CN102891098B - 用于制造半导体的设备和方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于制造半导体的设备和方法，该设备包括：晶片盒，附着到所述设备的主体或从所述设备的主体分离；晶片载体，容纳在晶片盒中，且当半导体晶片放置在晶片载体上时，保留了关于所述多个半导体芯片的信息的条形码附着到晶片载体；缓冲单元，包括缓冲台和条形码读取器，并执行用于调节晶片载体的方向的对齐操作，晶片载体放置在缓冲台上，缓冲台能够旋转，条形码读取器读取所述条形码；XYθ台，在XYθ台上，半导体晶片运动到半导体芯片的拾取位置；安装机构，用于将半导体芯片安装在目标上。

Description

用于制造半导体的设备和方法

本申请要求于2011年7月22日提交到日本专利特许厅的第2011-160984号日本专利申请的权益以及于2012年4月3日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0034225号韩国专利申请的权益，这两个申请公开的全部内容通过引用被包含于此。

技术领域

示例性实施例涉及一种用于制造半导体的设备和方法，更具体地说，涉及一种用于制造半导体的设备和方法，藉此将多个半导体芯片安装在目标上。

背景技术

一般来说，在用于半导体制造的后处理过程中，当将半导体芯片安装在目标上时，使用固晶机(die bonder)或芯片安装器。

根据现有技术的固晶机50的结构的示例在图1中示出。

图1的固晶机50包括：传输导轨70，在传输导轨70上传输引线框架LF，引线框架(lead frame)LF作为半导体芯片安装于其上的目标；晶片盒52，容纳硅晶片W(在下文中称为晶片)，条形码BC附着到已经完成切割的晶片W；晶片变更器54，允许晶片W运动；XYθ台56，在XYθ台56上，晶片W的半导体芯片C(在下文中称为芯片)沿着晶片W的芯片C在引线框架LF上安装的方向对齐；条形码读取器58，读取条形码BC；安装头60，拾取晶片W的芯片C，并将晶片W的芯片C安装在引线框架LF上。

安装头60安装在运动机构61和62上。另外，条形码读取器58安装在XYθ台56的上部上，且条形码读取器58的位置被固定。除此之外，运动机构(未示出)和旋转机构(未示出)安装在XYθ台56上。

在用于半导体制造的预处理过程中，电路图案形成在晶片W上。晶片W与环形的晶片载体WC一起设置在粘合片上，且晶片W通过切割被分成多个芯片C。通过晶片检查确定所述多个芯片C中的每个芯片是否是无缺陷芯片或有缺陷芯片，检查的结果作为条形码信息与芯片地址一起附着到晶片载体WC。按照这种方式处理的N个晶片W1至WN分别容纳在晶片盒52的多个容纳槽中。容纳首先处于安装工艺的晶片W1的容纳槽安装在晶片盒52的传输高度。

当开始执行安装晶片W1的操作时，XYθ台56运动到晶片设定位置P1，当XYθ台56的运动已经完成时，晶片W1通过晶片变更器54从晶片盒52取出，并因此安装在XYθ台56上。

接下来，晶片W1通过XYθ台56完全运动到条形码读取位置P2，然后晶片W1通过XYθ台56旋转，以使得附着到晶片载体WC(晶片W1放置在该晶片载体WC上)的条形码BC1的位置与条形码读取器58一致。

当通过条形码读取器58读取条形码BC1时，读取晶片W1的芯片地址及每个芯片C的检查结果。关于读取的晶片W1的数据传递到安装头60。

接下来，晶片W1通过XYθ台56运动到拾取位置P3。将芯片C安装在引线框架LF上的操作通过安装在运动机构61和62上的安装头60执行。

运动到拾取位置P3的晶片W1的芯片C被设置的方向与晶片W1的芯片C在引线框架LF上安装的方向不一致。然而，当晶片W1在安装头60上旋转时，生产率降低。因此，当晶片W1的芯片C被设置的方向与晶片W1的芯片C在引线框架LF上安装的方向不一致时，需要在拾取位置P3预先修正晶片W1的方向。

因此，在晶片W1运动到拾取位置P3之后，XYθ台56旋转，如果有必要的话，修正晶片W1的方向。

在此之后，晶片W1的无缺陷芯片C通过安装头60拾取，并安装于在传输导轨70上传输的引线框架LF上。执行安装操作的次数对应于晶片W1的无缺陷芯片C的数量。晶片W1的有缺陷芯片C保留在晶片W1中。

当安装完晶片W1的所有无缺陷芯片C时，晶片W1通过XYθ台56运动到晶片设定位置P1。并且，晶片载体WC(保留了有缺陷芯片C的晶片W1放置在该晶片载体WC上)通过晶片变更器54与XYθ台56分离，并容纳在晶片盒52中。

通过固晶机50以与安装晶片W1的上述操作相同的方式执行安装晶片W2至WN的操作。

然而，条形码附着到晶片载体WC的位置根据制造晶片的工厂或制造商的不同而改变。因此，在读取条形码的操作中，要花费大量时间寻找条形码附着到晶片载体的位置。另外，即使当读取条形码时，如果条形码不被精确地读取，则要再次读取条形码，并需要更多的时间。另外，在读取条形码之后，在拾取位置P3要花费大量时间修正晶片W1被放置的方向。

在根据现有技术的安装操作中，在XYθ台56上执行所有操作，包括寻找条形码附着到晶片载体的位置、读取条形码、使晶片沿着无缺陷芯片在引线框架上安装的方向对齐。因此，从安装一个晶片的无缺陷芯片的操作到安装下一个晶片的无缺陷芯片的操作要花费大量时间更换晶片。另外，在拾取位置执行安装晶片的操作的同时，下一个晶片的操作处于准备状态，降低了固晶机50的操作效率。

当XYθ台56高速操作时，减少了寻找条形码附着到晶片载体WC的位置所需的时间或者修正晶片W的方向所需的时间，XYθ台56具有大尺寸和大质量。因此，难以执行XYθ台56的快速旋转。

另一方面，如上所述，用于通过读取晶片的条形码获得关于晶片的信息(确定晶片是否是无缺陷芯片或者有缺陷芯片和地图(map))的技术是众所周知的。

例如，第WO2007/088872号国际公布公开了一种技术，该技术用于将关于当前处理设备的一个操作的之前操作状态的信息传递到检查装置，并为该检查装置优化检查条件。根据该公开，可有效地确定晶片是否是有缺陷的。另外，第3967406号日本专利公开了一种技术，该技术用于基于之前的检查信息(即，记录在条形码上的信息)，通过使用对齐修正单元检测被检查的部件的位置偏差的量。另外，第4197103号日本专利公开了一种技术，该技术涉及与更换晶片的操作相关的机构、该机构的操作定时以及可高效地传输晶片的紧凑型抛光设备。

然而，上述参考文件没有公开在用于半导体制造的后处理过程中减少晶片更换时间，或者公开对于半导体制造设备的改进和半导体制造设备的操作效率的提高。

发明内容

一个或多个示例性实施例提供一种用于制造半导体的设备和方法，藉此可减少更换晶片的时间和提高该设备的操作效率。

根据示例性实施例的一方面，提供一种用于制造半导体的设备，在所述设备中，半导体晶片的多个半导体芯片安装在目标上，所述设备包括：晶片盒，附着到所述设备的主体或从所述设备的主体分离；晶片载体，容纳在晶片盒中，且当半导体晶片放置在晶片载体上时，保留了关于所述多个半导体芯片的信息的条形码附着到晶片载体；缓冲单元，包括缓冲台和条形码读取器，并执行用于调节晶片载体的方向的对齐操作，晶片载体放置在缓冲台上，缓冲台能够旋转，条形码读取器读取所述条形码；XYθ台，在XYθ台上，半导体晶片运动到半导体芯片的拾取位置；安装机构，用于将半导体芯片安装在所述目标上。

在缓冲单元执行对齐操作之前，条形码读取器可执行读取附着到晶片载体的条形码的操作。

缓冲单元还可包括更换机构，该更换机构更换安装了已经完成对齐操作的晶片的晶片载体和安装了已经完成安装操作的晶片的晶片载体。

根据另一示例性实施例的一方面，提供一种通过使用所述设备制造半导体的方法，所述方法包括：在执行安装半导体晶片的半导体芯片的操作之前，执行读取附着到安装了半导体晶片的晶片载体的条形码的操作及用于调节晶片载体的方向的对齐操作。

根据另一示例性实施例的一方面，提供一种通过使用所述设备制造半导体的方法，所述方法包括：通过使用缓冲单元的更换机构，更换安装了已经完成对齐操作的晶片的晶片载体和安装了已经完成安装操作的晶片的晶片载体。

根据上述构造，通过缓冲单元执行寻找附着到晶片载体的条形码的位置的操作以及使晶片沿着晶片的芯片在所述目标上安装的方向对齐的操作。因此，在晶片的无缺陷芯片被拾取并安装在所述目标上的同时，完成读取条形码及对齐下一个晶片。这样，可快速地更换晶片。

另外，通过缓冲单元的更换机构使缓冲单元和XYθ台的运动范围最小化，从而可有效地执行晶片的更换。

附图说明

通过参照附图对示例性实施例进行详细描述，上述和其他方面将会变得更加清楚，在附图中：

图1是根据现有技术的固晶机的结构的俯视图；

图2是根据示例性实施例的芯片安装器的结构的俯视图；

图3示出了晶片载体的结构，在图1中示出的晶片放置在晶片载体上，其中，图3中的(a)部分是晶片载体的俯视图，图3中的(b)部分是晶片载体的截面图；

图4是根据另一示例性实施例的芯片安装器的缓冲单元的结构的透视图；

图5是示出通过在图4中示出的芯片安装器更换晶片的操作的示意图；

图6是根据另一示例性实施例的芯片安装器的结构的俯视图。

具体实施方式

现在，将参照附图更加全面地描述示例性实施例。另外，在说明书和附图中，相同标号指示具有基本相同构造的元件，以省略对相同标号的冗余描述。

(第一实施例)

图2是根据示例性实施例的芯片安装器的结构的俯视图。

如图2所示，芯片安装器10(半导体制造设备)包括：晶片盒52，可自由地附着到芯片安装器10或者从芯片安装器10分离；晶片载体WC，可容纳在晶片盒52中，当晶片W放置在晶片载体WC上时，具有关于多个芯片C的信息的条形码BC附着到晶片载体WC；缓冲台21，晶片载体WC设置在缓冲台21上，缓冲台21可旋转；条形码读取器58；缓冲单元20，在通过使用条形码读取器58读取附着到晶片载体WC的条形码的操作之后，缓冲单元20执行用于调节晶片载体WC的方向的对齐操作；XYθ台56，使晶片W运动到拾取位置P3，在拾取位置P3拾取每个芯片C；安装机构75，用于将每个芯片C安装在引线框架LF上；晶片变更器54，允许晶片载体WC适当地在晶片盒52、缓冲单元20及XYθ台56之间运动。

另外，在第一实施例中，芯片C的安装目标是引线框架LF，然而，本实施例的各个方面不限于此。即，芯片C的安装目标不限于引线框架LF，该目标可以是用于球栅阵列(BGA)或者芯片尺寸封装(CSP)的基板、印刷电路板(PCB)基板等。

接下来，在下面描述芯片安装器10的每个元件。

如图3所示，晶片载体WC为环形形状，切口n形成在晶片载体WC中，用作晶片W的方向性的标准。晶片W和晶片载体WC放置在粘合片S上。粘合片S的外径小于晶片载体WC的外径，但大于晶片载体WC的内径。晶片W的外径小于粘合片S的外径。

在用于半导体制造的预处理过程中，电路图案形成在晶片W上。晶片W在放置在粘合片S上之前是厚的，因此难以通过使用划片机切割晶片W，当晶片W切割成多个芯片C时，每个芯片C的背面的电阻高。因此，薄薄地切割晶片W，直到由于背面切割(back side cutting)而使晶片W具有合适的厚度为止。切割的晶片W附着到粘合片S，粘合片S具有由于(例如)紫外(UV)射线而变化的化学特性。

接下来，根据电路图案通过使用划片机将晶片W按照栅格形状进行切割。当晶片W的粘合片S膨胀时，切割的晶片W被拉出，多个芯片C彼此单独地分离。当从粘合片S的背面辐射UV射线时，粘合片S的粘合特性降低，芯片C与粘合片S容易分离。放置了晶片W的粘合片S放置在晶片载体WC上。

通过使用显微镜执行晶片测试来检查芯片C是否有缺陷，因此，芯片C被确定为无缺陷芯片或者有缺陷芯片。芯片地址及确定芯片C是否是无缺陷芯片或有缺陷芯片的结果为条形码并附着到晶片载体WC。条形码BC附着到晶片载体WC的位置未被说明书等限定，而是如上所述，条形码BC附着到晶片载体WC的位置根据制造晶片的工厂、制造商等变化。

多个多级式容纳槽形成在晶片盒52中。如上所述，切割的晶片W安装在每级容纳槽中，并且晶片载体WC容纳在每级容纳槽中，具有关于芯片C的信息的条形码BC附着到晶片载体WC。另外，用于更换容纳槽的单元设置在晶片盒52中。

缓冲单元20包括缓冲台21和条形码读取器58，晶片载体WC在缓冲台21上旋转。

缓冲台21被构造成板形构件，该板形构件的直径比晶片载体WC的外径大，该板形构件安装在运动机构(未示出)和旋转机构(未示出)上，用于执行晶片载体WC的对齐操作。另外，用于固定晶片载体WC的固定机构(未示出)设置在缓冲台21上，以防止当执行对齐操作时晶片载体WC偏离缓冲台21。

条形码读取器58安装在缓冲台21的上部上，条形码读取器58的位置被固定。

与缓冲台21一样，XYθ台56被构造成板形构件，该板形构件的直径大于晶片载体WC的外径。另外，XYθ台56安装在精确运动机构(未示出)和精确旋转机构(未示出)上。精确运动机构(未示出)和精确旋转机构(未示出)用于当执行晶片载体WC的对齐(用于使晶片W的芯片C与晶片W的芯片C在引线框架LF上安装的方向匹配)时，执行精细调节。另外，用于固定晶片载体WC的固定机构(未示出)设置在XYθ台56上，以防止当执行对齐操作和安装操作时晶片载体WC偏离XYθ台56。

检测器(未示出)安装在XYθ台56上，检测器通过使用高精度的图像处理等检测从缓冲单元20运动的晶片载体WC方向与晶片载体WC的无缺陷芯片C在引线框架LF上安装的方向的不一致。

安装机构75包括：安装头60，将每个芯片C安装在引线框架LF上；运动机构61和62，使安装头60运动到目标位置；引线框架LF；传输导轨70，引线框架LF在传输导轨70上传输。

安装头60包括真空吸取机构(未示出)，该真空吸取机构在不损坏晶片W的无缺陷芯片C的情况下拾取晶片W的无缺陷芯片C，同时将无缺陷芯片C传输到引线框架LF的上部，并将无缺陷芯片C安装在引线框架LF上。

运动机构61和62的运动范围大于安装头60从无缺陷芯片C的上部到引线框架LF的上部的最大运动距离。

在芯片安装器10的外部制造引线框架LF。传输导轨70与用于半导体制造的后处理工艺相关的装置相通。另外，固晶机包括驱动机构，该驱动机构根据安装头60的安装操作和拾取操作的速度传输引线框架LF。在芯片安装器的情况下，仅仅当更换印刷电路板(PCB)基板时，才传输PCB基板，当在PCB基板上安装芯片C时，PCB基板被固定。

晶片变更器54包括晶片保留单元，该晶片保留单元使晶片载体WC在晶片盒52和缓冲单元20之间以及在缓冲单元20和XYθ台56之间运动。

在下文中，描述通过芯片安装器10进行的与N个晶片相关的安装工艺的操作。

当与N个晶片相关的安装工艺的操作开始时，晶片载体WC(首先处于安装工艺的晶片W1放置在该晶片载体WC上)通过使用用于更换晶片盒52的晶片的单元运动到晶片盒52的传输高度。另外，缓冲单元20运动到晶片设定位置P1。在晶片盒52的传输位置，放置了晶片W1的晶片载体WC通过晶片变更器54从晶片盒52的容纳槽取出，并安装在缓冲单元20的缓冲台21上。另外，容纳接下来处于安装工艺的晶片W2放置于其上的晶片载体WC的容纳台安装在晶片盒52的传输位置。

当设置有晶片W1的晶片载体WC通过使用缓冲单元20运动到条形码读取位置P2时，寻找条形码BC附着到晶片W1的位置。晶片载体WC通过缓冲台21旋转，以使条形码BC设置在条形码读取器58的读取位置。

记录在条形码BC中的信息被条形码读取器58读取，芯片安装器10获得晶片W1的芯片地址及关于检查每个芯片C的结果的信息。当读取条形码BC出现错误时，条形码BC被条形码读取器58重新读取。

当获得关于晶片W1的信息时，晶片W1的位置通过缓冲台21调节到晶片W1的无缺陷芯片C在引线框架LF上安装的方向。

放置了晶片W1的晶片载体WC通过晶片变更器54与缓冲单元20的缓冲台21分离，并安装在XYθ台56上。

晶片W1通过XYθ台56运动到拾取位置P3。接下来，XYθ台56的检测器检测晶片W1的位置与安装头60的运动表面的位置是否彼此不一致。当晶片W1的位置与安装头60的运动表面的位置彼此不一致时，晶片W1的位置通过XYθ台56的旋转机构和运动机构精细地调节，以使晶片W1的位置与安装头60的运动表面的位置彼此一致。

在这种情况下，放置了晶片W2的晶片载体WC通过晶片变更器54从晶片盒52的容纳槽取出，并安装在缓冲台21上。

当调节晶片W1的位置时，安装头60基于从条形码读取器58接收的信息，从它的初始位置运动到晶片W1的无缺陷芯片C的上部。无缺陷芯片C通过安装头60以真空吸取的方式拾取，通过安装头60的运动机构61和62运动到传输导轨70上的引线框架LF的上部。接下来，安装头60通过运动机构61和62运动到晶片W1的下一个无缺陷芯片C的上部。下一个无缺陷芯片C通过安装头60拾取，并安装在引线框架LF上。拾取和安装操作重复执行的次数对应于晶片W1的无缺陷芯片的数量。

在执行晶片W1的拾取和安装操作的同时，寻找关于晶片W2的条形码BC2安装的位置。晶片载体WC通过缓冲台21旋转，以使条形码BC2设置在条形码读取器58的读取位置。条形码BC2通过条形码读取器58读取，芯片安装器10获得晶片W2的芯片地址及关于检查每个芯片C的结果的信息。当读取条形码BC2出现错误时，条形码BC2被条形码读取器58重新读取。当获得关于晶片W2的信息时，晶片W2的位置通过缓冲台21调节到晶片W2的无缺陷芯片C在引线框架LF上安装的方向。

在这种情况下，容纳放置了晶片W3的晶片载体WC的容纳槽安装在晶片盒52的传输高度。这里，在已经执行了关于晶片W2的安装工艺的操作之后，晶片W3处于安装工艺。

当晶片W1的所有无缺陷芯片C的拾取和安装操作完成时，安装头60通过运动机构61和62返回它的初始位置。晶片W1的有缺陷芯片保留在晶片W1中。放置了晶片W1的晶片载体WC通过晶片变更器54与XYθ台56分离，并容纳在缓冲单元20中。

在这种情况下，在已经安装了晶片W2的晶片载体WC中，完成条形码的读取并调节晶片W2的位置。晶片载体WC通过晶片变更器54与缓冲台21分离，并安装在XYθ台56上。

即，缓冲台21上的晶片W2安装在XYθ台56上，晶片载体WC通过晶片变更器54从晶片盒52取出，并安装在缓冲台21上。

XYθ台56的检测器检测晶片W2的位置与安装头60的运动表面的位置是否彼此不一致，并精细地调节晶片W2的位置。晶片W2的无缺陷芯片C通过安装头60拾取并安装在引线框架LF上。拾取和安装操作根据晶片W2的无缺陷芯片的数量重复地执行。

在执行晶片W2的拾取和安装操作的同时，寻找关于晶片W3的条形码BC3安装的位置，并读取条形码BC3以获得信息。另外，晶片W3的位置根据晶片W3的无缺陷芯片在引线框架LF上安装的方向，通过缓冲台21调节。

在这种情况下，容纳放置了晶片W4的晶片载体WC的容纳槽安装在晶片盒52的传输高度。这里，在已经执行关于晶片W3的安装工艺的操作之后，晶片W4处于安装工艺。

如上所述，当通过使用芯片安装器10执行安装N个晶片的操作时，晶片Wm(其中，m是在1至N范围内的自然数)按照下面的操作处理。

(1)晶片Wm安装在晶片盒52的传输高度。

(2)当寻找条形码BCm附着到晶片载体WC的位置时，通过条形码读取器58读取晶片Wm的芯片地址及检查每个芯片的结果，在关于晶片Wm的芯片地址及检查结果相关的信息传递到安装头60之后，晶片Wm的位置调节到晶片Wm的芯片C在引线框架LF上安装的方向。

(3)通过安装头60仅仅拾取晶片Wm的无缺陷芯片，并将无缺陷芯片安装在引线框架LF上。

(4)在有缺陷芯片C保留在晶片Wm中的状态下，晶片Wm容纳在晶片盒52中。

晶片W(m+1)处于在晶片Wm上执行的上述步骤(1)至(4)中的一个步骤的先前步骤这样的状态。

即，缓冲单元20安装在芯片安装器10上，以使在拾取位置P3执行的步骤(2)和(3)中的步骤(2)可通过缓冲单元20执行。因此，在安装操作中更换晶片的操作在部分程度上并行地执行，从而可减少用于更换晶片的时间。另外，XYθ台56的旋转机构的运动范围可被设定为晶片Wm的位置可在步骤(3)中精细地调节的范围，以使XYθ台56或芯片安装器10的构造不复杂。

(第二实施例)

接下来，将参照图4描述根据另一示例性实施例的芯片安装器。

根据本实施例的芯片安装器具有与图2的芯片安装器10的结构相同的结构。缓冲单元20包括更换机构25，更换机构25更换放置了已经完成对齐操作的晶片W的晶片载体WC以及放置了已经完成安装操作的晶片W的晶片载体WC。

缓冲单元20的示例在图4中示出。如图4所示，缓冲单元20包括：两级式(上级和下级)缓冲台21a和21b；更换机构25，沿着上下方向被驱动，以改变上缓冲台21a和下缓冲台21b的高度；条形码读取器58。上缓冲台21a用于安装从晶片盒52取出的处于安装工艺之前的晶片载体WC。另外，下缓冲台21b用于安装与XYθ台56分离的处于安装工艺之后的晶片载体WC。

在下文中，将参照图5描述在缓冲单元20上更换晶片的操作。这里，条形码读取器58未在图5中示出。

在图5的子操作(I)中，由于缓冲单元20的更换机构25使得上缓冲台21a的高度与处于晶片盒52的传输位置的容纳槽的高度及XYθ台56的高度一致。放置了晶片W(k+1)(其中，k是在1至N范围内的自然数)的晶片载体WC从处于晶片盒52的传输位置的容纳槽运动到上缓冲台21a。在放置了晶片W(k+1)的晶片载体WC上，寻找条形码BC(k+1)附着的位置，读取条形码BC(k+1)，并使晶片载体WC与晶片W(k+1)的芯片在引线框架LF上安装的方向对齐。在这种情况下，放置了处于安装工艺之前的晶片W(k)的晶片载体WC安装在XYθ台56上。在晶片载体WC安装在XYθ台56上之后，执行晶片W(k)的无缺陷芯片C的拾取和安装操作。

当安装晶片W(k)的所有无缺陷芯片C的操作完成时，开始执行图5的子操作(II)。在子操作(II)中，上缓冲台21a和下缓冲台21b通过缓冲单元20的更换机构25上升，以使下缓冲台21b的高度与晶片盒52的传输位置及XYθ台56的高度一致。放置了晶片W(k)的晶片载体WC从XYθ台56运动到下缓冲台21b(图5的运动(i))，或者从下缓冲台21b运动到处于晶片盒52的传输位置的容纳槽(图5的运动(ii))。

在图5的子操作(III)中，上缓冲台21a和下缓冲台21b通过缓冲单元20的更换机构25下降，以使上缓冲台21a的高度与处于晶片盒52的传输位置的容纳槽的高度及XYθ台56的高度一致。放置了晶片W(k+1)的晶片载体WC从上缓冲台21a安装在XYθ台56上。

在更换晶片的上述操作中，缓冲单元20和XYθ台56的运动范围以这样的方式最小化：通过使用缓冲单元20的更换机构25可容易地执行处于安装工艺之前的晶片与处于安装工艺之后的晶片的更换。另外，可从更换晶片的操作中省略不需要的子操作。

另外，可以非连续性地执行子操作(II)的运动(i)和(ii)。在这种情况下，可执行子操作(II)的运动(i)，放置了晶片W(k)的晶片载体WC可支撑在下缓冲台21b上，可在执行子操作(III)之后执行作为附加子操作(IV)的运动(ii)。

另外，缓冲单元20可包括盘形的缓冲台21，多个晶片载体WC可附着到缓冲台21或者从缓冲台21分离。在这种情况下，更换机构25沿着旋转方向被驱动，缓冲台21旋转，执行晶片载体WC(k)与WC(k+1)的更换。作为另一示例，缓冲单元20可包括矩形的缓冲台，多个晶片载体WC可安装在该缓冲台上。在这种情况下，更换机构25沿着水平方向被驱动，缓冲台21滑动，执行晶片载体WC(k)与WC(k+1)的更换。

即，缓冲单元20可包括用于使单个缓冲台运动到任意位置的机构。

(第三示例性实施例)

接下来，将描述根据另一示例性实施例的复合芯片安装器31。另外，在图6中示出的复合芯片安装器31的元件中，与图2的元件相同的元件指示相同的标号，并省略对所述相同的元件的描述。在图6中，标号54a，54b指示晶片更换器，标号58a，58b指示条形码读取器，标号60a，60b指示安装头，标号61a，61b，62a，62b指示运动机构，标号70a，70b指示传输导轨，标号75a，75b指示安装机构。

如图6所示，复合芯片安装器31以两个芯片安装器10a和10b彼此面对且彼此相邻这样的方式安装。另外，省略了图6的前芯片安装器10a的晶片盒。相反，复合芯片安装器31包括传输导轨73，在传输导轨73上，从晶片盒52取出的晶片载体WC交替地设置在缓冲单元20a和20b上。

在图6中示出的复合芯片安装器31中，芯片安装器10a和10b彼此面对且彼此相邻，然而，本实施例的各个方面不限于此。即，在图6的复合芯片安装器31中，在图4中示出的两个芯片安装器可彼此面对且可彼此相邻。

放置了N个晶片W1至WN的晶片载体WC容纳在复合芯片安装器31的晶片盒52中，放置的晶片载体WC按照N个晶片W1至WN处于安装工艺的顺序从晶片盒52取出。晶片载体WC通过使用传输导轨73交替地设置在在前缓冲单元20a和在后缓冲单元20b上。放置了晶片W2的晶片载体WC安装在在前缓冲单元20a和在后缓冲单元20b上，晶片载体WC传输到XYθ台56a和56b，并在XYθ台56a和56b上处于安装工艺。

另外，在晶片W3上执行在晶片W2上执行的操作的先前操作。接下来，按照相同的方式执行关于N个晶片W1至WN的安装工艺的操作。

复合芯片安装器31执行安装相同类型的晶片W的操作，并具有约等于每个芯片安装器10a和10b的半导体生产速度的两倍的半导体生产速度。例如，当每个芯片安装器10a和10b的半导体生产速度是5,000单位/小时时，复合芯片安装器31的半导体生产速度是10,000单位/小时。

另外，如图6所示，在仅仅设置了一个晶片盒52的复合芯片安装器31中，晶片W可沿着相同的方向从晶片盒52取出。然而，由于芯片安装器10a和10b彼此面对，所以晶片W的芯片C在引线框架LF上安装的方向可彼此相对。因此，将要被安装在XYθ台56a和56b上的两个晶片W中的一个晶片W需要在从传输导轨73传输之后旋转。即使在这种情况下，由于缓冲单元20a和20b设置在芯片安装器31上，所以晶片W可在晶片载体WC分别安装在XYθ台56a和56b上之前旋转，以调节晶片W的位置。

如上所述，由于具有缓冲单元20a和20b的复合芯片安装器31将晶片W供应到多个XYθ台56a和56b，且在晶片W上并行地执行无缺陷芯片C的拾取和安装操作，所以可减少用于更换晶片的时间，并可提高复合芯片安装器31的操作效率。

在根据一个或多个示例性实施例的用于制造半导体的设备和方法中，可减少用于更换晶片的时间，并可提高设备的操作效率。结果，可增加在单位时间内制造的半导体的数量，并可提高用于半导体制造的半导体生产速度。

虽然已经参照本发明构思的示例性实施例具体地示出并描述了本发明构思，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可在此进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (4)

1.一种用于制造半导体的设备，其中，半导体晶片的多个半导体芯片安装在目标上，所述设备包括：

晶片盒，附着到所述设备的主体或从所述设备的主体分离；

晶片载体，容纳在晶片盒中，且当半导体晶片放置在晶片载体上时，保留了关于所述多个半导体芯片的信息的条形码附着到晶片载体；

缓冲单元，包括缓冲台和条形码读取器，并执行用于调节晶片载体的方向的对齐操作，晶片载体放置在缓冲台上，缓冲台能够旋转，条形码读取器读取所述条形码；

XYθ台，在XYθ台上，半导体晶片运动到半导体芯片的拾取位置；

安装机构，用于将半导体芯片安装在所述目标上，

所述缓冲单元还包括更换机构，更换机构更换安装了已经完成对齐操作的晶片的晶片载体和安装了已经完成安装操作的晶片的晶片载体，

所述缓冲单元包括上下两级式缓冲台，

所述更换机构沿着上下方向被驱动，以改变所述上下两级式缓冲台的高度。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，在缓冲单元执行对齐操作之前，条形码读取器执行读取附着到晶片载体的条形码的操作。

3.一种通过使用权利要求1的设备制造半导体的方法，所述方法包括：在执行安装半导体晶片的半导体芯片的操作之前，执行读取附着到安装了半导体晶片的晶片载体的条形码的操作及用于调节晶片载体的方向的对齐操作。

4.一种通过使用权利要求1的设备制造半导体的方法，所述方法包括：通过使用缓冲单元的更换机构，更换安装了已经完成对齐操作的晶片的晶片载体和安装了已经完成安装操作的晶片的晶片载体。