CN102969422A - 高出光率倒装结构led的制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种高出光率倒装结构LED的制作方法,包括:在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层;用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接;将衬底剥离;去掉临时基板,形成基片;对基片进行粗化处理;刻蚀,形成台面;在台面上制作N型金属电极,在电流扩展层上制作P型金属电极,形成芯片;在一基板上依次制作一绝缘层和电路层;在电路层上面的一侧植金属球,在另一侧植金属球,其分别与N型金属电极和P型金属电极对应;在暴露的电路层制作一层反光层;采用倒装焊或者键合的方法,将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上,完成LED的制作。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域,特别是指一种高出光率倒装结构LED的制作方法。
背景技术
GaN基蓝光二极管研制成功,弥补了发光二极管家族色系不全的缺陷,从而使得全色光谱显示和白光照明成为可能。发光二极管具有光电转换效率高、绿色环保、寿命长、响应速度快、色彩丰富、体积小等优点,是人类照明史上继爱迪生发明白炽灯之后的又一次革命。然而,发光二极管真正走向民用照明,还要面临材料、器件、封装等环节的重重挑战。目前面临的衬底材料及GaN材料高的折射率,就是一大难题,因为大部分的光在芯片内部反射吸收,造成了器件外量子效率低,为此,提高LED出光率成为一项研究热点,发展出了很多提高外量子效率的方法,如对芯片材料进行粗化处理,对器件进行形貌结构设计,尝试不同的封装形式等,期望获得比较好的出光效果,每一种方法都具有各自的优缺点,对提高LED出光率的研究还在不断的探索。
发明内容
本发明的目的在于,公开一种高出光率倒装结构的LED的制作方法,该高出光率倒装结构的LED较传统的倒装结构LED具有更好的出光率和散热性能。
本发明提供一种高出光率倒装结构LED的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层;
步骤2:用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接;
步骤3:采用激光剥离的方法,将衬底剥离;
步骤4:用腐蚀液将电流扩展层上的树脂和临时基板去掉,形成基片;
步骤5:对基片的侧壁及氮化镓成核层的表面进行粗化处理;
步骤6:从该电流扩展层表面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度至n型氮化镓电子注入层内,使得该n型氮化镓电子注入层的一侧形成台面;
步骤7:在该n型氮化镓电子注入层的台面上制作N型金属电极,在电流扩展层上制作P型金属电极,形成芯片;
步骤8:取一基板,在其上依次制作一绝缘层和电路层;
步骤9:在电路层上面的一侧植金属球,在另一侧植金属球,其分别与N型金属电极和P型金属电极对应;
步骤10:在暴露的电路层制作一层反光层;
步骤11:采用倒装焊或者键合的方法,将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上,完成LED的制作。
本发明的有益效果是,在所述的高出光率倒装结构的LED中,采用了高导热、高透光性石墨烯制成电流扩展层,同时在电路层上方制作一层绝缘反光层,将芯片下方透出的光进行很好的反射,去除了高折射率的衬底材料,并对芯片侧壁和去除衬底的面进行粗化,减少光的全反射及光吸收率,最终提高LED出光率。
附图说明
为进一步说明本发明的技术内容,以下结合附图及实施例对本发明作进一步说明,其中:
图1是本发明的制备流程图;
图2是本发明未进行剥离衬底的结构示意图;
图3是本发明的高出光率倒装结构LED结构示意图。
具体实施方式
请参阅图1所示,同时配合图2和图3,本发明提供一种高出光率倒装结构LED的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:在衬底1上依次制作氮化镓成核层2,厚度为0.1-0.2μm、氮化镓缓冲3,层厚度为1.8-2.2μm、n型氮化镓电子注入层4,厚度为2-3μm、多量子阱层10,厚度为0.1-0.18μm、p型GaN空穴注入层11,厚度为200-250nm、然后置于王水中浸泡半小时,再在硫酸双氧水(1∶1)混合溶液中及HF酸分别浸泡10分钟。去离子水清洗干净后,电子束蒸发电流扩展层12,其厚度为300nm,所述电流扩展层12的材料为石墨烯,这里选择石墨烯作为电流扩展层,因为它较传统的ITO材料具有更好的光透性、导电性及导热性,可以有效的提高出光效率,降低电流拥挤效应和器件串联电阻,减小了焦耳热的产生,同时导热性能优良,增强了器件的可靠性;所述衬底1的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃,该多量子阱层10中的每一量子阱层包括:GaN/InGaN,该多量子阱层10的周期数为3-12;
步骤2:用树脂将一临时基板与电流扩展层12粘接;这里的树脂材料采用光固化粘合剂,又称感光树脂,可以通过紫外光照射的方法固化树脂,起到粘接作用,工艺简单。增加临时基板可以有效的保障激光剥离工艺的可实施性与可靠性;
步骤3:采用激光剥离的方法,将衬底1剥离;
步骤4:用腐蚀液将电流扩展层12上的树脂和临时基板去掉,形成基片。临时基板可以再次利用,减少浪费;
步骤5:对基片的侧壁及氮化镓成核层2的表面进行粗化处理。粗糙化的界面能散射从有源区发射的光子,使得原本全反射的光子有机会出射到器件外部,能有效提高光提取效率;
步骤6:从该电流扩展层12表面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度至n型氮化镓电子注入层4内,使得该n型氮化镓电子注入层4的一侧形成台面41,刻蚀台面,用ICP刻蚀,压力在4mTorr,功率用450/75W,所使用的气体为Cl2、Ar2、BCl3,流量分别为40sccm、5sccm、5sccm;
步骤7:在该n型氮化镓电子注入层4的台面41上制作N型金属电极5,在电流扩展层12上制作P型金属电极13,形成芯片;
步骤8:取一基板9,在其上依次制作一绝缘层8和电路层7,该基板9的材料为硅片或陶瓷;
步骤9:在电路层7上面的一侧植金属球6,在另一侧植金属球14,其分别与N型金属电极5和P型金属电极13对应;
步骤10:在暴露的电路层7制作一层反光层15,该反光层15的材料为具有反光功能的绝缘材料,反光层可以有效的提高器件的出光效率;
步骤11:采用倒装焊或者键合的方法,将芯片上的N型金属电极5和P型金属电极13倒装在电路层7上的金属球6和金属球14上,完成LED的制作。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步的详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种高出光率倒装结构LED的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层;
步骤2:用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接;
步骤3:采用激光剥离的方法,将衬底剥离;
步骤4:用腐蚀液将电流扩展层上的树脂和临时基板去掉,形成基片;
步骤5:对基片的侧壁及氮化镓成核层的表面进行粗化处理;
步骤6:从该电流扩展层表面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度至n型氮化镓电子注入层内,使得该n型氮化镓电子注入层的一侧形成台面;
步骤7:在该n型氮化镓电子注入层的台面上制作N型金属电极,在电流扩展层上制作P型金属电极,形成芯片;
步骤8:取一基板,在其上依次制作一绝缘层和电路层;
步骤9:在电路层上面的一侧植金属球,在另一侧植金属球,其分别与N型金属电极和P型金属电极对应;
步骤10:在暴露的电路层制作一层反光层;
步骤11:采用倒装焊或者键合的方法,将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上,完成LED的制作。
2.根据权利要求1所述的高出光率倒装结构LED的制作方法,其中衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃。
3.根据权利要求1所述的高出光率倒装结构LED的制作方法,其中电流扩展层的材料为石墨烯。
4.根据权利要求1所述的高出光率倒装结构LED的制作方法,其中反光层的材料为具有反光功能的绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的高出光率倒装结构LED的制作方法,其中基板的材料为硅片或陶瓷。
6.根据权利要求1所述的高出光率倒装结构LED的制作方法,其中多量子阱层中的每一量子阱层包括:GaN/InGaN。
7.根据权利要求6所述的高出光率倒装结构LED的制作方法,其中多量子阱层的周期数为3-12。
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