CN202979006U - 上行基带处理器和上行信号处理系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种上行基带处理器和上行信号处理系统，主要内容为：上行基带处理器将放大的模拟中频信号转变为多路数字子频带基带信号，根据每一路数字子频带基带信号的载噪比对该路数字子频带基带信号进行噪声抑制，将噪声抑制后的各路数字子频带基带信号转变为模拟中频信号后输出至模拟上变频器。在本实用新型的方案中，由于一方面利用上行低噪声放大器对上行射频信号进行放大，另一方面利用上行基带处理器分别对各路数字子频带基带信号进行噪声抑制，因此，在实现对上行射频信号的放大的同时，也实现了对噪声的抑制，有效降低了基站的底噪。
Description
技术领域
本实用新型涉及通信技术领域，尤其涉及一种上行基带处理器和上行信号处理系统。
背景技术
移动通信基站基本上可以分成三部分：移动台、无线接入网以及核心网。其中，无线接入网包括无线网络控制器和基站（NodeB）。基站信号通过天馈系统将信号辐射出去，覆盖目标区域。但基站覆盖方式难免有覆盖的弱区、盲区，这对于服务质量要求日益提高的移动通信基站是一个普遍的难题。长期演进（Long Term Evolution，LTE）LTE干线放大器引入基站信号，将其放大，覆盖目标区域，从而可扩大LTE基站覆盖范围，消除覆盖盲区，解决室内或特殊场景的覆盖问题，这在LTE系统中普遍使用2GHz以上的较高频段显得尤其重要。
为此，在3GPP协议LTE Rel-8版本中引入了一种新的延伸覆盖技术，称为中继（Relay）技术，其设备称为中继节点Relay Node（RN）。3GPP协议LTE Rel-8版本定义的Relay技术分为三种，分别是层1Relay（L1Relay）、层2Relay（L2Relay）和层3Relay（L3Relay）。
其中，层1Relay设备也称为模拟设备，上述LTE干线放大器即属于该模拟设备，但现有的LTE干线放大器直接对接收的射频信号（包括有用信号和噪声）进行放大，虽然具有设备简单、成本低和引入的时延小的优点，但由于同时对有用信号和干扰进行放大和转发，放大有用信号的同时，也放大了噪声，因此，存在抬升基站的底噪，严重影响上行覆盖和上行吞吐率的问题。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种上行基带处理器和上行信号处理系统，用以解决现有技术中存在的LTE干线放大器在放大信号的同时抬升基站底噪的问题。
一种上行基带处理器，该上行基带处理器应用于LTE室内有源分布系统中，包括模数A/D转换器、数字下变频DDC器、载噪比Ec/Io判决电路、数字上变频DUC器和数模D/A转换器，其中：
A/D转换器，用于对由上行LTE射频信号进行下变频得到的模拟中频信号进行模数A/D转换，将得到的多路数字子频带中频信号输出至DDC器；
DDC器，用于分别对各路数字子频带中频信号进行数字下变频处理，将得到的多路数字子频带基带信号输出至Ec/Io判决电路；
Ec/Io判决电路，用于确定每一路数字子频带基带信号的载噪比，并将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号输出至DUC器；
DUC器，用于对接收到的数字子频带基带信号进行数字上变频处理，得到相应的数字子频带中频信号输出至D/A转换器；
D/A转换器，用于对各路数字子频带中频信号进行数模转换，并将得到模拟中频信号输出至模拟上变频器。
一种上行信号处理系统，应用于LTE室内有源分布系统中，包括：上行低噪声放大器、模拟下变频器、上行基带处理器和模拟上变频器；
所述上行低噪声放大器，用于对接收的上行射频信号的信号幅度进行放大，并将放大后的上行射频信号输出至模拟下变频器；
所述模拟下变频器，用于对上行低噪声放大器输出的上行射频信号进行下变频，并将得到的模拟中频信号输出至上行基带处理器；
所述上行基带处理器，用于将模拟下变频器输出的模拟中频信号转变为多路数字子频带基带信号，确定各路数字子频带基带信号的载噪比，并将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号转变为模拟中频信号后输出至模拟上变频器；
所述模拟上变频器，用于对上行基带处理器输出的模拟中频信号进行上变频，并将得到的射频信号输出。
本实用新型实施例提供的上行基带处理器和上行信号处理系统，由于一方面利用上行低噪声放大器对上行射频信号进行放大，另一方面将放大后的射频信号转变为多路数字子频带基带信号，并根据每一路数字子频带基带信号的载噪比对该路数字子频带基带信号进行噪声抑制，以及将噪声抑制后的各路数字子频带基带信号转变为射频信号后输出，因此，在实现对上行射频信号的放大的同时，也实现了对噪声的抑制，有效降低了基站的底噪，从而提升了基站的上行接收灵敏度，并极大地改善了上行覆盖和上行吞吐率，降低了网络建设成本。
附图说明
图1为本实用新型实施例一提供的一种上行信号处理方法的流程图；
图2为本实用新型实施例二的一种上行信号处理设备的结构示意图；
图3为本实用新型实施例三的一种上行基带处理器的结构示意图；
图4为本实用新型实施例四提供的一种上行信号处理系统的结构示意图；
图5为本实用新型实施例四中的上行信号处理系统的组网结构示意图；
图6为本实用新型实施例四中的应用于FDD系统的上行信号处理系统的结构示意图；
图7为本实用新型实施例四中的应用于TDD系统的上行信号处理系统的结构示意图。
具体实施方式
为了解决现有技术中存在的LTE干线放大器在放大有用信号的同时抬升基站底噪的问题，本实用新型实施例提供了一种上行基带处理器和上行信号处理系统，通过对上行射频信号进行放大后，将放大后的上行射频信号转换为多路数字子频带基带信号，并对每一路数字子频带基带信号根据载干比进行噪声抑制，并将噪声抑制后的多路数字子频带基带信号转变为射频信号输出，因此，有效地避免了抬升基站底噪的问题。
需要说明的是，本实用新型实施例中涉及的上行噪声抑制可以是基于OFDMA（Orthogonal Frequency Division Multiple Access正交频分多址）原理进行处理，以及基于SC-FDMA（Single-carrierFrequency-Division Multiple Access，单载波频分多址）原理进行处理。
下面结合附图对本实用新型实施例的方案进行详细地描述。
实施例一：
如图1所示，为本实用新型实施例一的一种上行信号处理方法的流程图，该方法应用于LTE室内有源分布系统中，所述方法包括：
步骤101：接收对上行LTE射频信号进行放大、模拟下变频处理后的模拟中频信号。
所述上行LTE射频信号可以是用户终端发射的，也可以是前一级中继设备发送的，这里不对此进行限定。
具体地，在步骤101中，通过覆盖或者接收天线从空间接收到的上行LTE射频信号，滤除无用信号后得到上行射频信号；
上行射频信号经过低噪声放大器将上行射频信号的幅度放大，并经过模拟下变频处理后，变为模拟中频信号。
步骤102：将接收到的模拟中频信号进行模数A/D转换以及数字下变频处理，得到多路数字子频带基带信号。
具体地，在步骤102中，将接收到的模拟中频信号进行A/D转换器采样后，变成多路数字子频带中频信号；
多路数字子频带中频信号经过数字下变频（Digital DownConverter，DDC）器进行下变频处理后，得到多路数字子频带基带信号。
需要说明的是，所述得到的数字子频带基带信号的子载波数量将根据基站配置和实际网络情况进行确定，这里不限定子频带基带信号的子载波数量。
步骤103：确定各路数字子频带基带信号的载噪比。
具体地，在步骤103中，所述确定各路数字子频带基带信号的载噪比的方法包括但不限于：
根据数字子频带基带信号的强度值和数字子频带基带信号所受到的干扰信号的强度值，计算得到每一路数字子频带基带信号的载噪比，即Ec与Io的比值；
其中，Ec表示数字子频带基带信号的强度值，Io表示数字子频带基带信号所受到的干扰信号的强度值。
其中，所述设定的载噪比门限值为1~20dB。
较优地，所述设定的载噪比门限值为9dB。
需要说明的是，所述设定的载噪比门限值可以根据LTE标准的演化进行修改，也可以根据实际需要进行设置，这里不做具体限定。
步骤104：将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，执行步骤105；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，执行步骤106。
具体地，在步骤104中，将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较的方法包括但不限于：
将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值之间进行作差运算，将得到的差值与0进行比较，当差值不小于0时，确定所述确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值；当差值小于0时，确定所述确定的载噪比小于设定的载噪比门限值。
步骤105：关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙。
在步骤105中，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙意味着将该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号滤除，这样有效的减少了载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号传输时所受到的噪声干扰。
步骤106：将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号通过上行链路发送。
在本步骤106中，可根据实际情况将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号通过上行链路发送给基站或后一级的中继设备。
具体地，在步骤106中，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号经由数字滤波器进行滤波处理，滤除比较过程中产生的杂散信号，得到滤波后的数字子频带基带信号；
对所述滤除杂散信号后的数字子频带基带信号依次进行数字上变频（Digital Up Converter，DUC）处理和数模转换处理，得到模拟中频信号并发送给模拟上变频器，由模拟上变频器对该模拟中频信号进行处理并将处理后的信号发送给基站。
这样即实现了对上行信号进行噪声抑制，即只对上行有用信号进行放大处理，使得基站上行接入信号的噪声电平低于-123dBm/100KHz。
通过本实用新型实施例一的方案，在上行传输方向增加对数字子频带基带信号载噪比与设定的载噪比门限值进行比较的操作，对载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基站信号的发送时隙执行关断操作，而只对载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号通过上行链路发送至基站，使得只对上行有用信号进行放大，而对载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号进行抑制，从而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，提升了基站的上行接收灵敏度，极大地改善了上行覆盖和上行吞吐率，降低了网络建设成本。
实施例二：
如图2所示，为本实用新型实施例二的一种上行信号处理设备的结构示意图，本实用新型实施例二是与本实用新型实施例一在同一构思下的设备，该设备应用于LTE室内有源分布系统中，所述设备包括：确定模块11、比较模块12和噪声抑制模块13，其中：
确定模块11，用于确定由上行LTE射频信号转换得到的各路数字子频带基带信号的载噪比。
比较模块12，用于将所述确定模块确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较。
噪声抑制模块13，用于根据所述比较模块的比较结果，进行噪声抑制，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号通过上行链路发送。
具体地，所述确定模块11，具体用于计算得到每一路数字子频带基带信号的载噪比为Ec与Io的比值；
其中，Ec表示数字子频带基带信号的强度值，Io表示数字子频带基带信号所受到的干扰信号的强度值。
具体地，所述噪声抑制模块13，具体包括：数字滤波单元21、数字上变频单元22、数模转换单元23和关断单元24，其中：
数字滤波单元21，用于将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号进行滤波处理，滤除比较过程中产生的杂散信号，得到滤除杂散信号后的数字子频带基带信号；
数字上变频单元22，用于对所述滤波后的数字子频带基带信号进行数字上变频处理，得到数字中频信号；
数模转换单元23，用于对数字中频信号进行数模转换，得到模拟中频信号，并将该模拟中频信号发送给模拟上变频器；
关断单元24，用于关断比较单元比较得到的载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙。
需要说明的是，本实用新型实施例二所述的上行信号处理设备可以是具有上述模块的逻辑部件，还可以是能够实现上述功能的物理实体，这里不做具体限定。
实施例三：
如图3所示，为本实用新型实施例三的一种上行基带处理器30的结构示意图。该上行基带处理器应用于LTE室内有源分布系统中，包括模数A/D转换器31、数字下变频DDC器32、数字上变频DUC器33、载噪比Ec/Io判决电路34和D/A转换器35，其中：
A/D转换器31，与数字下变频DDC器连接，用于对由上行LTE射频信号进行下变频得到的模拟中频信号进行模数A/D转换，将得到的多路数字子频带中频信号输出至DDC器；
DDC器32，与Ec/Io判决电路连接，用于分别对各路数字子频带中频信号进行数字下变频处理，将得到的多路数字子频带基带信号输出至Ec/Io判决电路；
Ec/Io判决电路34，与数字上变频DUC设备连接，用于确定每一路数字子频带基带信号的载噪比，并将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号输出至DUC器；
DUC器33，用于对接收到的数字子频带基带信号进行数字上变频处理，得到相应的数字子频带中频信号输出至D/A转换器；
D/A转换器35，用于对各路数字子频带中频信号进行数模转换，并将得到模拟中频信号输出至模拟上变频器。
较佳的，所述上行基带处理器，还包括：
数字滤波器36，一端与Ec/Io判决电路连接，另一端与DUC器连接，用于在Ec/Io判决电路的比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号进行滤波处理，滤除比较过程中产生的杂散信号，得到滤除杂散信号后的数字子频带基带信号输出至DUC器。
该上行基带处理器可以采用现场可编程门阵列（Field-Programmable Gate Array，FPGA）、复杂可编程逻辑器件(Complex Programmable Logic Device，CPLD)和数字信号处理(DigitalSignal Processing，DSP)三种技术中的任意一种、两种或全部的组合来实现。
需要说明的是，本实用新型实施例三所述上行基带处理器中包含的载噪比Ec/Io判决电路可以是与本实用新型实施例二所述上行信号处理设备具有相同功能的逻辑部件，也可以是具有本实用新型实施例二所述上行信号处理设备具有相同功能的物理设备，例如：载噪比Ec/Io判决电路包括一个计算单元、一个比较电路和一个选择电路，其中，计算单元，用于确定各数字子频带基带信号的载噪比；比较电路用于将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较；选择电路，用于根据比较结果触发触发不同的设备，这里不做具体限定。
本实用新型实施例三中的上行基带处理器可以应用于使用OFDMA和SC-FDMA进行多址接入的任一系统中，现有的利用OFDMA和SC-FDMA进行多址接入的系统为LTE系统，包括频分双工长期演进系统（Long Term Evolution-Frequency Division Duplexing，LTE-FDD或FDD-LTE）、高级频分双工长期演进系统系统(Long TermEvolution-Frequency Division Duplexing Advance，LTE-FDD Advance或FDD-LTE Advance)、时分双工长期演进系统（Long TermEvolution–Time Division Duplexing，LTE-TDD或TDD-LTE或TD-LTE），高级时分双工长期演进系统(Long Term Evolution-TimeDivision Duplexing Advance，LTE-TDD Advance或TDD-LTE Advance或TD-LTE Advance)。基于上述上行基带处理器，本实用新型实施例四还提供一种上行信号处理系统，下面通过实施例四对其进行详细说明。
实施例四
如图4所示，为本实用新型实施例四提供的上行信号处理系统的结构示意图，应用于LTE室内有源分布系统中，包括：依次连接的上行低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）41、模拟下变频器42、上行基带处理器43、模拟上变频器44；
所述上行低噪声放大器41，用于对接收的上行射频信号的信号幅度进行放大，并将放大后的上行射频信号输出至模拟下变频器42；
所述模拟下变频器42，用于对上行低噪声放大器41输出的上行射频信号进行下变频，并将得到的模拟中频信号输出至上行基带处理器43；
所述上行基带处理器43，用于将模拟下变频器输出的模拟中频信号转变为多路数字子频带基带信号，确定各路数字子频带基带信号的载噪比，并将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号转变为模拟中频信号后输出至模拟上变频器44；
所述模拟上变频器44，用于对上行基带处理器43输出的模拟中频信号进行上变频，并将得到的射频信号输出。
上述由依次连接的上行低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）41、模拟下变频器42、上行基带处理器43、模拟上变频器44构成的上行信号处理系统对上行链路中的上行射频信号进行处理。
由于上行射频信号在到达上行基带处理器时，已经经历了复杂电磁空间的传输过程，因此，上行射频信号含有的噪声较大，若不对其进行噪声抑制的处理，会较大的抬高基站的底噪，而对于下行射频信号，是基站将其传输给相应的下行信号处理系统的，因此，不存在抬高基站底噪的问题，故，本实用新型实施例四并未对用于对下行链路中的下行射频信号进行处理的下行信号处理系统的结构进行限定，可选的，本实用新型实施例四中的用于对下行链路中的下行射频信号进行处理的下行信号处理系统的结构可以包括图4的虚线框中所示的模拟下变频器45、下行基带处理器46、模拟上变频器47和下行放大器（Amplifier，AMP）48。且用于对下行链路中的下行射频信号进行处理的各器件的功能可以与本实施例四中的用于对上行链路中的上行射频信号进行处理的的器件的功能类似，这里不再对其进行赘述。
由于本实用新型实施例四的上行信号处理系统对上行射频信号进行放大的同时，抑制了信号的噪声，因此，有效的降低了基站的底噪，进而相对于现有技术，利用本实用新型实施例四的方案，基站可以并联更多的上行信号处理系统，如图5所示，同时极大的改善基站的上行接收灵敏度，降低网络的建设成本。
此外，现有技术的LTE干线放大器为降低底噪对基站的干扰而人为的降低上行增益，从而使得网络覆盖上下行不平衡的缺陷，而本实用新型实施例四中的上行信号处理系统，由于有效的降低了上行链路的噪声，降低了基站底噪，因而可以不用降低上行增益，进而有效地避免了网络覆盖上下行不平衡的缺陷。
本实用新型实施例四中的上行信号处理系统可以应用于使用OFDMA和SC-FDMA进行多址接入的任一系统中，现有的利用OFDMA和SC-FDMA进行多址接入的系统为LTE系统，包括频分双工长期演进系统（Long Term Evolution-Frequency Division Duplexing，LTE-FDD或FDD-LTE）、高级频分双工长期演进系统系统(Long TermEvolution-Frequency Division Duplexing Advance，LTE-FDD Advance或FDD-LTE Advance)、时分双工长期演进系统（Long TermEvolution–Time Division Duplexing，LTE-TDD或TDD-LTE或TD-LTE），高级时分双工长期演进系统(Long Term Evolution-TimeDivision Duplexing Advance，LTE-TDD Advance或TDD-LTE Advance或TD-LTE Advance)，故本实用新型实施例四的方案可以应用于上述系统，下面通过实施例五的方案对本实用新型实施例四的方案应用于上述系统的详细方案进行说明。
实施例五
如图6所示，为用于LTE-FDD或FDD-LTE、LTE-FDD Advance或FDD-LTE Advance的上行信号处理系统的结构示意图。其中，该上行信号处理系统在实施例四的图4所示的上行信号处理系统的结构的基础上，还包括：MT端双工器40和DT端双工器49，以及连接在模拟上变频器44和DT端双工器49之间的上行放大器50；
所述MT端双工器40，用于对接收到的上行射频信号进行滤波，将滤波后的上行射频信号输出至上行低噪声放大器41；
所述上行放大器(Amplifier，AMP)50，用于对模拟上变频器输出的射频信号的信号幅度进行放大，并将放大后的射频信号输出至DT端双工器49；
所述DT端双工器49，用于对上行放大器输出的射频信号进行滤波，并将滤波后的射频信号输出至基站。
如图7所示，为用于LTE-TDD或TDD-LTE或TD-LTE、LTE-TDDAdvance或TDD-LTE Advance或TD-LTE Advance的上行信号处理系统的结构示意图。在图4所示的上行信号处理系统的基础上，所述上行信号处理系统还包括：第一滤波器60、DT端环形器61、上行放大器62、MT端环形器63和第二滤波器64；
所述上行放大器62，用于对模拟上变频器44输出的上行射频信号的信号幅度进行放大，并将放大后的上行射频信号输出至DT端环形器61；
所述DT端环形器61，用于将上行放大器62输出的上行射频信号输出至第一滤波器60；
所述第一滤波器60，用于对DT端环形器61输出的上行射频信号进行滤波，并将滤波后的上行射频信号输出至基站；
所述第二滤波器64，用于对通过覆盖/接收天线从空间接收到终端设备的上行射频信号进行滤波，将滤波后的上行射频信号输出至MT端环形器63；
所述MT端环形器63，用于将来自第二滤波器64的上行射频信号输出至上行低噪声放大器41。
本实用新型实施例五并不对图6中所示的用于对下行链路中的下行射频信号进行处理的结构进行限定，用于对下行链路中的下行射频信号进行处理的结构可以为图6中的虚线框中所示的器件，同样，也并不对图7中所示的用于对下行链路中的下行射频信号进行处理的结构进行限定，其用于对下行链路中的下行射频信号进行处理的结构可以为图7中的虚线框中所示的器件，虚线框中所示的器件的功能可以依据本实用新型实施例五的中的用于对上行链路中的上行射频信号进行处理的器件功能来确定。
本实用新型实施例五针对TDD和FDD系统的不同，分别为不同的系统设计了相应的上行信号处理系统，并且由于上行放大器对已经抑制了噪声的上行射频信号再次进行了信号幅度的放大，因此，进一步提高了上行射频信号中包含的各路数字子频带信号的载噪比，进而进一步提高了基站的灵敏度，增多了基站能并联的上行信号处理系统的数量，扩大了基站的覆盖范围。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1.一种上行基带处理器，其特征在于，该上行基带处理器应用于长期演进LTE室内有源分布系统中，包括模数A/D转换器、数字下变频DDC器、载噪比Ec/Io判决电路、数字上变频DUC器和数模D/A转换器，其中：
A/D转换器，用于对由上行LTE射频信号进行下变频得到的模拟中频信号进行模数A/D转换，将得到的多路数字子频带中频信号输出至DDC器；
DDC器，用于分别对各路数字子频带中频信号进行数字下变频处理，将得到的多路数字子频带基带信号输出至Ec/Io判决电路；
Ec/Io判决电路，用于确定每一路数字子频带基带信号的载噪比，并将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号输出至DUC器；
DUC器，用于对接收到的数字子频带基带信号进行数字上变频处理，得到相应的数字子频带中频信号输出至D/A转换器；
D/A转换器，用于对各路数字子频带中频信号进行数模转换，并将得到模拟中频信号输出至模拟上变频器。
2.如权利要求1所述的上行基带处理器，其特征在于，所述上行基带处理器，还包括：
数字滤波器，用于在Ec/Io判决电路的比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号进行滤波处理，滤除比较过程中产生的杂散信号，得到滤除杂散信号后的数字子频带基带信号输出至DUC器。
3.如权利要求1~2任一所述的上行基带处理器，其特征在于，所述上行基带处理器采用现场可编程门阵列FPGA、复杂可编程逻辑器件CPLD或数字信号处理DSP三种技术中的任意一种、两种或全部的组合来实现。
4.如权利要求1~2任一所述的上行基带处理器，其特征在于，所述上行基带处理器应用于频分双工长期演进系统LTE-FDD或FDD-LTE、高级频分双工长期演进系统LTE-FDD Advance或FDD-LTE Advance、时分双工长期演进系统LTE-TDD或TDD-LTE或TD-LTE、高级时分双工长期演进系统LTE-TDDAdvance或TDD-LTE Advance或TD-LTE Advance的至少一种系统中。
5.一种上行信号处理系统，应用于长期演进LTE室内有源分布系统中，其特征在于，包括：上行低噪声放大器、模拟下变频器、上行基带处理器和模拟上变频器；
所述上行低噪声放大器，用于对接收的上行射频信号的信号幅度进行放大，并将放大后的上行射频信号输出至模拟下变频器；
所述模拟下变频器，用于对上行低噪声放大器输出的上行射频信号进行下变频，并将得到的模拟中频信号输出至上行基带处理器；
所述上行基带处理器，用于将模拟下变频器输出的模拟中频信号转变为多路数字子频带基带信号，确定各路数字子频带基带信号的载噪比，并将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号转变为模拟中频信号后输出至模拟上变频器；
所述模拟上变频器，用于对上行基带处理器输出的模拟中频信号进行上变频，并将得到的射频信号输出。
6.如权利要求5所述的上行信号处理系统，其特征在于，所述上行信号处理系统应用于频分多址FDD系统，所述上行信号处理系统还包括：MT端双工器、DT端双工器和上行放大器；
所述MT端双工器，用于对接收的上行射频信号进行滤波，将滤波后的上行射频信号输出至上行低噪声放大器；
所述上行放大器，用于对模拟上变频器输出的射频信号的信号幅度进行放大，并将放大后的射频信号输出至DT端双工器；
所述DT端双工器，用于对上行放大器输出的射频信号进行滤波，并将滤波后的射频信号输出。
7.如权利要求5所述的上行信号处理系统，其特征在于，所述上行信号处理系统应用于时分多址TDD系统，所述上行信号处理系统还包括：第一滤波器、DT端环形器、上行放大器、MT端环形器和第二滤波器；
所述上行放大器，用于对模拟上变频器输出的上行射频信号的信号幅度进行放大，并将放大后的上行射频信号输出至DT端环形器；
所述DT端环形器，用于将上行放大器输出的上行射频信号输出至第一滤波器；
所述第一滤波器，用于对DT端环形器输出的上行射频信号进行滤波，并将滤波后的上行射频信号输出；
所述第二滤波器，用于对接收的上行射频信号进行滤波，将滤波后的上行射频信号输出至MT端环形器；
所述MT端环形器，用于将来自第二滤波器的上行射频信号输出至上行低噪声放大器。
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