CN102945904A - 氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构,包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极,衬底上淀积N型氮化镓层;在所述N型氮化镓层上设有量子阱,量子阱上设有P型氮化镓层,P型氮化镓层上设有透明导电层,透明导电层上淀积有钝化层,在钝化层上设有接触孔,P电极填充于该接触孔内,P电极与透明导电层等电位连接;其特征是:在所述P电极下方的P型氮化镓层上刻蚀形成P型蚀刻区,P型蚀刻区从P型氮化镓层的上表面向N型氮化镓层的方向延伸,P型蚀刻区在P型氮化镓层内延伸的距离小于P型氮化镓层的厚度,P电极填充于P型蚀刻区内。本发明可以避免电势线过渡聚集时产生电流堵塞,降低电流堵塞产生的发热现象。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED芯片结构,尤其是一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构,属于LED芯片技术领域。
背景技术
发光二极管(LED)芯片可靠性与电流扩展关系密切,而P型GaN(氮化镓)的接触成为关键,由于P型GaN很难做到良好的导电性,故在此基础上普遍采用透明导电层的方式来实现电流扩展,本身电极位置的设置,在电极与电极之间会形成明显的电流阻塞区域,从而影响LED器件本身的出光和可靠性及寿命。而解决此问题大家普遍采用在电极下方制作一层钝化层的方式,但由于钝化层方案本身由于粘附等问题影响器件可靠性,另加工步骤繁琐不适合推广。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构,该二极管芯片结构改善了电流的传输堵塞,结构简单紧凑,提高了LED芯片的发光效率,与现有加工工艺相兼容,延长了LED芯片使用寿命,安全可靠。
按照本发明提供的技术方案,所述氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构,包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极,衬底上淀积N型氮化镓层,N型氮化镓层覆盖于衬底上;在所述N型氮化镓层上设有量子阱,量子阱上设有P型氮化镓层,P型氮化镓层上设有透明导电层,透明导电层覆盖于P型氮化镓层上,并与P型氮化镓层电连接;所述透明导电层上淀积有钝化层,钝化层覆盖于透明导电层上,并包覆透明导电层下方的P型氮化镓层与量子阱;在所述钝化层上设有接触孔,P电极填充于该接触孔内,P电极与透明导电层等电位连接;其特征是:在所述P电极下方的P型氮化镓层上刻蚀形成P型蚀刻区,P型蚀刻区从P型氮化镓层的上表面向N型氮化镓层的方向延伸,P型蚀刻区在P型氮化镓层内延伸的距离小于P型氮化镓层的厚度;所述P电极填充于P型蚀刻区内,并与P型氮化镓层等电位连接。
所述P型蚀刻区在P型氮化镓层内的深度为500埃~2000埃。
所述N型氮化镓层的端部设有台阶,在该台阶覆盖的钝化层上设有接触孔,在接触孔内设有N电极,N电极与N型氮化镓层电连接。
所述衬底为蓝宝石基板。
所述钝化层的材料为二氧化硅或氮化硅。
本发明在衬底上设置N型氮化镓层,N型氮化镓层上设置P型氮化镓层,N型氮化镓层与N电极等电位连接;P型氮化镓层通过透明导电层与P电极等电位连接,从而能够构成LED芯片的两个电极;P电极下方设有电流阻挡结构(P型蚀刻区),避免电势线聚集在P电极与P型氮化镓层的结合部,从而通过透明导电层传输到整个发光区,避免电势线过渡聚集时产生电流堵塞,降低电流堵塞产生的发热现象,同时,能够提高LED芯片的出光效率;结构简单紧凑,与现有加工工艺相兼容,延长了LED芯片使用寿命,安全可靠。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图对本发明作进一步说明。
如图1所示:本发明包括衬底1、N型氮化镓层2、量子阱3、P型氮化镓层4、P电极5、N电极6、透明导电层7、钝化层8、P型蚀刻区9、台阶10。
如图1所示,本发明包括衬底1及位于衬底1上方的P电极5和N电极6,衬底1上淀积N型氮化镓层2,N型氮化镓层2覆盖于衬底1上,衬底1采用蓝宝石基板;在所述N型氮化镓层2上设有量子阱3,量子阱3上设有P型氮化镓层4;为了能够扩大电流导通,所述P型氮化镓层4上设有透明导电层7,透明导电层7覆盖于P型氮化镓层4上,并与P型氮化镓层4电连接;所述透明导电层7上淀积有钝化层8,钝化层8覆盖于透明导电层7上,并包覆透明导电层7下方的P型氮化镓层4与量子阱3;在所述钝化层8上设有接触孔,P电极5填充于该接触孔内,P电极5与透明导电层7等电位连接;所述量子阱3、P型氮化镓层4及透明导电层7的材料、厚度及形成工艺均与现有LED芯片制备工艺相一致;
如图1所示,在所述P电极5下方的P型氮化镓层4上刻蚀形成P型蚀刻区9,P型蚀刻区9从P型氮化镓层4的上表面向N型氮化镓层2的方向延伸,P型蚀刻区9在P型氮化镓层4内延伸的距离小于P型氮化镓层4的厚度,具体地,P型蚀刻区9在P型氮化镓层4内的深度为500埃~2000埃;所述P电极5填充于P型蚀刻区9内,并与P型氮化镓层4等电位连接;
所述N型氮化镓层2的端部设有台阶10,在该台阶10覆盖的钝化层8上设有接触孔,在接触孔内设有N电极6,N电极6与N型氮化镓层2电连接;
所述透明导电层7为单层金属、多层金属、单层金属氧化物或多层金属氧化物;
所述钝化层8的材料为二氧化硅或氮化硅。
本发明在衬底1上设置N型氮化镓层2,N型氮化镓层2上设置P型氮化镓层4,N型氮化镓层2与N电极6等电位连接;P型氮化镓层4通过透明导电层7与P电极5等电位连接,从而能够构成LED芯片的两个电极;P电极5下方设有电流阻挡结构(P型蚀刻区9),避免电势线聚集在P电极5与P型氮化镓层4的结合部,从而通过透明导电层传输到整个发光区,避免电势线过渡聚集时产生电流堵塞,降低电流堵塞产生的发热现象,同时,能够提高LED芯片的出光效率;结构简单紧凑,与现有加工工艺相兼容,延长了LED芯片使用寿命,安全可靠。
Claims (5)
1.一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构,包括衬底(1)及位于衬底(1)上方的P电极(5)和N电极(6),衬底(1)上淀积N型氮化镓层(2),N型氮化镓层(2)覆盖于衬底(1)上;在所述N型氮化镓层(2)上设有量子阱(3),量子阱(3)上设有P型氮化镓层(4),P型氮化镓层(4)上设有透明导电层(7),透明导电层(7)覆盖于P型氮化镓层(4)上,并与P型氮化镓层(4)电连接;所述透明导电层(7)上淀积有钝化层(8),钝化层(8)覆盖于透明导电层(7)上,并包覆透明导电层(7)下方的P型氮化镓层(4)与量子阱(3);在所述钝化层(8)上设有接触孔,P电极(5)填充于该接触孔内,P电极(5)与透明导电层(7)等电位连接;其特征是:在所述P电极(5)下方的P型氮化镓层(4)上刻蚀形成P型蚀刻区(9),P型蚀刻区(9)从P型氮化镓层(4)的上表面向N型氮化镓层(2)的方向延伸,P型蚀刻区(9)在P型氮化镓层(4)内延伸的距离小于P型氮化镓层(4)的厚度;所述P电极(5)填充于P型蚀刻区(9)内,并与P型氮化镓层(4)等电位连接。
2.如权利要求1所述的氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构,其特征是:所述P型蚀刻区(9)在P型氮化镓层(4)内的深度为500埃~2000埃。
3.如权利要求1所述的氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构,其特征是:所述N型氮化镓层(2)的端部设有台阶(10),在该台阶(10)覆盖的钝化层(8)上设有接触孔,在接触孔内设有N电极(6),N电极(6)与N型氮化镓层(2)电连接。
4.如权利要求1所述的氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构,其特征是:所述衬底(1)为蓝宝石基板。
5.如权利要求1所述的氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构,其特征是:所述钝化层(8)的材料为二氧化硅或氮化硅。
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