CN102941628B - 二极管硅叠切割工艺及其专用工装 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种二极管硅叠切割工艺及其专用工装，其创新点在于所述步骤为：将硅叠水平置于硅叠接着工装的玻璃底板上，通过石蜡将其与玻璃底板一次接着；将硅叠接着工装置于硅片切断机上，定位后由硅片切断机沿垂直于硅叠接着工装两侧玻璃挡板的方向进行一次切割成若干排硅片；加热融化固定硅片的石蜡后，将硅叠接着工装上的硅片在水平面方向旋转90°，再通过石蜡二次接着固定在硅叠接着工装上；将硅叠接着工装再次置于硅片切断机上二次切割，将硅片切割成硅粒。精简工序，硅片不会出现倾倒的现象，可缩短切割周期，提高工作效率；并在水平旋转时利用专用工装定位，确保硅片与硅叠二次接着时相对一次接着准确旋转90度，提高产品质量。
Description
技术领域
本发明涉及一种加工效率高、且准确的二极管硅叠切割工艺，还涉及一种实现该二极管硅叠切割工艺的专用工装。
背景技术
二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。硅二极管的反向电流较小，耐高温，使用较为广泛。
在生产硅二极管的过程中，需要将硅叠切割成硅粒，其工艺流程为：首先将硅叠水平置于硅叠接着工装上，通过石蜡接着，将硅叠与硅叠接着工装的玻璃底板固定，实现一次接着；然后将硅叠接着工装置于硅片切断机上，进行一次切割，将硅叠切割成若干排硅片；一次切割后，融化石蜡，将数排硅片为一组，沿穿过一次切割线的垂直平面上翻转硅片90度，并沿水平面旋转90度后，再将硅片与硅叠接着工装二次接着固定；最后再次将硅叠接着工装置于硅片切断机上二次切割制得硅粒。该种工艺方法存在一定的缺点：无法确保硅片准确旋转90度，切割后的硅粒端面与侧面不垂直，影响后续加工及产品质量；在采用该方法制作复印机、打印机用的管芯时，其为3kv高压二极管，管芯较短，硅叠较薄，在垂直平面翻转90度后虽然与硅叠接着工装接着，但仍易倾倒平躺，无法顺利切割，加工效率受到很大的影响。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种加工效率高、且准确的二极管硅叠切割工艺，还涉及一种实现该二极管硅叠切割工艺的专用工装。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种二极管硅叠切割工艺，其创新点在于所述步骤为：将硅叠水平置于硅叠接着工装的玻璃底板表面，并通过石蜡将其与玻璃底板固定实现一次接着；将硅叠接着工装置于硅片切断机上，定位后由硅片切断机沿垂直于硅叠接着工装两侧玻璃挡板的方向进行一次切割，将硅叠切割成若干排硅片；加热融化固定硅片的石蜡后，通过专用工装将硅叠接着工装上的硅片在水平面方向相对硅叠接着工装旋转90°，再通过石蜡二次接着固定在硅叠接着工装上；将硅叠接着工装再次置于硅片切断机上，定位后由硅片切断机沿垂直于硅叠接着工装两侧玻璃挡板的方向进行二次切割，将硅片切割成硅粒。
一种实现上述二极管硅叠切割工艺的专用工装，其创新点在于：包括一定位框，所述定位框中两对应的侧边内壁上对称开有三对槽，具体为两对挡边定位槽和一对基准槽，所述两对挡边定位槽分别设在所述侧边内壁的端部，一对基准槽设在所述侧边内壁的中心线上；还包括一基准玻璃板，所述基准玻璃板的两端可嵌入一对基准槽内。
本发明的优点在于：硅叠二次切割时，直接进行硅片的水平旋转，无需垂直面上翻转，减少工序，不存在硅片倾倒现象，可缩短切割周期，提高工作效率；并在水平旋转时利用专用工装定位，确保硅片与硅叠二次接着时相对一次接着准确旋转90度，提高产品质量。
附图说明
图1为硅叠接着工装主视图。
图2为硅叠接着工装俯视图。
图3为本发明中一次切割后硅叠接着工装俯视图。
图4为本发明中专用工装中定位框主视图。
图5为本发明中专用工装中定位框俯视图。
图6为本发明中一次切割后盖上定位框的硅叠接着工装示意图。
图7为本发明中硅叠接着工装上的硅片沿水平面方向旋转90°并分成左右两组示意图。
图8为本发明中插入基准玻璃板的定位框及硅叠接着工装示意图。
图9为本发明中硅片的一次切割面紧贴基准玻璃板的结构示意图。
具体实施方式
本发明中硅叠接着工装为二极管制造企业生产硅粒的常规工艺治具，其如图1、2所示，包括铝模座1、玻璃底板2、玻璃挡板3和锁紧螺栓4。
铝模座1为矩形，其上表面放置一玻璃底板2，铝模座1与玻璃底板2通过石蜡接着连接，铝模座1两侧边开有通槽，玻璃挡板3的下端嵌入通槽内，并通过侧壁的锁紧螺栓4锁紧固定。
在进行二极管硅叠切割时，其具体工艺如下：
首先将两层硅叠7水平置于硅叠接着工装的玻璃底板2上，并通过石蜡将其与玻璃底板2固定实现一次接着。
将硅叠接着工装置于硅片切断机上，定位后由硅片切断机进行一次切割，其切割方向为垂直于硅叠接着工装两侧玻璃挡板3的方向，将硅叠切割成若干排硅片，可参见图3。
然后将硅叠接着工装置于加热器上，加热融化石蜡，通过专用工装将硅叠接着工装上的硅片在水平面方向相对硅叠接着工装旋转90°，再次通过石蜡二次接着固定在硅叠接着工装上。
上述工艺过程中，专用工装结构如图4、5所示，包括一矩形定位框5，定位框5中两对应的侧边内壁上对称开有三对沿垂直方向延伸的槽，具体为两对挡边定位槽a和一对基准槽b，两对挡边定位槽a分别设在该侧边内壁的端部，一对基准槽b设在该侧边内壁的中心线上；还包括一基准玻璃板6（图4、5中未示出），基准玻璃板6的两端可嵌入一对基准槽b内。
借助专用工装定位时，如图6-9所示，首先将硅片整体沿水平面方向相对硅叠接着工装旋转约90°，将定位框5放置在硅叠接着工装上，定位框5的两队挡边定位槽a分别套在两侧玻璃挡板3的端部，从硅片中部将各排硅片分成左右两组，将基准玻璃板6的两端插入基准槽b，再将两组硅片向中间合拢，使得最靠近基准玻璃板6的硅片一次切割面紧贴基准玻璃板6的两侧面。由于基准玻璃板6与玻璃挡板3平行，硅片的一次切割面紧贴基准玻璃板6，从而确保了硅片准确旋转90°。
另外，为方便旋转，硅片整体沿水平方向相对硅叠接着工装旋转90°时，可以直接旋转玻璃底板2。
完成90°旋转后，将硅叠接着工装再次置于硅片切断机上，采用一次切割时的原方式定位后，由硅片切断机沿垂直于硅叠接着工装两侧玻璃挡板3的方向进行二次切割，从而将硅片切割成硅粒。
Claims (1)
1.一种二极管硅叠切割工艺，其特征在于，步骤为：
a)将硅叠水平置于硅叠接着工装的玻璃底板表面，并通过石蜡将其与玻璃底板固定实现一次接着；
b)将硅叠接着工装置于硅片切断机上，定位后由硅片切断机沿垂直于硅叠接着工装两侧玻璃挡板的方向进行一次切割，将硅叠切割成若干排硅片；
c)将硅叠接着工装置于加热器上，加热融化石蜡后，通过专用工装将硅叠接着工装上的硅片在水平面方向相对硅叠接着工装旋转90°，再通过石蜡二次接着固定在硅叠接着工装上；所述专用工装，包括一矩形定位框，所述定位框中两对应的侧边内壁上对称开有三对垂直方向延伸的槽，具体为两对挡边定位槽和一对基准槽，所述两对挡边定位槽分别设在所述侧边内壁的端部，一对基准槽设在所述侧边内壁的中心线上；还包括一基准玻璃板，所述基准玻璃板的两端可嵌入一对基准槽内；
d)将硅叠接着工装再次置于硅片切断机上，采用步骤b)中的方式再次定位后由硅片切断机沿垂直于硅叠接着工装两侧玻璃挡板的方向进行二次切割，将硅片切割成硅粒。
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