CN102950842B - 一种可钢化超高透单银低辐射玻璃 - Google Patents

一种可钢化超高透单银低辐射玻璃 Download PDF

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Abstract

一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：还包括由下而上依次设于玻璃基材上表面的一Si3N4介质层、一TiO2介质层、一NbOx折射层、一CrNx阻挡层、一AZO平整层、一降辐射镀Ag层、一CrNxOy膜层、一TiO2保护层、以及一Si3N4Oy介质层。本发明可在保证透光率的同时，降低红外辐射。<!--1-->

Description

一种可钢化超高透单银低辐射玻璃
技术领域：
本发明涉及一种可钢化超高透单银低辐射玻璃。
背景技术：
现有的玻璃，在实现防辐射功能的同时，又导致其透光率较低，故有必要对现有的玻璃作出改进，以提供一种既能防辐射，又具有高透光率的玻璃。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，其可在保证透光率的同时，降低红外辐射。
一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：还包括由下而上依次设于玻璃基材上表面的一Si3N4介质层、一TiO2介质层、一NbOx折射层、一CrNx阻挡层、一AZO平整层、一降辐射镀Ag层、一CrNxOy膜层、一TiO2保护层、以及一Si3N4Oy介质层。
作为上述方案的一种改进，所述Si3N4介质层的厚度为20～50nm。
作为上述方案的进一步改进，所述TiO2介质层的厚度为10～30nm。
作为上述方案的进一步改进，所述NbOx折射层的厚度为5～10nm。
作为上述方案的进一步改进，所述CrNx阻挡层的厚度为0.5～3nm。防止Ag被氧化。
作为上述方案的进一步改进，所述AZO平整层的厚度为5～20nm。平滑所述CrNx阻挡层，为Ag层作铺垫，降低辐射率。
作为上述方案的进一步改进，所述降辐射镀Ag层的厚度为7～10nm。可大大降低红外辐射。
作为上述方案的进一步改进，所述CrNxOy膜层的厚度为0.5～5nm。可提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。
作为上述方案的进一步改进，所述TiO2保护层的厚度为20～50nm。耐腐蚀性好。
作为上述方案的进一步改进，所述Si3N4Oy介质层的厚度为20～50nm。提高钢化时抗高温氧化性。
本发明具有如下优点：钢化前透光率达83％，钢化后透光率达86％，且辐射率小于0.07。
附图说明：
图1为本发明结构剖视图。
具体实施方式：
如图所示，一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，包括玻璃基材1、以及由下而上依次设于玻璃基材1上表面的一Si3N4介质层2、一TiO2介质层3、一NbOx折射层4、一CrNx阻挡层5、一AZO平整层6、一降辐射镀Ag层7、一CrNxOy膜层8、一TiO2保护层9和一Si3N4Oy介质层10。
所述Si3N4介质层2的厚度为20～50nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源溅射半导体材料，该半导体材料为含Si和Al的半导体材料，其中Si、Al的比例为90:10，用氮气作反应气体，从而在玻璃基材表面形成Si3N4介质层。
所述TiO2介质层3的厚度为10～30nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶，用氧气作反应气体，最终在Si3N4介质层表面形成TiO2介质层。
所述NbOx折射层4的厚度为5～10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源溅射陶瓷铌靶，最终在TiO2介质层表面形成NbOx折射层。
所述CrNx阻挡层5的厚度为0.5～3nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射铬靶，用氮气作反应气体，最终在NbOx折射层表面形成CrNx阻挡层。防止Ag被氧化。
所述AZO平整层6的厚度为5～20nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射氧化锌铝靶形成，最终在CrNx阻挡层表面形成AZO平整层，平滑所述CrNx阻挡层，为Ag层作铺垫，降低辐射率。
所述降辐射镀Ag层7的厚度为7～10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶，最终在AZO平整层表面形成降辐射镀Ag层。
所述CrNxOy膜层8的厚度为0.5～5nm。可提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射铬靶，用氮气做反应气体，渗少量氧气，最终在降辐射镀Ag层表面形成CrNxOy膜层，可提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。
所述TiO2保护层9的厚度为20～50nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶，用氧气作反应气体，最终在CrNxOy膜层上形成TiO2保护层。耐腐蚀性好。
所述Si3N4Oy介质层10的厚度为20～50nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源溅射半导体材料，该半导体材料为含Si和Al的半导体材料，其中Si、Al的比例为90:10，用氮气作反应气体，渗入少量氧气，最终在TiO2保护层的表面形成Si3N4Oy介质层，其可提高钢化时抗高温氧化性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明专利范围所做的同等变化与修饰，皆落入本发明专利涵盖的范围。

Claims (8)

1.一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：还包括由下而上依次设于玻璃基材上表面的一Si3N4介质层、一TiO2介质层、一NbOx折射层、一CrNx阻挡层、一AZO平整层、一降辐射镀Ag层、一CrNxOy膜层、一TiO2保护层、以及一Si3N4Oy介质层；所述NbOx折射层的厚度为5～10nm，其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源溅射陶瓷铌靶形成；所述AZO平整层的厚度为5～20nm，其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射氧化锌铝靶形成。
2.根据权利要求1所述的一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，其特征在于：所述Si3N4介质层的厚度为20～50nm。
3.根据权利要求1所述的一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，其特征在于：所述TiO2介质层的厚度为10～30nm。
4.根据权利要求1所述的一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，其特征在于：所述CrNx阻挡层的厚度为0.5～3nm。
5.根据权利要求1所述的一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，其特征在于：所述降辐射镀Ag层的厚度为7～10nm。
6.根据权利要求1所述的一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，其特征在于：所述CrNxOy膜层的厚度为0.5～5nm。
7.根据权利要求1所述的一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，其特征在于：所述TiO2保护层的厚度为20～50nm。
8.根据权利要求1所述的一种可钢化超高透单银低辐射玻璃，其特征在于：所述Si3N4Oy介质层的厚度为20～50nm。
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