CN102827526A

CN102827526A - 高阻抗材料以及包括该材料的显示基板黑矩阵和液晶显示装置

Info

Publication number: CN102827526A
Application number: CN2012103031214A
Authority: CN
Inventors: 暴军萍; 李兴华; 贺伟; 江定荣
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2012-08-23
Filing date: 2012-08-23
Publication date: 2012-12-19
Anticipated expiration: 2032-08-23
Also published as: CN102827526B

Abstract

本发明提供了一种高阻抗材料，其由以下重量百分含量的组分组成：粘合树脂10％～30％；遮光剂20％～50％；溶剂30％～65％；粘结性改良剂0.03％～0.2％。本发明所述的高阻抗材料可用于制备黑矩阵，所述黑矩阵能起到一种隔绝的作用，将所述黑矩阵用于液晶显示装置，在开机瞬间，使得下基板两侧的电极引线区由于电场变化产生的感应电荷都集聚并束缚在上侧的边缘BM区，不会向内侧扩散和泄漏，能够彻底解决ADS产品两侧白线的情况。

Description

高阻抗材料以及包括该材料的显示基板黑矩阵和液晶显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及高阻抗材料以及包括该材料的显示基板黑矩阵(black matrix，简称BM)和液晶显示装置。

背景技术

彩膜基板上的黑矩阵在TFT_LCD（薄膜晶体管液晶显示器）中起着重要的作用。它能阻止R、G、B彩色象素彼此混和，以保持必要的色饱和度。黑矩阵还被用来阻挡和吸收外界入射光线，避免其直接或通过反射与散射间接照射到TFT器件沟道区的a-Si层上，引起TFT器件关态特性的劣化；其次黑矩阵还起到遮挡阵列基板上阵列引线与ITO像素电极之间由于存在间隙而产生的漏光，避免图像对比度的降低；第三则是由于液晶盒在受横向电场作用时，在像素边缘会发生颠倒倾斜取向缺陷，黑矩阵可以避免这种情况造成图像对比度的降低。

因此，一般要求BM具有高的光学密度(optical density，OD)与低反射率。黑矩阵材料可分为无机和有机两类。无机多层结构包括Cr/CrO_x，CrO_xN_y/CrN_y，Si/SiO，与SiO_xN_y等。它们通常需要高真空沉积，以实现精确的多层厚度控制与标准的光刻过程，这些可能造成高制造成本。而且，以Cr为基础的BM存在某些环境污染问题。

另一方面，有机BM，包括炭型与颜料型光敏树脂，具有比较低的材料与加工成本。比如，CN101617272A，发明名称为用于黑矩阵的光敏树脂组合物、由该组合物制备的黑矩阵和包括该黑矩阵的液晶显示器，该光敏树脂组合物包含1-70wt％光屏蔽材料、1-30wt％基于芴的树脂聚合物的粘合剂、1-30wt％多官能团单体、1-30wt％光致聚合引发剂和溶剂。

CN101636452A，发明名称为黑色树脂组合物、树脂黑矩阵、滤色器和液晶显示装置，该黑色树脂组合物至少含有遮光材料、树脂和溶剂，且遮光材料至少含有钛氮化物粒子，并且在以CUKΑ线为X射线源时，来自所述钛氮化物粒子的(200)面的峰的衍射角2θ为42.5°～42.8°。该发明的黑色树脂组合物的体积电阻率最优选也只能达到10⁸Ω.cm左右，存在无法改善ADS型产品开机两侧白线的问题。

一般来说，只有当其电阻率可以达到10¹⁴Ω.cm以上时，才能起到一种隔绝的作用，使得下基板两侧的电极引线区由于电场变化产生的感应电荷都集聚并束缚在上侧的边缘BM区，不会向内侧扩散和泄漏，方能解决ADS产品两侧白线的情况。

ADSDS（ADvanced Super Dimension Switch），简称ADS，即高级超维场转换技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

但是，由于ADS型液晶显示产品的特殊显示原理和常黑显示模式，如图1所示，在开机瞬间，Gate线（栅线）上加载信号的急剧变化，使得在下基板3两侧的电极引线区4和对应的上基板2的BM1间产生了较大的瞬时感应电场，其感应电荷经有机BM材料，扩散到显示区，产生干扰电场，影响液晶的旋转，由于ADS型产品的特殊显示原理和常黑显示模式，该感应电场的存在会严重影响开机黑画面下的显示效果，导致开机瞬间黑画面下两侧产生明显的白线。其中ADS型液晶显示产品开机白线不良产生机理图如图1所示。

针对此情况，目前有采用在TFT两侧增加Dummy Pixel（假像素）设计并用BM遮盖；虽然可以掩盖此不良，但会增加边框的宽度，增加至少在0.1mm～0.2mm左右，势必带来成本的增加，与窄边框的发展趋势相悖。

另一种情况，是调整背光源与Panel（液晶显示器）的时序，延长背光源点亮时间，先使Panel初始化完成后再完成整个模组点亮，但不能从根本解决该不良。

因此，针对TFT-LCD ADS型产品在开机瞬间黑画面下出现周边白线的问题，寻求一种从根本上解决的方案，以彻底提高产品的显示效果。

发明内容

为了解决现有技术的不足，本发明提供一种高阻抗材料，可用于制备黑矩阵，具有高光学密度及高抗阻性。

本发明的另一目的在于提供一种由该高阻抗材料制备的黑矩阵，该黑矩阵能起到一种隔绝的作用，使得下基板两侧的电极引线区由于电场变化产生的感应电荷都集聚并束缚在上侧的边缘BM区，不会向内侧扩散和泄漏，能够彻底解决ADS产品两侧白线的情况。

本发明的再一目的在于提供由该高阻抗材料制备的液晶显示装置。

为了实现本发明目的，本发明提供一种高阻抗材料，其由以下重量百分含量的组分组成：10％～30％的粘合树脂，20％～50％的遮光剂，30％～65％的溶剂，以及0.03％～0.2％的粘结性改良剂。

优选的含量为：12％～25％的粘合树脂，30％～50％的遮光剂，30％～55％的溶剂，以及0.1％～0.2％的粘结性改良剂。

最优选为：20.88％的粘合树脂，49％的遮光剂，30％的溶剂，以及0.12％的粘结性改良剂。

其中，所述粘合树脂为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的至少一种。

所述丙烯酸树脂具有耐热性及稳定性优良的特性，因此可提高该高阻抗胶的耐热性、及其储藏稳定性。其加入量控制在10％～30％，优选在12％～25％；如果其加入量过少，则会影响黑矩阵与基板的粘附性，导致粘附性变差；但如果加入量过多，又会造成OD值降低。

所述丙烯酸树脂优选为酸值为70～150mgKOH/g，分子量约为2000～100000的丙烯酸系聚合物，优选为二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯或具有芴环的丙烯酸酯其中一个或其混合物，其中，以二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯或季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯中任意一种与具有芴环的丙烯酸酯进行混合，二者的用量比为6:4至9：1，即（6～9）：（1～4）。

所述聚酰亚胺树脂一般作为非感光性树脂，优选采用芳香族系的二胺和/或酸二酐作为聚酰亚胺前体进行酰亚胺化来得到聚酰亚胺树脂。

所述遮光剂包括炭黑、钛黑（也称为低氧化钛或氮氧化钛）或金属氧化物（氧化铁）中的一种或多种。还可加入一些其它有机颜料混色体系对色度进行调整。

所述遮光剂优选采用钛黑，或者炭黑和钛黑（主要成分就是TiN_xO_y（其中，0<x<2.0,0.1<y<2.0））的混合。炭黑为低阻抗物，钛黑为高阻抗物，两者的混合比率可控制BM的阻抗。且钛黑的透过色为蓝色，炭黑的透过色为红色，两者混合，可得没着色的黑色。炭黑的加入量为钛黑的5％～20％（重量百分含量），所述钛黑可以市售获得，也可以自行制备，比如采用本领域常规方法：将二氧化钛粉末与氨气在800～100℃下反应8～10h得到钛黑。

所述遮光剂加入量控制在20％～50％；如果其加入量过少，则存在单位厚度的光密度（OD值/μm）降低的问题；但如果加入量过多，遮光剂加入量过多，则树脂成分量会过少，则存在与黑色被膜的基板的粘附性变得不好的问题。

所述溶剂包括丙二醇甲醚丙酸酯、乙二醇单甲醚乙酸酯、1，2-丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇二乙醚、乙二醇二乙酯、乙二醇丁醚乙酸酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、环己酮、N,N-二甲基甲酰胺的一种或多种组成的混合物。

所述粘结性改良剂为硅烷偶联剂或钛偶联剂，比如双-3-（氨基丙基）四甲基硅氧烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷KH570或γ-巯丙基三乙氧基硅烷中的一种或多种。所述粘结性改良剂可提高与玻璃板无机物的粘结性，其添加量为0.03％～0.2％，优选0.1％～0.2％；其添加量较少，不能提高粘结性的效果，如果添加量过多，则会产生耐热性降低。

本发明的高阻抗材料的制备方法，采用将遮光剂、粘合树脂分散在溶剂中制作分散液，再与粘结性改良剂进行混合制成黑色组合物。

本发明的高阻抗材料选择适宜的粘合树脂、遮光剂，并与溶剂及粘结性改良剂复配而成，各组分合理配比，达成协同作用，获得高电阻并高光学密度（OD）值的BM胶。本发明的高阻抗材料的光学密度（OD）值可达到2.5～5.5，电阻率可达4.0E+14～6.0E+14Ω.cm，可以用于制备液晶显示装置的黑矩阵。

而且本发明的高阻抗材料的制备工艺条件简单，对环境无污染。

本发明还提供了一种黑矩阵，由所述高抗阻材料涂膜制备而成。

所述的黑矩阵的厚度为0.8～1.2um。

所述的黑矩阵可将所述高抗阻材料采用狭缝涂布的方法涂覆于基板（比如玻璃等）上制成。

本发明所述的黑矩阵可起到一种隔绝的作用，使得下基板两侧的电极引线区由于电场变化产生的感应电荷都集聚并束缚在上侧的边缘BM区，不会向内侧扩散和泄漏，能够彻底解决ADS产品两侧白线的情况。

本发明还提供了一种液晶显示装置，包含该黑矩阵。优选为ADS型TFT-LCD产品。

本发明包含所述高抗阻黑矩阵的液晶显示装置在开机时，如图2所示，下基板3两侧的电极引线区4和对应的上基板2的BM1间产生的瞬时感应电荷集聚并束缚在上侧的边缘BM区，不会泄漏到显示区，因此，开机瞬间黑画面下两侧不会出现明显的白线。

附图说明

图1为现有ADS型产品开机白线不良产生机理图；

图2为本发明所述高阻抗胶用于制备黑矩阵对消除开机周边白线不良的机理图。

图中：

1.黑矩阵，2.上基板，3.下基板，4.电极引线区。

具体实施方式

以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

测定OD值:在无碱玻璃上形成膜厚1.0μm或0.8μm的树脂黑矩阵，使用显微分光计，通过公式:OD值=I⁰lg10(I⁰/I)，I⁰为入射光强度，I为透射光强度。

测定体积电阻率：通过带有保护环的三端子法进行测定，并通过下述关系式求得：

体积电阻率ρ（Ω.cm）=（V/I）×(s/d)

其中，V为施加的电压（V），I为流过的电流（A），s为电极面积（cm²），d为涂膜厚（μm）。

本发明的高阻抗材料由以下重量百分含量的组分组成：10％～30％的粘合树脂，20％～50％的遮光剂，30％～65％的溶剂，以及0.03％～0.2％的粘结性改良剂；优选的含量为：12％～25％的粘合树脂，30％～50％的遮光剂，30％～55％的溶剂，以及0.1％～0.2％的粘结性改良剂。

所述粘合树脂为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的至少一种。所述丙烯酸树脂优选为酸值为70～150mgKOH/g，分子量约为2000～100000的丙烯酸系聚合物，优选为二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯或具有芴环的丙烯酸酯其中一个或其混合物，其中，以二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯或季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯中任意一种与具有芴环的丙烯酸酯进行混合，二者的用量比为（6～9）：（1～4）。

所述聚酰亚胺树脂采用芳香族系的二胺和/或酸二酐作为聚酰亚胺前体进行酰亚胺化来得到聚酰亚胺树脂。

所述遮光剂包括炭黑、钛黑（也称为低氧化钛或氮氧化钛）或金属氧化物（氧化铁）中的一种或多种，还可加入一些其它有机颜料混色体系对色度进行调整。

所述遮光剂优选采用钛黑，或者炭黑和钛黑（主要成分就是TiN_xO_y（其中，0<x<2.0,0.1<y<2.0））的混合。其中采用混合方式时，炭黑的加入量为钛黑的5％～20％（重量百分含量）。

所述粘结性改良剂为硅烷偶联剂或钛偶联剂，比如双-3-（氨基丙基）四甲基硅氧烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷KH570或γ-巯丙基三乙氧基硅烷中的一种或多种。

本发明的高阻抗材料采用将遮光剂、粘合树脂分散在溶剂中搅拌1～3小时，得预分散液，然后，将预分散液加入到研磨机中，在转速为5000～10000rpm时进行30～60分钟的分散，得到分散液，然后再与粘结性改良剂进行混合制成。该高抗阻材料的光学密度（OD）值可达到2.5～5.5，电阻率可达4.0～6.0E+14Ω.cm。

可以采用狭缝涂布的方法将高抗阻材料涂覆于基板（比如玻璃等）上制成黑矩阵。黑矩阵的厚度以0.8～1.2um为佳。

实施例1

本实施例的高抗阻材料的组分配比为：遮光剂钛黑230g、丙烯酸树脂120g、溶剂648.8g和硅烷偶联剂双-3-（氨基丙基）四甲基硅氧烷1.2g。

具体制备过程如下：

使用均化器，将230g的钛黑（化学式，TiN_xO_y，x：0.7～1.0,y：0.3～0.6）（购自三菱综合材料电子化成株式会社钛黑电子材料）、120g丙烯酸树脂（60％二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯和40％二苯氧基乙醇芴二丙烯酸酯的混合物）、648.8g溶剂（250g1,2-丙二醇甲醚乙酸酯（PGMEA）、12g乙二醇单甲醚乙酸酯、130g乙二醇二乙醚和256.8g环己酮的混合物）搅拌分散1小时，得预分散液，然后，将预分散液加入到填充了70％（以研磨机体积为基准，以下同）的直径0.05mm玻璃珠的研磨机中，一起在转速为7000rpm时进行30分钟的分散。然后通过过滤除去玻璃珠，得到分散液。

在该分散液中，加入1.2g硅烷偶联剂（双-3-（氨基丙基）四甲基硅氧烷），混合制成遮光剂钛黑23％，树脂12％的黑色组合物。

得到的高抗阻材料采用狭缝涂布法涂覆于玻璃上，形成黑矩阵，厚度为1.0um，可用于液晶显示装置。经检测OD值为3，电阻率为6.0E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

实施例2

除了490g的钛黑，208.8g丙烯酸树脂，300g溶剂（117g1,2-丙二醇甲醚乙酸酯（PGMEA）、3g乙二醇单甲醚乙酸酯0％～2％、60g乙二醇二乙醚和120g环己酮的混合物）。按照与实施例1相同的方法来形成树脂黑矩阵用高抗阻材料，制成遮光剂钛黑49％，树脂20.88％的黑色组合物。

得到的高抗阻材料采用狭缝涂布法涂覆于玻璃上，形成黑矩阵，厚度为1.0um，可用于液晶显示装置。经检测OD值为5，电阻率为6.5E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

实施例3

除了200g的钛黑和30g炭黑外，按照与实施例1相同的方法来形成树脂黑矩阵用高抗阻材料。

得到的高抗阻材料采用狭缝涂布法涂覆于玻璃上，形成黑矩阵，厚度为1.0um，可用于液晶显示装置。经检测，OD值为3.5，电阻率为4.0E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

实施例4

除了460g的钛黑和30g炭黑外，按照与实施例2相同的方法来形成树脂黑矩阵用高抗阻材料。

得到的高抗阻材料采用狭缝涂布法涂覆于玻璃上，形成黑矩阵，厚度为0.8um，可用于液晶显示装置。经检测，OD值为5.5，电阻率为6.0E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

实施例5

按照与实施例1相同的方法来形成树脂黑矩阵用高抗阻材料，与其不同在于，本实施例的高抗阻材料的组分配比为：炭黑10g、钛黑190g、丙烯酸树脂300g、溶剂498g和硅烷偶联剂双-3-（氨基丙基）四甲基硅氧烷2g。

得到的高抗阻材料采用狭缝涂布法涂覆于玻璃上，形成黑矩阵，厚度为0.8um，可用于液晶显示装置。经检测，OD值为4.0，电阻率为5.0E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

实施例6

代替丙烯酸树脂而使用聚酰胺树脂（联苯四甲酸二酐和对苯二胺合成），按照与实施例1相同的方法来形成树脂黑矩阵用高抗阻胶。

得到的高抗阻材料采用狭缝涂布法涂覆于玻璃上，形成黑矩阵，厚度为1.0um，可用于液晶显示装置。经检测，OD值为3.0，电阻率为5.7E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

实施例7

使用均化器，将21.8g的炭黑，414.2g钛黑（化学式，TiN_xO_y，x：0.7-1.0,y：0.3-0.6），162g丙烯酸树脂（80％二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯和20％二苯氧基乙醇芴二丙烯酸酯），400g溶剂（160g丙二醇甲醚丙酸酯、40乙二醇二乙酯、100g乙二醇丁醚乙酸酯和100g环己酮的混合物）。搅拌分散1h，得预分散液，然后，将预分散液加入到填充了70％（以研磨机体积为基准，以下同）的0.05mm玻璃珠的研磨机中，一起在7000rpm进行30min的分散。然后通过过滤除去玻璃珠，得到分散液。

在该分散液中，添加混合2g硅烷偶联剂（γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷）制成的黑色组合物。

得到的高抗阻材料采用狭缝涂布法涂覆于玻璃上，形成黑矩阵，厚度为1.0um，可用于液晶显示装置。经检测OD值为5.0，电阻率为6.0E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

实施例8

使用均化器，将35g的炭黑，315g钛黑（化学式，TiN_xO_y，x：0.7-1.0,y：0.3-0.6），200g丙烯酸树脂（90％季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯和10％二苯氧基乙醇芴二丙烯酸酯），448.5g溶剂（140g1,2-丙二醇甲醚乙酸酯（PGMEA）、200g丙二醇甲醚丙酸酯、和108.5gN-甲基-2-吡咯烷酮的混合物）。搅拌分散1h，得预分散液，然后，将预分散液加入到填充了70％（以研磨机体积为基准，以下同）的0.05mm玻璃珠的研磨机中，一起在7000rpm进行30min的分散。然后通过过滤除去玻璃珠，得到分散液。

在该分散液中，添加混合1.5g硅烷偶联剂（3-氨丙基三乙氧基硅烷）制成的黑色组合物。

得到的高抗阻材料采用狭缝涂布法涂覆于玻璃上，形成黑矩阵，用于厚度为1.0um，可用于液晶显示装置。经检测OD值为2.7，电阻率为5.5E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

实施例9

按照与实施例1相同的方法来形成树脂黑矩阵用高抗阻材料，与其不同在于，本实施例的高抗阻材料的组分配比为：炭黑75g、钛黑375g、丙烯酸树脂148g、溶剂400g和硅烷偶联剂双-3-（氨基丙基）四甲基硅氧烷2g。

经检测OD值为5.5，电阻率为4.8E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

实施例10

按照与实施例1相同的方法来形成树脂黑矩阵用高抗阻材料，与其不同在于，本实施例的高抗阻材料的组分配比为：炭黑300g、丙烯酸树脂250g、溶剂440g和硅烷偶联剂双-3-（氨基丙基）四甲基硅氧烷1g。

经检测OD值为4.5，电阻率为4.5E+14Ω.cm，具有高光学密度及高抗阻性。

如图2所示，采用了实施例1-10的高抗阻黑矩阵的液晶显示装置在开机时，下基板3两侧的电极引线区4和对应的上基板2的BM1间产生的瞬时感应电荷集聚并束缚在上侧的边缘BM区，不会泄漏到显示区，在开机瞬间黑画面下两侧不会出现明显的白线。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims

1.一种高阻抗材料，其特征在于，其由以下重量百分含量的组分组成：10％～30％的粘合树脂，20％～50％的遮光剂，30％～65％的溶剂，以及0.03％～0.2％的粘结性改良剂。

2.根据权利要求1所述的高阻抗材料，其特征在于，其由以下重量百分含量的组分组成：12％～25％的粘合树脂，30％～50％的遮光剂，30％～55％的溶剂，以及0.1％～0.2％的粘结性改良剂。

3.根据权利要求1所述的高阻抗材料，其特征在于，其由以下重量百分含量的组分组成：20.88％的粘合树脂，49％的遮光剂，30％的溶剂，以及0.12％的粘结性改良剂。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的高阻抗材料，其特征在于，所述粘合树脂为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的高阻抗材料，其特征在于，所述丙烯酸树脂的酸值为70～150mgKOH/g，分子量为2000～100000的丙烯酸系聚合物。

6.根据权利要求5所述的高阻抗材料，其特征在于，所述丙烯酸树脂为二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯或具有芴环的丙烯酸酯其中一个或其混合物，其中，以二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯或季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯中任意一种与具有芴环的丙烯酸酯进行混合，二者的用量比为6:4至9：1。

7.根据权利要求4所述的高阻抗材料，其特征在于，所述聚酰亚胺树脂采用芳香族系的二胺和/或酸二酐作为聚酰亚胺前体进行酰亚胺化得到。

8.根据权利要求1～3任意一项所述的高阻抗材料，其特征在于，所述遮光剂包括炭黑、钛黑或金属氧化物中的一种或多种。

9.根据权利要求8所述的高阻抗材料，其特征在于，所述遮光剂为钛黑、或者炭黑和钛黑的混合物；其中，炭黑和钛黑混合时，炭黑的加入量为钛黑重量的5～20％。

10.根据权利要求1～3任意一项所述的高阻抗材料，其特征在于，所述溶剂包括丙二醇甲醚丙酸酯、乙二醇单甲醚乙酸酯、1，2-丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇二乙醚、乙二醇二乙酯、乙二醇丁醚乙酸酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、环己酮、N,N-二甲基甲酰胺中的一种或多种。

11.根据权利要求1～3任意一项所述的高阻抗材料，其特征在于，所述粘结性改良剂为硅烷偶联剂或钛偶联剂。

12.根据权利要求11所述的高阻抗材料，其特征在于，所述粘结性改良剂包括双-3-（氨基丙基）四甲基硅氧烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷或γ-巯丙基三乙氧基硅烷中的一种或多种。

13.制备权利要求1-12任意一项所述高阻抗材料的方法，其特征在于，将所述遮光剂、所述粘合树脂分散在所述溶剂中制作成分散液，再将所述分散液与粘结性改良剂进行混合，制成所述高阻抗材料。

14.一种黑矩阵，其特征在于，所述黑矩阵的材料包括权利要求1-12任意一项所述的高阻抗材料。

15.一种液晶显示装置，所述液晶显示装置的显示基板上包含权利要求14所述的黑矩阵。