CN103001583B - 温度补偿方法及晶体振荡器 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种温度补偿方法及晶体振荡器，该晶体振荡器包括：晶体振荡电路单元、温度传感器单元、振荡控制单元、相对温度计算单元和温度补偿单元。温度传感器单元，测量晶体振荡电路单元的测量温度；相对温度计算单元，获取测量温度与基准温度的温度差值；温度补偿单元，从温度频率曲线中获取温度差值对应的温度补偿值；振荡控制单元，根据通信AFC装置跟踪的频率和温度补偿值生成频率控制信号以控制晶体振荡电路单元的频率工作在该跟踪频率上。本发明实施例中，通过获取测量温度与基准温度的温度差值，并根据温度差值和温度频率曲线的系数确定温度补偿值以控制晶体振荡电路单元的频率，从而以较低的成本获得较好的温度补偿结果。

Description

温度补偿方法及晶体振荡器

技术领域

本发明实施例涉及电子器件技术领域，并且更具体地，涉及一种温度补偿方法及晶体振荡器。

背景技术

现有的一种温度补充振荡器系统方案，由晶体振荡器模块、温度传感器模块、温度补偿处理模块以及振荡器控制模块组成。其中晶体振荡器模块由振荡器模块和石英晶体（crystal）组成。

在石英晶体附近的温度传感器模块中，负温度系数的热敏电阻感知温度变化，转换成电压信号，然后在温度传感器模块中转换成数字信号；数字形式的温度信号输入给温度补偿模块，温度补偿模块根据晶体振荡器模块的温度-频率曲线，转换成控制信号，和通信系统需要的自动频率控制信号一起，输入振荡器控制模块，控制晶体振荡器的震荡频率。由晶体振荡器模块、温度传感器模块、温度补偿处理模块以及振荡器控制模块组成了一个完整的数字控制晶体振荡器（DCXO）。

现有数字控制晶体振荡器正常工作时，需要保证温度传感器的温度测量值准确，且温度补偿处理模块中的温度频率曲线正确，这样温度补偿处理模块才能输出正确的频率补偿值。然而在大规模应用中，各个温度传感器具有离散性，且晶体振荡器的温度频率曲线也存在离散性，需要对它们进行校准，这种在宽温度范围内的校准对大规模生产时的时间和生产成本有重大影响。

发明内容

本发明实施例提供一种温度补偿方法及晶体振荡器，能够减少温度补偿校准的成本。

第一方面，提供了一种晶体振荡器，该晶体振荡器包括：晶体振荡电路单元、温度传感器单元、振荡控制单元、相对温度计算单元和温度补偿单元。其中，该温度传感器单元，用于测量该晶体振荡电路单元的测量温度；该相对温度计算单元，用于获取该测量温度与基准温度的温度差值，该基准温度为该晶体振荡电路单元在常温下的测量值；温度补偿单元，用于从温度频率曲线中获取该温度差值对应的温度补偿值；该振荡控制单元，用于根据通信自适应频率控制AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值，生成频率控制信号，并用该频率控制信号控制该晶体振荡电路单元的振荡频率工作在该通信AFC装置跟踪的频率上。

在第一种可能的实现方式中，结合第一方面，具体实现为：该振荡控制单元具体用于根据该AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值对应的频率确定AFC控制值，并根据该AFC控制值与该温度补偿值生成该频率控制信号。

在第二种可能的实现方式中，结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，还包括：样本获取单元，用于当该晶体振荡电路单元的振荡频率，稳定工作在该通信AFC装置跟踪的频率上时，则采集该测量温度或该温度差值作为样本的温度参数，采集该频率控制信号或该通信AFC装置跟踪的频率作为该样本的频率参数；校准单元，用于根据该样本获取单元多次采集的样本，校准该温度频率曲线的系数。

在第三种可能的实现方式中，结合第一方面的第二种可能的实现方式，具体实现为：该校准单元具体通过最小二乘法对该样本获取单元多次采集的样本进行拟合，以校准该温度频率曲线的系数。

第二方面，提出了一种温度补偿方法，该方法包括：通过温度传感器测量晶体振荡电路的测量温度；获取该测量温度与基准温度的温度差值，该基准温度为该晶体振荡电路在常温下的测量值；从温度频率曲线中获取该温度差值对应的温度补偿值；根据通信自适应频率控制AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值，生成频率控制信号，并用该频率控制信号用于控制晶体振荡电路的振荡频率工作在该通信AFC装置跟踪的频率上。

在第一种可能的实现方式中，结合第二方面，根据通信自适应频率控制AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值生成频率控制信号具体实现为：根据该AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值对应的频率确定AFC控制值；根据该AFC控制值与该温度补偿值生成该频率控制信号。

在第二种可能的实现方式中，结合第二方面或第二方面的第一种可能的实现方式，该方法还包括：如果该晶体振荡电路的振荡频率稳定工作在该通信AFC装置跟踪的频率上，则采集该测量温度或该温度差值作为样本的温度参数，采集该频率控制信号或该AFC装置跟踪的频率作为该样本的频率参数；根据多次采集的样本，校准该温度频率曲线的系数。

在第三种可能的实现方式中，结合第二方面的第二种可能的实现方式，根据多次采集的样本校准温度频率曲线的系数具体实现为：通过最小二乘法对该样本获取单元多次采集的样本进行拟合，以校准该温度频率曲线的系数。

基于以上技术方案，本发明实施例温度补偿的方法及晶体振荡器，通过获取温度传感器的测量温度与基准温度的温度差值，并根据温度差值和温度频率曲线的系数确定温度补偿值以控制晶体振荡电路单元的振荡频率，从而以较低的成本实现一定精度的温度补偿结果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例晶体振荡器的结构示意图。

图2是本发明实施例温度频率曲线示意图。

图3是本发明实施例温度补偿方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明实施例晶体振荡器100的结构示意图。晶体振荡器100可包括晶体振荡电路单元101、温度传感器单元102、相对温度计算单元103、温度补偿单元104和振荡控制单元105。

温度传感器单元102，可测量晶体振荡电路单元101的测量温度。本发明实施例中，温度传感器的测量温度，可以是一个电压信号，或者是数字信号，代表一个温度值。

相对温度计算单元103，可用于获取该测量温度与基准温度的温度差值。其中，该基准温度为该晶体振荡电路单元在常温下的测量值。本发明实施例所提到的常温，是指产品线常规测试环境下的温度，具体地，可以是在25°C上下波动的一个范围内的温度，而不是通常意义所指的25°C。例如，可以是20°C~30°C。当然，也还可以是更大范围内的一个温度，本发明在此不作限制。

温度补偿单元104，用于从温度频率曲线中获取该温度差值对应的温度补偿值。其中，该温度补偿值为该温度差值所对应的施加在振荡控制单元105的控制信号的控制值。

振荡控制单元105，用于根据通信自适应频率控制AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值，生成频率控制信号，并用该频率控制信号用于控制该晶体振荡电路单元101的振荡频率工作在该通信AFC装置跟踪的频率上。

本发明实施例中，晶体振荡器100通过获取温度传感器的测量温度与基准温度的温度差值，并根据该温度差值和温度频率曲线的系数确定温度补偿值以控制晶体振荡电路单元的振荡频率，从而以较低的成本实现一定精度的温度补偿结果。

本发明实施例的晶体振荡器100所采用的技术方案，可以应用于多种晶体振荡器中，例如，数字控制晶体振荡器中、电压控制晶体振荡器等等，本发明在此不作限制。

进一步地，振荡控制单元105具体可根据该AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值对应的频率确定AFC控制值，并根据该AFC控制值与该温度补偿值生成该频率控制信号。

本发明实施例中，该AFC控制值根据晶体振荡器类型的不同有不同的表现形式。例如，在数字控制晶体振荡器中，该AFC控制值可以是一个数值信号；在电压控制晶体振荡器，该AFC控制值可以是一个电压值，等等。虽然AFC控制值的表现形式不同，但用途基本相同，都是用于与温度补偿值一起生成频率控制信号以控制振荡电路的频率。

本发明实施例中，晶体振荡器100的晶体频率与温度的变化关系可用一个温度-频率曲线表示。图2是本发明实施例同一批次20片的标准封装晶体振荡器（SPXO）的测量结果的温度频率曲线示意图。在图2中，以25°C时为基准，测量工作温度范围内的振荡频率变化情况。在图2中，在图2的温度频率曲线中，横轴表示温度，单位为摄氏度（°C），纵轴为频率偏差，单位为百万分之一（ppm）。例如，一个10MHz的频率，偏移2ppm，则表示偏移2Hz。当然，温度频率曲线还有其它的表现形式，例如，横轴表示温度，纵轴表示频率，本发明在此不做限制。

晶体振荡器100的温度频率曲线可以用三次多项式表示，如下所示：

$\mathrm{FT}\left(T\right)=\frac{\mathrm{\Δf}}{f_0}\left(T\right)=a3\·{(T-T_0)}^3+a2\·{(T-T_0)}^2+a1\·(T-T_0)+a0---\left(1\right)$

其中，T₀为基准温度，T为实际温度，a0、a1、a2、a3是多项式的系数。由于晶体以及相关振荡电路的离散性，每个晶体振荡器的多项式的各阶系数都不同。

假设任意一个温度T_c，则上述公式可转化为:

$\mathrm{FT}\left(T\right)=\frac{\mathrm{\Δf}}{f_0}\left(T\right)=a3\·{(T-T_c+T_c-T_0)}^3+a2\·{(T-T_c+T_c-T_0)}^2+a1\·(T-T_c+T_c-T_0)+a0$

$=a3\·[{(T-T_c)}^3+3\·{(T-T_c)}^2+3\·(T-T_c)+1]+a2\·[{(T-T_c)}^2+2\·(T_c-T_0)+1]$

$+a1\·[(T-T_c)+(T_c-T_0)]+a0$

$=a3\·{(T-T_c)}^3+(3\·a3+a2){(T-T_c)}^2+(3\·a3+2\·a2+a1)(T-T_c)$

$+a3+a2+a1\·(T_c-T_0)+a0$

也就是说，晶体振荡器100的晶体频率的温度变化，可用温度T与任意温度之差的三次多项式表示。换句话说，基准温度T₀，可以在晶体振荡器允许的温度范围内取值。

不可避免的，T和它的测量值之间有误差。T和它的测量值之间可以使用多项式表示。但由于该多项式的高次项系数非常小，对该多项式的取值影响很小，为分析方便，可简化为线性关系，如公式（2）所示：

$T\≈k(\hat{T}-\mathrm{\ΔT})---\left(2\right),$

其中k增益误差。

将公式（2）带入温度频率变化公式（1），则：

$\mathrm{FT}\left(T\right)=\frac{\mathrm{\Δf}}{f_0}\left(T\right)=a3\·{(T-T_0)}^3+a2\·{(T-T_0)}^2+a1\·(T-T_0)+a0$

$=k^3\·a3\·{(\hat{T}-\mathrm{\ΔT}-{\hat{T}}_0+{\mathrm{\ΔT}}_0)}^3+k^2\·a2\·{(\hat{T}-\mathrm{\ΔT}-{\hat{T}}_0+{\mathrm{\ΔT}}_0)}^2+$

$k\·a1\·(\hat{T}-\mathrm{\ΔT}-{\hat{T}}_0+{\mathrm{\ΔT}}_0)+a0$

$=k^3\·a3\·{(\hat{T}-{\hat{T}}_0)}^3+(k^{2}a2-3\·k^3\·a3\·(\mathrm{\ΔT}-{\mathrm{\ΔT}}_0))\·{(\hat{T}-{\hat{T}}_0)}^2+$

$(k\·a1-2\·k^2\·a2\·(\mathrm{\ΔT}-{\mathrm{\ΔT}}_0)+3\·k^3\·a3\·{(\mathrm{\ΔT}-{\mathrm{\ΔT}}_0)}^2)\·(\hat{T}-{\hat{T}}_0)+$

$(a0-k\·a1\·(\mathrm{\ΔT}-{\mathrm{\ΔT}}_0)+k^2\·a2\·{(\mathrm{\ΔT}-{\mathrm{\ΔT}}_0)}^2-k^3\·a3\·{(\mathrm{\ΔT}-{\mathrm{\ΔT}}_0)}^3)---\left(3\right)$

其中 ${\hat{T}}_0=T_0/k+{\mathrm{\ΔT}}_0,$ 为T₀的测量值。

由公式（3）可知，晶体振荡器的温度频率曲线依然可以以为自变量采用多项式进行拟合。如果公式（2）采用多项式表示，代入公式（1），得到的晶体振荡器的温度频率曲线以为自变量的多项式的阶数更高些，由于其高次项系数非常小，对温度频率曲线的精度影响非常小，可以忽略不计，因而可以简化为多项式3次曲线进行拟合。

同时，根据公式（3）可知，可通过温度传感器的后续测量温度与设定的基准温度的温度差值确定温度补偿值对应的频率。一个频率对应于一个温度补偿值，因而也就能够确定该频率对应的温度补偿值。如果该晶体振荡器是数字控制晶体振荡器，则该温度补偿值可以是一个控制值，即频率与控制值一一对应；如果该晶体振荡器是电压控制晶体振荡器，则该温度补偿值可以是一个电压值，即频率与电压值一一对应。当然，也不排除本发明实施例的方法应用于其他类型的晶体振荡器的情况。

本发明的一个实施例，首先针对每个批次的晶体振荡器，定义一个缺省的温度频率曲线的系数（a3、a2、a1、a0）。然后在产线的普通频率校准中得到一个室温（T₀）下的（T₀、F₀）样本值，其中F₀为在T₀下晶体振荡器的工作在准确频率时的控制信号大小。以温度T₀代入温度频率控制信号曲线的3次多项式，得到a0系数。于是得到第一个温度频率控制信号曲线3次多项式，该多项式在一定的温度范围[T_-，T₊]内满足频率精度要求，其中T_-是满足频率精度要求的最低温度，T₊是满足频率精度要求的最高温度。

可选地，晶体振荡器100还可包括样本获取单元106和校准单元107。

样本获取单元106，可用于当该晶体振荡电路单元的振荡频率，稳定工作在该通信AFC装置跟踪的频率上时，则采集该测量温度或该温度差值作为样本的温度参数，采集该频率控制信号或该通信AFC装置跟踪的频率作为该样本的频率参数。

校准单元107，可用于根据该样本获取单元106多次采集的样本，校准温度频率曲线的系数，并向该温度补偿单元104发送该温度频率曲线的系数，该温度频率曲线的系数用于确定该温度频率曲线。

由公式（1）或公式（3）可知，温度频率曲线涉及两个参数，一个是温度参数，一个是频率参数。

在基准温度已知的情况下，无论是温度传感器单元102的测量温度，还是相对温度计算单元103的相对温度，都可作为拟合温度频率曲线的系数的样本的温度参数。

振荡控制单元105生成的频率控制信号，最终还是为了使晶体振荡电路单元101的振荡频率工作在通信AFC装置跟踪的频率上，一个频率控制信号对应于一个频率值。样本获取单元106获取到该频率控制信号，本质上还是为了得到通信AFC装置跟踪的频率。因此，样本获取单元106可将频率控制信号或者通信AFC装置跟踪的频率作为样本的频率参数。本发明以测量温度和频率控制信号作为样本的温度参数和频率参数为例，但本发明的技术方案可以接受相对温度作为样本的温度参数，或接受通信AFC装置跟踪的频率样本的频率参数，本发明在此不作限制。

本发明的一个实施例，当晶体振荡器的工作温度在上述产线频率的校准确定的温度范围[T_-，T₊]之外，则进行样本取样以实现对温度频率曲线的系数的校准。本发明实施例以晶体振荡器在终端的应用为例对本发明的方法进行说明，但本发明实施例的晶体振荡器并不局限在终端的应用。

在终端开机时，只要温度在[T_-，T₊]范围内，终端自身的晶体振荡器即可使用根据缺省的温度频率曲线的系数获取的温度频率补偿值，搜索到网络。如果开机时，温度超出[T_-，T₊]范围，这时不再直接使用缺省的温度频率曲线的系数获取温度频率补偿值，而是通过多次试探的方法，设置频率补偿值以搜索到网络，该频率补偿值即为本发明实施例中的频率控制信号对应的频率控制值。

一旦终端搜索到网络，即开始正常工作，自动跟踪基站频率进入自校准过程。所谓的自校准，指的是终端在后续使用过程中，终端以基站的频率为基准，测量自身晶体振荡器的频率偏差值。此时实时采集温度和频率值作为新的样本，参与温度频率曲线拟合。具体过程为：

当终端判断通过调整AFC值锁定基站频率后，采集此时晶体振荡器的测量温度和频率控制信号。由于频率控制信号由温度补偿值值与AFC控制值确定，对应于基站的频率，因此可把（温度、频率控制信号）作为获取的一个样本。随着终端的工作开展，样本获取模块可不断获得新的样本，根据多次采集的样本，可对温度频率曲线的系数进行校准。

本发明实施例通过自校准获取（温度、频率控制信号）样本的方法相对于从实验室中获取样本的方法，可以大大节省确定温度频率曲线的系数的成本。

进一步地，本发明实施例中，校准单元107具体可通过最小二乘法对该样本获取单元多次采集的样本进行拟合，以校准温度频率曲线的系数。

由于终端跟踪基站的频率受到无线传输信道的衰落、噪声和多普勒频移的影响，频率误差较大。为解决这个问题，可采用最小二乘法对样本进行拟合。

根据最小二乘法，得到温度x、系数a以及频率控制信号y之间的关系如下:

$\underset{k=0}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}\left(\underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^{j+k}\right)a_k=\underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^j{y}_i,j=\mathrm{0,1},......,n---\left(4\right)$

其中n为多项式的阶数，本实施例中选取n=3，m+1为样本数，考虑到存储空间和计算位宽，m值不可过大。根据多项式的阶数，可知样本数m+1的最小取值为多项式的阶数+1，即m的最小值为3。

按照矩阵表示如下：

$\left[\begin{array}{cccc}m+1& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i& \·\·\·& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^n\\ \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^2& \·\·\·& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^{n+1}\\ \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·\\ \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^n& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^{n+1}& \·\·\·& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^{2n}\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}{a}_0\\ a_1\\ \·\\ \·\\ \·\\ a_n\end{array}\right]=\left[\begin{array}{c}\underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{y}_i\\ \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i{y}_i\\ \·\\ \·\\ \·\\ \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^n{y}_i\end{array}\right]---\left(5\right)$

温度矩阵A为：

$A=\left[\begin{array}{cccc}m+1& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i& \·\·\·& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^n\\ \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^2& \·\·\·& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^{n+1}\\ \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·& \·\·\·\\ \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^n& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^{n+1}& \·\·\·& \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^{2n}\end{array}\right]---\left(6\right)$

对A分解，可得公式：

频率控制信号y可表示为：

$\left[\begin{array}{c}{b}_1\\ b_2\\ \·\\ \·\\ \·\\ b_{n+1}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{c}\underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{y}_i\\ \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i{y}_i\\ \·\\ \·\\ \·\\ \underset{i=0}{\overset{m}{\mathrm{\Σ}}}{x}_i^n{y}_i\end{array}\right]---\left(8\right)$

则：

${\mathrm{tmp}}_i=(b_i-\underset{k=1}{\overset{i-1}{\mathrm{\Σ}}}{l}_{\mathrm{ik}}{\mathrm{tmp}}_k)/l_{\mathrm{ii}}(i=\mathrm{1,2},\·\·\·,n+1)---\left(9\right)$

$a_i=({\mathrm{tmp}}_{i+1}-\underset{k=i+1}{\overset{n+1}{\mathrm{\Σ}}}{l}_{\mathrm{ki}}{a}_k)/l_{i+1i+1}(i=n,n-1,\·\·\·,\mathrm{1,0})---\left(10\right)$

即可得到拟合的多项式的系数。

本发明实施例通过最小二乘法对样本进行拟合，可在一定程度上提高温度频率曲线确定的温度补偿值的精确度。

图3是本发明实施例的方法流程图，图3的方法由晶体振荡器执行。

301，通过温度传感器测量晶体振荡电路的测量温度。

302，获取该测量温度与基准温度的温度差值。其中，该基准温度为该晶体振荡电路在常温下的测量值。

303，从温度频率曲线中获取该温度差值对应的温度补偿值。

304，根据通信自适应频率控制AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值，生成频率控制信号，并用该频率控制信号用于控制晶体振荡电路的振荡频率工作在该通信AFC装置跟踪的频率上。

本发明实施例中，通过将温度传感器的一个测量温度作为基准温度，并根据后续测量温度与基准温度的温度差值和温度频率曲线的系数确定温度补偿值以控制晶体振荡电路的振荡频率，从而以较低的成本实现一定精度的温度补偿结果。

进一步地，根据通信自适应频率控制AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值生成频率控制信号具体可包括：

根据该AFC装置跟踪的频率和该温度补偿值对应的频率确定AFC控制值，并根据该AFC控制值与该温度补偿值生成该频率控制信号。

可选地，如果该晶体振荡电路的振荡频率稳定工作在该通信AFC装置跟踪的频率上，则可采集该测量温度或该温度差值作为样本的温度参数，并采集该频率控制信号或该AFC装置跟踪的频率作为该样本的频率参数；根据多次采集的样本校准温度频率曲线的系数，该温度频率曲线的系数用于确定该温度频率曲线。

进一步地，根据多次采集的样本校准温度频率曲线的系数具体可包括：通过最小二乘法对该样本获取单元多次采集的样本进行拟合以校准该温度频率曲线的系数。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（ROM，Read-OnlyMemory）、随机存取存储器（RAM，RandomAccessMemory）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括：晶体振荡电路单元、温度传感器单元、振荡控制单元、相对温度计算单元和温度补偿单元，

所述温度传感器单元，用于测量所述晶体振荡电路单元的测量温度；

所述相对温度计算单元，用于获取所述测量温度与基准温度的温度差值，所述基准温度为所述晶体振荡电路单元在常温下的测量值；

温度补偿单元，用于从温度频率曲线中获取所述温度差值对应的温度补偿值；

所述振荡控制单元，用于根据通信自适应频率控制AFC装置跟踪的频率和所述温度补偿值，生成频率控制信号，并用所述频率控制信号控制所述晶体振荡电路单元的振荡频率工作在所述通信AFC装置跟踪的频率上。

2.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，

所述振荡控制单元具体用于根据所述通信AFC装置跟踪的所述频率和所述温度补偿值对应的频率确定AFC控制值，并根据所述AFC控制值与所述温度补偿值生成所述频率控制信号。

3.如权利要求1或2所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括：

样本获取单元，用于当所述晶体振荡电路单元的振荡频率，稳定工作在所述通信AFC装置跟踪的所述频率上时，则采集所述测量温度或所述温度差值作为样本的温度参数，采集所述频率控制信号或所述通信AFC装置跟踪的频率作为所述样本的频率参数；

校准单元，用于根据所述样本获取单元多次采集的样本，校准所述温度频率曲线的系数。

4.如权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，包括：

所述校准单元具体用于通过最小二乘法对所述样本获取单元多次采集的样本进行拟合，以校准所述温度频率曲线的系数。

5.一种温度补偿方法，其特征在于，包括：

通过温度传感器测量晶体振荡电路的测量温度；

获取所述测量温度与基准温度的温度差值，所述基准温度为所述晶体振荡电路在常温下的测量值；

从温度频率曲线中获取所述温度差值对应的温度补偿值；

根据通信自适应频率控制AFC装置跟踪的频率和所述温度补偿值，生成频率控制信号，并用所述频率控制信号用于控制晶体振荡电路的振荡频率工作在所述通信AFC装置跟踪的频率上。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据通信自适应频率控制AFC装置跟踪的频率和所述温度补偿值，生成频率控制信号包括：

根据所述通信AFC装置跟踪的所述频率和所述温度补偿值对应的频率确定AFC控制值；

根据所述AFC控制值与所述温度补偿值生成所述频率控制信号。

7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，还包括：

如果所述晶体振荡电路的振荡频率稳定工作在所述通信AFC装置跟踪的所述频率上，则采集所述测量温度或所述温度差值作为样本的温度参数，采集所述频率控制信号或所述通信AFC装置跟踪的频率作为所述样本的频率参数；

根据多次采集的样本，校准所述温度频率曲线的系数。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据多次采集的样本校准所述温度频率曲线的系数包括：

通过最小二乘法对所述多次采集的样本进行拟合，以校准所述温度频率曲线的系数。