CN102970260A - 噪声抑制方法、装置及lte数字微波射频拉远覆盖系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种噪声抑制方法、装置及LTE数字微波射频拉远覆盖系统，用以解决现有技术中的LTE数字微波射频拉远覆盖系统存在的基站底噪被抬升的问题。所述方法包括：应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统的上行基带处理器通过对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，得到多个数字子频带信号；通过分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理，得到多个子频带基带信号；分别比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值；对载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器；以及关断载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种噪声抑制方法、装置及LTE数字微波射频拉远覆盖系统。
背景技术
移动通信系统主要由三部分组成：移动台、无线接入网以及核心网。其中，无线接入网包括无线网络控制器和基站。其中，基站的主要作用在于对移动通信信号的接收和发送。一般情况下在某个区域内，多个基站相互组成一个蜂窝状的网络，通过控制基站与基站之间的信号相互发送和接收来达到移动通信信号的传送，这个范围内的区域就是我们常说的网络覆盖面。而基站不能覆盖的地区就是移动通信信号的盲区。在实际的移动通信系统中，由于地理环境、天气变化或基站覆盖范围调整等原因，目标区域中难免会存在信号弱覆盖区，甚至还会出现信号覆盖盲区，这对于要求服务质量日益提高的移动通信系统是一个普遍的难题。
为了解决信号弱覆盖区以及信号覆盖盲区的问题，目前在3GPP（The 3rdGeneration Partnership Project，第三代合作伙伴计划）协议LTE（Long TermEvolution，长期演进）Rel-8版本中引入了一种新的延伸覆盖技术，称为中继Relay技术，该技术中的核心设备称为RN（Relay Node，中继节点）。根据不同的功能定位，LTE Rel-8版本定义了三种类型的Relay技术，分别是层1 Relay（L1 Relay）、层2 Relay（L2 Relay）和层3 Relay（L3 Relay）。其中，层1 Relay不会对信号进行解码，只是直接将信号进行放大和转发，不能区分出有用信号与底部噪声（简称为底噪），因此，在放大信号的同时也会抬升底噪，因此虽然能够提升覆盖范围，且具有设备简单、成本和引入的时延低的优点，但会抬升施主基站（即发送信号的基站）底噪，从而严重影响上行覆盖和上行吞吐率而不能大规模应用。而层2 Relay与层3 Relay虽然不会抬升施主基站底噪，但已被证明存在效率低、时延较大、设备复杂和成本较高等缺点。
目前，LTE数字微波射频拉远覆盖系统主要采用层1 Relay，其上行方向将接收到的信号进行放大并转发至LTE基站，下行方向将LTE基站发出的信号进行放大使之覆盖目标区域，从而扩大了LTE基站的覆盖范围，消除了信号弱覆盖区和信号覆盖盲区，解决了室内或特殊场景的覆盖问题，但是其仍然存在基站底噪被抬升的缺点，并严重影响基站的上行接收灵敏度。
发明内容
本发明实施例提供一种噪声抑制方法、装置及LTE数字微波射频拉远覆盖系统，用以解决现有技术中的LTE数字微波射频拉远覆盖系统存在的基站底噪被抬升的问题。
本发明实施例采用以下技术方案：
一种噪声抑制方法，应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统，包括：
上行基带处理器通过对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，得到多个数字子频带信号；通过分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理，得到多个子频带基带信号；分别比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值；对载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器；以及关断载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙。
一种噪声抑制设备，应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统，包括：
模数转换单元，用于通过对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，得到多个数字子频带信号；下变频单元，用于通过分别对模数转换单元得到的各数字子频带信号执行数字下变频处理，得到多个子频带基带信号；比较单元，用于分别比较下变频单元得到的各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值；上变频单元，用于对比较单元比较得到的载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号，并发送给光收发器；关断单元，用于关断比较单元比较得到的载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙。
一种上行基带处理器，包括模数A/D转换器、数字下变频器DDC和数字上变频器DUC，该上行基带处理器应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统，且该上行基带处理器还包括：载噪比Ec/Io判决电路，其中：
A/D转换器，用于对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，将得到的多个数字子频带信号发送给DDC；DDC，用于分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理后，将得到的多个子频带基带信号作为所述Ec/Io判决电路的输入信号；Ec/Io判决电路，用于通过比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值，将载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号发送给DUC，以及关断载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙；DUC，用于对接收到的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器。
一种LTE数字微波射频拉远覆盖系统，包括近端微波传输系统和远端微波传输系统，所述远端微波传输系统包括上行传输子系统和下行传输子系统，所述上行传输子系统包括：模拟下变频器、上行基带处理器和光收发器，其中：
模拟下变频器，用于对低噪声放大器发送来的上行射频信号执行模拟下变频处理，将得到的模拟中频信号发送给所述上行基带处理器；上行基带处理器，用于将接收到的模拟中频信号执行A/D转换以及数字下变频处理，得到多个子频带基带信号，并比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值，将载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙关断；将载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号通过上行链路发送给光收发器；光收发器，用于将所述上行基带处理器发送的数字射频信号转换为光信号后，发送给数字微波拉远远端室内单元IDU。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例通过在LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统上行传输方向增加对子频带基带信号载噪比的判断过程，对载噪比不大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号执行关断发送时隙的操作，而只对载噪比大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，使得该LTE数字微波射频拉远覆盖系统只对上行有用信号进行放大，而对作为噪声而存在的载噪比不大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号进行抑制，从而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷。另外，在保证每个基站的固有容量的基础上，同一个基站下可以并联多台LTE数字微波射频拉远覆盖系统而不会抬升该基站的底噪，改善了上行覆盖和上行吞吐率，提升了基站的上行接收灵敏度，增加了组网的灵活性，降低了网络建设成本。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种噪声抑制方法的主要流程图；
图2为本发明实施例二提供的一种噪声抑制装置的结构示意图；
图3为本发明实施例三提供的一种上行基带处理器的内部结构原理图；
图4为多台LTE数字微波射频拉远覆盖系统的组网示意图；
图5为本发明实施例提供的频分双工LTE（包括LTE-FDD、LTE-FDDAdvance、FDD-LTE、FDD-LTEAdvance）数字微波射频拉远覆盖系统的近端微波传输系统的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的频分双工LTE（包括LTE-FDD、LTE-FDDAdvance、FDD-LTE、FDD-LTEAdvance）数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的时分双工LTE（包括LTE-TDD、LTE-TDDAdvance、TDD-LTE、TDD-LTE Advance、TD-LTE、TD-LTE Advance）数字微波射频拉远覆盖系统的近端微波传输系统的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的时分双工LTE（包括LTE-TDD、LTE-TDDAdvance、TDD-LTE、TDD-LTE Advance、TD-LTE、TD-LTE Advance）数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统的结构示意图。
具体实施方式
为了解决现有技术中LTE数字微波射频拉远覆盖系统存在的基站底噪被抬升的问题，本发明实施例提供了噪声抑制方法、装置及LTE数字微波射频拉远覆盖系统。通过在LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统上行传输方向增加对子频带基带信号载噪比的判断过程，对载噪比不大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号执行关断发送时隙的操作，而只对载噪比大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，使得该LTE数字微波射频拉远覆盖系统只对上行有用信号进行放大，而对噪声进行抑制，有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷。另外，在保证每个基站的固有容量的基础上，同一个基站下可以并联多台LTE数字微波射频拉远覆盖系统而不会抬升该基站的底噪，极大的改善了基站的上行接收灵敏度，不仅增加了组网的灵活性，而且也降低了网络建设成本。
需要说明的是，本发明实施例中涉及的上行噪声抑制可以是基于OFDMA（Orthogonal Frequency Division Multiple Access正交频分多址）原理进行处理，以及基于SC-FDMA（Single-carrier Frequency-Division Multiple Access，单载波频分多址）多址接入原理进行处理。
下面结合各个附图对本发明实施例技术方案的主要实现原理、具体实施方式及其对应能够达到的有益效果进行详细的阐述。
实施例一：
如图1所示，为本发明实施例一提供的一种噪声抑制方法的主要流程图，应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统，该方法包括以下步骤：
步骤11，通过对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，得到多个数字子频带信号；
具体的，该步骤11中，通过覆盖或者接收天线从空间接收到用户终端发射的上行LTE射频信号，滤除无用信号后得到上行射频信号，该上行射频信号经过低噪声放大器将上行射频信号的幅度放大，并经过模拟下变频器的模拟下变频处理后，将上行中频信号下变频为模拟中频信号，再对模拟中频信号执行A/D转换采样后，得到多个数字子频带信号。
步骤12，通过分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理，得到多个子频带基带信号；
需要说明的是，所述得到的子频带基带信号的子载波数量将根据基站配置和实际网络情况进行确定，这里不限定子频带基带信号的子载波数量。
步骤13，分别比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值；对于载噪比大于载噪比阈值的子频带基带信号，执行步骤14，对于载噪比不大于载噪比阈值的子频带基带信号执行步骤15；
其中，预定的载噪比阈值范围为1~20dB，考虑算法误差，该预定的载噪比阈值通常可设置为9dB较为合理。
步骤14，对于载噪比大于载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器；
可选的，由于在步骤13比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值的过程中，可能会产生一些杂散的噪声信号，因此在对载噪比大于载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理之前，还可以对其进行噪声过滤，再对滤噪后的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器。
其中，光收发器将得到的数字射频信号传送到LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统，再通过微波传送到近端微波传输系统，再经过近端微波传输系统中的上行基带处理器、D/A转换器变换成模拟中频信号；
该模拟中频信号经过上行放大器将信号幅值进行放大后，由DT端双工器进行滤波处理后，通过馈线返回至基站。
这样在LTE数字微波射频拉远覆盖系统中实现了对上行信号进行噪声抑制，即只对上行有用信号进行放大处理，使得基站上行接入信号的噪声电平低于-123dBm/100KHz。
步骤15，关断载噪比不大于载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙。
本发明实施例通过在LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统上行传输方向增加对子频带基带信号载噪比的判断过程，对载噪比不大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号执行关断发送时隙的操作，而只对载噪比大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，使得该LTE数字微波射频拉远覆盖系统只对上行有用信号进行放大，而对作为噪声而存在的载噪比不大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号进行抑制，从而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，并且最大限度的保证了基站的固有容量，提高了基站的利用率，进而也增加了每个基站下的LTE数字微波射频拉远覆盖系统的数量，增加了组网的灵活性。
实施例二：
相应的，本发明实施例二提供了一种噪声抑制装置，本发明实施例二是与本发明实施例一的在同一构思下的装置，应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统中，如图2所示，为噪声抑制装置的结构示意图，包括：
模数转换单元21，用于通过对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，得到多个数字子频带信号；
下变频单元22，用于通过分别对模数转换单元21得到的各数字子频带信号执行数字下变频处理，得到多个子频带基带信号；
比较单元23，用于分别比较下变频单元22得到的各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值；
上变频单元24，用于对比较单元23比较得到的载噪比大于载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号，并发送给光收发器；
关断单元25，用于关断比较单元23比较得到的载噪比不大于载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙。
可选的，该上变频单元24还可以包括：
过滤模块，用于对载噪比大于载噪比阈值的子频带基带信号中的噪声进行过滤，得到滤噪后的子频带基带信号；
上变频模块，用于对滤噪后的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器。
其中，该上行基带处理器可以采用现场可编程门阵列芯片（Field-Programmable Gate Array，FPGA）、复杂可编程逻辑器件（ComplexProgrammable Logic Device，CPLD）或数字信号处理器（Digital SignalProcessor，DSP）实现。
需要说明的是，本发明实施例二所述的噪声抑制装置可以是具有上述模块的逻辑部件，还可以是能够实现上述功能的物理实体，这里不做具体限定。
实施例三：
如图3所示，为本发明实施例三提供的一种上行基带处理器的内部结构原理图，其包括：模数A/D转换器31、数字下变频器DDC32、载噪比Ec/Io判决电路33和数字上变频器DUC34，其中，
A/D转换器31，与数字下变频器DDC32连接，对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，将得到的多个数字子频带信号发送给数字下变频器DDC32；
数字下变频器DDC32，与Ec/Io判决电路33连接，分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理后，将得到的多个子频带基带信号作为Ec/Io判决电路33的输入信号；
Ec/Io判决电路33，与数字上变频器DUC34连接，其功能在于通过比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值，将载噪比大于载噪比阈值的子频带基带信号发送给数字上变频器DUC34，以及关断载噪比不大于载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙；
数字上变频器DUC34对接收到的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器。
其中，在Ec/Io判决电路33执行操作过程中，可能会产生一些杂散的噪声，因此可选的，该上行基带处理器还可以包括：数字滤波器35，连接Ec/Io判决电路33与数字上变频器DUC34，对载噪比大于载噪比阈值的子频带基带信号中的噪声进行过滤，并将得到的滤噪后的子频带基带信号发送给数字上变频器DUC34。
本发明实施例中通过在对载噪比大于载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理之前，对其进行噪声过滤，可以有效的对在Ec/Io判决电路33中产生的额外的噪声进行抑制，进一步减少基站底噪。
需要说明的是，本发明实施例三所述上行基带处理器中包含的载噪比Ec/Io判决电路可以是与本发明实施例二所述噪声抑制装置具有相同功能的逻辑部件，也可以是具有本发明实施例二所述噪声抑制装置具有相同功能的物理设备，例如：载噪比Ec/Io判决电路包括一个计算单元、一个比较电路和一个选择电路，其中，计算单元，用于确定各子频带基带信号的载噪比；比较电路用于将确定的每一个子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较；选择电路，用于根据比较结果触发触发不同的装置，这里不做具体限定。
基于上述上行基带处理器，本发明实施例还提供一种LTE数字微波射频拉远覆盖系统，其可以应用于LTE-FDD系统、LTE-FDD Advance系统、FDD-LTE系统、FDD-LTEAdvance系统、LTE-TDD系统、LTE-TDD Advance系统、TDD-LTE系统、TDD-LTE Advance系统、TD-LTE系统以及TD-LTE Advance系统的至少一种系统中。
如图4所示，为多台LTE数字微波射频拉远覆盖系统的组网示意图。其中，该LTE数字微波射频拉远覆盖系统包括近端微波传输系统和远端微波传输系统，近端微波传输系统和远端微波传输系统又分别包括上行传输子系统和下行传输子系统。
如图5所示，为频分双工LTE（包括LTE-FDD、LTE-FDD Advance、FDD-LTE、FDD-LTEAdvance）数字微波射频拉远覆盖系统的近端微波传输系统的结构示意图，包括上行传输子系统和下行传输子系统。其中，上行传输子系统包括：依次连接的数字微波拉远近端室内单元IDU、光收发器、上行基带处理器、模拟上变频器、上行放大器和DT端双工器；下行传输子系统包括：依次连接的DT端双工器、衰减器、模拟下变频器、下行基带处理器、光收发器和数字微波拉远近端IDU。其中，DT端双工器通过馈线与基站连接。
如图6所示，为频分双工LTE（包括LTE-FDD、LTE-FDD Advance、FDD-LTE、FDD-LTEAdvance）数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统的结构示意图，包括上行传输子系统和下行传输子系统。其中，上行传输子系统包括：依次连接的MT端双工器、低噪声放大器、模拟下变频器、上行基带处理器、光收发器和数字微波拉远远端IDU；下行传输子系统包括：依次连接的数字微波拉远远端IDU、光收发器、下行基带处理器、模拟上变频器、下行放大器和MT端双工器，其中MT端双工器通过覆盖天线接收移动终端（如手机终端）的信号。
其中，远端微波传输系统中的上行基带处理器包括依次连接的A/D转换器、数字下变频器DDC、载噪比Ec/Io判决电路、数字滤波器和数字上变频器DUC。
需要说明的是，图5中涉及的上行基带处理器和图6中涉及的上行基带处理器是两个功能不同的设备。
对于上述各功能实体之间的信号流向及处理机制，如上述图5和图6所示，上述系统的噪声抑制方法如下：
MT端双工器通过覆盖天线接收移动终端的上行射频信号，并滤除其中的无用信号后，发送给低噪声放大器；
低噪声放大器接收上行射频信号后，将其的信号幅度放大，发送给模拟下变频器；
模拟下变频器对接收到的上行射频信号进行下变频处理，得到模拟中频信号；
A/D转换器对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，将得到的多个数字子频带信号（由多个子载波组合而成）发送给DDC；其中，数字子频带信号的子载波数量和分布可以根据基站配置及网络现状进行调整。
DDC分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理后，将得到的多个子频带基带信号作为Ec/Io判决电路的输入信号；
Ec/Io判决电路，通过比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值，将载噪比大于载噪比阈值的子频带基带信号发送给DUC，以及关断载噪比不大于载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙；
DUC对接收到的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器；
光收发器将接收到的数字射频信号转换为光信号，发送给数字微波拉远远端室内单元IDU，再通过微波传送到数字微波拉远近端IDU；
经过近端微波传输系统的上行基带处理器进行基带处理后，得到模拟中频信号，发送给模拟上变频器；
模拟上变频器对该模拟中频信号进行上变频处理后，得到射频信号，再经过上行放大器后，将射频信号的幅度放大，经过DT端双工器滤波后，通过馈线回传给基站。
该方案实现了LTE数字微波射频拉远覆盖系统上行噪声的抑制功能，即只对上行的有用信号进行放大，对噪声进行有效抑制，使得基站上行接入噪声电平低于-123dBm/100KHz。
其中，在时分双工LTE数字微波射频拉远覆盖系统的近端微波传输系统中，DT端双工器被滤波器和环形器代替，如图7所示，为时分双工LTE（包括LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TDD-LTE、TDD-LTE Advance、TD-LTE、TD-LTE Advance）数字微波射频拉远覆盖系统的近端微波传输系统的结构示意图；在时分双工LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统中，MT端双工器被滤波器和环形器代替，如图8所示，为时分双工LTE（包括LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TDD-LTE、TDD-LTE Advance、TD-LTE、TD-LTEAdvance）数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统的结构示意图。其中，如图7和图8所示的系统的结构以及各功能实体之间的信号流向及处理机制与上述图5和图6的所示的系统相似，在此不再赘述。
本发明实施例通过在LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统上行传输方向增加对子频带基带信号载噪比的判断过程，对载噪比不大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号执行关断发送时隙的操作，而只对载噪比大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，使得该LTE数字微波射频拉远覆盖系统只对上行有用信号进行放大，而对作为噪声而存在的载噪比不大于预定的载噪比阈值的子频带基带信号进行抑制，从而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷。
另外，本发明实施例中的LTE数字微波射频拉远覆盖系统与其他LTE数字微波射频拉远覆盖系统相比，还具有以下优点：
1、有效地避免了为降低底噪对基站的干扰而人为的降低上行增益，从而使得网络覆盖上下行不平衡的缺陷。
2、基于该LTE数字微波射频拉远覆盖系统的上行噪声抑制功能，在同一个基站下可以并联多台LTE数字微波射频拉远覆盖系统而不抬升基站的底噪，能够极大的改善基站的上行接收灵敏度，并极大的降低网络建设成本，增加了组网的灵活性。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备（系统）、和计算机程序产品的流程图和／或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和／或方框图中的每一流程和／或方框、以及流程图和／或方框图中的流程和／或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (14)
1.一种噪声抑制方法，其特征在于，应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统，包括：
通过对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，得到多个数字子频带信号；
通过分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理，得到多个子频带基带信号；
分别比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值；
对载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器；以及关断载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器，具体包括：
对载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号中的噪声进行过滤，得到滤噪后的子频带基带信号；
对所述滤噪后的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预定的载噪比阈值范围为1~20dB。
4.一种噪声抑制装置，其特征在于，应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统，包括：
模数转换单元，用于通过对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，得到多个数字子频带信号；
下变频单元，用于通过分别对模数转换单元得到的各数字子频带信号执行数字下变频处理，得到多个子频带基带信号；
比较单元，用于分别比较下变频单元得到的各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值；
上变频单元，用于对比较单元比较得到的载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号，并发送给光收发器；
关断单元，用于关断比较单元比较得到的载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙。
5.如权利要求4所述的噪声抑制装置，其特征在于，所述上变频单元包括：
过滤模块，用于对载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号中的噪声进行过滤，得到滤噪后的子频带基带信号；
上变频模块，用于对所述滤噪后的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器。
6.如权利要求4或5所述的噪声抑制装置，其特征在于，所述载噪比阈值范围为1~20dB。
7.一种上行基带处理器，包括模数A/D转换器、数字下变频器DDC和数字上变频器DUC，其特征在于，该上行基带处理器应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统，且该上行基带处理器还包括：载噪比Ec/Io判决电路，其中：
A/D转换器，用于对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换，将得到的多个数字子频带信号发送给DDC；
DDC，用于分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理后，将得到的多个子频带基带信号作为所述Ec/Io判决电路的输入信号；
Ec/Io判决电路，用于通过比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值，将载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号发送给DUC，以及关断载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙；
DUC，用于对接收到的子频带基带信号执行数字上变频处理，得到相应的数字射频信号并发送给光收发器。
8.如权利要求7所述的上行基带处理器，其特征在于，还包括：
数字滤波器，用于对Ec/Io判决电路发送的载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号中的噪声进行过滤，并将得到的滤噪后的子频带基带信号发送给DUC。
9.如权利要求7或8所述的上行基带处理器，其特征在于，所述上行基带处理器采用现场可编程门阵列芯片FPGA、复杂可编程逻辑器件CPLD或数字信号处理器DSP实现。
10.一种LTE数字微波射频拉远覆盖系统，包括近端微波传输系统和远端微波传输系统，所述远端微波传输系统包括上行传输子系统和下行传输子系统，所述上行传输子系统包括：模拟下变频器、上行基带处理器和光收发器，其特征在于，其中：
模拟下变频器，用于对低噪声放大器发送来的上行射频信号执行模拟下变频处理，将得到的模拟中频信号发送给所述上行基带处理器；
上行基带处理器，用于将接收到的模拟中频信号执行A/D转换以及数字下变频处理，得到多个子频带基带信号，并比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值，将载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙关断；将载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号通过上行链路发送给光收发器；
光收发器，用于将所述上行基带处理器发送的数字射频信号转换为光信号后，发送给数字微波拉远远端室内单元IDU。
11.如权利要求10所述的LTE数字微波射频拉远覆盖系统，其特征在于，所述上行传输子系统还包括：MT端双工器和低噪声放大器，其中：
MT端双工器，用于将通过覆盖天线接收到的上行射频信号中的噪声进行滤波后，发送给低噪声放大器；
低噪声放大器，用于将接收到的滤噪后的上行射频信号的信号幅度放大后，发送给模拟下变频器。
12.如权利要求10所述的LTE数字微波射频拉远覆盖系统，其特征在于，所述上行传输子系统还包括：环形器、滤波器和低噪声放大器，其中：
滤波器，用于将通过覆盖天线接收到的上行射频信号中的噪声进行滤波后，发送给环形器；
环形器，用于将接收到的上行射频信号发送给低噪声放大器。
13.如权利要求10所述的LTE数字微波射频拉远覆盖系统，其特征在于，所述上行基带处理器采用现场可编程门阵列芯片FPGA、复杂可编程逻辑器件CPLD或数字信号处理器DSP实现。
14.如权利要求10~13任一项所述的LTE数字微波射频拉远覆盖系统，其特征在于，所述LTE数字微波射频拉远覆盖系统应用于频分双工长期演进LTE-FDD系统或FDD-LTE系统、高级频分双工长期演进LTE-FDD Advance系统或FDD-LTE Advance系统、时分双工长期演进LTE-TDD系统或TDD-LTE系统或TD-LTE系统、高级时分双工长期演进LTE-TDD Advance系统或TDD-LTE Advance系统或TD-LTE Advance系统的至少一种系统中。
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