，如果在步骤S410中所接收的信息为页A具有错误，则错误恢复单元150经由存取单元130从页B或C存取和储存设定数据。

在步骤S430中，错误恢复单元150控制存取单元130，使得将在步骤S420中所储存的设定数据重写入（即，重新编程）到页A、B和C中。

在实施如图4中所示的步骤时，错误恢复单元150可以储存来自页A、B及C之中的判定为无错误的页的设定数据，且在页A、B及C中的每个中重写入（即，重新编程）所储存的数据。经由此操作，无错误设定数据被再次储存在所有页A、B及C中。

图5示出应用于根据本发明的实施例的非易失性存储器件中的设定数据储存电路的一种变型。

参看图5，非易失性存储器件包括：多个正常数据储存模块110_0至110_N、设定数据储存模块120、存取单元130、错误恢复单元550、计数器560和控制电路170。多个正常数据储存模块110_0至110_N、设定数据储存模块120、存取单元130和控制电路170可以采用图1中相同的方式来配置，且上文关于图1中的这些组件的相同描述将适用。

在关于图5的实施例中，非易失性存储器件并非被配置成检测可能存在于设定数据储存模块120中的错误，而是将错误恢复单元550配置成当设定数据储存模块120的设定数据被存取的次数超过预定次数（例如，等于或大于1000次）时恢复设定数据储存模块120。如果设定数据储存模块120中的设定数据被存取的次数超过例如1000次，则这种情形可以支持设定数据的可靠性可能因读取干扰而恶化的判定。

计数器560对储存在设定数据储存模块120中的数据已被存取单元130存取的次数进行计数，且在判定存取数据的次数已超过预定次数（例如，1000次）时将错误恢复单元550使能以执行恢复操作。每当恢复单元550开始恢复操作时，将储存在计数器560中的计数值（即，存取次数）初始化。当初始化非易失性存储器件时，存取储存在设定数据储存模块120中的设定数据。每当对非易失性器件加电时，加电信号PWRUP被激活。因此，计数器560可通过对加电信号PWRUP激活的次数进行计数而算出存取单元130对储存在设定数据储存模块120中的设定数据进行存取的次数。

错误恢复单元550在计数器560每次计数到预定存取次数时恢复设定数据储存模块120。错误恢复单元550可根据以下两种方案中的一种来恢复设定数据储存模块120。

用于错误恢复单元550恢复设定数据储存模块120的方案1如下。

每当计数器560所计数的存取次数对应于预定次数时，被指定用于存取设定数据储存模块120中的设定数据的页被改变。例如，当存取次数对应于1至1000次时，可以存取页A以从设定数据储存模块120读出设定数据，当存取次数对应于1001至2000次时，可以存取页B以从设定数据储存模块120读出设定数据，然后，当存取次数对应于2001至3000次时，可以存取页C以从设定数据储存模块120读出设定数据。随着存取次数继续增加，页A、B和C以每1000次存取而交替，使得它们中的一个成为被读取设定数据的页。错误恢复单元550的上述操作可通过被配置成改变控制电路170的设定的错误恢复单元550来实施。通过每次经过预定存取次数（例如，1000）时改变读出设定数据储存模块120中的设定数据的页，可以抑制因数据的恶化而导致的错误的发生。

用于错误恢复单元550恢复设定数据储存模块120的方案2如下。

按照计数器560计数的每次预定存取次数，设定数据被重写入设定数据储存模块120中。例如，如果存取次数超过例如1000次，则错误恢复单元550存取（例如，读出和储存）储存在页C中的设定数据，且接着控制存取单元130，使得将储存在错误恢复单元550中的所存取的设定数据重写入（或重新编程）页A、B及C中。通过按照设定数据每次被存取的预定次数（例如，1000）而在设定数据储存模块120中重写入设定数据，来保证设定数据的可靠性。

图5示出应用于根据本发明的实施例的非易失性存储器件中的设定数据储存电路的一个实例；然而，应易于理解，这仅为说明目的而描述的，且图5的组件诸如设定数据储存电路的组件120、130、550和560以及本申请的其它图的组件不仅可以用于非易失性存储器件中，而且可以用于各种种类的集成电路芯片中以储存设定信息。

图6是根据本发明的一个实施例的存储系统的配置图。

参看图6，存储系统包括非易失性存储器件610和用于控制非易失性存储器件610的控制器620。非易失性存储器件610恢复可能存在于设定数据储存模块120中的错误的恢复方案类似于关于图1描述的方案，但控制器620还可涉及于恢复操作中。此后，下文描述图6的恢复方案不同于图1的恢复方案的方面。

当检测到错误时，错误检测单元140向控制器620通知关于错误发生和错误发生页的信息。接着，控制器620将错误恢复命令连同恢复错误所需的信息传送至非易失性存储器件610，且错误恢复单元150响应于命令而恢复错误。如果非易失性存储器件610通过自身恢复过错误，则在优化地安排用于恢复错误的时间方面可能存在困难（例如，仅在非繁忙时间中执行错误恢复操作可为较佳的，在所述非繁忙时间期间，控制器620不输出用于执行错误恢复操作的命令）。然而，当控制器620牵涉在根据本发明的实施例的错误恢复操作中时，错误恢复操作根据来自控制器620的命令而执行，且由此可以更容易地控制执行错误恢复操作的时序。

在错误检测单元140与控制器620之间的通信以及在错误恢复单元150与控制器620之间的通信可经由控制电路170来执行。

图7是根据本发明的另一个实施例的存储系统的配置图。

参看图7，存储系统包括非易失性存储器件710和用于控制非易失性存储器件710的控制器720。非易失性存储器件710恢复可能存在于设定数据储存模块120中的错误的恢复方案类似于关于图5描述的方案，但在控制器720中所提供的计数器721用来对非易失性存储器件710的加电次数进行计数。此后，将描述图7的恢复方案不同于图5的恢复方案的方面。

控制器720的计数器721对非易失性存储器件710被加电的次数进行计数。由于控制器720控制非易失性存储器件710的加电，因此控制器720可容易地算出非易失性存储器件710是否被加电。如果计数器710所计数的非易失性存储器件710的加电次数达到预定次数（例如，1,000次），则控制器720命令非易失性存储器件710恢复设定数据储存模块120中的错误。当错误恢复命令被激活时，计数器710的计数数目被初始化。

如果从控制器720施加错误恢复命令至非易失性存储器件710，则非易失性存储器件710的错误恢复单元550会开始操作以恢复设定数据储存模块120。错误恢复单元550的恢复方案可与参照图5描述的方案相同。

在错误恢复单元550与控制器720之间的通信可以经由控制电路170实施。

从以上描述显然可知的，设定数据可以被储存在设定数据储存模块中的同一区域（例如，页）或不同区域（例如，页）中，且当检测到错误时，可以改变供读取设定数据用的区域（例如，页）或所述区域（例如，页）可被写入设定数据。通过此操作，改善了设定数据储存电路的可靠性。

另外，执行计数操作以对设定数据被存取（例如，从设定数据储存模块读取）的次数进行计数，且当设定数据被读取至少预定次数时，可判定设定数据的可靠性恶化，且可以改变供存取（例如，读取）设定数据用的区域（例如，页）或重写入设定数据。结果，改善了设定数据储存模块的可靠性。

尽管已参照具体实施例描述了本发明，但本领域技术人员可以理解，在不脱离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可进行各种变化和修改。

Claims

1.一种设定数据储存电路，包括：

设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据；

存取单元，所述存取单元被配置成存取所述设定数据储存模块中的设定数据；

错误检测单元，所述错误检测单元被配置成检测所述设定数据中的错误；以及

错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成在所述错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。

2.如权利要求1所述的设定数据储存电路，其中，相同的设定数据被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个区域中。

3.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述区域包括页。

4.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述错误检测单元通过比较多个所述设定数据来检测错误，所述多个所述设定数据中的每个被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个区域中的每个中。

5.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述错误恢复单元被配置成在所述错误检测单元检测到错误时，选择用于读取所述设定数据储存模块中的所述设定数据的所述至少两个区域之中的另一区域。

6.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述错误恢复单元控制所述存取单元，使得在所述错误检测单元检测到错误时所述设定数据被重写入所述设定数据储存模块中。

7.如权利要求1所述的设定数据储存电路，还包括：

计数器，所述计数器被配置成对所述存取单元存取所述设定数据的次数计数，

其中，所述错误检测单元被配置成每当所述设定数据被所述存取单元存取预定次数之后操作。

8.如权利要求1所述的设定数据储存电路，还包括：

计数器，所述计数器被配置成对具有所述设定数据储存电路的系统的加电次数计数，

其中，所述错误检测单元被配置成每经过预定加电次数之后操作。

9.一种设定数据储存电路，包括：

存取单元，所述存取单元被配置成存取所述设定数据储存模块中的所述设定数据；

计数器，所述计数器被配置成对所述存取单元存取所述设定数据的次数计数；以及

错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成每当所述设定数据被所述存取单元存取预定次数之后恢复所述设定数据储存模块。

10.如权利要求9所述的设定数据储存电路，其中，在所述错误恢复单元执行恢复操作时所述计数器被初始化。

11.如权利要求9所述的设定数据储存电路，

其中，所述设定数据被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个区域中，且

其中，所述错误恢复单元被配置成选择用于读取所述设定数据储存模块中的所述设定数据的所述至少两个区域之中的另一区域。

12.如权利要求9所述的设定数据储存电路，其中，所述错误恢复单元控制所述存取单元，使得将所述设定数据被重写入所述设定数据储存模块中。

13.如权利要求9所述的设定数据储存电路，其中，所述计数器被配置成通过对具有所述设定数据储存电路的系统的加电次数进行计数，来对存取次数进行计数。

14.一种存储器件，包括：

多个正常数据储存模块，所述多个正常数据储存模块被配置成储存正常数据；

页缓冲器阵列，所述页缓冲器阵列被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据；

15.一种存储器件，包括：

计数器，所述计数器被配置成对加电次数进行计数；以及

错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成每当经过预定加电次数之后恢复所述设定数据储存模块。

16.一种包括存储器件和用于控制所述存储器件的控制器的存储系统，所述存储器件包括：

页缓冲器阵列，所述页缓冲器阵列被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块；以及

错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成响应于错误恢复命令而恢复所述设定数据储存模块，

其中，所述控制器对非易失性的存储器件的加电次数进行计数，且每当经过预定加电次数之后将所述错误恢复命令输出至所述非易失性的存储器件。

17.如权利要求16所述的存储系统，其中，在所述错误恢复命令输出时所述控制器计数的加电次数被初始化。

18.一种包括存储器件和用于控制所述存储器件的控制器的存储系统，所述存储器件包括：

页缓冲器阵列，所述页缓冲器阵列被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块；

错误检测单元，所述错误检测单元被配置成在检测到所述设定数据中的错误时将错误发生通知给所述控制器；以及

错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成恢复所述设定数据储存模块中的错误，

其中，所述控制器在被通知错误发生时控制非易失性的存储器件的所述错误恢复单元以恢复所述设定数据储存模块中的错误。

19.如权利要求18所述的存储系统，

其中，所述设定数据被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个页中，且

其中，所述错误检测单元通过比较多个所述设定数据而检测错误，所述多个所述设定数据中的每个被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个页中的每个中。

20.如权利要求19所述的存储系统，其中，所述错误恢复单元被配置成在所述控制器的控制下，选择用于读取所述设定数据储存模块中的所述设定数据的所述至少两页之中的另一页。

21.如权利要求19所述的存储系统，其中，所述错误恢复单元在所述控制器的控制下控制所述页缓冲器阵列，使得将所述设定数据被重写入所述设定数据储存模块中。