CN103018978A - 一种液晶面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶面板包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，阵列基板上具有像素电极和公共电极，还包括形成控制液晶层内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极和低电位电极，高电位电极和低电位电极相对设置。上述液晶面板中，通过高电位电极和低点位电极形成的水平电场控制液晶分子的初始取向，可以使液晶分子与水平方向的预倾角更接近0°。所以，本发明提供的液晶面板通过水平电场控制液晶层内液晶分子的初始取向，减小使液晶层内液晶分子与水平方向的预倾角，具有较高的对比度和响应速度。本发明还提供了一种显示装置。

Description

一种液晶面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶面板及显示装置。

背景技术

在TFT-LCD的显示技术中，为了使液晶面板得到均匀的亮度和较高的对比度、以及快速的响应时间，必须使液晶面板的液晶层内的液晶分子沿着某一定的方向排列，而现有技术中，为达到上述效果，液晶面板中通常使用按一定的方向摩擦的配向膜来使液晶层内的液晶分子规则排列。

ADSDS（简称ADS）是平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch），通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

如对于ADS型液晶面板，液晶层内的液晶分子与水平方向的预倾角越小越有利于提高液晶面板的对比度和响应速度。

现有技术中，ADS型液晶面板使用配向膜配向后，液晶层内的液晶分子与水平方向的预倾角大约为2°左右。

发明内容

本发明提供一种液晶面板，该液晶面板通过水平电场控制液晶层内液晶分子的初始取向，减小使液晶层内液晶分子与水平方向的预倾角，具有较高的对比度和响应速度。

本发明还提供了一种具有上述液晶面板的显示装置，该显示装置中液晶面板的对比度和响应速度较高。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板上具有像素电极和公共电极，还包括：形成控制液晶层内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极和低电位电极，每一对所述高电位电极和低电位电极相对设置。

优选地，所述液晶层内具有由聚肉桂酸乙烯醇酯衍生物或单丙烯酸酯制备而成的高分子网格取向层，且所述高分子网格取向层水平取向。

优选地，所述高电位电极和所述低电位电极为条状电极。

优选地，所述阵列基板或所述彩膜基板上设置有一对所述高电位电极和低电位电极，所述高电位电极和低电位电极的高度小于等于液晶面板的盒厚。

优选地，所述阵列基板上设置有第一高电位电极和第一低电位电极，所述彩膜基板上设置有第二高电位电极和第二低电位电极，所述第一高电位电极和第二高电位电极相对应，形成所述高电位电极，所述第一低电位电极和第二低电位电极相对应，形成所述低电位电极。

优选地，所述阵列基板还包括交叉设置的栅线和数据线，所述高电位电极和所述低电位电极与所述栅线、所述数据线、所述像素电极或所述公共电极中的一个同层制备。

优选地，所述彩膜基板包括黑矩阵，所述黑矩阵用遮光金属材料制成，所述高电位电极和所述低电位电极与所述黑矩阵同层制备。

优选地，所述高电位电极和所述低电位电极为铝制条状金属薄电极，且通过导电胶固定于所述阵列基板。

优选地，所述低电位电极与所述阵列基板的公共电极信号线电性连接，所述高电位电极与所述阵列基板的数据线电性连接。

优选地，所述高电位电极的电位与所述低电位电极的电位间的压差为6~8.5伏。

优选地，所述高电位电极和低电位电极均位于非显示区域，且位于所述阵列基板和彩膜基板之间的封框胶内侧。

优选地，所述液晶面板为ADS型。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述技术方案中提供的任一种液晶面板。

本发明提供的液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板上具有像素电极和公共电极，还包括：形成控制液晶层内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极和低电位电极，每一对所述高电位电极和低电位电极相对设置。

液晶层中的液晶分子的初始取向为水平方向的液晶面板中，液晶层中的液晶分子为正性液晶分子，正性液晶分子在电场作用下会沿着电场方向排列，本发明提供的液晶面板中，高电位电极和低电位电极能够产生水电场，进而通过电场控制液晶分子的初始取向。

通过水平电场控制液晶分子的初始取向，可以通过调整高电位电极与低电位电极相对的位置来精确调整电场的方向，因此，高电位电极通入较高电位，低电位电极通入较低电位之后，高电位电极和低电位电极之间的电位差会产生水平电场，液晶层内的液晶分子沿水平电场的方向规则排列，从而使液晶分子与水平方向的预倾角更接近0°。

所以，本发明提供的液晶面板通过水平电场控制液晶层内液晶分子的初始取向，减小使液晶层内液晶分子与水平方向的预倾角，具有较高的对比度和响应速度。

另外，本发明还提供了一种具有上述液晶面板的显示装置，该显示装置中液晶面板的对比度和响应速度较高。

附图说明

图1为本发明提供的液晶面板的结构示意图；

图2为本发明提供的液晶面板中高电位电极以及低电位电极设置位置的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明提供的液晶面板包括阵列基板01、彩膜基板02以及位于阵列基板01和彩膜基板02之间的液晶层03，阵列基板01上具有像素电极和公共电极，还包括形成控制液晶层03内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极04和低电位电极05，每一对高电位电极04和低电位电极05相对设置。

液晶层03中的液晶分子的初始取向为水平方向的液晶面板中，晶层03中的液晶分子为正性液晶分子，正性液晶分子在电场作用下会沿着电场方向排列，本发明提供的液晶面板中，高电位电极04和低电位电极05能够产生水电场，进而通过电场控制液晶分子的初始取向。

通过水平电场控制液晶分子的初始取向，可以通过调整高电位电极04与低电位电极05相对的位置来精确调整电场的方向，因此，高电位电极04通入较高电位，低电位电极05通入较低电位之后，高电位电极04和低电位电极05之间的电位差会产生水平电场，液晶层03内的液晶分子沿水平电场的方向规则排列，从而使液晶分子与水平方向的预倾角更接近0°。

所以，本发明提供的液晶面板通过水平电场控制液晶层内液晶分子的初始取向，减小使液晶层03内液晶分子与水平方向的预倾角，具有较高的对比度和响应速度。

除了通过高电位电极04和低电位电极05之间形成的水平电场对液晶层03内的液晶分子进行取向外，为进一步提高液晶分子的响应速度，优选实施方式中，上述液晶层03内具有由光取向剂制备而成的高分子网格取向层，且高分子网格取向层水平取向。即，还通过高分子网格取向层为液晶分子提供复位作用力。

具体地，上述光取向剂可以为聚肉桂酸乙烯醇酯衍生物或单丙烯酸酯等。

优选实施方式中，上述高电位电极04和低电位电极05为条状电极。

上述技术方案中的高电位电极04和低电位电极05的设置方式可以有多种:

方式一，上述阵列基板01或彩膜基板02上设置有一对上述高电位电极04和低电位电极05，且高电位电极04和低电位电极05的高度小于等于液晶面板的盒厚。液晶面板的盒厚是指阵列基板01和彩膜基板02之间的液晶层的厚度。

方式二，还可以是阵列基板01上设置有第一高电位电极和第一低电位电极，彩膜基板02上设置有第二高电位电极和第二低电位电极，第一高电位电极和第二高电位电极相对应，在阵列基板01和彩膜基板02对盒后形成上述高电位电极04，且第一低电位电极和第二低电位电极相对应，在阵列基板01和彩膜基板02对盒后形成上述低电位电极05。

当然，还可以将高电位电极04制备在阵列基板01上，将低点位电极05制备在彩膜基板02上等方式实现。这里不再一一赘述。

上述技术方案中的阵列基板01还包括交叉设置的栅线和数据线，当高电位电极04和低点位电极05设置在阵列基板01上时，在上述高电位电极04和低电位电极05的制备过程中，可以在掩膜板上设计高电位电极04和低电位电极05的图形，从而在液晶面板的阵列基板01进行曝光显影直接形成，如，上述高电位电极04和低电位电极05可以与栅线、数据线、像素电极或公共电极中的一个同层制备。

或者，上述高电位电极04和低电位电极05还可以在阵列基板01上单独沉积，并进行曝光显影以及刻蚀等构图工艺制备。

上述技术方案中的彩膜基板02包括黑矩阵，黑矩阵用遮光金属材料制成，当上述高电位电极04和低点位电极05设置在彩膜基板02上时，高电位电极04和低电位电极05可以与黑矩阵同层制备。

当然，上述高电位电极04和低电位电极05还可以为铝制条状金属薄电极，且通过导电胶固定于上阵列基板01上。

上述高电位电极04和低电位电极05还可以由其他金属材料制备，这里不再一一赘述。

具体地，为便于对上述高电位电极04和低电位电极05通入电位，上述低电位电极05与阵列基板01的公共电极信号线电性连接，高电位电极04与阵列基板01的数据线电性连接。

更具体地，上述低电位电极05位于阵列基板01上设置栅线驱动模块的一侧。

为保证高电位电极04和低点位电极05之间形成的水平电场的强度能够满足液晶分子的取向要求，上述高电位电极04的电位与低电位电极05的电位间的压差为6~8.5伏，如：

上述高电位电极04的电位为16伏，低电位电极05的电位为7.5伏。

当然，高电位电极04通入的电位和低电位电极05通入的电位还可以为其他值，只要能够产生足够的水平电场使液晶层03内的液晶分子沿水平电场方向排列即可。

优选地，如图1所示，上述高电位电极04和低电位电极05均位于非显示区域，且位于上述阵列基板01和彩膜基板02之间的封框胶06的内侧；其中，封框胶06的涂布区域061，液晶面板的显示区域031如图2中所示。

优选地，上述液晶面板为ADS型。ADS通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转。本领域技术人员应该可以理解，像素电极可以为板状或者狭缝状，公共电极也是如此，像素电极和公共电极的上下顺序可颠倒，但是在上的电极必须是狭缝状的，在下的电极是板状的。

本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述技术方案中提供的任一种液晶面板。该显示装置中液晶面板的对比度和响应速度较高。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板上具有像素电极和公共电极，其特征在于，还包括：形成控制液晶层内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极和低电位电极，每一对所述高电位电极和低电位电极相对设置。

2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述液晶层内具有由聚肉桂酸乙烯醇酯衍生物或单丙烯酸酯制备而成的高分子网格取向层，且所述高分子网格取向层水平取向。

3.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述高电位电极和所述低电位电极为条状电极。

4.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列基板或所述彩膜基板上设置有一对所述高电位电极和低电位电极，所述高电位电极和低电位电极的高度小于等于液晶面板的盒厚。

5.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列基板上设置有第一高电位电极和第一低电位电极，所述彩膜基板上设置有第二高电位电极和第二低电位电极，所述第一高电位电极和第二高电位电极相对应，形成所述高电位电极，所述第一低电位电极和第二低电位电极相对应，形成所述低电位电极。

6.根据权利要求1-5任一所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列基板还包括交叉设置的栅线和数据线，所述高电位电极和所述低电位电极与所述栅线、所述数据线、所述像素电极或所述公共电极中的一个同层制备。

7.根据权利要求1-5任一所述的液晶面板，其特征在于，所述彩膜基板包括黑矩阵，所述黑矩阵用遮光金属材料制成，所述高电位电极和所述低电位电极与所述黑矩阵同层制备。

8.根据权利要求1-5任一项所述的液晶面板，其特征在于，所述高电位电极和所述低电位电极为铝制条状金属薄电极，且通过导电胶固定于所述阵列基板。

9.根据权利要求1~5任一项所述的液晶面板，其特征在于，所述低电位电极与所述阵列基板的公共电极信号线电性连接，所述高电位电极与所述阵列基板的数据线电性连接。

10.根据权利要求1~5任一项所述的液晶面板，其特征在于，所述高电位电极的电位与所述低电位电极的电位间的压差为6~8.5伏。

11.根据权利要求1~5任一项所述的液晶面板，其特征在于，所述高电位电极和低电位电极均位于非显示区域，且位于所述阵列基板和彩膜基板之间的封框胶内侧。

12.根据权利要求1~5任一项所述的液晶面板，其特征在于，所述液晶面板为ADS型。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1~12任一项所述的液晶面板。

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