CN102983138A - 电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法 - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 61
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011232 storage material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 229910003855 HfAlO Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 8
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明涉及微电子制造及存储器技术领域，公开了一种电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法，该存储器包括：衬底；形成于衬底的沟道之上的隧穿介质层；形成于隧穿介质层之上的电荷存储层；形成于电荷存储层之上的阻挡层；形成于阻挡层之上的控制栅；以及在衬底的沟道两侧掺杂形成的源漏。利用本发明，通过引入原子掺杂形成多元氧化物电荷存储层，实现了电荷俘获型存储器件编程效率、保持特性等器件性能的优化。同时，本发明电荷俘获型存储器制备工艺与传统的硅平面CMOS工艺兼容，利于广泛应用。
Description
技术领域
本发明涉及微电子制造及存储器技术领域，尤其涉及一种采用多元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法。
背景技术
非挥发存储器的主要特点是在不加电的情况下也能够长期保持存储的信息，它既有ROM的特点，又有很高的存储速度。随着移动通信、多媒体应用等对大容量、高速度、低功耗存储的需要，非挥发性存储器，特别是闪速存储器FLASH，所占半导体器件的市场份额变得越来越大，也越来越成为一种相当重要的存储器类型。
当前市场上的非挥发性存储器以闪存FLASH为主，但是传统闪存器件存在操作电压过大、操作速度慢、耐久力不够好以及由于在器件缩小化过程中过薄的隧穿氧化层将导致信息保持时间不够长等缺点。理想的非挥发性存储器应具备操作电压低、结构简单、非破坏性读取、操作速度快、信息保持时间长、器件面积小、耐受性好等条件。目前已经对许多新型材料和器件进行了研究，以达到上述目标，电荷俘获存储器越来越受到广泛的关注。
传统的浮栅型非挥发性存储器是采用多晶硅浮栅结构的非挥发存储器，其存在浮栅耦合和漏电问题。器件隧穿介质层上的一个缺陷就会形成致命的漏电通道使得器件失效。然而，电荷俘获型非挥发存储器利用存储层中电荷局域化存储的特性，实现了电荷分立存储，隧穿介质层上的一个缺陷只会造成电荷的局部泄露，使得电荷保持特性得以提高，而且其工艺与传统的硅平面CMOS工艺兼容。
传统的电荷俘获型非挥发存储器，其操作原理如图1所示。该电荷俘获型非挥发存储器是采用二元氧化物作为电荷存储材料，该二元氧化物多选取高缺陷密度介质材料如HfO2等，导致该电荷俘获型非挥发存储器仍然存在着与传统SiN存储层同样的不足，例如操作速度慢、保持特性不佳等。因而对存储材料的优化成为了一个研究的热点。
发明内容
(一)要解决的技术问题
针对上述现有采用二元氧化物作为电荷存储层材料的电荷俘获型非挥发存储器存在的不足，本发明的主要目的在于提供一种非挥发性存储器及其制备方法，以实现电荷俘获型存储器件编程效率、保持特性等器件性能的优化。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种电荷俘获型非挥发存储器，该存储器包括：衬底101；形成于衬底101的沟道之上的隧穿介质层102；形成于隧穿介质层102之上的电荷存储层103；形成于电荷存储层103之上的阻挡层104；形成于阻挡层104之上的控制栅105；以及在衬底101的沟道两侧掺杂形成的源漏106。
上述方案中，所述衬底101为硅片或锗硅片。所述隧穿介质层102、电荷存储层103和阻挡层104构成栅结构，该栅结构采用SONOS结构、MANOS结构或TANOS结构。所述隧穿介质层102采用SiO2；所述阻挡层104采用SiO2或高介电常数材料Al2O3。所述电荷存储层103采用多元氧化物作为电荷存储材料。所述多元氧化物是通过不同工艺掺杂二元氧化物形成的，包括三元氧化物HfSiO、HfAlO及ZrSiO，或四元氧化物InGaZnO。
为达到上述目的，本发明还提供了一种电荷俘获型非挥发存储器的制备方法，该方法包括：选择衬底；在该衬底上采用热氧化法形成隧穿介质层；在该隧穿介质层上溅射形成多元氧化物薄膜，该多元氧化物薄膜作为电荷存储层；在该多元氧化物薄膜上采用原子层淀积工艺形成阻挡层；在阻挡层上电子束蒸发方法制备控制栅电极。
上述方案中，所述衬底采用p型Si。所述隧穿介质层采用SiO2隧穿介质层，所述多元氧化物薄膜采用HfSiO薄膜，所述阻挡层采用Al2O3阻挡层。所述控制栅电极采用的电极材料为Al。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1、本发明提供的提供非挥发性存储器及其制备方法，通过引入原子掺杂形成多元氧化物电荷存储层，实现了电荷俘获型存储器件编程效率、保持特性等器件性能的优化。
2、本发明提供的提供非挥发性存储器及其制备方法，采用多元氧化物电荷俘获层机构，增大陷阱深度密度，优化俘获层中的电荷存储，大大提高了电荷俘获型存储器的编程速度，提高编程效率，同时提高器件的电荷保持特性，有利于器件的高可靠性运行。
3、本发明提供的提供非挥发性存储器及其制备方法，电荷俘获型存储器制备工艺与传统的硅平面CMOS工艺兼容，利于广泛应用。
附图说明
图1为传统的电荷俘获型非挥发存储器的操作原理示意图；
图2为依照本发明实施例采用多元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型非挥发存储器的结构示意图；
图3为依照本发明实施例采用多元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型存储器与采用二元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型存储器编程效率测试结果对比示意图；
图4为依照本发明实施例采用多元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型存储器与采用二元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型存储器在室温下数据保持性能测试结果对比示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
图2为依照本发明实施例采用多元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型非挥发存储器的结构示意图。在图2中，101表示衬底，102表示隧穿介质层，103表示电荷存储层，104表示阻挡层，105表示控制栅，106表示源漏。
图2所示本发明实施例的电荷俘获型非挥发存储器，与传统的电荷俘获型非挥发存储器在结构上是相同的，仅在电荷存储层采用的材料有所不同。其中，传统的电荷俘获型非挥发存储器电荷存储层采用二元氧化物作为电荷存储材料，如HfO2等，而本发明实施例的电荷俘获型非挥发存储器电荷存储层采用多元氧化物作为电荷存储材料。该多元氧化物可通过不同工艺掺杂二元氧化物形成，如三元或四元氧化物，即HfSiO、HfAlO、ZrSiO、InGaZnO等，其厚度可根据所用材料不同调整。为了提高电荷存储层的存储能力，还可以引入原子掺杂到传统的高介电常数材料中，提高陷阱密度深度，同时提高退火结晶温度，优化了其保持特性，掺入原子的比例可根据情况调整。
图2所示的依照本发明实施例的电荷俘获型非挥发存储器，包括：衬底101，形成于衬底101的沟道之上的隧穿介质层102，形成于隧穿介质层102之上的电荷存储层103，形成于电荷存储层103之上的阻挡层104，形成于阻挡层104之上的控制栅105，以及在衬底101的沟道两侧掺杂形成的源漏106。
其中，衬底101为硅片、锗硅片或其它类似半导体材料。隧穿介质层102、电荷存储层103和阻挡层104构成栅结构，该栅结构可以采用类似传统的电荷俘获型存储器结构，如SONOS结构、MANOS结构、TANOS结构等。其中隧穿层采用SiO2；阻挡层可采用SiO2或高介电常数材料，如Al2O3，或其它具有类似性质的材料；电荷存储层采用多元氧化物作为电荷存储材料。该多元氧化物可通过不同工艺掺杂二元氧化物形成，如三元或四元氧化物，即HfSiO、HfAlO、ZrSiO、InGaZnO等。各薄层厚度可根据所用材料作不同调整。
基于图2所示的依照本发明实施例的电荷俘获型非挥发存储器，本发明实施例还提供了制备该多元氧化物存储层电荷俘获型存储器的方法，该方法包括：选择p型Si作为衬底；在该p型Si衬底上采用热氧化法形成SiO2隧穿介质层；在该SiO2隧穿介质层上溅射掺杂Si的HfO2形成多元氧化物HfSiO薄膜，该多元氧化物HfSiO薄膜作为电荷存储层；在该多元氧化物HfSiO薄膜上采用原子层淀积工艺形成Al2O3阻挡层；然后在Al2O3阻挡层上电子束蒸发方法制备控制栅电极，该控制栅电极采用的电极材料为Al，从而制备完成HfSiO存储层电容结构。若制备MOS存储单元结构，则还需通过离子注入的方法形成源极和漏极。
为了对比电荷存储层能带调制结构对器件性能的优化作用，在具体实施例中还制备了HfO2存储层电容结构，其它结构、材料及制备工艺与存多元氧化物存储层电荷俘获型存储单元结构相同。
本发明实施例的电荷俘获型非挥发存储器在具体制备时，先依次形成所需材料，再定义栅极图形区域。其中涉及的工艺包括热氧化，化学气相淀积工艺、溅射工艺、原子层淀积工艺、热蒸发工艺、脉冲激光淀积工艺、电子束蒸发工艺或其它可实现结构的工艺，如光刻、刻蚀、表面平坦化、退火等传统方法。
针对本发明实施例的电荷俘获型非挥发存储器，在操作时可以采用FN隧穿、沟道热电子注入(CHE)编程等方式实现器件编程操作。可以采用FN擦除、带带隧穿热空穴注入(BBTH)等方式实现器件擦除操作。信息的读取可以通过正向读或反向读操作完成。
图3为依照本发明实施例采用多元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型存储器与采用二元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型存储器编程效率测试结果对比示意图。经过引入掺杂形成的多元氧化物电荷俘获结构，编程效率有了明显提高。
图4为依照本发明实施例采用多元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型存储器与采用二元氧化物作为电荷存储材料的电荷俘获型存储器在室温下数据保持性能测试结果对比示意图。经过引入掺杂形成的多元氧化物电荷俘获结构，具有良好的数据保持性能，可用于高可靠性操作。
由上述可知，在本发明的实施例中，通过引入掺杂形成多元氧化物电荷存储层，实现电荷俘获型非挥发存储器件编程效率、操作电压等器件性能的优化。同时，本发明电荷俘获型存储器制备工艺与传统的硅平面CMOS工艺兼容，利于广泛应用。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，该存储器包括：
衬底(101)；
形成于衬底(101)的沟道之上的隧穿介质层(102)；
形成于隧穿介质层(102)之上的电荷存储层(103)；
形成于电荷存储层(103)之上的阻挡层(104)；
形成于阻挡层(104)之上的控制栅(105)；以及
在衬底(101)的沟道两侧掺杂形成的源漏(106)。
2.根据权利要求1所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述衬底(101)为硅片或锗硅片。
3.根据权利要求1所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述隧穿介质层(102)、电荷存储层(103)和阻挡层(104)构成栅结构，该栅结构采用SONOS结构、MANOS结构或TANOS结构。
4.根据权利要求1或3所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述隧穿介质层(102)采用SiO2；所述阻挡层(104)采用SiO2或高介电常数材料Al2O3。
5.根据权利要求1或3所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述电荷存储层(103)采用多元氧化物作为电荷存储材料。
6.根据权利要求5所述的电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，所述多元氧化物是通过不同工艺掺杂二元氧化物形成的，包括三元氧化物HfSiO、HfAlO及ZrSiO，或四元氧化物InGaZnO。
7.一种电荷俘获型非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：
选择衬底；
在该衬底上采用热氧化法形成隧穿介质层；
在该隧穿介质层上溅射形成多元氧化物薄膜，该多元氧化物薄膜作为电荷存储层；
在该多元氧化物薄膜上采用原子层淀积工艺形成阻挡层；
在阻挡层上电子束蒸发方法制备控制栅电极。
8.根据权利要求7所述的电荷俘获型非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述衬底采用p型Si。
9.根据权利要求7所述的电荷俘获型非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述隧穿介质层采用SiO2隧穿介质层，所述多元氧化物薄膜采用HfSiO薄膜，所述阻挡层采用Al2O3阻挡层。
10.根据权利要求7所述的电荷俘获型非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述控制栅电极采用的电极材料为Al。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011102612920A CN102983138A (zh) | 2011-09-06 | 2011-09-06 | 电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011102612920A CN102983138A (zh) | 2011-09-06 | 2011-09-06 | 电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102983138A true CN102983138A (zh) | 2013-03-20 |
Family
ID=47857007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011102612920A Pending CN102983138A (zh) | 2011-09-06 | 2011-09-06 | 电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130320 |