CN103007856B - 用于微反应器的绝热的方法及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于微反应器绝热的方法及设备。本发明提供了一种微流控设备(104),包括:‑半导体衬底;‑在所述半导体衬底中的至少一个微反应器(105);‑在所述半导体衬底中连接至所述至少一个微反应器(105)的一个或多个微流控通道(101);‑结合至所述半导体衬底(900)以便密封所述一个或多个微流控通道(101)的覆盖层(106);以及‑围绕所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)的至少一个贯通衬底的沟(100)。
Description
技术领域
本发明涉及微芯片上的微结构的热属性。更具体地,本发明涉及微芯片上的微反应器的绝热以及其制造方法。
背景技术
微反应器,也称作微结构反应器或者微通道反应器,是这样一种设备,其中化学反应发生在横向尺寸通常为几毫米或更小的界限内。微反应器是微观尺寸空腔,它们以基于加热器和温度计来控制其温度的系统为特色,其中可任选地将加热器和温度计集成到该微反应器自身之中。微反应器提供许多超越传统称量反应器的优势,包括在能效、反应速度和产量、安全性、可靠性、可称量性、现场生产/按需生产、更加精细的工艺控制程度以及减少反应物的消耗方面的巨大改进。
微反应器制造在多个衬底上,因此优选绝热衬底。然而,在某些情况下必须和其它流控或非流控组件一起制造微反应器,其中流控或非流控组件优选用硅制造。然而,硅是一种具有高导热性的材料。不管芯片上的微反应器是独立微反应器或者它们是微反应器阵列的一部分(例如,用以并行分析各种目标),重要的是,增大微反应器内的温度不受附近的组件或微反应器影响或不受附近的组件或微反应器限制。除了在微反应器中发生的放热反应,期望最小化用以升高微反应器中温度的功率。
由此可以得出结论,为了最小化用以升高微反应器中温度所必须的功率以及避免加热附近的组件,微反应器的绝热是必须的。
Cathy Ke等人在Sensor and Actuators B(传感器和传动器B)120(2007)第538-541页题为“Single step cell lysis/PCR detection of Escherichia coli in anindependently controllable silicon microreactor(单步细胞裂解/可独立控制的硅微反应器中大肠杆菌的PCR检测)”的文章中描述了一种微反应器,该微反应器被设计并建模以检验诸如温度均匀性、功耗、加热和冷却速率的热属性。微反应器包括围绕反应腔的蚀刻出的绝热通道,该绝热通道提供了与周围硅衬底的隔绝。该通道改进了热性能。从通过衬底的寄生散热的角度而言,反应腔的深度等于蚀刻出的绝热通道的深度,从而使得微反应器的热属性并不适当。
Ali Kozar等人在International Journal of Heat and Mass Transfer(国际传热与传质杂志)48(2005)第4867-4886页题名为“Boiling heat transfer in rectangularmicrochannels with reentrant cavities(带凹腔矩形微通道中的沸腾换热)”的文章中描述了在带凹腔的流通微通道中所进行的沸腾换热实验。在硅衬底中邻近微流控通道的阵列处,蚀刻出隔绝腔。在阳极结合之前蚀刻出晶片全深度的隔绝沟。由于绝热沟使得微反应器支撑薄弱,该制造过程对于隔绝微反应器而言并不现实。
Zhang等人在2002年2月的Journal of Microelectromechanical Systems(微机电系统杂志)11卷1号中题名为“Measurements and Modeling of Two-PhaseFlow inMicrochannels With Nearly Constant Heat Flux Boundary Conditions(有近恒热流边界条件的微通道中的两相流的测量和建模)”的文章中记载了在两端附连到硅板以便绝热的2cm长的梁。由于全深度的绝热蚀刻是在将晶片安装到带有光刻胶的支撑晶片之后进行的,因此需要附加的步骤。包括该梁的设备芯片接下来被阳极结合到Pyrex。对于该种阳极结合,必须要移除支撑晶片以避免光刻胶的碳化或者可能使用的其它任意类型的粘结剂的劣化。弊端在于制造该设备的方法面临处理被穿孔的晶片的问题。此外,所描述的方法无法在不破坏设备的机械鲁棒性的情况下允许有复杂的绝热沟几何图形。
可以作出结论的是明显需要在微芯片上的绝热设备,诸如微反应器。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供在微芯片上的绝热设备(诸如微反应器)及其制造方法。
以上目的由根据本发明的方法和设备来实现。
在第一方面,本发明提供一种微流控设备,包括:
-半导体衬底,例如硅衬底,例如有生物相容性的半导体衬底;
-在所述半导体衬底中的至少一个微反应器;
-在所述半导体衬底中连接至所述至少一个微反应器的一个或多个微流控通道;
-结合至所述半导体衬底以便密封所述一个或多个微流控通道的覆盖层;以及
-围绕所述至少一个微反应器和所述一个或多个微流控通道的至少一个贯通衬底的沟。可以通过在整个衬底厚度上局部地去除所有衬底材料来制造所述沟。所述沟可以尽可能完整地围绕所述至少一个微反应器,例如,仅留下供微流控通道连接至微反应器所需的空间。
本发明实施例的优势在于,尽管微反应器和微流控通道被设置在导热半导体衬底中,由于贯通衬底的沟的存在,微反应器以及一个或多个微流控通道热隔绝于载有其它组件的该衬底的剩余部分。
在本发明的实施例中,一个或多个微流控通道可以部分地或者多次地围着该微反应器缠绕。这增大了绝热性,因为微反应器的绝热性取决于微流控通道的长度。围着微反应器缠绕的通道比同样长度的直通道能提供更佳的绝热性/耗用面积之比。
根据本发明实施例的微流控设备可以进一步包括用于加热或冷却所述至少一个微反应器的装置。
根据本发明的实施例,贯通衬底的沟可以是气隙。空气仍是公知的良好绝热体。根据本发明的替代实施例,贯通衬底的沟可以填充有绝热材料。
在根据本发明实施例的微流控设备中,诸如Pyrex晶片这样的密封覆盖层可以被阳极结合到半导体衬底以便密封住这微流控通道。或者,覆盖层例如可以粘结性地结合或熔合到半导体衬底。
在另一方面,本发明提供微流控系统,该微流控系统包括根据本发明第一方面实施例的微流控设备的阵列。根据本发明实施例的微流控系统可以进一步包括用以控制多个微反应器的温度的温度控制系统。
根据本发明实施例的微流控系统可以进一步包括一个或多个阀门、泵和/或检测器。
在另一方面,本发明提供了制造该微流控设备的方法。该方法包括:
-提供具有前侧和后侧的半导体衬底(例如,硅衬底);
-在所述半导体衬底中提供至少一个微反应器;
-在所述半导体衬底的前侧提供连接至所述至少一个微反应器的一个或多个微流控通道;
-通过使覆盖层(例如,Pyrex层的阳极结合)结合到所述半导体衬底的前侧来密封所述微流控通道;以及
-随后,从半导体衬底的后侧提供至少部分蚀刻,用以形成基本完全围绕所述至少一个微反应器和一个或多个微流控通道的至少一个贯通衬底的沟。
通过仅在用覆盖层密封微流控通道之后提供贯通衬底的沟,在进一步的工艺过程中将被处理的设备的机械鲁棒性得以增强,由此变得有可能用标准自动化机器来处理该设备。
在本发明的实施例中,从半导体衬底的后侧提供至少部分蚀刻用以形成至少一个贯通衬底的沟的步骤可包括从半导体衬底的后侧完整地形成沟。在替代的实施例中,从半导体衬底的后侧提供至少部分蚀刻用以形成至少一个贯通衬底的沟的步骤可包括从半导体衬底的前侧部分地形成沟且从半导体衬底的后侧部分地形成沟。在该实施例中,在半导体衬底中从半导体衬底前侧(将要提供沟的地方)提供第一结构,接着在结合覆盖层之后从半导体衬底的后侧形成贯通衬底的沟的剩余部分。
提供微流控通道的步骤可包括提供部分地或者多次地围着该微反应器缠绕的微流控通道。
根据本发明实施例的方法可以进一步包括提供用于加热或冷却所述微反应器的装置。
在根据本发明实施例的方法中,从半导体衬底的后侧提供贯通衬底的沟的步骤可包括研磨半导体衬底并执行后侧光刻,以及图案化并蚀刻所述贯通衬底的沟。
本发明实施例的优势在于,在最小化从这些绝热微反应器向微芯片上其它组件散热的同时保持该设备充分的鲁棒度。
本发明的特定和优选方面在所附独立和从属权利要求中阐述。从属权利要求中的技术特征可以与独立权利要求的技术特征相结合或适宜地与其他从属权利要求中的技术特征相结合,而不仅仅是其在权利要求中明确阐明的那样。
为了简述本发明以及相对于现有技术而实现的优势,本文已经如上描述了本发明的特定目的和优势。当然,可理解的是根据本发明的任何特定实施例并不是必定要实现本发明的所有这些目的或优势。因此,例如,本领域技术人员将理解,本发明可用这样的方式体现或实现:实现或优化如此处教导的一项优势或一组优势,而不必要实现如此处可被教导或建议的其他目的或优势。
根据下文描述的实施例本发明的这些和其他方面将显而易见,并且本发明的这些和其他方面将参照下文描述的实施例得以说明。
附图说明
现将参照附图通过示例进一步描述本发明,其中:
图1示出根据本发明用于DNA扩增的实施例的芯片实验室的实现。
图2是根据本发明第一实施例的微流控设备的3D视图。
图3示出图2中微流控设备的俯视图。
图4是根据本发明第二实施例的微流控设备的3D视图。
图5示出图4中微流控设备的俯视图。
图6、图7和图8分别是根据本发明第三实施例的微流控设备的俯视图、横截面视图和3D视图。
图9示出根据本发明第一方法实施例创建绝热结构的不同工艺步骤。
图10示出根据本发明第二方法实施例创建绝热结构的不同工艺步骤。
图11示出根据本发明实施例隔绝的微反应器中的温度变化图。
图12示出根据本发明实施例的微反应器和微芯片中的温度差。
附图只是示意性的而非限制性的。在附图中,出于说明目的,可以放大且不按比例地绘出某些元件的尺寸。尺寸和相对尺寸并不必然对应于对本发明实践的实际修正简化。
权利要求中的任何参考标记不应被认为限制范围。
在不同附图中,相同参考标记涉及相同或相似的元件。
具体实施方式
虽然将关于具体实施例并参考特定附图来描述本发明,但是本发明不受限于此而仅由权利要求来限定。
此外,在说明书和权利要求书中术语第一、第二等被用于在类似元件间加以区别,而非必须描述时间、空间上在排序上的次序或以任何其他方式表示的次序。应该理解如此使用的这些术语在合适环境下可以互换,并且在此描述的本发明的实施例能够以本文描述或图示以外的其它次序来实施。
另外,说明书和权利要求书中的术语“顶部”、“之下”等是出于描述的目的而被使用的,其并不必须用以描述相对位置。应该理解如此使用的这些术语在合适环境下可以互换,并且在此描述的本发明的实施例能够以此处所描述或图示以外的其他取向来实施。
要注意的是在权利要求中所使用的术语“包括”不应该被解释为受限于下文所列的方式,其并不排除其他元件或步骤。因此其应被解释为规定所涉及的所陈述的特征、数字、步骤或组件的存在,但并不排除一个或多个其他特征、数字、步骤或组件或其组合的存在。因此,表述“包括装置A和B的设备”的范围不应被限制为仅包括组件A和B的设备。它意味着有关本发明,设备中相关的组件仅是A和B。
整个说明书中对“一个实施例”或“实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。因此,在整个说明书各处出现的短语“在一个实施例中”和“在实施例中”不一定都指同一个实施例,不过有可能。此外,可以按本公开中对本领域技术人员而言显而易见的任何合适方式组合一个或多个实施例中的特定特征、结构或特性。
类似地,应理解,在本发明的示例性实施例的描述中,出于有效阐明本公开并帮助理解各创新性方面的一个或多个方面的目的,本发明的各种特征有时被集合到单个实施例、附图、或描述中。然而,此公开方法不应被解释为反映这样一种意图:相比各权利要求中明确陈述的,所要求保护的发明需要更多特征。当然,如下面的权利要求所反映的,本发明的方面在于少于上述单个所公开的实施例的所有特征。从而,据此将详细描述之后的权利要求直接地结合进详细描述中,其中每个权利要求独立地代表本发明的一个单独的实施例。
此外,尽管此处描述的一些实施例包括其他实施例中所包括的一些特征但没有其他实施例中包括的其他特征,不同实施例的特征的组合意图落在本发明的范围内,并且形成将按本领域技术人员理解的不同实施例。例如,在之后的权利要求中,所要求保护的实施例中的任意内容可被应用在任意组合中。
应该注意的是,在描述本发明的特定特征或方面时所使用的特定术语不应该被认为是暗示了该术语是此处被重新定义来限制为包括与本术语相关联的本发明的特征或方面的任何特定特性。
在此处提供的描述中,阐明了数量众多的具体细节。然而,可理解的是本发明的实施例可没有这些具体细节而被实践。在其他实例中,为了不妨碍对于本说明书的理解,没有被详细地示出众所周知的方法、结构、和技术。
A.引言
单核苷酸多态性(SNP)是单单一个核苷酸的DNA序列中的差异。SNP会导致人体对药物的反应以及是否易于生病的体质各不相同,因此有成本效益且高效的SNP检测在个性化医疗保健中起着重要的作用。为了快速、灵敏且有高度特异性的SNP检测,使用芯片实验室(LOC)系统。图1中示出了该种芯片实验室系统299及其功能的代表示例。芯片实验室系统299包括反应室300以及用于执行微流控功能的其它组件,该其它组件诸如例如非穷尽性地是待检查液体(诸如例如是血液)储存器307,反应物储存器308,废物储存器309,自储存器307、308向微流控通道泵送液体的泵306,用于混合例如为待检查液体和反应物的混合器304,微流控系统中不同位置处的阀门305,流动相303和分离柱302(该流动相303和分离柱302一起形成芯片上高性能液相色谱法单个系统),用以检测待检查液体特征的检测器301。如根据本发明的实施例的图1中所见,出于导热目的,全深度绝热沟310将微反应室300和其它组件分隔开。这是因为就以下方面而言期望使微反应室300与芯片剩余部分绝热:仅加热例如必须发生PCR的位置,而不引起其他位置发生反应或者不损害例如检测器这样的温度敏感组件。另一方面,如果微反应室300对芯片剩余部分绝热,则加热反应室所需功率更低,且加热时间更快。弊端在于,由于绝热导致了冷却时间更慢,由此可能需要提供冷却装置。
在如同图1顶部所示的本发明的实施例中,每个微反应器300可单独地被绝热沟围绕。或者,如同图1底部所示,通过共同的绝热沟将多个微反应器300与其它组件分隔开。在单个芯片上,可以同时应用这两种实施方式,即,通过绝热沟310单独地围绕至少一个微反应器300,同时在该芯片的其它位置,共同的绝热沟310包绕多个微反应器300。
图1中的芯片实验室系统主要由制造在相同芯片上的基于半导体(例如,基于硅)的组件组成,但是可以单独制造并稍后装配阀门、泵和检测器。从生物适应性角度而言,硅作为半导体衬底材料特别有利。此外,由于Si是具有公知属性的材料且其加工技术非常先进,使用Si是有利的。在本发明的实施例中引入了改进的制造基于半导体(例如,基于Si)的组件的方法,并且展现了芯片的关键元件的表征过程:例如,可进行DNA扩增的微反应器。
B.根据本发明实施例的绝热结构
图1示意性示出可用于复数SNP检测的芯片实验室系统。例如血液的待检查流体和反应物被装载在适宜的储存室307、308中;两个泵306推动它们经过混合器304进入微反应器300,在此可发生DNA扩增(PCR)。作为一个例子,数个(N个)片段被扩增,这些片段具有限定良好的长度且包含可能有SNP的序列。该流体接着被送至例如由多个半导体(例如,硅)柱制成的过滤器302,这些半导体柱具有预定的柱间距(例如1-2um)。因此,N个DNA组份根据高性能液相色谱法的原理在空间上被分隔开并且被各自传递给检测SNP的存在性的专用检测器301。
本发明实施例的目的在于减少从微反应器300到微芯片上的周围组件的散热。
在图1示出的实施例中,从发生DNA扩增的微反应器300中散热。散出的热量可影响微芯片上的周围组件或者可影响其它微反应器300(如果在相同的芯片上使用例如微反应器阵列的情况下)。
在本发明的第一方面,提出了一种微流控设备,该设备将微反应器(可加热的微结构)绝热于微芯片上的其它组件,同时保持该设备在结构上的机械鲁棒性。本发明提出一种技术,藉此创建基本围绕微反应器的贯通衬底的沟。所谓“基本围绕”是指该沟尽可能地覆盖微反应器的周围,例如,至少其50%、例如至少其75%、诸如至少其80%或者至少其90%。在理想的实施例中,贯通衬底的沟完全围绕该微反应器。然而,诸如对于一微反应器而言,在微流控通道连接至该微反应器用以向其输送液体以及从其排出液体所在的地方,如果需要提供到微反应器的通路,则贯通衬底的沟完全围绕该微反应器是不可能的。在该种情况下,除了建立到微反应器的连接的那个位置或那些位置以外,贯通衬底的沟例如凭借一个或多个微流控通道基本完全地围绕可加热的微反应器。
为了优化微反应器的绝热属性,根据本发明的实施例,在半导体衬底的全深度上创建该沟。所提出的发明不需要用以制造该贯通衬底的沟的载体晶片。与之相对,本发明在提供隔绝沟的全深度蚀刻之前提供半导体衬底(例如Si)到覆盖层(例如,Pyrex晶片)的阳极结合以便密封微流控通道,这有利于机械鲁棒性,允许更加复杂的绝热沟几何图形,并且能与作为硅技术中使用的大规模生产工具典型的自动化晶片处理系统相兼容。
图2和图3示出了本发明的第一实施例。
图2示出根据本发明实施例的微流控设备104的3D视图,而图3示出相同微流控设备104的俯视图。
微流控设备104被制造在半导体衬底(例如硅衬底)中并且包括微反应器105和连接至该微反应器105的至少一个微流控通道101。微反应器105包括形成微反应器105的腔102和半导体衬底壁103(例如硅壁)。微流控通道101同样被衬底壁103限定。全深度的沟100(即,完全贯通半导体衬底的沟)围绕微反应器105。全深度的沟100实现绝热间隙(空气)的目的。全深度的沟100确保微反应器105不与设在相同衬底上的微芯片剩余部分及其周围组件热连通。为了向微反应器105和从微反应器105传输液体,通道101连接至微反应器105的腔102。凭借全深度沟100将通道101与微芯片及其周围组件分隔开。本发明实施例的目的还在于减少微反应器105的热传导。为了进一步减少热传导,根据本发明的实施例,通道101至少部分地(即,部分地、完全地、甚至多次地)围着微反应器105缠绕。
图4和图5示出了本发明该种实施例的一个示例。图4示出一带有部分地围着微反应器105缠绕的微流控通道101的微流控设备104的3D视图,而图5示出相同微流控设备104的俯视图。在本发明的这些实施例中,通道101至少部分地围着该微反应器105缠绕以进一步地减少热传导。凭借全深度沟100(即,完全贯通半导体衬底的沟)将微反应器105与通道101分隔开,实现了绝热间隙的目的。绝热间隙是全深度的沟,从而确保了通道101和微反应器105通过导热固体材料非物理性地连接,并因此没有热连通。同样凭借全深度的沟100将通道101与微芯片的其它部件分隔开,这同样实现了绝热间隙的目的。因此,根据本发明的实施例,微反应器105和至少一个微流控通道101两者都被贯通衬底的沟100围绕。在图4和图5的实施例中,围绕微反应器105和微流控通道101两者的是单个连续的沟100。
图6和图7示出了本发明的另一实施例。图6和图7分别示出其中两个微流控通道101连接至微反应器105的微流控设备104的绝热方案示意的俯视图和横截面图。每个通道101部分地围着微反应器105缠绕。微反应器附连至两个通道101,用于向微反应器105和从微反应器105传输液体。在所示的实施例中,每一个通道101部分地围着微反应器缠绕以进一步减少热传导。
图7示出其中两个通道101连接至微反应器105的微反应器105的截面图。凭借全深度沟100将微反应器105和两个通道101相互隔绝,并且将微反应器105及两个通道101与微芯片上的其它周围组件隔绝。诸如微流控通道101和腔102的微流控组件被顶盖106密封,该顶盖例如是Pyrex盖或Schott玻璃33盖,或者其它材料(例如适于阳极结合的玻璃)的盖。从生物适应性角度而言,Pyrex作为形成顶盖的材料特别有利。图6示出绝热的微反应器105的俯视图。从图中显而易见的是,每一个通道101部分地围着微反应器105缠绕,即通道101并不描绘微反应器105的完整外周。
在本发明未以附图示出的实施例中,微反应器105连接至一个或多个通道,该一个或多个通道凭借全深度沟100相互隔绝并且完全地甚至多次地围着该微反应器105缠绕。
在例如图1所示的本发明的特定实施例中,多个微反应器300位于相同的微芯片上,藉此微反应器300以及它们所连接的微流控通道101通过全深度蚀刻隔绝沟310相互分隔开。该实施例的优势在于,由全深度沟提供的绝热能减少被隔绝的设备的热质,并因而允许快速的加热速率,以及在使用阵列形式时允许独立于邻近反应腔而控制单独的微反应器以预设热循环条件。虽然散热能力及由此而来的冷却能力会降低,但是这可以通过添加附加的冷却组件得以解决。
或者,多个微反应器300可以一起群集到单个隔绝沟310内,从而提供多个微反应器300和芯片剩余部分之间的绝热。该实施例的优势在于由全深度沟提供的绝热允许加热和/或冷却多个微反应器300而不会在同时显著地改变存在于周围的衬底中其它微流控组件的温度。
在本发明的特定实施例中,微反应器105、300还包括用于加热和/或冷却微反应器的装置。用于加热和/或冷却微反应器105、300的装置可以设置在腔102的底部。通过保护材料层(例如,氮化硅薄膜)保护该用于加热和/或冷却的装置不受生物材料影响。用于加热的装置可以是微加热器,例如铂微加热器。可以以电阻器的形式来提供加热器。用于冷却的装置可以是热电冷却器。
在本发明的特定实施例中,可以使用温度控制系统来控制微反应器的单独的加热或冷却装置。在本发明的实施例中,温度控制系统根据目标温度和实际腔温度向微反应器腔释放可变功率。当需要时,它还可以控制热电冷却器中的电流来提供冷却。
图8示出在图6中示出俯视图且在图7中示出横截面图的微流控设备104的3D视图。
在下一部分,将详细说明该种隔绝微反应器105的制造。
C.制造
在第二方面,本发明提供用于制造一包括至少一个绝热微反应器105以及一个或多个微流控通道101设备的方法。
制造包括三个主要部分:
1)例如通过蚀刻方式提供流控结构,该流控结构包括在半导体衬底中的至少一个微反应器以及一个或多个微流控通道,
2)通过将覆盖层(例如,Pyrex晶片)结合到半导体衬底的前侧来密封微流控结构,该结合例如是任何形式或阳极结合、使用适宜结合材料的粘结结合或熔合,以及
3)从衬底的后侧提供贯通衬底的沟,该沟基本完全围绕至少一个微反应器以及一个或多个微流控通道。
图9示出了根据本发明第一实施例流程图的示意。
a)提供半导体衬底900。该半导体衬底900具有前侧和后侧。在半导体衬底900的前侧的顶部上形成例如氧化物层的硬掩模层901,例如沉积具有一预定厚度(例如1000nm)的氧化物层。因为如果必须蚀刻深的结构则必须提供厚抗蚀剂层,而假如必须蚀刻小的CD那么提供厚的抗蚀剂层是不便的,所以该种硬掩模层优选于简单地使用抗蚀剂层。
b)微流控结构(具体而言为微反应器腔102并且可任选地为其它微结构)被限定在硬掩模901内。至此,在硬掩模层901顶部上提供抗蚀剂材料902(例如,人造棉织物),并且适宜地图案化该抗蚀剂材料。
c)使用有图案的抗蚀剂层902来蚀刻硬掩模层901,从而限定出用以蚀刻微流控结构的掩模。
d)在半导体衬底900中蚀刻诸如例如是腔102和微流控通道101的微流控结构。
e)剥落抗蚀剂材料902和硬掩模材料901,从而生产出带有精细微流控结构的半导体衬底900。
f)半导体衬底被结合(例如,阳极结合)到覆盖层903(例如,Pyrex覆盖层)用以密封该微流控结构。
g)可任选地从后侧研磨半导体衬底900。
h)提供例如人造棉织物的抗蚀剂材料层904到半导体衬底900的后侧,并且适宜地图案化该抗蚀剂材料层,用以形成用来限定贯通衬底的沟100的光刻掩模。
i)使用有图案的抗蚀剂层904从半导体衬底900的后侧蚀刻该贯通衬底的沟。
图10示出根据本发明第二实施例流程图的示意。
a)提供半导体衬底900。该半导体衬底900具有前侧和后侧。在半导体衬底900的前侧的顶部上形成例如氧化物层的硬掩模层901,例如沉积具有一预定厚度(例如1000nm)的氧化物层。
b)微流控结构(具体而言为微反应器腔102并且可任选地为其它微结构)被限定在硬掩模901中以及沟100的位置内。至此,在硬掩模层901顶部上提供抗蚀剂材料902(例如,人造棉织物),并且适宜地图案化该抗蚀剂材料。
c)使用有图案的抗蚀剂层902来蚀刻硬掩模层901,从而限定出用以蚀刻微流控结构以及沟100的一部分的掩模。
d)在半导体衬底900中蚀刻诸如例如是腔102和微流控通道101的微流控结构以及沟100的一部分。此刻,仅仅提供有限深度的沟100,例如提供和微流控结构相同的深度。微流控结构和沟100的一部分这两者可以在单个蚀刻步骤中提供。
e)剥落抗蚀剂材料902和硬掩模材料901,从而生产出带有精细微流控结构以及沟的一部分的半导体衬底900。
f)半导体衬底被结合(例如,阳极结合)到覆盖层903(例如,Pyrex覆盖层)用以密封该微流控结构。
g)可任选地从后侧研磨半导体衬底900。
h)提供例如人造棉织物的抗蚀剂材料层904到半导体衬底900的后侧,并且适宜地图案化该抗蚀剂材料层,用以形成用来限定贯通衬底的沟100的第二部分的光刻掩模。
i)使用有图案的抗蚀剂层904从半导体衬底900的后侧蚀刻该贯通衬底的沟100的第二部分。
本发明方法实施例的优势在于,半导体衬底900和覆盖晶片903之间的阳极结合是在完全提供该贯通衬底的沟100之前(因此或者在开始该贯通衬底的沟100的蚀刻之前,或者在该贯通衬底的沟100部分蚀刻之后)进行的。这不仅会增强机械强度及由此带来的设备的鲁棒性,还允许使用标准处理装备。如果全部孔都被设置成贯通该半导体衬底,则夹持到真空卡盘将变得不可能并且用机器手臂来加载/卸载晶片容易导致晶片破裂。
在本发明的特定实施例中,例如可以蚀刻提供贯通半导体衬底的样本入口和出口孔107。虽然在流程图中没有示出,但这些入口和出口孔107在图6中被示出。
D.特性
在本发明的上下文中,焦点放在微反应器105的热属性上。在图6至图8中示出了一个实施例的示意。
在特定实施例中,微反应器105由深约300μm的3μl腔102构成。虽然反应室对芯片剩余部分的高绝热显然极其重要,但是由于例如硅的半导体衬底材料的高导热性,现有技术中难以实现该高绝热。根据本发明的实施例,通过提供围绕微反应器105的贯通衬底的隔绝沟100,解决了该问题。可以在向微流控通道101打开微流控端口的同时进行制造隔绝沟100的蚀刻步骤。
多亏了至少部分在阳极结合之后进行沟100的蚀刻,有可能从沟100完全去除例如硅的半导体材料。通过对微反应器105的入口和出口使用长的绝热微通道101来进一步强化绝热。
在本发明的实施例中,为了减少所使用的半导体面积,根据本发明的实施例,微通道101围着微反应器105缠绕。通过实验结果得以确认本设计的效果:当微反应器105的温度接近100°C时,该芯片周围部分的温度仅仅比室温高几度。
本发明实施例的优势在于,由于围绕微反应器105和微流控通道101的全深度沟100的存在,可以确保微反应器中快速的温度循环。这允许在根据本发明实施例所示的微反应器中重复很多次例如图11所示的温度循环。
事实上,由于沟100引起的绝热,包括被实际加热的微反应器105的那片半导体衬底的热质减少(多亏了沟100,基本上仅微反应器105被加热,并且基本无周围衬底),这允许快速的温度循环。在本发明的实施例中,适宜的温度控制系统与多个微反应器105中的每一个结合着使用。因此,通过本发明的实施例研发了一种先进的热方案,并且展示出从68°C到98°C少于1.5秒的实验性加热时间以及从98°C到57°C少于2.5秒的冷却时间(见图11)。从图表中可见,根据本发明的实施例在仔细优化该热方案各种组件之后能够实现快速的微反应器温度循环。
图12示出根据本发明实施例的绝热方案的实验性结果。应该注意到,尽管微反应器(PCR)的温度渐增,微芯片(硅芯片)的温度增加并不正比于微反应器的温度增加。这证明凭借全深度沟的绝热间隙是优秀方案。
Claims (13)
1.一种微流控设备(104),所述设备包括:
半导体衬底(900);
在所述半导体衬底(900)中的至少一个微反应器(105);
在所述半导体衬底(900)中连接至所述至少一个微反应器(105)的一个或多个非贯通微流控通道(101);
结合至所述半导体衬底(900)以便密封所述一个或多个微流控通道(101)的覆盖层(106);以及
围绕所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)的至少一个贯通衬底的沟(100),所述围绕使得所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)彼此之间并且与所述微流控设备(104)的其它部分之间被所述至少一个贯通衬底的沟(100)分隔开,其中所述一个或多个微流控通道(101)部分地、完全地或者多次地围着所述微反应器(105)缠绕。
2.根据权利要求1所述的微流控设备(104),进一步包括用于加热或冷却所述微反应器的装置。
3.根据前述任意权利要求所述的微流控设备(104),其中所述贯通衬底的沟(100)是气隙。
4.根据权利要求1至2中任意一项权利要求所述的微流控设备(104),其中所述贯通衬底的沟(100)是用绝热材料填充的。
5.根据权利要求1至2中任意一项权利要求所述的微流控设备(104),其中所述覆盖层(106)被阳极结合至所述半导体衬底(900)。
6.根据权利要求1至2中任意一项权利要求所述的微流控设备(104),进一步包括用以控制所述至少一个微反应器(105)的温度的温度控制系统。
7.一种微流控系统,包括根据权利要求1至6中任意一项权利要求所述的微流控设备(104)的阵列。
8.根据权利要求7所述的微流控系统,进一步包括一个或多个阀门(305)、泵(306)和/或检测器(301)。
9.一种用于制造微流控设备(104)的方法,所述方法包括:
提供具有前侧和后侧的半导体衬底(900);
在所述半导体衬底(900)中提供至少一个微反应器(105);
在所述半导体衬底(900)的前侧提供连接至所述至少一个微反应器(105)的一个或多个非贯通微流控通道(101);
通过使覆盖层(903)结合到所述半导体衬底(900)的前侧来密封所述微流控通道(101);以及
随后,从所述半导体后侧提供至少部分蚀刻,用以形成围绕所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)的至少一个贯通衬底的沟(100),所述围绕使得所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)彼此之间并且与所述微流控设备(104)的其它部分之间被所述至少一个贯通衬底的沟(100)分隔开,
其中提供微流控通道(101)的步骤包括提供部分地、完全地或者多次地围着所述微反应器(105)缠绕的微流控通道(101)。
10.根据权利要求9所述的方法,其中从半导体后侧提供至少部分蚀刻用以形成至少一个贯通衬底的沟(100)的步骤包括从衬底(900)的后侧完整地形成沟(100)。
11.根据权利要求9所述的方法,其中从半导体后侧提供至少部分蚀刻用以形成至少一个贯通衬底的沟(100)的步骤包括从衬底(900)的前侧部分地形成沟(100)且从衬底(900)的后侧部分地形成沟(100)。
12.根据权利要求9至11中任意一项权利要求所述的方法,进一步包括提供用于加热或冷却所述微反应器(105)的装置。
13.根据权利要求9至11中任意一项权利要求所述的方法,其中从半导体后侧提供贯通衬底的沟(100)的步骤包括:
研磨半导体衬底(900)并进行后侧光刻,以及
图案化并蚀刻所述贯通衬底的沟(100)。
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