CN103018650B - 一种晶圆检测系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种晶圆检测系统，其包括探针台、探针卡、测试机、摄像机、光源及控制器。所述探针台通过承片台固定待测晶圆，并对该待测晶圆执行对准、定位操作，使探针卡上的探针对准所述待测晶圆。所述测试机通过电缆线连接探针卡。所述摄像机和光源均设置在探针台内部，并固定安装在所述待测晶圆上方。所述控制器通过电缆连接摄像机和光源。本发明能够对熔丝是否烧断进行检测，提高了晶圆检测的准确率，降低封装成本。

Description

一种晶圆检测系统
技术领域
本发明涉及半导体检测领域，尤其涉及一种晶圆检测系统。
背景技术
半导体器件中广泛运用熔丝（fuse）元件。例如动态随机存储器的半导体存储器元件中运用了多个熔丝元件。每个熔丝元件都包括可选择性地切断的熔丝，以便选择性性地将熔丝元件自其余的电路分离。有时将切断熔丝的过程称为熔丝的烧断。在晶圆检测中，往往需要检测在测试机施加一定的电压和电流时，熔丝是否能够烧断，从而使晶圆的电阻值和频率值达到理想范围，保证芯片的正常工作。当测试机检测到晶圆的电阻值不在理想范围需要烧断熔丝时，将向晶圆供应大的电压和大的电流完成熔丝的烧断，但是，由于熔丝的质量参差不齐、测试机的性能不稳定等问题，有时候熔丝并不一定能够烧断，而传统的晶圆检测系统又无法对熔丝的烧断情况进行检测，这样将造成误判，使得一些存在瑕疵的芯片通过检测，导致对晶圆进行集成电路封装之后，产品不可用，在实际应用中造成不可估量的损失。
发明内容
针对上述技术问题，本发明的目的在于提供一种晶圆检测系统，其能够对熔丝是否烧断进行检测，提高了晶圆检测的准确率，降低生产成本。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种晶圆检测系统，其包括：探针台、探针卡、测试机、摄像机、光源及控制器；所述探针台通过承片台固定待测晶圆，并对该待测晶圆执行对准、定位操作，使探针卡上的探针对准所述待测晶圆；其中，所述测试机通过电缆线连接探针卡，用于根据晶圆的电阻值和频率的需要，向待测晶圆输出熔丝的烧断电压和烧断电流，并对待测晶圆反馈的数据进行处理；所述摄像机和光源均设置在探针台内部，并固定安装在所述待测晶圆上方，用于在测试机对待测晶圆输出熔丝的烧断电压和烧断电流后，获取所述待测晶圆的熔丝图像信息，并输出给控制器；所述控制器通过电缆连接摄像机和光源，用于将收到的所述熔丝图像信息与该熔丝烧断状态的样本图像进行比对，判断熔丝是否烧断，完成对熔丝的烧断检测。
特别地，所述摄像机为高清摄像机。
特别地，所述光源为亮度可调光源，通过控制器对其亮度进行控制。
与传统晶圆检测系统相比，本发明能够通过摄像、光源及控制器的相互配合完成对待测晶圆中的熔丝是否烧断进行检测，可避免因测试机测试问题造成误判，从而减少封装不良的数量，降低封装成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的晶圆检测系统结构图；
图2为本发明实施例提供的摄像机与晶圆的位置关系示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
请参照图1所示，图1为本发明实施例提供的晶圆检测系统结构图。
本实施例中晶圆检测系统包括：探针台101、探针卡102、测试机103、摄像机104、光源105及控制器106。
所述探针台101通过承片台固定待测晶圆，并对该待测晶圆执行对准、定位操作，使探针卡102上的探针对准所述待测晶圆。
探针台101提供晶圆的自动上下片、找中心、对准、定位以及按照设置的步距移动晶圆的功能，以使探针卡102上的探针对准待测晶圆的检测位置进行检测。
所述测试机103通过电缆线连接探针卡102，用于根据晶圆的电阻值和频率的需要，向待测晶圆输出熔丝的烧断电压和烧断电流，并对待测晶圆反馈的数据进行处理。
在检测过程中，测试机103可作为电压源或电流源并能对输出的电压电流进行测量，并通过其内部的处理芯片对待测晶圆反馈的数据进行处理，完成晶圆的等级分类、数据储存、故障诊断等操作。测试机103根据晶圆的电阻值和频率的需要，通过探针卡102将熔丝的烧断电压和烧断电流输出给晶圆，对晶圆进行测试，按照测试结果分类。
所述摄像机104和光源105均设置在探针台101内部，并固定安装在所述待测晶圆上方，用于在测试机103对待测晶圆输出熔丝的烧断电压和烧断电流后，获取所述待测晶圆的熔丝图像信息，并输出给控制器106。
如图2所述，图2为本发明实施例提供的摄像机与晶圆的位置关系示意图。所述摄像机104和光源105均设置在探针台101内部，并固定安装在待测晶圆201上方。本实施例中所述摄像机104选用高清摄像机104，所述高清摄像机104是指可以高质量、高清晰影像，拍摄出来的画面可以达到720线逐行扫描方式、分辨率1280*720，或到达1080线隔行扫描方式、分辨率1920*1080的数码摄像机104。所述光源105选用亮度可调光源105，控制器106根据摄像机104输入的熔丝图像信息的清晰度，适当调节光源105的亮度，使摄像机104拍摄出高质量的熔丝图像。
所述控制器106通过电缆连接摄像机104和光源105，用于将收到的所述熔丝图像信息与该熔丝烧断状态的样本图像进行比对，判断熔丝是否烧断，完成对熔丝的烧断检测。
本实施例中所述控制器106选用计算机。通过控制器106可以对摄像机104的拍摄频率等参数进行控制。在对待测晶圆进行检测时，首先要将该待测晶圆中熔丝烧断状态下的图像存入存储器中，作为熔丝烧断状态的样本图像，当摄像机104将待测晶圆的熔丝图像信息传入控制器106后，控制器106将把所述熔丝图像信息与存储的熔丝烧断状态的样本图像进行比对，根据相似度判断熔丝是否烧断，完成对熔丝的烧断检测。
本发明的技术方案能够通过摄像、光源及控制器的相互配合完成对待测晶圆中的熔丝是否烧断进行检测，可避免因测试机测试问题造成误判，从而减少封装不良的数量，降低封装成本。
上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (2)

1.一种晶圆检测系统，其特征在于，包括：探针台、探针卡、测试机、摄像机、光源及控制器；其中，所述探针台通过承片台固定待测晶圆，并对该待测晶圆执行对准、定位操作，使探针卡上的探针对准所述待测晶圆；所述测试机通过电缆线连接探针卡，用于根据晶圆的电阻值和频率的需要，向待测晶圆输出熔丝的烧断电压和烧断电流，并对待测晶圆反馈的数据进行处理；所述摄像机和光源均设置在探针台内部，并固定安装在所述待测晶圆上方，用于在测试机对待测晶圆输出熔丝的烧断电压和烧断电流后，获取所述待测晶圆的熔丝图像信息，并输出给控制器；所述控制器通过电缆连接摄像机和光源，用于对所述摄像机的拍摄频率进行控制，并将收到的所述熔丝图像信息与该熔丝烧断状态的样本图像进行比对，判断熔丝是否烧断，完成对熔丝的烧断检测；所述光源为亮度可调光源，通过所述控制器对所述光源的亮度进行控制。
2.根据权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述摄像机为高清摄像机。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103424681B (zh) * 2013-09-03 2016-04-27 苏州创瑞机电科技有限公司 Cmos晶圆自动测试直针自动测试插座
CN107544010B (zh) * 2016-06-28 2020-05-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试设备及测试方法
CN107817386A (zh) * 2017-09-15 2018-03-20 北方电子研究院安徽有限公司 一种ccd晶圆绝缘电阻测试装置
CN108100991A (zh) * 2017-11-29 2018-06-01 北京航天控制仪器研究所 一种mems空气流量计晶圆上芯片质量检测方法、装置及系统
CN110504000B (zh) * 2019-08-26 2021-04-13 上海华力集成电路制造有限公司 晶圆级测试用测试机识别探针卡信息的方法
CN112684224A (zh) * 2020-12-29 2021-04-20 无锡圆方半导体测试有限公司 一种高效预防芯片焊点扎针偏移的方法及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1873830A (zh) * 2005-05-31 2006-12-06 恩益禧电子股份有限公司 熔丝切断测试电路、熔丝切断测试方法以及半导体电路
CN101657893A (zh) * 2007-04-25 2010-02-24 株式会社Snu精密 半导体晶圆的异物检测和修复系统及其方法
CN102053093A (zh) * 2010-11-08 2011-05-11 北京大学深圳研究生院 一种晶圆表面切割芯片的表面缺陷检测方法
CN102486521A (zh) * 2010-12-02 2012-06-06 京元电子股份有限公司 晶圆检测系统

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5988332A (ja) * 1982-11-08 1984-05-22 Fujitsu Ltd フオト・マスク基板の再生方法
US20080170228A1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for wafer level calibration of imaging sensors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1873830A (zh) * 2005-05-31 2006-12-06 恩益禧电子股份有限公司 熔丝切断测试电路、熔丝切断测试方法以及半导体电路
CN101657893A (zh) * 2007-04-25 2010-02-24 株式会社Snu精密 半导体晶圆的异物检测和修复系统及其方法
CN102053093A (zh) * 2010-11-08 2011-05-11 北京大学深圳研究生院 一种晶圆表面切割芯片的表面缺陷检测方法
CN102486521A (zh) * 2010-12-02 2012-06-06 京元电子股份有限公司 晶圆检测系统

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