CN102994983A - Mocvd设备和利用该mocvd形成白光led的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种MOCVD设备包括本体；分别形成在所述本体中的第一至第五反应腔室，所述第一至第五反应腔室分别用于在晶片上形成第一至第五半导体材料层，其中所述第一至第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED；晶片装卸装置，所述晶片装卸装置用于临时存放晶片；和传输装置，所述传输装置设在所述本体内用于在所述第一至第五反应腔室以及所述晶片装卸装置之间传输晶片。根据本发明的MOCVD设备，成本低、产能效率高。本发明还提出一种形成白光LED的方法。

Description

MOCVD设备和利用该MOCVD形成白光LED的方法

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种MOCVD(有机金属化学气相沉积)设备和利用该MOCVD设备形成白光LED的方法。

背景技术

在火、白炽灯、荧光灯之后，LED即将成为人类大规模使用的第四代照明光源。LED具有节能、寿命长等其它光源无可比拟的优点。LED的发光原理是利用了半导体材料(例如，GaP和GaN)中处于激发态的电子向较低能级跃迁过程中会释放光子这一机理，在蓝宝石、GaAs、硅等材料制成的晶片上以化学气相淀积的方法外延生长多层量子阱(MQW)作为发光层。

在普通照明应用中，人们最希望得到的是接近于太阳光的白光，白光是由多种单色光复合而成的，在LED照明应用中，得到白光LED的途径主要有：第一、单色LED涂覆荧光粉，例如在蓝光LED上涂覆黄色荧光粉，或者紫外LED上涂覆黄绿蓝多色荧光粉，从而产生出多种单色光，通过多种单色光的复合产生白光；第二、多个单色LED芯片(例如黄、绿、蓝)封装到一个照明器件中，复合后发出白光；第三、在一个LED芯片上外延生长多个发光层，分别发出黄、绿、蓝多种单色光，复合后发出白光。

第三种方法是通常利用MOCVD设备进行。但传统的MOCVD设备只能用于生长单色的发光层，为了生产白光LED，必须使用多台MOCVD设备分别生长不同的发光层。由此，不仅需要高额的设备投资，而且晶片在不同设备之间的频繁搬运需要对晶片进行不断的升温与降温，增加能耗。另外，晶片的装卸载与搬送耗时长，导致产能低下、降低设备使用率。

发明内容

本发明旨在至少解决上述技术问题之一。

为此，本发明的一个目的在于提出一种用于生产白光LED的MOCVD设备。该MOCVD设备结构简单、成本低，节省晶片的成膜时间，提高了生产效率。

本发明的第二个目的在于提出一种利用上述MOCVD设备生产白光LED的方法。该方法工艺简单，晶片的成膜质量好，效率高。

为实现上述目的，本发明第一方面的实施例提出一种MOCVD设备，包括：本体；第一至第五反应腔室，所述第一和第五反应腔室分别形成在所述本体中，所述第一反应腔室用于在晶片上形成第一半导体材料层，所述第二反应腔室用于在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层，所述第三反应腔室用于在所述第二半导体材料层上形成第三半导体材料层，所述第四反应腔室用于在所述第三半导体材料层上形成第四半导体材料层，所述第五反应腔室用于在所述第四半导体材料层上形成第五半导体材料层，其中所述第一至第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED；晶片装卸装置，所述晶片装卸装置用于临时存放晶片；和传输装置，所述传输装置设在所述本体内用于在所述第一至第五反应腔室以及所述晶片装卸装置之间传输晶片。

根据本发明实施例的MOCVD设备，第一至第五反应腔室均形成在本体内，传输装置可以在第一至第五腔室之间传输晶片，从而可以通过第一至第五腔室在晶片上形成发出不同光的发光层，由此形成白光LED，避免了晶片在多个MOCVD设备之间的频繁搬送所带来的问题，降低制造成本，提高生产效率，提高了晶片上的成膜质量。

在本发明的一个实施例中，所述本体内设有传输区域，所述传输装置设在所述传输区域内，所述第一至第五反应腔室和所述晶片装卸装置围绕所述传输区域成集蔟式排列。

在本发明的一个实施例中，所述传输装置为机械手。

在本发明的一个实施例中，所述晶片装卸装置包括第一晶片装卸装置和第二晶片装卸装置，所述第一晶片装卸装置、所述第一至第五反应腔室和所述第二晶片装卸装置依次成直线式排列。

在本发明的一个实施例中，所述传输装置为直线式传输装置。

在本发明的一个实施例中，所述晶片为蓝宝石晶片。

在本发明的一个实施例中，所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、蓝光发光层、绿光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

在本发明的一个实施例中，所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、绿光发光层、蓝光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

在本发明的一个实施例中，所述第二和第三腔室为同一腔室。

在本发明的一个实施例中，所述第一至第三腔室为同一腔室。

本发明第二方面的实施例提出一种利用本发明第一方面实施例的MOCVD设备形成白光LED的方法，包括以下步骤：通过所述传输装置将晶片从所述晶片装卸装置内放入所述第一反应腔室以在所述晶片上形成第一半导体材料层；通过所述传输装置将所述晶片放入所述第二反应腔室以在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层；通过所述传输装置将所述晶片放入所述第三反应腔室以在所述第二半导体材料层上形成第三半导体材料层；通过所述传输装置将所述晶片放入所述第四反应腔室以在所述第三半导体材料层上形成第四半导体材料层；通过所述传输装置将所述晶片放入所述第五反应腔室以在所述第四半导体材料层上形成第五半导体材料层，从而所述第一至所述第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED；和将所述晶片从所述第五反应腔室放入所述晶片装卸装置。

根据本发明的形成白光LED的方法，工艺简单，传输精确，节省时间，晶片上的成膜质量好，效率高。

在本发明的一个实施例中，所述晶片为蓝宝石晶片。

在本发明的一个实施例中，所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、蓝光发光层、绿光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

在本发明的一个实施例中，所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、绿光发光层、蓝光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明一个实施例的MOCVD反应设备的示意图；

图2为本发明另一个实施例的MOCVD设备的示意图；

图3为本发明一个实施例的白光LED的结构示意图；以及

图4为本发明一个实施例的形成白光LED的方法的流程图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面参考附图描述根据本发明实施例的MOCVD设备100。

根据本发明实施例的MOCVD设备100包括本体(未示出)、第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140、第五反应腔室150、传输装置170和晶片装卸装置160。

第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150分别形成在所述本体中，第一反应腔室110用于在晶片上形成第一半导体材料层，第二反应腔室120用于在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层，第三反应腔130室用于在所述第二半导体材料层上形成第三半导体材料层，第四反应腔140室用于在所述第三半导体材料层上形成第四半导体材料层，第五反应腔室150用于在所述第四半导体材料层上形成第五半导体材料层，其中所述第一至第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED。

传输装置170设在所述本体内用于在第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150以及晶片装卸装置160之间传输晶片。晶片装卸装置160用于临时存放晶片，更具体而言，准备在其上形成第一至第五半导体材料层的晶片临时放置在晶片装卸装置160内，然后通过传输装置170传送到第一腔室110，已经在其上形成了第一至第五半导体材料层的晶片由传输装置170例如从第五腔室150传输到晶片装卸装置160内临时存放。晶片装卸装置对于本领域的技术人员都是已知的，这里不再详细描述。

根据本发明实施例的MOCVD设备，用于形成白光LED的各个膜层的第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150都形成在本体内，且传输装置也设在本体内，因此在单个本体内通过一次工艺就可以形成白光LED，在白光LED形成过程中，无需将晶片传输出本体以及从外面传输进入本体，避免了在多个MOCVD设备之间频繁搬送晶片，降低了设备投资，提高了生产效率，并且提高了白光LED产品的质量。

下面参考图1描述根据本发明一个具体实施例MOCVD设备。如图1所示，根据本发明此实施例的MOCVD设备，所述本体内设有传输区域(或称为传输腔)，传输装置170设在所述传输区域内，优选地，传输装置170为机械手。第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140、第五反应腔室150和晶片装卸装置160围绕所述传输区域(即环绕传输装置170)成集蔟式排列。由此，所述传输区域作为第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150之间的过渡区域，设在传输区域内的传输装置170在各个反应腔室之间传输晶片。

根据本发明此实施例的MOCVD设备，第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150以及晶片装卸装置160围绕传输装置170成集蔟式排列，由此传输装置170可以方便地在各个反应腔室和晶片装卸装置160之间传输晶片，进一步提高了生产效率，在形成白光LED之前避免了晶片在本体内外之间的传输，提高了晶片上的成膜质量。

图2示出了根据本发明另一具体实施例的MOCVD设备的示意图。如图2所示，晶片装卸装置160包括彼此独立的第一晶片装卸装置161和第二晶片装卸装置162。待加工的晶片被放置在第一晶片装卸装置161内，由传输装置170将待加工的晶片从第一晶片装卸装置161内取出放入第一反应腔室110内形成第一半导体材料层后，传输装置170将沉积了第一半导体材料层的晶片从第一反应腔室110内取出放入第二反应腔室内沉积第二半导体材料层，待沉积完成后传输装置将沉积了第二半导体材料层的晶片从第二反应腔室内取出放入第三反应腔室内沉积第三半导体材料层，依此直至该晶片上在第五反应腔室内完成了第五半导体材料层的沉积后，传输装置170从第五反应腔室150内将该晶片取出存放到第二晶片装卸装置162内。

第一晶片装卸装置161、第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150，以及第二晶片装卸装置162依次成直线式排列。

优选地，传输装置170为直线式传输装置，例如，传输装置可以为传输带，或者间隔开成直线排列的传输齿轮。本发明并不限于此，只要该直线传输装置能够在成直线式排列的各个反应腔室之间传输晶片即可。

传输装置170在第一晶片装卸装置161、第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150，以及第二晶片装卸装置162之间顺序地传输晶片，从而在晶片上分别形成第一至第五半导体材料层，由此形成白光LED。

根据本发明此实施例的MOCVD设备，第一晶片装卸装置161、第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150，以及第二晶片装卸装置162成直线式排列，用于顺序在晶片上形成第一至第五半导体材料层，由此形成白光LED，也同样避免了在本体内外频繁地传输晶片，降低了设备投资，提高了生产效率，保证了晶片上的成膜质量。

可以理解的是，在本发明的上述实施例中，对于第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150的不同排列方式，MOCVD设备的本体结构也可以存在不同。

例如，对于集蔟式排列而言，在本体内形成第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150和传输区域，传输装置170例如机械手设在传输区域内，机械手可以将晶片在第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150以及晶片装卸装置160之间传输，同时通过传输腔室160将该晶片传进或传出MOCVD设备的本体。

再例如对于直线式排列而言，如图2所示，可以不需要传输区域，晶片通过直线式传输装置按照预定的反应顺序依次地通过第一晶片装卸装置161、第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140、第五反应腔室150和第二晶片装卸装置162。

在本发明的实施例中，第一反应腔室110、第二反应腔室120、第三反应腔室130、第四反应腔室140和第五反应腔室150分别用于在晶片上形成第一至第五半导体材料层，从而形成白光LED。可以理解的是，第一至第五半导体材料层的具体构成没有特别限制，只要在晶片上形成了第一至第五半导体材料层后可以构成发出白光的LED结构即可。

例如，在本发明的一个实施例中，晶片可以为蓝宝石晶片，第一半导体材料层至第五半导体材料层可以分别包括晶片缓冲层、蓝光发光层、绿光发光层、材料缓冲层、红光发光层，从而第二半导体材料形成在第一半导体材料层上，第三半导体材料形成在第二半导体材料层上，第四半导体材料形成在第三半导体材料层上，第五半导体材料形成在第四半导体材料层上。可选地，蓝光发光层和绿光发光层的位置可以互换，从而所述第一至第五半导体材料层依次包括晶片缓冲层、绿光发光层、蓝光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

更具体地，如图3所示，晶片210为蓝宝石，在晶片210上形成的第一半导体材料层包括晶片缓冲层211，在晶片缓冲层211之上形成的第二半导体材料层包括蓝光发光层212，在蓝光发光层212之上形成的第三半导体材料层包括绿光发光层213，在绿光发光层213之上形成的第四半导体材料层包括材料缓冲层214，在材料缓冲层214之上形成的第五半导体材料层包括红光发光层215。由此，在晶片210上形成的蓝光发光层212、绿光发光层213和红光发光层215复合后呈现出白光。

优选地，蓝光发光层212和绿光发光层213的材料均为GaN。第五反应腔室150用于形成的红光发光层215的材料为GaP。但是，本发明的实施例并不限于此，例如用于形成蓝光发光层212和绿光发光层213的材料还可以为SiC，用于形成的红光发光层215的材料还可以为GaAs。

如图3所示，在晶片210上形成的蓝光发光层212和绿光发光层213的材料可以均为GaN，仅掺杂In组分的含量不同，因此，可以在同一个反应腔室内进行蓝光发光层212和绿光发光层213的外延生长，例如用于形成绿光发光层213的第二腔室和用于形成蓝光发光层212的第三腔室可以为同一腔室，从而腔室的数量减少，进一步降低成本。

此外，在本发明的实施例中，晶片缓冲层211的外延生长也可与蓝光发光层212和绿光发光层213可以使用同一反应腔室，例如，用于形成晶片缓冲层211的第一腔室与用于形成绿光发光层213的第二腔室和用于形成蓝光发光层212的第三腔室可以为同一腔室，由此进一步减少腔室数量。

可选地，蓝光发光层和绿光发光层的生长顺序可变，例如，可以在蓝光发光层上生长绿光发光层，也可在绿光发光层上生长蓝光发光层。而利用不同的反应腔室分开处理晶片，可提高反应腔室的利用率，提高效率。另外，材料缓冲层应生长在红光发光层与蓝光发光层之间或者红光发光层与绿光发光层之间。

根据本发明实施例的MOCVD设备100，通过传输装置170控制晶片依次从晶片装卸装置160进入第一反应腔室110至第五反应腔室150，然后返回晶片装卸装置160，晶片首先在第一反应腔室110内反应以在晶片表面形成第一半导体材料层，接着传输装置170将晶片从第一反应腔室110取出并送入第二反应腔室120，并在第二反应腔室120内反应以在晶片表面的第一半导体材料层上形成第二半导体材料层，直至晶片在第五反应腔室150内完成第五半导体材料层的形成并通过传输装置170将晶片放入晶片装卸装置160。

根据本发明实施例的MOCVD设备100的本体内具有多个反应腔室，从而利用单个MOCVD设备就可以生产白光LED，与利用多个MOCVD设备生产白光LED相比，降低了成本。晶片在本体内的各个反应腔室内快速传输，节省了晶片的传输时间，提高了晶片外延生长的效率。

下面结合附图4描述利用根据本发明上述实施例MOCVD设备形成白光LED的方法。

如图4示，根据本发明实施例的新城光LED的方法包括以下步骤：

步骤S101，通过传输装置170将晶片从晶片装卸装置160内取出放入所述第一反应腔室110内在晶片上形成第一半导体材料层；

步骤S102，通过传输装置170将上述晶片从第一反应腔室110内取出放入第二反应腔室120内以在上述已经形成了第一半导体材料层的晶片上顺次形成第二半导体材料层；

步骤S103，通过传输装置170将完成上述二步沉积工艺的晶片从第二反应腔室120内取出放入第三反应腔室130内以在所述上述晶片的第二半导体材料层上形成第三半导体材料层；

步骤S104，通过传输装置170将完成步骤S103的晶片从第三反应腔室130内取出放入第四反应腔室140以在所述第三半导体材料层上形成第四半导体材料层；

步骤S105，通过传输装置170将所述晶片放入第五反应腔室150以在所述第四半导体材料层上形成第五半导体材料层，从而具有所述第一至所述第五半导体材料层的晶片会发射白光，即形成白光LED芯片结构；

步骤S106，通过传输装置170将所述晶片从第五反应腔室150放入晶片装卸装置160。

本领域的技术人员可以理解的是，可以采用上述图1所示实施例的MOCVD设备生产白光LED，此时，在各个反应腔室之间搬运晶片时通过传输区域进行过渡，例如机械手首先从第一反应腔室110之中取出晶片，放入到传输区域之中，接着再从传输区域将晶片送入第二反应腔室120之中。也可以采用上述图2所示MOCVD设备生产白光LED时，晶片顺序地通过各个反应腔室。

在本发明的一些示例中，例如晶片为硅或者蓝宝石，第一半导体材料层包括晶片缓冲层，第二半导体材料层包括蓝光发光层，第三半导体材料层包括绿光发光层，第四半导体材料层包括材料缓冲层，第五半导体材料层包括红光发光层。如上所述，可选地，绿光发光层和蓝光发光层可以在同一腔室内进行，由此可以进一步简化工艺。更优选地，晶片缓冲层、绿光发光层和蓝光发光层可以在同一腔室内进行，由此进一步简化工艺。

当处理的晶片为硅或者蓝宝石时，优选地，可使用GaN形成蓝光发光层和绿光发光层的外延生长，可使用GaP形成红光发光层的外延生长。但是，本发明的实施例并不限于此，例如，还可使用GaAsP三元素材料或者InGaAlN四元素材料进行晶片的外延生长。根据本发明的实施例，衬底缓冲层例如为GaN，材料缓冲层例如为GaP。

如上所述，本领域的普通技术人员可以理解，第一至第五半导体材料层的形成顺序可变，只需保证蓝光发光层或绿光发光层与红光发光层之间形成有缓冲层即可。另外，本发明并不限于此，例如，晶片还可以为SiC、Si、ZnO或ZnSe材料。

本发明实施例的形成白光LED的方法，工艺简单，晶片传输控制简单，生产效率高。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (14)

1.一种MOCVD设备，其特征在于，包括：

本体；

第一至第五反应腔室，所述第一和第五反应腔室分别形成在所述本体中，所述第一反应腔室用于在晶片上形成第一半导体材料层，所述第二反应腔室用于在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层，所述第三反应腔室用于在所述第二半导体材料层上形成第三半导体材料层，所述第四反应腔室用于在所述第三半导体材料层上形成第四半导体材料层，所述第五反应腔室用于在所述第四半导体材料层上形成第五半导体材料层，其中所述第一至第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED；

晶片装卸装置，所述晶片装卸装置用于临时存放晶片；和

传输装置，所述传输装置设在所述本体内用于在所述第一至第五反应腔室以及所述晶片装卸装置之间传输晶片。

2.根据权利要求1所述的MOCVD设备，其特征在于，所述本体内设有传输区域，所述传输装置设在所述传输区域内，所述第一至第五反应腔室和所述晶片装卸装置围绕所述传输区域成集蔟式排列。

3.根据权利要求2所述的反应腔，其特征在于，所述传输装置为机械手。

4.根据权利要求1所述的MOCVD设备，其特征在于，所述晶片装卸装置包括第一晶片装卸装置和第二晶片装卸装置，所述第一晶片装卸装置、所述第一至第五反应腔室和所述第二晶片装卸装置依次成直线式排列。

5.根据权利要求4所述的MOCVD设备，其特征在于，所述传输装置为直线式传输装置。

6.根据权利要求1所述的MOCVD设备，其特征在于，所述晶片为蓝宝石晶片。

7.根据权利要求1所述的MOCVD设备，其特征在于，所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、蓝光发光层、绿光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

8.根据权利要求1所述的MOCVD设备，其特征在于，所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、绿光发光层、蓝光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

9.根据权利要求7或8所述的MOCVD设备，其特征在于，所述第二和第三腔室为同一腔室。

10.根据权利要求7或8所述的MOCVD设备，其特征在于，所述第一至第三腔室为同一腔室。

11.一种利用权利要求1-10中任一项所述的MOCVD设备形成白光LED的方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过所述传输装置将晶片从所述晶片装卸装置内放入所述第一反应腔室以在所述晶片上形成第一半导体材料层；

通过所述传输装置将所述晶片放入所述第二反应腔室以在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层；

通过所述传输装置将所述晶片放入所述第三反应腔室以在所述第二半导体材料层上形成第三半导体材料层；

通过所述传输装置将所述晶片放入所述第四反应腔室以在所述第三半导体材料层上形成第四半导体材料层；

通过所述传输装置将所述晶片放入所述第五反应腔室以在所述第四半导体材料层上形成第五半导体材料层，从而所述第一至所述第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED；和

将所述晶片从所述第五反应腔室放入所述晶片装卸装置。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述晶片为蓝宝石晶片。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、蓝光发光层、绿光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一至第五半导体材料层依次为晶片缓冲层、绿光发光层、蓝光发光层、材料缓冲层和红光发光层。

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