CN102914919B - 一种多维电场模式液晶显示器的制作方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及液晶显示器领域，公开了一种多维电场模式液晶显示器的制作方法及装置，用于解决Greenish现象的发生。该方法为：先制作彩膜基板和阵列基板，彩膜基板上面向阵列基板的一侧覆盖有透明导电层，阵列基板上面向彩膜基板的一侧覆盖有透明导电层、有效像素层与公共电极；再制作一滤波电容，将阵列基板上的透明导电层作为滤波电容的第一电极，并将上述第一电极与公共电极相连；然后将彩膜基板上的透明导电层作为滤波电容的第二电极，并将第二电极与PCB相连，从而解决了Greenish现象的发生。

Description

一种多维电场模式液晶显示器的制作方法及装置

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，特别涉及一种多维电场模式液晶显示器的制作方法及装置。 

背景技术

高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，AD-SDS，简称ADS），其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-ADS液晶显示器产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。 

ADS液晶显示器在特定的显示画面下，会有颜色发绿的现象发生，即Greenish现象。这种现象的发生是因为，在一般的显示画面下，由数据信号引起的公共电极（即Vcom）的电压的变化会相互抵消，但是在特定的显示画面下，数据信号引起的Vcom的电压的变化不能相互抵消，从而引起绿色像素的亮度增加，导致Greenish现象的发生。对于尺寸较大的液晶面板，不同区域的Vcom电压的变化情况是不同的，如图1所示，与PCB（Printed circuit board，印刷线路板）距离较近区域的Vcom的电压的变化较小，如图1中的B点所示，与PCB距离较远区域的Vcom的电压的变化较大，如图1中的C点所示，因此，与PCB距离较远区域的Greenish现象更加严重。 

目前，避免Greenish现象发生的方法有如下几种： 

⑴设置Vcom的电压的反馈，对变化的Vcom的电压进行补偿。 

该方法的缺点是，由于Vcom的电压的变化程度具有区域性，即有些区域的Vcom的电压变化较大，有些区域的Vcom的电压变化较小。若使用统一补偿值对整个ADS液晶显示器进行补偿，会造成ADS液晶显示器的某些区域补偿过度，进而使ADS液晶显示器显示异常。若对ADS液晶显示器进行分区域补偿，由于Vcom的电压的反馈点较多，但是ADS液晶显示器面板的布线区域是有限的，因此实际设置的反馈点远远小于所需要的反馈点，进而也就无法解决Greenish现象的发生。 

⑵在阵列基板上设计滤波电容，对Vcom的波形进行优化，从而避免Greenish现象的发生，该方法的缺点是，由于阵列基板的空间是有限的，若再在阵列基板上加载滤波电容，会造成电容过小以及静电击穿现象。 

发明内容

本发明实施例提供一种多维电场模式液晶显示器的制作方法，用以解决Greenish现象的发生，并且在解决Greenish现象发生时不会产生静电击穿的现象。 

一种边缘场效应开关多维电场模式液晶显示器的制作方法，包括： 

制作彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板上面向所述阵列基板的一侧覆盖有透明导电层，所述阵列基板上面向所述彩膜基板的一侧覆盖有透明导电层、有效像素层与公共电极； 

制作一滤波电容，将所述阵列基板上的透明导电层作为滤波电容的第一电极，并将所述第一电极的与所述公共电极相连； 

将所述彩膜基板上的透明导电层作为所述滤波电容的第二电极，并将第二电极与印刷电路板PCB相连。 

一种边缘场效应开关多维电场模式液晶显示器的制作装置，包括： 

彩膜彩膜基板：所述彩膜基板至少包括透明导电层； 

薄膜阵列基板：所述阵列基板至少包括透明导电层、有效像素层与公共电 极； 

滤波电容：所述滤波电容的第一电极为所述阵列基板上的透明导电层，及所述第一电极与所述公共电极相连； 

滤波电容的第二电极，为所述彩膜基板上的透明导电层，与印刷电路板PCB相连。 

本发明实施例中，制作多维电场模式液晶显示器时，先制作彩膜基板和阵列基板，彩膜基板上面向阵列基板的一侧覆盖有透明导电层，阵列基板上面向彩膜基板的一侧覆盖有透明导电层、有效像素层与公共电极；再制作一滤波电容，将阵列基板上的透明导电层作为滤波电容的第一电极，并将上述第一电极与公共电极相连；然后将彩膜基板上的透明导电层作为滤波电容的第二电极，并将第二电极与PCB相连，从而解决了Greenish现象的发生，并且在解决Greenish现象发生时不会产生静电击穿的现象。 

附图说明

图1为现有技术中，阵列基板上的不同区域的公共电极的电压变化示意图； 

图2为本发明实施例中制作多维电场模式液晶显示器的详细流程图； 

图3为本发明实施例中多维电场模式液晶显示器的结构示意图； 

图4为本发明实施例中阵列基板的结构示意图； 

图5为本发明实施例中彩膜基板的结构示意图。 

具体实施方式

为了避免Greenish现象的发生，并且在解决Greenish现象发生时不会产生静电击穿的现象，本发明实施例中，在制作ADS液晶显示器时，先制作彩膜基板和阵列基板，彩膜基板上面向阵列基板的一侧覆盖有透明导电层，阵列基板上面向彩膜基板的一侧覆盖有透明导电层、有效像素层与公共电极；再制作一滤波电容，将阵列基板上的透明导电层作为滤波电容的第一电极，并将上 述第一电极与公共电极相连；然后将彩膜基板上的透明导电层作为滤波电容的第二电极，并将第二电极与PCB相连，从而解决了Greenish现象的发生，并且在解决Greenish现象发生时不会产生静电击穿的现象。 

下面结合附图对本发明优选的实施方式进行详细说明。 

参阅图2所示，本发明实施例中，制作ADS液晶显示器的详细流程如下： 

步骤200：制作彩膜基板和阵列基板，在彩膜基板上面向阵列基板的一侧覆盖有透明导电层，在阵列基板上面向所述彩膜基板的一侧覆盖有透明导电层、有效像素层与公共电极。 

参阅图3所示，本发明实施例中，ADS液晶显示器至少包括：彩膜基板1、阵列基板2，其中，彩膜基板1为上基板，阵列基板2为下基板。由于彩膜基板1及阵列基板2的制作工艺在现有技术中比较成熟，因此，在此不再鳌述。参阅图4所示，阵列基板2至少包括透明导电层40、有效像素层41与公共电极42。其中，有效像素层41由栅极行和数据行成直角交叉而形成，由此形成单元像素区域，有效像素层中包括透明像素电极。 

在实际应用中，透明像素电极可以为平板形状，也可以为条缝形状，且平板形状的透明像素电极的作用效果优于其他形状的透明像素电极的作用效果。但是，由于本发明实施例中的液晶显示器为ADS液晶显示器，而ADS液晶显示器的透明像素电极为条缝形状，因此，本发明实施例中的透明像素电极为条缝形状。 

参阅图5所示，彩膜基板1至少包括透明导电层50与黑矩阵51。 

在实本发明实施例中，彩膜基板1和阵列基板2之间还填充有液晶，也就是说，在彩膜基板1和阵列基板2之间存在LC层4。 

步骤210：制作一滤波电容，将阵列基板上的透明导电层作为滤波电容的第一电极，并将上述第一电极与公共电极相连。 

滤波电容是安装在整流电路两端用以降低交流脉动波纹系数提升高效平滑直流输出的一种储能器件。滤波电容具有电极性，我们可也以称其为电解电 容。滤波电容共有两个电极，第一电极与第二电极，即正极与负极。正极端连接在整流输出电路的正端，负极连接在电路的负端。在所有需要将交流电转换为直流电的电路中，设置滤波电容会使电子电路的工作性能更加稳定，同时也降低了交变脉动波纹对电子电路的干扰。滤波电容在电路中的符号一般用“C”表示，电容量越大，滤波性能越好。为了获得更好的直流稳定系数，电容量一般选择在数百微法或数千微法以上。滤波电容具体选择什么容值取决于PCB上主要的工作频率和对系统造成影响的波谱频率。 

在实际应用中，有效像素层上有像素电极，由于有效像素层上的像素电极的金属密度大，刻蚀液浓度低，而有效像素层周围刻蚀液的浓度相对较高，因此，容易造成有效像素层的像素电极刻蚀过大，进而可能造成有效像素区域的图像显示质量较差，因此，为了保证像素电极刻蚀的均一性，在阵列基板上制作透明导电层。 

本发明实施例中，参阅图3所示，滤波电容3的第一电极为上述阵列基板上的透明导电层，同时作为正极。参阅图4所示，阵列基板上的透明导电层在有效像素层的周边，透明导电层与有效像素层的距离随阵列基板的面积大小的变化而变化，较佳的距离为1-2mm。 

本发明实施例中，在制作ADS液晶显示器的过程中，增加制作滤波电容时，滤波电容的第一电极为阵列基板上已经存在的透明导电层，也就是说，本发明实施例中的阵列基板上的透明导电层不仅具有保证有效像素层的像素电极刻蚀的均一性的作用，还可以起到作为滤波电容的电极的作用。同时，由于制作滤波电容时，阵列基板上已经存在透明导电层，无需为了保证顺利制作滤波电容的第一电极而增加新的涂层，进而可以降低ESD（electro-static discharge，静电击穿）发生的风险。 

步骤220：将彩膜基板上的透明导电层作为滤波电容的第二电极，并将上述第二电极与PCB相连。 

本发明实施例中，将彩膜基板上的透明导电层作为滤波电容的第二电极， 并将上述第二电极与PCB相连。 

参阅图5所示，在实际应用中，彩膜基板至少包括透明导电层50、黑矩阵51。其中，透明导电层50位于黑矩阵51上。透明导电层的材质可以采用透明的金属材料、透明的有机导电非金属材料及透明的无机导电非金属材料中的任意一种。 

本发明实施例中，彩膜基板的透明导电层的材质既可以采用透明的金属材料，也可以采用透明的有机导电非金属材料或透明的无机导电非金属材料，其中，透明导电层的材质采用透明的导电非金属材料时，可以采用旋涂方法或等离子体增强化学气相沉积方法将透明导电层设置在彩膜基板上。具体为：透明导电层的材质采用透明的有机导电非金属材料时，采用旋涂方法将有机非金属材料沉积在彩膜基板上；透明导电层的材质采用透明的无机导电非金属材料时，采用等离子体增强化学气相沉积方法将无机非金属材料沉积在彩膜基板上。 

本发明实施例中，在向ADS液晶显示器上制作滤波电容之前，彩膜基板上不存在透明导电层，也就是说，彩膜基板上的透明导电层是为了在ADS液晶显示器上制作滤波电容的第二电极而在彩膜基板上设置了透明导电层，其中，当透明导电层的材质采用透明的金属材料时，透明的金属材料层可以为氧化铟锡ITO层。在彩膜基板上沉积ITO层时，工艺参数可以为：功率为40KW-80KW，温度为20℃-100℃，气压为0.4Pa-1.0Pa，ITO层的相关参数可以为：沉积度为 透明导电层的折射率为1.5-2.3。在彩膜基板上沉积ITO层时的相关工艺参数及沉积的ITO层的相关参数也可以为其他参数，在此不再鳌述。 

本发明实施例中，彩膜基板上的透明导电层与阵列基板上的透明导电层的面积尺寸是一致的，即制作彩膜基板上的透明导电层时与阵列基板上的透明导电层时，令彩膜基板上的透明导电层与阵列基板上的透明导电层面积相同。 

例如：阵列基板上的透明导电层的面积尺寸为580mm²时，彩膜基板上的 透明导电层的面积尺寸也为580mm²。 

较佳的，为了降低滤波电容的第二电极对有效像素层的图像显示质量的影响，制作彩膜基板上的透明导电层时，令彩膜基板上的透明导电层与阵列基板上的透明导电层对齐。 

本发明实施例中，在完成滤波电容的制作后，再将阵列基板和彩膜基板成盒，即先在彩膜基板与阵列基板表面分别涂敷聚酰亚胺膜，并通过摩擦工艺形成可诱导分子按要求排列的取向膜，再在阵列基板周边布好密封胶材料，并在基板上喷洒衬垫，同时，在彩膜基板的透明电极末端涂布银浆，然后将彩膜基板与阵列基板对位粘接，使彩膜基板的图案与阵列基板的像素图案一一对正，再经热处理使密封材料固化。将阵列基板和彩膜基板成盒后，滤波电容的结构便形成了。由于滤波电容的第一电极与第二电极之间存在电势差时，滤波电容才可以正常工作，因此，为了保证滤波电容正常工作，本发明实施例中，将滤波电容的的第二电极的电势设置为0，即在TFT基板和彩膜基板成盒后，将作为滤波电容的第二电极的彩膜基板上的透明导电层同时也与PCB上的GND点相连，使滤波电容的第一电极与第二电极之间存在电势差，其中，GND点与地面相连，因此，GND点的电势为0。 

本发明实施例还提供了一种ADS液晶显示器的装置，如图3所示，包括： 

彩膜基板1：上述彩膜基板至少包括透明导电层50； 

阵列基板2：上述阵列基板至少包括透明导电层40、有效像素层41与公共电极42； 

滤波电容3：上述滤波电容的第一电极为上述阵列基板上的透明导电层40，上述第一电极与上述公共电极42相连； 

滤波电容的第二电极，为上述彩膜基板上的透明导电层50，上述第二电极与PCB相连。 

综上所述，为了解决Greenish现象的发生，并且避免在解决Greenish现象 发生时产生静电击穿的现象，本发明实施例中，制作ADS液晶显示器时，先制作彩膜基板和阵列基板，彩膜基板上面向阵列基板的一侧覆盖有透明导电层，阵列基板上面向彩膜基板的一侧覆盖有透明导电层、有效像素层与公共电极；再制作一滤波电容，将阵列基板上的透明导电层作为滤波电容的第一电极，并将上述第一电极与公共电极相连；然后将彩膜基板上的透明导电层作为滤波电容的第二电极，并将第二电极与PCB相连，从而降低了解决Greenish现象发生所采用的方法的复杂度，并且在解决Greenish现象发生时不会产生静电击穿的现象。 

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。 

Claims (11)

1.一种多维电场模式液晶显示器的制作方法，其特征在于，包括：

制作彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板上面向所述阵列基板的一侧覆盖有透明导电层，所述阵列基板上面向所述彩膜基板的一侧覆盖有透明导电层、有效像素层与公共电极；

制作一滤波电容，将所述阵列基板上的透明导电层作为滤波电容的第一电极，并将所述第一电极的与所述公共电极相连；

将所述彩膜基板上的透明导电层作为所述滤波电容的第二电极，并将第二电极与印刷电路板PCB相连。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，制作所述彩膜基板时，在所述彩膜基板上面向所述阵列基板的一侧采用透明的金属材料、透明的有机导电非金属材料及透明的无机导电非金属材料中的任意一种材质沉积透明导电层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述透明导电层的材质采用透明的金属材料时，所述透明金属层为氧化铟锡ITO层。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，若透明导电层的材质采用透明的有机导电非金属材料，则采用旋涂方法将所述有机非金属材料沉积在彩膜基板上；若透明导电层的材质采用透明的无机导电非金属材料，则采用等离子体增强化学气相沉积方法将无机非金属材料沉积在彩膜基板上。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，制作所述彩膜基板上的透明导电层时与所述阵列基板上的透明导电层时，令所述彩膜基板上的透明导电层与所述阵列基板上的透明导电层面积相同且位置对齐。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，制作所述阵列基板上的透明导电层时，令所述透明导电层距离所述有效像素层边缘1-2mm。

7.一种多维电场模式液晶显示器，其特征在于，包括：

彩膜彩膜基板：所述彩膜基板至少包括透明导电层；

薄膜阵列基板：所述阵列基板至少包括透明导电层、有效像素层与公共电极；

滤波电容：所述滤波电容的第一电极为所述阵列基板上的透明导电层，及所述第一电极与所述公共电极相连；

滤波电容的第二电极，为所述彩膜基板上的透明导电层，与印刷电路板PCB相连。

8.如权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，所述彩膜基板上的透明导电层的材质采用透明的金属材料、透明的有机导电非金属材料及透明的无机导电非金属材料中的任意一种。

9.如权利要求8所述的液晶显示器，其特征在于，所述透明导电层的材质采用透明的金属材料时，所述透明金属层为氧化铟锡ITO层。

10.如权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，所述彩膜基板上的透明导电层与所述阵列基板上的透明导电层面积相同且位置对齐。

11.如权利要求10所述的液晶显示器，其特征在于，所述阵列基板上的透明导电层与所述有效像素层边缘的距离为1-2mm。