CN102981201A - 光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

Description

光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件
本申请是于2009年2月24日递交的、申请号为200980106463.3(PCT申请号为PCT/EP2009/001299)、发明名称为“光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件”的专利申请的分案申请。 
技术领域
本发明涉及一种光学元件和包括这种光学元件的光刻设备，一种用于制造器件的方法以及由该方法制造的器件。更具体地，光学元件可以用作用于激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)源的反射掠入射光谱纯度滤光片。 
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。 
当使用激光产生等离子体源时，激光辐射本身表示由于等离子体的散射和反射而入射到极紫外光刻工具中的相当大量的不想要的辐射。通常，使用具有大约10.6μm波长的CO2激光器。因为极紫外光刻系统的光学元件对10.6μm具有高的反射率，激光辐射以相当高的功率传播到光刻工具。功率的一部分最终被晶片吸收，这引起不想要的晶片升温。 
美国专利第7,196,343B2号公开了一种反射掠入射光谱纯度滤光片(SPF)用于过滤深紫外(DUV)辐射。这种SPF包括两个具有对一个极化深紫外辐射的抗反射(AR)涂层的垂直反射镜。通过使用如图5所示的两个垂直的反射，(大多数未极化的)深紫外辐射由于在衬底中吸收而被有效地抑制。此外，抗反射涂层的特征在于，其对极紫外具有高反射率，使得极紫外辐射大多数被反射。 
所述光谱纯度滤光片不适于抑制激光产生等离子体源中的10.6μm辐射，其主要原因是两个：对10.6μm的抗反射涂层通常对极紫外具有较低的反射率；和通常的反射镜衬底反射而不是吸收10.6μm辐射。 
发明内容
本发明的实施例可以通过提供光学元件来提高光谱纯度，所述光学元件包括：第一层，所述第一层包括第一材料，所述第一层对第一波长的辐射是反射的，其中第一层配置成对第二波长的辐射是基本上透明的或吸收的；第二层，第二层包括第二材料，第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的；第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，并且第三层对所述第二波长的辐射至少是部分透明的，其中，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高EUV辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种光学元件，包括：第一层，所述第一层包括第一材料，所述第一层配置成对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少部分透明；第二层，包括第二材料，第二层配置成对第二波长的辐射是基本上吸收的；第三层，包括第三材料，其位于第一层和第二层之间，并且第三层对第二波长的辐射是至少部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便 提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种光学元件，包括：第一层，所述第一层包括第一材料，第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少部分透明；第二层，第二层包括第二材料，第二层配置成沿第二方向对第二波长的辐射是基本上反射的，第一方向和第二方向彼此基本上不同，并且第三层包括第三材料，位于第一层和第二层之间，第三层对第二波长的辐射是至少部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种光学元件，包括：第一层，包括第一材料，第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射至少是部分透明的；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上散射的；和第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射至少是部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束；图案形成装置，配置成图案化所述辐射束；支撑结构，配置成保持衬底；和投影系统，配置成将所述图案化辐射束投影到衬底的目标部分上，其中照射系统和/或所述投影系统包括光学元件，所述光学元件包括：第一层，包括第一材料，所述第一层配置成对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少是部分透明的；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的；第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射至少是部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束；图案形成装置，配置成图案化所述辐射束；支撑结构，配置成保持衬底；和投影系统，配置成将所述图案化辐射束投影到 衬底的目标部分上，其中所述照射系统和/或所述投影系统包括光学元件，所述光学元件包括：第一层，包括第一材料，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少部分透明；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成沿第二方向对所述第二波长的辐射是基本上反射的，第一方向与第二方向是基本上彼此不同的；和第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射是至少部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束；图案形成装置，配置成图案化所述辐射束；支撑结构，配置成保持衬底；和投影系统，配置成将所述图案化辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述照射系统和/或所述投影系统包括光学元件，所述光学元件包括：第一层，包括第一材料，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少部分透明；第二层，包括第二材料，第二层配置成对第二波长的辐射是基本上散射的；第三层，包括第三材料，位于第一层和第二层之间，并且第三层对第二波长的辐射至少部分透明，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，包括：图案化辐射束以形成图案化辐射束；将所述图案化辐射束投影到衬底上；和用至少一个光学元件反射所述辐射束，所述光学元件包括：第一层，包括第一材料，所述第一层配置成对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少是部分透明的；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的；第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射至少是部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种通过以下方法制造的器件，所述方法包括：图案化辐射束以形成图案化辐射束；将所述图案化辐射束投 影到衬底上；和用至少一个光学元件反射所述辐射束，所述光学元件包括：第一层，包括第一材料，所述第一层配置成对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少是部分透明的；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的；第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射至少是部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，包括：图案化辐射束以形成图案化辐射束；将所述图案化辐射束投影到衬底上；和用至少一个光学元件反射所述辐射束，所述光学元件包括：第一层，包括第一材料，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少是部分透明的；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成沿第二方向对所述第二波长的辐射是基本上反射的，第一方向与第二方向是基本上彼此不同的；第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射至少是部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，包括：图案化辐射束以形成图案化辐射束；将所述图案化辐射束投影到衬底上；和用至少一个光学元件反射所述辐射束，所述光学元件包括：第一层，包括第一材料，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射至少是部分透明的；第二层，包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上散射的；第三层，包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射至少是部分透明的，第一层位于入射辐射的光学路径的相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。 
例如，在本发明的实施例中，第一波长的辐射可以是极紫外辐射，第二波长的辐射可以是CO2或钇铝石榴石(YAG)激光器辐射。 
附图说明
现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中： 
图1示出了根据本发明实施例的光刻设备； 
图2示出图1中的光刻设备的光学元件的实施例； 
图3示出根据本发明的光学装置的实施例； 
图4示出图2中的光学元件对于p极化(Rp)和s极化(Rs)的具有波长13.5μm的辐射的反射率； 
图5示出图2中的光学元件对于p极化(Rp)和s极化(Rs)的具有波长10.6μm的辐射的反射率； 
图6示出在5°入射角的情况下图2中的光学元件的作为层厚度函数的极紫外反射率； 
图7示出在5°入射角的情况下图2中的光学元件对p极化的深紫外反射率； 
图8示出图3中的光学装置在深紫外情况下的总的反射率； 
图9示出集光率由于非零的反射镜厚度而增加； 
图10a-c示意地示出光学元件的实施例的横截面视图； 
图11示出3°的锥形光学元件在10.6μm情况下对p极化(Rp)和s极化(Rs)的反射率； 
图12示出在10°入射的情况下作为锥形的光学元件实施例的半角的函数的点源的虚源尺寸和实际立体角； 
图13示出具有曲面反射镜的实施例的三维图像； 
图14示出对2°入射角、10°入射角进行优化的多层光学元件的反射率曲线，以及对局部入射角最优化的分级多层光学元件的反射率曲线；和 
图15示出作为第二Ge层的厚度和入射角的函数的类金刚石碳/Ge/ThF4/Ge/a-SiO2多层光学元件在10.6μm时的反射率Rp； 
图16示出图1中的光刻设备的光学元件的实施例； 
图17示出根据本发明的光学元件的实施例； 
图18示出根据本发明的光学元件的实施例；和 
图19示出金刚石生长的示例。 
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射、深紫外(DUV)辐射、极紫外(EUV)辐射或甚至具有比EUV辐射更短波长的辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。 
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。 
所述支撑结构支撑，即承载所述图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。 
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器 件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。 
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。 
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。 
光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。 
所述光刻设备还可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体覆盖(例如水)，以便填满投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备的其他空间中，例如掩模和投影系统之间的空间。浸没技术可以用于提高投影系统的数值孔径在本领域中是公知的。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底)浸入到液体中，而仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和该衬底之间。 
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮 助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。 
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。 
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。 
可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中： 
1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。 
2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。 
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。 
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用模式。 
在图2中，示出光学元件1的实施例。在示出的实施例中，光学元件1包括第一层4、第二层2以及第三层3。在图2的实施例中，第一层4相对于第二层2和第三层3布置在入射辐射的光学路径的上游，第三层3相对于第二层2布置在入射辐射的光学路径的上游。在一实施例中，第一层4布置在第三层3的顶部(例如顶部表面)，第三层3布置在第二层2的顶部(例如顶部表面)。 
第一层4可以包括合适的非金属，例如类金刚石碳或二氧化钛TiO2，或其混合物，部分因为即使是应用为极薄的层，金属也通常将反射10.6μm的辐射。在本实施例中，第一层4是极紫外反射盖层。附加 地，第一层4可以对通常称为深紫外(DUV)辐射的波长范围(大约100nm到大约300nm波长的辐射)是至少部分透明的，由此用做所谓的深紫外辐射的抗反射(AR)涂层。在一实施例中，第一层4对深紫外辐射是基本上透明的。第一层4对极紫外具有合适的反射率。第一层可以具有大约1nm到大约50nm范围、大约1nm到大约20nm范围、或大约20nm或大约10nm的厚度。 
第三层3可以是所谓的抗反射涂层并且可以被调整为对10.6μm波长的辐射透明。第三层3的用途是为了进一步减弱10.6μm辐射从第二层2的反射。最佳的参数依赖于第二层2的材料和减小反射率的掠射角的范围。第三层3可以包括一种或更多种例如ZnSe、ZnS、GaAs和Ge等材料，和/或例如ThF4和YF3等低折射率卤化物。。 
第二层2是对10.6μm波长的辐射具有高吸收系数的材料层。第二层2可以包括诸如陶瓷等材料，例如Al2O3或TiO2，或某些玻璃，例如熔融硅石或二氧化硅。材料可以对具有10.6μm波长的辐射具有低的固有的掠入射反射率。例如，二氧化钛(TiO2)具有比Al2O3低得多的反射率。第二层2的厚度被选择成使得基本上所有具有10.6μm波长的辐射都在该层中被吸收，使得在该层的底部侧的反射被减小或消除。第二层2的厚度可以是大约0.01μm和大约1mm之间，例如大约0.05mm。 
第三层3可以被配置成对10.6μm波长的辐射是透明的，并且第一层4(极紫外反射盖层)可以具有对深紫外辐射是抗反射涂层的厚度。因此，光学元件可以结合对两种辐射的抑制，即具有10.6μm波长的辐射和深紫外辐射：入射到光学元件上的具有10.6μm的波长的辐射可以传播通过第一层4和第三层3，而由第二层2吸收；深紫外辐射可以由用作深紫外辐射的抗反射涂层的第一层4抑制。 
在图2所示的实施例中，对极紫外辐射的总的反射率的典型值为85.1％，对深紫外辐射为10-40％，而对具有10.6μm波长的辐射为10.7％。 
光学元件1可以设置在衬底5上。在图5中示出的实施例中为这种情形。第二层2可以吸收相当大量的热量(通常是100W/cm2量级)。因此，光学元件1可以以高热传导率淀积在衬底5上，例如铜，通过铜 热量可以有效地传递出去。另一冷却装置(例如水冷)可以用于这种用途以加强进一步地冷却。 
在图3中，示出一个实施例，其中两个反射镜7彼此沿彼此横截的方向布置。这些反射镜7都是双面的，使得两面包括由图2所公开的光学元件。图3中的实施例可适当地放置在所谓的中间焦点处，该中间焦点是由源SO发射的辐射通过收集器聚焦的焦点。将如图3所示的光学装置放置在中间焦点处的潜在的优点在于，至少对于充分薄的反射镜7，该实施例对源的成像的影响被极大地限制。此外，入射角小，这导致高的极紫外反射率。 
通常，在中间焦点处入射的典型入射角相对于光轴可以在大约2°到大约9°范围。这与抗反射涂层的设计相关，抗反射涂层在特定的角范围内是最优化的。虽然相对于光轴，最小入射角可以是大约2°，但是反射镜上的最小入射角可以是大约0°。因此，反射镜可以在大约0°到大约9°的范围进行最优化。 
对应该角范围的光学元件1的实施例可以如下进行配置：由类金刚石碳形成的第一层4具有20nm的厚度；由Ge形成的中间层具有420nm的厚度；由ThF4形成的第三层3具有5100nm的厚度；由Ge形成的另一中间层具有500nm的厚度；由a-SiO2形成的第二层2具有50μm的厚度。 
类金刚石碳层良好地附着在形成碳化物的材料，例如Ge，并且可以形成为对于高极紫外反射率所需的亚纳米粗糙度，如L.Tao，S.Ramachandran，C.T.Nelson，T.H.Lee，L.J.Overzet，M.J.Goeckner，M.J.Kim，G.S.Lee and W.Hu等人在Mater.Res.Soc.Symp.Proc.，Diamond Electronics-Fundamentals to Applications(2007)，243中的文章“Nanofabrication of Diamond-like Carbon Templates for Nanoimprint Lithography”中所示的那样。 
图4示出光学元件的实施例对13.5nm处p极化(Rp)和s极化(Rs)的反射率的示例。在这个波长的条件下，反射率由作为第一层4的类金刚石碳单独确定。极化的影响非常小并且在整个角范围上反射率＞80％。 
然而，在10.6μm的情况下，对于p极化(Rp)和s极化(Rs)反射率存在极大的差异，如图5所示。抗反射涂层的用途是为了抑制p极化辐射。然后，由其他反射镜抑制S极化辐射，通过其他反射镜再次被p极化(见图3)。对于这个示例，抗反射涂层的抗反射性质在4.5°的角度处被最优化，其中p极化反射率小于0.5％(Rp＜0.5％)。朝向角范围的高的一端，p极化反射率可以增大到大约10％；在零入射角处，其接近100％。 
图3中的光学装置的两个反射镜7在任何入射角的情况下结合的反射率由 给出，其中θ是在第一反射镜上的入射角， 
Figure BDA00002529015600132
是在第二反射镜上的入射角。 
为了获得光学装置的总的反射率，在角度 
Figure BDA00002529015600133
的合适的范围上的积分通过下式计算： 
在等式(1)中，假定辐射强度分布在整个积分范围上是恒定的。强度分布通常依赖于收集器几何形状。对于一般的椭圆形收集器，朝向光轴强度轻微地增大，但是计算显示这对反射率仅有轻微的影响。在这些边界条件的情况下，总的反射率的典型值在13.5nm的情况下为85.1％，在10.6μm情况下为10.7％，即总的光谱纯度增大8倍。 
正如上面所述，极紫外反射盖层(第一层)4的厚度被选择成使得深紫外辐射的反射被限制。如图6所示，该厚度可以是10nm量级或更大，以便保持高的极紫外反射率。图7显示在深紫外区间p极化的反射率，其依赖于类金刚石碳层的厚度(通常为12-36nm(120-360A))。图中的值以埃(A)为单位给出了类金刚石碳层的厚度。对于图2中具有20nm厚度的类金刚石碳层的实施例，根据等式(1)的计算，光学装置的总的深紫外反射率在10％到40％之间，如图8所示。图8中曲线的层是具有20nm厚度的类金刚石碳层。 
光学元件1的总的厚度应该尽可能的小，以便最小化源图像的变形。在图9中示出，点源IF被伸长的尺寸由下式给出： 
s = 2 d tan θ max - tan θ min tan θ max + tan θ min - - - ( 2 )
例如，在总厚度d＝200μm(100μm铜冷却衬底+2x50μm在两侧上的多层)的典型的实施例中，虚源尺寸s＝173μm。相对于实际的极紫外箍缩尺寸这个尺寸是小的，因而不期望具有200μm厚度的光学元件的实施例带来集光率的显著的增大。 
在图2的实施例中，辐射的一部分在小角度处被反射，特别是垂直反射镜，在这种情况下由于遮蔽(obscuration)对入射角没有更低的束缚。在这些低的角度处，抗反射涂层对10.6μm的性能相对较差，如图5所示。这导致非常不一致的红外远场图案和总光谱纯度方面的不理想的性能。 
在一个实施例中，两个反射镜的最小入射角通过阻挡以非常小的角度入射的辐射而被增大。例如，光学装置可以在使用时对第一和第二反射镜分别设置最小入射角θmin＝2°和 
Figure BDA00002529015600142
对于这些参数，10.6μm波长的辐射的总的反射率从10.7％减小到3.52％，同时在13.5nm处总的反射率几乎不受影响(从85.1％到83.2％)。因此，与图2中的实施例8倍相比，光谱纯度增大24倍。然而，由于附加的遮蔽，产出减小为基础实施例的72％，因为极紫外辐射的一部分被阻挡。 
对于某些应用，在特定方向上的遮蔽是不允许的。例如，在扫描器工具中，在特定方向上，即平行于扫描线的方向，遮蔽是不允许的。因此，在另一实施例中，反射镜被旋转使得它们仍然基本上彼此相互垂直，但是它们都不平行于扫描线，例如两个反射镜相对于扫描线倾斜45°。 
在一个实施例中，一个或两个反射镜7的反射表面7’和7”不平行，如图10a所示，但是朝向源成锥形，如图10b所示，或朝向源成弯曲的形状，如图10c所示。锥形的或楔形的反射镜的潜在的优点在于，入射角范围被偏移到较高的值，在较高的值10.6μm的辐射可以被更好地抑制。例如，如果锥形半角为3°，入射角的范围从0-10°偏移到3-13°。图12示出在10°入射的情况下，虚源的尺寸和点源的实际立体角作为光学元件的锥形实施例的半角的函数。 
对于图10b中的光学元件，抗反射涂层的参数可以被重新优化为入射角的范围。例如，总的多层可以如下： 
对于该角范围光学元件1的一个实施例可以如下进行配置：由类金刚石碳形成的第一层4具有20nm的厚度；由Ge形成的中间层具有715nm的厚度；由ThF4形成的第三层3具有1400nm的厚度；由a-SiO2形成的第二层2具有50μm的厚度。 
图11示出该反射镜在10.6μm处的反射率。在对所有入射角Rp＜13％的情况下，对p极化辐射的反射率比在基础实施例中的低得多。对于根据本发明的光学元件的某些实施例，由两个锥形反射镜构成的装置，总的反射率可以变成对于10.6μm为5.66％，对13.5nm为74.6％。因此，与图2中的实施例的8倍相比，光谱纯度可以增大13倍。这里，对两个锥形反射镜，两个反射不再精确地垂直的因素被忽略。例如，对于3°楔形半角，两个表面之间的角度是89.84°而不是90°，因此这种影响实际上非常小。 
具有楔形反射镜的实施例以与具有平面镜的图2中的实施例不同的方式改变源图像。对于楔形半角α和厚度d，点源被伸长为虚源尺寸，由下式给出： 
s = 2 d ( sin ( θ min + α ) cos α sin θ min ) ( tan ( θ max + 2 α ) - tan ( θ min + 2 α ) tan ( θ max + 2 α ) + tan ( θ min + 2 α ) ) - - - ( 3 )
对于α＝0°时，其减小为等式(2)。锥形也影响立体角，其中辐射被发射到光学路径中相对于中间焦点的下游。立体角Ω由2π(1-cos θmax)增大到2π[1cos(θmax+2α)]。图11示出两个影响作为α的函数。对于α＝3°的典型实施例，集光率(～Ωs2)增大一个估计的2.4倍，其依赖于集光率的要求和源的原始集光率是可接收的。 
在一实施例中，光学元件，例如反射镜，是如图10c中所示的曲面的。反射镜表面的至少一部分的曲率可以是使得，对于由源SO辐射并通过聚光器CO聚焦到中间焦点的辐射，中间焦点相对于光学元件被定位在预定位置，不管辐射入射的位置是在哪里入射角均相同，并且集光率受到最少的影响。这是可能的，因为辐射与光轴的角度由于反射镜的有限厚度而随着在反射镜上的位置而改变。例如，反射镜可以形成为使 得所有辐射以4.5°掠入射反射。在这种情况下，反射的辐射在与光轴为5°的范围内发射，即立体角减小。虚源尺寸也将依赖于反射镜的精确的形状而改变。这将决定集光率的最终的增大。 
在4.5°反射角的情况下，图2的实施例的抗反射涂层对10.6μm辐射具有最大的抑制(见图5)。因此，总的反射率在10.6μm时低到0.05％，而在13.5nm处高为84.3％。通过减小辐射反射的角度，总的极紫外反射率可以进一步增大(对2°的情形，达到92.8％)。应该注意的是，本示例给出了点源的理想情形。在有限的源尺寸的情况下，通常在反射镜表面的每个点处存在非零的入射角范围。因此，抗反射涂层可以不针对单个角度进行优化，而针对角度的范围进行优化，因此对于10.6μm辐射、总的反射率在实际应用时较高。 
在一个实施例中，涂层的参数作为在反射镜上的侧向位置的函数进行变化。在每个位置上的涂层可以具有参数使得对于对应于该位置的入射角，p极化的10.6μm辐射的反射率被最小化。通常这是可以的，因为在反射镜上的任何给定的位置处，辐射仅以一个入射角入射。对于大约2°以下的所有角度可以获得低于0.05％的Rp值。例如，对于具有下面结构的光学元件可以实现在10°入射角处的Rp＝0.04％：由类金刚石碳形成的第一层4具有20nm的厚度；由Ge形成的中间层具有730nm的厚度；由ThF4形成的第三层3具有980nm的厚度；由Ge形成的另一中间层具有1500nm的厚度；由a-SiO2形成的第二层2具有50μm的厚度。 
对于下面的结构可以实现在入射角为2°时Rp＝0.04％：由类金刚石碳形成的第一层4具有20nm的厚度；由Ge形成的中间层具有710nm的厚度；由ThF4形成的第二层3具有2500nm的厚度；由Ge形成的另一中间层具有700nm的厚度；由a-SiO2形成的第二层2具有50μm的厚度。 
对于两种多层，如图14示出作为入射角的函数的反射率。图15显示，即使仅通过改变一个参数，即Ge层中的一个层的厚度，可以在大的角度范围上实现涂层的最优化。 
为了计算在10.6μm时的总的反射率，采用与第一实施例结构相类 似的具有平面镜的光学元件，并且使用对小于或等于2°的角具有等于0.04％的Rp值和角度大于2°时Rp＝0.05％的涂层。 
对所有角，S极化的反射率Rs被假定为1。这导致在10.6μm时总反射率为3.29％，在13.5nm时总反射率为85.1％。因此，光谱纯度被增大26倍。再次，这仅可以在点源的理想情况下成立。在有限的源尺寸情况下，在反射镜表面的每个点处通常存在非零的入射角范围。因而，抗反射涂层不可以对应单个角度被优化，而应该对应一个角度范围被优化，因而对10.6μm辐射、总的反射率在实际应用时较高。 
同样，第一层(极紫外反射盖层)4的厚度也可以作为侧向位置的函数进行变化，以便最优化在每个入射角处的深紫外抑制。在一个实施例中，第一层4的厚度范围是大约10nm到大约50nm。在较小的厚度时，极紫外反射率会显著地下降(见图6)，而在较大厚度时，红外反射率开始增大。 
原子氢可以存在于中间焦点处，尤其是在激光产生等离子体源中。这种氢可以用于进一步冷却光学元件。在一个实施例中，可以在第一层4的顶上淀积保护盖层，以保护光学元件不受氢引入的损坏。例如，可以使用若干纳米厚度的Si3N4层而不会明显影响反射率。当类金刚石碳层被用作第一层4(如在上述实施例中)，可以不需要保护层，因为类金刚石碳不太受到原子氢的影响。 
在一个实施例中，光学元件不需要以交叉的形状布置和/或布置在中间焦点上，而是布置成另一种两个垂直的反射镜对的形式。例如，光学元件可以应用为在投影光学系统中的两个垂直的掠入射反射镜。此外，代替在中间焦点处的一种或者作为在中间焦点处的一种的附加，这里公开的第三层3可以应用到其他掠入射反射镜(例如g反射镜)以提高光谱纯度。 
如图16所示，光学元件的另一实施例包括下面的部件：在10.6μm具有高反射率的材料形成的反射层5、在10.6μm透明的材料形成的第二层2、对10.6μm可调的第三层3以及极紫外反射第一层4。 
反射层5的材料可以选择成在10.6μm具有高反射率。大多数金属(例如，Mo)属于这一类。期望地，该层的厚度仅与对反射镜的机械 粗糙度最低要求一样大，例如0.2mm。可选地，该层可以较薄并且安装在支撑衬底上。 
第二层2的用途是透射10.6μm辐射到反射层1，同时为极紫外反射第一层4提供平坦的基础。因此，该层的厚度可以不是统一的。期望地，第二层2由CO2激光窗口材料形成，例如ZnSe、ZnS、GaAs以及Ge。 
第三层3还可以减小来自第二层2的反射率。该涂层的最佳参数依赖于反射率应该减小所对应的掠射角的范围。第三层3可以包括例如CO2激光窗口材料，例如ZnSe、ZnS、GaAs以及Ge，和/或低折射率卤化物，例如ThF4和YF3。 
第一层4具有对极紫外的高的反射率，其期望厚度通常为10nm量级。因为金属即使在被用作非常薄的层时通常也将反射10.6μm的辐射，期望第一层4由非金属材料形成，例如类金刚石碳(DLC)或TiO2。 
因为第一层4也用作深紫外的抗反射(AR)涂层，其厚度被调整为以便在深紫外范围内给出想要的抑制。 
在该实施例中，两个反射镜被布置成交叉的形状，并且放置在中间焦点处(还参照图1)。在图16中示出的结构应用在每个反射镜的两个侧面。 
可以假定，在中间焦点处相对于光轴的典型入射角的范围从2°到9°。这与在特定角范围内被优化的抗反射涂层的设计有关。此外，这与在红外反射表面和极紫外反射表面之间选择角度有关。虽然相对于光轴的最小入射角为2°，在反射镜上的最小入射角是(接近)0°。因而，反射镜应该被优化为从0°到9°的范围。 
对于这种角范围，典型的实施例可以如下： 
DLC[20nm]/Ge[420nm]/ThF4[5100nm]/Ge[500nm]/ZnSe[变化的]/Mo。 
此处，类金刚石碳是极紫外反射盖层，Ge/ThF4/Ge叠层是抗反射涂层，ZnSe是分离层，Mo是倾斜的红外反射层。 
考虑从0°到9°的角范围，期望地，层1的表面与第一层4的表面 形成至少5°的角度，使得红外辐射相对于光轴至少以10°反射，因而与极紫外辐射分离。通常，反射镜沿光轴的长度将是1cm量级。因而，如果反射层1的表面是连续的，在图16中示出的叠层的期望厚度将是1mm量级，并且双面反射镜的总的厚度将是大约2mm。为了保持可接受的集光率，期望具有较小的厚度。这可以通过如图16示出的锯齿形反射层1来实现。例如，锯齿可以具有1mm的周期，使得叠层的厚度被减小为大约0.1mm。 
在另一实施例中，反射层1的周期变成红外波长(10.6μm)的量级，例如小于0.1mm。在本实施例中，反射层1可以用作反射光栅，其可以衍射CO2或YAG激光器辐射(将CO2或YAG激光器辐射反射成多衍射级)。表面形貌可以最优化，使得引导在衍射级中的大部分辐射到极紫外束外侧。 
图4中示出图16中的实施例在13.5nm处对p极化和s极化的反射率。图5示出了在10.6μm处的反射率。在13.5nm波长处，反射率仅由类金刚石碳盖层确定。极化的影响非常小，并且在整个角范围上反射率大于80％。在10.6μm波长处，对p极化和s极化的反射率存在极大的差异。抗反射涂层的用途是抑制p极化辐射。然后通过其他反射镜抑制s极化辐射，为此其被再次p极化。对于这个示例，抗反射涂层的抗反射性能在Rp＜0.5％的情况下在4.5°处最佳。朝向角范围的高的端，反射率增大大约10％；朝向零入射角，其(不可避免地)接近100％。 
如图17所示，另一实施例包括下面的部件：在10.6μm处基本上透明的材料形成的层2、对10.6μm可调的抗反射涂层3以及极紫外反射盖层4。 
层2的材料选择成在10.6μm具有高的透过率。该层期望由类金刚石碳(DLC)形成，或者由例如ZnSe、ZnS、GaAs以及Ge等CO2激光器窗口材料形成。 
抗反射涂层3还减小了层1的红外掠入射反射率。该涂层的最优的参数依赖于反射率应该被减小所在的掠射角的范围。抗反射涂层可以包括例如ZnSe、ZnS、GaAs以及Ge等CO2激光器窗口材料，和/或例如ThF4和YF3等低折射率卤化物。 
盖层4具有对极紫外高的反射率，通常其期望厚度为10nm量级。因为金属即使在被用作非常薄的层时通常也将反射10.6μm的辐射，期望盖层4由非金属材料形成，例如类金刚石碳(DLC)或TiO2。 
因为盖层4还用作对深紫外的抗反射涂层，其厚度被调整成以便在深紫外范围给出想要的抑制。 
在该实施例中，两个反射镜可以布置成交叉的形状，如图3所示，并且放置在中间焦点处。在图17中示出的结构被应用到每个反射镜的两个侧面，如图18所示。为了确保红外辐射在透射通过反射镜之后被引导到极紫外束的外侧，根据本方面的各个方面，层2的背侧被图案化。 
在一个实施例中，背侧可以具有通常相对于极紫外反射盖层3是倾斜的表面取向，如图17(a)所示。随后，红外辐射被衍射到极紫外被反射的立体角外侧。假若在图17(a)中的锯齿曲线的周期远大于红外波长辐射，被引导进入的该角仅由表面法线和斯涅耳定律给出，。 
在一个实施例中，在背侧的图案具有红外辐射量级的周期，使得其用作透射光栅。光栅轮廓可以被最优化成以便引导在衍射级中的大部分辐射到极紫外束的外侧。 
在一个实施例中，如图17(b)所示，背侧具有高的表面粗糙度，为红外波长(10.6μm)的量级的长度规。在这种情形中，红外辐射被散射，使得大部分红外辐射被引导到极紫外束的外侧。该实施例可以具有特别的优点，其可以容易地制造。例如，层2的材料可以是前面所述的金刚石，其可以在例如硅等平的衬底上生长。通过选择合适的生长参数，可以自动地将所期望的粗糙度引入到金刚石层的顶部表面，如图19所示。因此，在从衬底剥离之后，层具有一个平滑的侧面和一个粗糙的侧面，如图17(b)示出的。剩下的所有要完成的是在该层的平滑侧面上沉积涂层3和4。 
在一个实施例中，基于前面的实施例中的任一个，层2的图案化背侧还可以涂覆类似于抗反射涂层3的抗反射涂层(但是通常具有不同的参数)。该附加的抗反射涂层可以减小层2内的内部反射，由此提高总的叠层的透射。附加的抗反射涂层是可选的，因为内部反射通常不是问 题，只要光被反射或衍射到极紫外束的外侧。 
在一个实施例中，层2的背侧不是图案化的或粗糙的，而是相对于极紫外反射表面连续地倾斜的。这可以不是优选的实施方式，因为需要一个实质上的倾角(e.g. 5°)以将辐射衍射到极紫外束的外侧。这将形成相对厚的反射镜，如果SPF放置在如图3所示的IF处，其会带来集光率的不想要的增大。因而，期望在几个步骤中将倾斜的表面打断，形成如图17(a)所示的锯齿图案。 
可以假定，在中间焦点处相对于光轴的入射角的范围从2°到9°。这与在特定角范围内被优化的抗反射图层的设计有关。虽然距离光轴的最小入射角为2°，在反射镜上的最小入射角是(接近)0°。因此，反射镜应该对应从0°到9°的范围被最优化。 
对于这个角范围的一个实施例如下： 
DLC[20nm]/Ge[420nm]/ThF4[5100nm]/Ge[500nm]/ZnSe[变化的]。 
这里，类金刚石碳层是极紫外反射盖层，Ge/ThF4/Ge叠层是抗反射涂层并且ZnSe层是具有图案化的背侧的红外透过层。 
图4示出在13.5nm处对p极化和s极化典型的实施例的反射率。在这个波长的情况下，反射率仅由类金刚石碳盖层确定。极化的影响非常小并且在整个角范围上反射率大于80％。 
图5示出反射镜在镜面反射时的红外反射率(即，不是通常被引导到极紫外束外侧的由层2的背侧反射的部分)。在10.6μm情况下，对于p极化和s极化反射率存在大的差异。抗反射涂层的用途是用于抑制p极化辐射。然后，通过其他反射镜抑制s极化辐射，对此其被再次p极化。对于这个示例，抗反射涂层的抗反射性质在Rp＜0.5％的情况下在4.5°角度处是最优的。朝向角范围的大的一端，反射率增大到大约10％；朝向零入射角，其(不可避免地)接近100％。 
对于基础实施例计算的总的反射率在13.5nm时是85.1％，在10.6μm时是10.7％，即总的光谱纯度增大8倍。通过使用侧向分级的涂层，在10.6μm时反射率可以理想地减小为3.29％，假定在SPF上的每个位置处辐射仅以一个角度入射。因为在实际使用时，入射角存在一 个范围(依赖于源的尺寸和SPF反射镜的厚度)，通常减小较小。 
虽然本发明详述了光刻设备在制造ICs中的应用，应该理解到，这里描述的光刻设备可以有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、测量工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将这里公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。 
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其它应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。 
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(UV)(例如具有或约为365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(具有5-20nm范围的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。 
在允许的情况下术语“透镜”可以表示不同类型的光学构件中的任何一种或其组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。 
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述计算机程序的数据存储介质(例如半导 体存储器、磁盘或光盘)的形式。 
上面描述的内容是例证性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本领域的技术人员在不脱离以下所述权利要求的范围的情况下，可以对上述本发明进行更改。 

Claims (15)

1.一种光学元件，用于提高第一波长的辐射的光谱纯度，所述光学元件包括第一层、第二层和在第一层和第二层之间的第三层，其中：
第一层包括第一材料；
第二层包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上透明的；和
第三层包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射是基本上透明的；其中
当第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游处，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是基本上反射的且对第二波长的辐射是基本上透明的；和
第三层配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。
2.如权利要求1所述的光学元件，其中，所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成沿第二方向对所述第二波长的辐射是基本上反射的，所述第一方向和所述第二方向基本上彼此不同。
3.如权利要求1所述的光学元件，其中，所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成对所述第二波长的辐射是基本上衍射的。
4.如权利要求1所述的光学元件，其中，所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成对所述第二波长的辐射是基本上散射的。
5.如权利要求4所述的光学元件，其中，所述第二层的底部表面具有大约所述第二波长量级的长度尺度的表面粗糙度。
6.如前述权利要求中任一项所述的光学元件，还包括第四层，其中所述第四层设置紧靠所述第二层的底部表面。
7.如前述权利要求中任一项所述的光学元件，其中，所述第一材料包括由类金刚石碳和TiO2构成的组中的至少一种材料；和/或
所述第三材料包括选自由ZnSe、ZnS、GaAs、Ge、ThF4以及YF3构成的组中的至少一种材料；和/或
所述第一波长的辐射是极紫外辐射；和/或
所述第二波长的辐射是红外辐射。
8.如前述权利要求中任一项所述的光学元件，其中，所述第一层的厚度使得所述第一层配置成用作对第三波长的辐射的抗反射涂层。
9.如权利要求8所述的光学元件，其中，所述第一层的厚度在1-20nm范围内；和/或
所述第三波长的辐射是深紫外辐射。
10.一种光学装置，包括至少两个如前述权利要求中任一项所述的光学元件，其中第二层沉积到衬底上。
11.一种光学装置，包括至少两个如前述权利要求中任一项所述的光学元件，其中所述至少两个光学元件的至少两个第一层相对于彼此基本上垂直地取向。
12.一种光刻设备，包括如权利要求10或11所述的至少一种光学装置。
13.如权利要求12所述的光刻设备，其中，所述光刻设备还包括：
照射系统，配置成调节辐射束；
图案形成装置，配置成图案化所述辐射束；
支撑结构，配置成保持衬底；和
投影系统，配置成将所述图案化辐射束投影到衬底的目标部分上。
14.一种器件制造方法，包括：
图案化辐射束以形成图案化辐射束；
将所述图案化辐射束投影到衬底上；和
用至少一个光学元件反射所述辐射束，所述光学元件包括：
第一层包括第一材料；
第二层包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上透明的，和
第三层包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射是基本上透明的；其中
当第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游处，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的，
第三层配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射；和
第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游。
15.如权利要求14所述的器件制造方法，其中，所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成沿第二方向对所述第二波长的辐射是基本上反射的，所述第一方向和所述第二方向是基本上彼此不同的；或
其中所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成对所述第二波长的辐射是基本上衍射的；或
其中所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成基本上散射所述第二波长的辐射；或
其中所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成基本上散射所述第二波长的辐射，且包括具有大约所述第二波长量级的长度尺度的表面粗糙度；和/或
所述的器件制造方法还包括第四层，其中所述第四层设置紧靠所述底部表面。
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